JP5090091B2 - 表面処理装置及びこの表面処理装置を備えた半導体製造装置 - Google Patents
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Description
2 処理チャンバ
2a 側壁
3 基板ステージ
4 回転軸
5 ストレート配管
6 気化器
9 傾斜通路(加熱体)
10 加熱手段(加熱体)
Claims (4)
- 被処理物が配置される処理チャンバと、この処理チャンバに接続された気化器とを備え、この気化器に原料を供給して気化し、この気化した原料を被処理物表面に供給して接触させてその表面処理を行う表面処理装置において、
前記気化器から処理チャンバ内に通じ被処理物に至る経路に原料が衝突する加熱体を設け、
前記加熱体は、前記気化器と前記処理チャンバとを接続する配管に対して所定の角度で傾斜させて処理チャンバの壁に形成した傾斜通路と、この壁を所定の温度に加熱する加熱手段とを有することを特徴とする表面処理装置。 - 前記傾斜通路は、前記処理チャンバ内に配置された被処理物表面を指向するように形成され、前記被処理物を所定の回転速度で回転させる回転機構を設けたことを特徴とする請求項1記載の表面処理装置。
- 前記処理チャンバの壁に、前記傾斜通路の出口部に対向させて真空排気手段に通じる排気口を形成したことを特徴とする請求項1または請求項2記載の表面処理装置。
- 被処理物の搬送を可能とする搬送手段を有する搬送装置を備え、この搬送装置に、被処理物表面にSi−O結合を主成分とする骨格の周りに多数の空孔が配置された膜を形成する絶縁膜形成装置と、請求項1〜3のいずれか1項に記載の表面処理装置とを連結し、基板への絶縁膜形成直後に、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシラザン、トリメチルクロロシラン分子のうちの少なくとも1種を含む原料ガスを接触させて表面処理するように構成したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007183368A JP5090091B2 (ja) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 表面処理装置及びこの表面処理装置を備えた半導体製造装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012060006A Division JP2012138609A (ja) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | 表面処理装置及びこの表面処理装置を備えた半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009021429A JP2009021429A (ja) | 2009-01-29 |
JP5090091B2 true JP5090091B2 (ja) | 2012-12-05 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5090091B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62109313A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Nec Corp | 気相成長方法 |
JPH05140747A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-08 | Citizen Watch Co Ltd | 膜形成装置およびこの装置を用いた膜形成方法 |
JP2004014953A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
JP2005072077A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 化合物半導体製造装置 |
JP4903374B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2012-03-28 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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2007
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JP2009021429A (ja) | 2009-01-29 |
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