JP2010232518A - 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに、半導体光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子100(窒化物半導体発光素子)は、
成長主面10aを有するGaN基板10と、このGaN基板10の成長主面10a上に成長され、Inを含む活性層14(井戸層14a)およびキャリアブロック層15を含む窒化物半導体各層11〜18とを備えている。そして、GaN基板10の成長主面10aが、m面に対して、a軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層14(井戸層14a)のIn組成比が、0.15以上0.45以下に設定されている。
【選択図】図2
Description
10a 成長主面
11 n型GaN層
12 下部クラッド層
13 下部ガイド層
14 活性層
14a 井戸層
14b 障壁層
15 アブロック層(Alを含むp型半導体層、p型の半導体層)
16 上部ガイド層(p型の半導体層)
17 上部クラッド層(p型の半導体層)
18 コンタクト層(p型の半導体層)
19 リッジ部
20 絶縁層
21 p側電極
22 n側電極
23 メタライズ層
30 共振器面
30a 光出射面
30b 光反射面
100 窒化物半導体レーザ素子(窒化物半導体発光素子)
110 サブマウント
120 ステム
130 ワイヤ
135 キャップ
150 半導体レーザ装置(半導体光学装置)
Claims (14)
- 成長主面を有する窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の成長主面上に成長され、Inを含む活性層と前記活性層上に形成されたAlを含むp型半導体層とを有する窒化物半導体層とを備え、
前記成長主面は、m面に対して、a軸方向にオフ角度を有する面からなり、
前記活性層のIn組成比が、0.15以上0.45以下であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 - 前記p型半導体層のAl組成比が、0.08以上0.35以下であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、0.1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項3に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板は、a軸方向に加えて、c軸方向にもオフ角度を有しており、
前記a軸方向のオフ角度が、前記c軸方向のオフ角度より大きいことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記活性層は、量子井戸構造からなり、1層の井戸層を有していることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記活性層は、量子井戸構造からなり、2層の井戸層を有していることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板は、GaNからなることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- m面に対してa軸方向にオフ角度を有する面を成長主面とする窒化物半導体基板を準備する工程と、
前記窒化物半導体基板の成長主面上に、エピタキシャル成長法を用いて、n型半導体層、Inを含む活性層およびAlを含むp型半導体層を有する窒化物半導体層を積層する工程とを備え、
前記窒化物半導体層を積層する工程は、前記活性層のIn組成比を0.15以上0.45以下に構成する工程を含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記窒化物半導体層を積層する工程は、前記p型半導体層のAl組成比を0.08以上0.35以下に構成する工程を含むことを特徴とする、請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、0.1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項9または10に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体基板のa軸方向のオフ角度は、1度より大きく、かつ、10度以下であることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体基板は、a軸方向に加えて、c軸方向にもオフ角度を有しており、
前記a軸方向のオフ角度が、前記c軸方向のオフ角度より大きいことを特徴とする、請求項9〜12のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子を備えることを特徴とする、半導体光学装置。
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