JP5081374B2 - 画像表示装置 - Google Patents
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Description
図8は、従来の技術を用いた有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイの画素回路図である。各画素213には有機EL素子201が設けられており、有機EL素子201の一端は共通電極208に接続され、他端は電源スイッチ202、駆動TFT(Thin Film-Transistor)203を介して電源線207に接続されている。駆動TFT203のゲート−ドレイン間には、リセットスイッチ204が接続されている。また駆動TFT203のゲートは、信号記憶容量205を介して信号線206に接続されている。なお、電源スイッチ202は電源制御線(PWR)211、リセットスイッチ204はリセット制御線(RST)210により制御される。
図9は、従来技術における、画素への信号電圧書込み時、すなわちデータ(DT)入力時(DTIN)及び発光表示時(ILMI)の動作タイミング図である。ここで上記電源スイッチ202、リセットスイッチ204は、図8に示したようにpMOSを用いているため、図9の各波形は下方が各スイッチのオン(ON)、上方がオフ(OFF)に対応している。
ある。すなわち、本発明に係る画像表示装置は、階調信号電圧発生回路と、前記階調信号電圧によってアナログ的に輝度が制御される2端子の発光素子と該発光素子の輝度制御回路とを有する画素と、複数の前記画素が配列された表示部とを有する画像表示装置であって、
前記輝度制御回路は、ソースに定電圧が印加され飽和領域で動作する駆動TFTとしてのnMOSトランジスタを有し、前記発光素子の第一の端子と前記輝度制御回路の有する前記駆動TFTのドレインとの間に、ドレイン側が前記発光素子に接続され、ソース側が前記輝度制御回路の有する前記駆動TFTのドレインに接続され、オンとオフの2値で電源制御線によりゲート電圧が制御される電源スイッチとしてのnMOSトランジスタが設けられ、前記駆動TFTのドレイン側にソースが接続され、信号線に信号記憶容量を介してドレインが接続され、またドレインが前記駆動TFTのゲートにも接続され、リセット制御線にゲートが接続されるリセットスイッチを有し、1フレーム期間の前半である信号電圧書込み時においては、書込みを選択された画素は、始めに前記電源制御線の駆動電圧によって前記電源スイッチがオンし、続いて前記リセット制御線のリセット信号によって前記リセットスイッチがオンすることで前記発光素子に前記駆動TFTと前記電源スイッチを介して共通電極から電流が流れるものであり、前記電源制御線の駆動電圧により前記電源スイッチがオフすると、前記駆動TFTのドレイン端が閾値電圧Vthになった時点で、前記駆動TFTはターンオフし、このとき信号線には所定のデータ信号電圧が印加され、この信号電圧と閾値電圧の差が前記信号記憶容量に入力されるものであり、次いで前記リセット制御線の信号によって前記リセットスイッチがオフすることで、前記信号線の信号電圧は前記記憶容量に記憶され、画素への信号電圧書込みが完了し、1フレーム期間の後半である発光表示時には、全画素に対して前記信号線を介してアナログ信号の所定の三角波信号が入力するとともに、前記電源制御線の駆動電圧によって前記電源スイッチがオンし、このとき前記信号線の三角波信号電圧が予め書込まれていた信号電圧と等しい場合に前記駆動TFTのゲートには閾値電圧が印加され、書込まれていた信号電圧に応じて前記発光素子の発光期間が定まるものであり、前記電源制御線の駆動電圧による前記電源スイッチのオン電圧は完全なオンではなくハーフオンであることを特徴とするものである。
前記発光素子と前記輝度制御回路の間に、ドレイン側が前記発光素子に接続され、ソース側が前記輝度制御回路に接続され、オンとオフの2値でゲート電圧が制御される第2のトランジスタスイッチを有し、前記第1のトランジスタスイッチのゲート電圧振幅よりも、前記第2のトランジスタスイッチのゲート電圧振幅が小さいことを特徴とする構成の画像表示装置としてもよい。
図2は本実施例における、1フレーム期間(1FRM)における画素への信号電圧書込み時DTINと発光表示時ILMIの動作タイミング図である。ここで上記電源スイッチ2、リセットスイッチ4は、図2に示したようにnMOSであるため、図2の各波形は上方が各スイッチのON、下方がOFFに対応している。
図3は、本実施例の有機ELディスプレイパネルの構成図である。表示領域21には画素13がマトリクス状に配置されており、画素13には垂直方向には信号線6が、水平方向には電源制御線(PWR+)11およびリセット制御線(RST)10が接続されている。信号線6の一端は、データ信号DTと三角波信号SSとを切り替える切替回路24を経て信号電圧生成回路23に入力される。
図4は本実施例における有機EL素子1の近傍の画素13を示す断面図である。ガラス基板40上には電源スイッチ2及び駆動TFT3が設けられており、電源スイッチ2には電源制御線11がゲート配線として設けられている。また駆動TFT3の一端には金属層である接地線7が接続されている。ここで電源スイッチ2の一端には接地線7と同層の金属層がカソード電極42として接続されており、その上に有機EL素子の発光層1、アノード電極である透明共通電極8が設けられている。なお有機EL素子の発光層1の周囲には、有機EL素子の端部電界集中を回避するための保護膜43が形成される。
図5は本実施例の有機ELディスプレイの画素回路図である。各画素53には有機EL素子1が設けられており、有機EL素子1の一端は透明共通電極8に接続され、他端はAZB+スイッチ62、駆動TFT63を介して接地線7に接続されている。駆動TFT63のゲート−ドレイン間にはAZスイッチ64が、ゲート−ソース間には記憶容量69がそれぞれ接続されている。また駆動TFT63のゲートはオフセットキャンセル容量65及び画素スイッチ68を介して信号線66に接続されている。なおAZB+スイッチ62はAZB+制御線51により、AZスイッチ64はAZ制御線50により、画素スイッチ68は信号線52の選択信号SELにより、それぞれ制御される。
図6は、本実施例における画素の動作タイミング図である。ここで上記AZB+スイッチ62、AZスイッチ64、画素スイッチ68は、図5に示したようにnMOSであるため、図6の各波形は上が各スイッチのON、下がOFFに対応している。
図7は、第3の実施例であるTV画像表示装置100の構成図である。地上波デジタル信号等を受信する無線インターフェース(I/F)回路102には、圧縮された画像データ等が外部から無線データとして入力され、無線I/F回路102の出力はI/O(Input/Output)回路103を介してデータバス108に接続される。データバス108にはこの他にマイクロプロセサ(MPU)104、表示パネルコントローラ106、フレームメモリ(MM)107等が接続されている。更に、表示パネルコントローラ106の出力は有機EL表示パネル101に入力されている。なおTV画像表示装置100内には更に、パネル外10V生成回路(PWR10V)109及びパネル外5V生成回路(PWR5V)110が設けられている。なお、ここで有機EL表示パネル101は、先に延べた第1の実施例と基本的には同一の構成および動作を有しているので、その内部の構成及び動作の記載はここでは省略する。但し、第1の実施例では有機ELディスプレイパネル内に多結晶Si−TFTを用いて、パネル内10V生成回路37及びパネル内5V生成回路38が設けられていたが、本実施例ではこれらはパネル外に個別部品を用いて、パネル外10V生成回路109及びパネル外5V生成回路110として設けられている。
Claims (6)
- 階調信号電圧発生回路と、
前記階調信号電圧によってアナログ的に輝度が制御される2端子の発光素子と該発光素子の輝度制御回路とを有する画素と、
複数の前記画素が配列された表示部とを有する画像表示装置であって、
前記輝度制御回路は、ソースに定電圧が印加され飽和領域で動作する駆動TFTとしてのnMOSトランジスタを有し、
前記発光素子の第一の端子と前記輝度制御回路の有する前記駆動TFTのドレインとの間に、ドレイン側が前記発光素子に接続され、ソース側が前記輝度制御回路の有する前記駆動TFTのドレインに接続され、オンとオフの2値で電源制御線によりゲート電圧が制御される電源スイッチとしてのnMOSトランジスタが設けられ、
前記駆動TFTのドレイン側にソースが接続され、信号線に信号記憶容量を介してドレインが接続され、またドレインが前記駆動TFTのゲートにも接続され、リセット制御線にゲートが接続されるリセットスイッチを有し、
1フレーム期間の前半である信号電圧書込み時においては、書込みを選択された画素は、始めに前記電源制御線の駆動電圧によって前記電源スイッチがオンし、続いて前記リセット制御線のリセット信号によって前記リセットスイッチがオンすることで前記発光素子に前記駆動TFTと前記電源スイッチを介して共通電極から電流が流れるものであり、
前記電源制御線の駆動電圧により前記電源スイッチがオフすると、前記駆動TFTのドレイン端が閾値電圧Vthになった時点で、前記駆動TFTはターンオフし、このとき信号線には所定のデータ信号電圧が印加され、この信号電圧と閾値電圧の差が前記信号記憶容量に入力されるものであり、
次いで前記リセット制御線の信号によって前記リセットスイッチがオフすることで、前記信号線の信号電圧は前記記憶容量に記憶され、画素への信号電圧書込みが完了し、
1フレーム期間の後半である発光表示時には、全画素に対して前記信号線を介してアナログ信号の所定の三角波信号が入力するとともに、前記電源制御線の駆動電圧によって前記電源スイッチがオンし、このとき前記信号線の三角波信号電圧が予め書込まれていた信号電圧と等しい場合に前記駆動TFTのゲートには閾値電圧が印加され、書込まれていた信号電圧に応じて前記発光素子の発光期間が定まるものであり、
前記電源制御線の駆動電圧による前記電源スイッチのオン電圧は完全なオンではなくハーフオンであることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1記載の画像表示装置において、
前記発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1記載の画像表示装置において、
前記表示部は、絶縁基板上に構成されることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1記載の画像表示装置において、
前記発光素子の第二の端子に印加される電圧値は、各発光素子の表示色によって異なることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1記載の画像表示装置において、
前記発光素子の輝度制御回路は、1フレーム期間内における各発光素子の発光強度を変調することによって、各画素のアナログ輝度を制御することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1記載の画像表示装置において、
前記電源スイッチオン時の動作点が飽和領域になるように制御されることを特徴とする画像表示装置。
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