JP5090396B2 - 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに、半導体光学装置 - Google Patents
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Description
10a 成長主面
11 n型GaN層
12 下部クラッド層
13 下部ガイド層
14 活性層
14a 井戸層
14b 障壁層
15 アブロック層(Alを含むp型半導体層、p型の半導体層)
16 上部ガイド層(p型の半導体層)
17 上部クラッド層(p型の半導体層)
18 コンタクト層(p型の半導体層)
19 リッジ部
20 絶縁層
21 p側電極
22 n側電極
23 メタライズ層
30 共振器面
30a 光出射面
30b 光反射面
100 窒化物半導体レーザ素子(窒化物半導体発光素子)
110 サブマウント
120 ステム
130 ワイヤ
135 キャップ
150 半導体レーザ装置(半導体光学装置)
Claims (12)
- 成長主面を有する窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の成長主面上に成長され、Inを含む活性層と前記活性層上に形成されたAlを含むp型半導体層とを有する窒化物半導体層とを備え、
前記成長主面は、m面に対して、a軸方向にオフ角度を有する面からなり、
前記窒化物半導体基板は、a軸方向に加えて、c軸方向にもオフ角度を有しており、
前記a軸方向のオフ角度が、前記c軸方向のオフ角度より大きく、
前記活性層に含まれる井戸層のIn組成比が、0.15以上0.45以下であり、
前記活性層に含まれる障壁層もInを含み、
前記p型半導体層のAl組成比が、0.08以上0.35以下であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 - 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、0.1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記活性層は3つの前記障壁層を含み、3つの前記障壁層は、それぞれ、異なる厚みに形成されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記井戸層はIn x1 Ga 1-x1 Nからなり、前記障壁層はIn x2 Ga 1-x2 Nからなる(ただしx1>x2)請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記p型半導体層はp型Al y Ga 1-y Nからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板は、GaNからなることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- m面に対してa軸方向にオフ角度を有する面を成長主面とする窒化物半導体基板を準備する工程と、
前記窒化物半導体基板の成長主面上に、エピタキシャル成長法を用いて、n型半導体層、Inを含む活性層およびAlを含むp型半導体層を有する窒化物半導体層を積層する工程とを備え、
前記窒化物半導体基板は、a軸方向に加えて、c軸方向にもオフ角度を有しており、
前記a軸方向のオフ角度が、前記c軸方向のオフ角度より大きく、
前記窒化物半導体層を積層する工程は、
前記活性層に含まれる井戸層のIn組成比を0.15以上0.45以下にするとともに、前記活性層に含まれる障壁層もInを含むように構成する工程を含むとともに、前記p型半導体層のAl組成比を0.08以上0.35以下に構成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、0.1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記活性層は3つの前記障壁層を含み、3つの前記障壁層は、それぞれ、異なる厚みに形成されている請求項8〜10のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子を備えることを特徴とする、半導体光学装置。
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