JP5075921B2 - 多層リソグラフィプロセス用の高エッチング耐性下層組成物 - Google Patents
多層リソグラフィプロセス用の高エッチング耐性下層組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5075921B2 JP5075921B2 JP2009551006A JP2009551006A JP5075921B2 JP 5075921 B2 JP5075921 B2 JP 5075921B2 JP 2009551006 A JP2009551006 A JP 2009551006A JP 2009551006 A JP2009551006 A JP 2009551006A JP 5075921 B2 JP5075921 B2 JP 5075921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- branched
- hept
- substrate
- lower layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
(a)構造式(I)の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式(II)の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式(III)の少なくとも一つの繰り返し単位と、を備え、但し、構造式(I)、構造式(II)及び構造式(III)のいずれも酸感応性基を含まず、該構造式(I)、該構造式(II)及び該構造式(III)が、
(b)少なくとも一つのアミノ又はフェノール架橋剤と、
(c)少なくとも一つの熱酸発生剤(TAG)と、
(d)少なくとも一つの溶媒と、
(e)任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、
を含む。
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に、本発明の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を硬化して下層膜を調製する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布し、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出させる工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程。
(a)構造式(I)の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式(II)の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式(III)の少なくとも一つの繰り返し単位と、から構成されるが、構造式(I)、構造式(II)及び構造式(III)のいずれも酸感応性基を含まず、該構造式(I)、該構造式(II)及び該構造式(III)が、
(式中、R1、R2及びR3は独立して、水素原子、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、C6〜C10アリール基、ハロゲン原子又は極性基を表し;Wは単結合、−O−、−S−、置換又は未置換C1〜C10直鎖又は分枝鎖アルキレン基、置換又は未置換C4〜C12シクロアルキレン又は脂環式基、−(CH2)pO−、−(CH2)pO(CH2)q−、−(CH2)pO(R5O)r−、−(CH2)pC(=O)O−、−(CH2)pC(=O)O(CH2)q−、−(CH2)pC(=O)O(R5O)r−、−(CH2)pOC(=O)O(CH2)p−、−(CH2)pNR6C(=O)−であり、式中、R5はC2〜C6直鎖、分枝鎖又は環式アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり;R6は水素原子、C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり;pは0〜約4の整数値であり;q及びrは独立して約1〜約4の整数値であり;ArはC6〜C20アリーレン基又はB−L−E基であり、式中、BはC6〜C14アリーレン基であり、EはC6〜C14アリール基であり、Lは単結合、C1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、−S−、−O−、−C(=O)−、−C(=O)O−、−O−C(=O)−O−、−C(R7R8)−、−C(=CR9R10)−又は−CR9=CR10−であり得、式中、R7、R8、R9及びR10は独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり;R4基は独立して、C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基又はハロゲン原子であり;nは約1〜約5の整数値であり;oは0〜約6の整数値であり;X及びYは独立して、−CH2−基、−O−又は−S−であり、mは0〜約3の整数値であり;R11、R12、R13及びR14は独立して、水素原子、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子又は−OR15、R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17からなる群から選択される極性基であり、但しR11〜R14のうち少なくとも一つが−OR15、−R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17からなる群から選択される極性基であり;R15は水素原子又は直鎖、分枝鎖又は環状C1〜C6アルキル基であり、R16は置換又は未置換C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、R17は水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状C1〜C6アルキル基、又はC7〜C15脂環式基であり;tは0〜約4の整数値であり;sは0〜約3の整数値であり;R21、R22、R23及びR24は独立して、水素原子、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ヒドロキシ基を含まないC6〜C10アリール基、ハロゲン原子又は−(CH2)vC(O)R25、−(CH2)vC(O)OR25、−(CH2)vC(O)(OR26)XOR25及び−O(R26O)xR25からなる群から選択される極性基であり;式中、vは0〜約5の整数値であり;xは約1〜約5の整数値であり;R25は水素原子、置換又は未置換C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基を表し;R26は置換又は未置換C2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、uは0〜約3の整数値である)で表される、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、
(b)少なくとも一つのアミノ又はフェノール架橋剤と、
(c)少なくとも一つの熱酸発生剤(TAG)と、
(d)少なくとも一つの溶媒と、
(e)任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、
を含む。
但し、構造式(I)は酸感応性基を含まず、式中、R1、R2及びR3は独立して、水素原子、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、C6〜C10アリール基、ハロゲン原子又は極性基を表し;Wは単結合、−O−、−S−、置換又は未置換C1〜C10直鎖又は分枝鎖アルキレン基、置換又は未置換C4〜C12シクロアルキレン又は脂環式基、−(CH2)pO−、−(CH2)pO(CH2)q−、−(CH2)pO(R5O)r−、−(CH2)pC(=O)O−、−(CH2)pC(=O)O(CH2)q−、−(CH2)pC(=O)O(R5O)r−、−(CH2)pOC(=O)O(CH2)p−、−(CH2)pNR6C(=O)−であり、式中、R5はC2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり;R6は水素原子、C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり;pは0〜約4の整数値であり;q及びrは独立して、約1〜約4の整数値であり;ArはC6〜C20アリーレン基又はB−L−E基であり、式中、BはC6〜C14アリーレン基であり、EはC6〜C14アリール基であり、及びLは単結合、C1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、−S−、−O−、−C(=O)−、−C(=O)O−、−O−C(=O)−O−、−C(R7R8)−、−C(=CR9R10)−又は−CR9=CR10−であり得、式中、R7、R8、R9及びR10は独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり;R4基は独立して、C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基又はハロゲン原子であり;nは約1〜約5の整数値であり;oは0〜約6の整数値であり;X及びYは、独立して、−CH2−基、−O−、−S−であり、mは0〜約3の整数値である。メチレンは好ましいX及びYの架橋基である。
式中、R1、R2、R3、R4、Ar、X、Y、m、n及びoは、構造式(I)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、Ar、X、Y、m、n及びoのための好ましい値はまた、構造式(I)で定義されたものと同様である。構造式(Ia)を生成するモノマーの具体例は、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニルアセテート、3’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニルアセテート、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルナフチルアセテート、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル−(2’−アントラセニル)アセテート、2’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル−(9’−アントラセニル)アセテート、4’−(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)フェニルアセテート、4’−(3−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)フェニルアセテート、4’−(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル−1’,2’−フェニレンジアセテート、4’−(3−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)−1’,2’−フェニレンジアセテート、2’−メチル−5’−(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)フェニルアセテート、2−クロロ−5−(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)フェニルアセテート、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルビフェニル−4−イルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ia)と同様に定義され;R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ia)で定義されたものと同様である。nは1〜3の整数値であり、oは0〜4の整数値であり、但し、nとoとの合計は5以下である。より好ましいnは1又は2の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ia−1)を生成するモノマーの具体例は、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニルアセテート、3’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニルアセテート、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル−1’,2’−フェニレンジアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ia)と同様に定義され;R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ia)で定義されたものと同様である。nは、1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは、1〜3の整数値であり、より好ましいoは、0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ia−2)を生成するモノマーの具体例は、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル(1’−ナフチルアセテート)、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル(2’−ナフチルアセテート)、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−(2’−ナフチルアセテート)、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル−トリメチルシロキシ(2’−ナフチレン)などを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ia)と同様に定義され、B、L及びEは、構造式(I)で定義されたものと同様である;R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ia)と同義であり、B、L及びEの好ましい値は、構造式(I)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは、1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ia−3)を生成するモノマーの具体例は、4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルビフェニル−4−イルアセテート、4−(アセチルオキシ)ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルベンゾイル)フェニルアセテート、4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニル4−(アセチルオキシ)ベンゾエート、4−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルベンジル)フェニルアセテート、4−[1−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニル)−2,2,2−トリクロロ−1−(トリクロロメチル)エチル]フェニルアセテート、4−[1−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェニル)−2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル]フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R1、R2、R3、R4、Ar、X、Y、m、n及びoは、構造式(I)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y、m、n及びoの好ましい値も、構造式(I)で定義されたものと同様である。構造式(Ib)を生成するモノマーの具体例は、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルチオ)フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)ベンジル]フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)−1’,2’ーフェニレンジアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)−1’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)−1’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)−2’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)−2’−ナフチルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルチオ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)−1’−ナフチルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルチオ)−1’−ナフチルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)フェノキシ]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)ベンゾイル]フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ib)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ib)で定義されたものと同様である。nは1〜3の整数値であり、oは0〜4の整数値であり、但し、nとoとの合計は5以下である。より好ましいnは1又は2の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ib−1)を生成するモノマーの具体例は、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルチオ)フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルチオ)フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ib)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ib)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ib−2)を生成するモノマーの具体例は、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)−1’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)−1’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)−2’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)−2’−ナフチルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)−1’−ナフチルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルチオ)−1’−ナフチルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ib)と同様に定義され、B、L及びEの値は、構造式(I)で定義されたものと同様である。W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ib)と同義であり、B、L及びEの好ましい値もまた構造式(I)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ic−3)を生成するモノマーの具体例は、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)フェノキシ]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)ベンゾイル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)フェノキシ]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルチオ)ベンゾイル]フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R1、R2、R3、R4、Ar、X、Y、m、n及びoは、構造式(I)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、Ar、X、Y、m、n及びoの好ましい値も、構造式(I)と同様に定義される。構造式(Ic)を生成するモノマーの具体例は、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)フェニルアセテート、4−(4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメチル)フェニルアセテート、4’−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルシクロヘキシル)フェニルアセテート、4’−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)−1’−ナフチルアセテート、4−(4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)−1’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)−2’−ナフチルアセテート、4−(4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)−2’−ナフチルアセテート、4’−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)ビフェニル−4−イルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)ベンゾイル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシ)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシ)ベンゾイル]フェニルアセテート、4’−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシ)ビフェニル−4−イルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメチル)−1’−ナフチルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルシクロヘキシル)−1’−ナフチルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ic)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ic)で定義されたものと同様である。nは1〜3の整数値であり、oは0〜4の整数値であり、但し、nとoとの合計は5以下である。より好ましいnは1又は2の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ic−1)を生成するモノマーの具体例は、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)フェニルアセテート、4−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメチル)フェニルアセテート、4’−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルシクロヘキシル)フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)−1’,2’−フェニレンジアセテート、などを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ic)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ic)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ic−2)を生成するモノマーの具体例は、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)−1’−ナフチルアセテート、4−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)−1’−ナフチルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)−2’−ナフチルアセテート、4−(4−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシル)−2’−ナフチルアセテート、4’−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメチル)−1’−ナフチルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルシクロヘキシル)−1’−ナフチルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Ic)と同様に定義され、B、L及びEの値は、構造式(I)で定義されたものと同様である。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Ic)と同義であり、B、L及びEの好ましい値は、構造式(I)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Ic−3)を生成するモノマーの具体例は、4’−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)ビフェニル−4−イルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチル)ベンゾイル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシ)ベンジル]フェニルアセテート、4−[4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシ)ベンゾイル]フェニルアセテート、4’−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルシクロヘキシ)ビフェニル−4−イルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、R5、R6、Ar、X、Y、m、n、o、p、q及びrは、構造式(I)と同様に定義される。R1、R2、R1、R4、R5、R6、Ar、X、Y、m、n及びoの好ましい値も、構造式(I)で定義されたものと同様である。構造式(Id)を生成するモノマーの具体例は、4−(アセチルオキシ)ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−{[ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルカルボニル)オキシ]アミノ}フェニルアセテート、4−[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)メチル]フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)フェニルアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)エトキシ]フェニルアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エトキシ]フェニルアセテート、4−[4−(アセチルオキシ)フェノキシ]ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−(4−ヒドロキシベンジル)ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル]ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−(4−ヒドロキシベンゾイル)ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−(アセチルオキシ)(1’−ナフチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−{[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルカルボニル)オキシ]アミノ}(1’−ナフチルアセテート)、4−[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)メチル](1’−ナフチルアセテート)、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)(1’−ナフチルアセテート)、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)エトキシ](1’−ナフチルアセテート)、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エトキシ](1’−ナフチルアセテート)、4−{[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルカルボニル)オキシ]アミノ}−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)メチル]−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)エトキシ]−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エトキシ]−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(アセチルオキシ)ベンジル4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−カルボキシレート、4−{[(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルカルボニル)オキシ]アミノ}フェニルアセテート、4’−[(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)メチル]フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメトキシ)フェニルアセテート、4−[4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメトキシ)エトキシ]フェニルセテート、4”−[4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)エトキシ]フェニルアセテート、4’−[4−(アセチルオキシ)フェノキシ]ベンジルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−2−カルボキシレート、4’−(4−ヒドロキシベンジル)ベンジルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−カルボキシレート、4”−[1−(4’−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンジルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−カルボキシレートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Id)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Id)で定義されたものと同様である。nは1〜3の整数値であり、oは0〜4の整数値であり、但し、nとoとの合計は5以下である。より好ましいnは1又は2の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Id−1)を生成するモノマーの具体例は、4−(アセチルオキシ)ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−{[ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルカルボニル)オキシ]アミノ}フェニルアセテート、4−[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)メチル]フェニルアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)フェニルアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)エトキシ]フェニルアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エトキシ]フェニルアセテート、4−{[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルカルボニル)オキシ]アミノ}−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)メチル]−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)エトキシ]−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エトキシ]−1’,2’−フェニレンジアセテート、4−(アセチルオキシ)ベンジル4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−カルボキシレート、4’−{[(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルカルボニル)オキシ]アミノ}フェニルアセテート、4’−[(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)メチル]フェニルアセテート、4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメトキシ)フェニルアセテート、4”−[4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルメトキシ)エトキシ]フェニルアセテート、4”−[4’−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−イルオキシ)エトキシ]フェニルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Id)と同様に定義される。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Id)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Id−2)を生成するモノマーの具体例は、4−(アセチルオキシ)(1−ナフチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−{[ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルカルボニル)オキシ]アミノ}(1−ナフチルアセテート)、4−[(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)メチル](1−ナフチルアセテート)、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)(1−ナフチルアセテート)、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメトキシ)エトキシ](1−ナフチルアセテート)、4−[2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エトキシ](1−ナフチルアセテート)などを含むが、これに限定されるものではない。
式中、W、R1、R2、R3、R4、X、Y及びmは、構造式(Id)と同様に定義され、B、L及びEの値は、構造式(I)で定義されたものと同様である。R1、R2、R3、R4、X、Y及びmの好ましい値も、構造式(Id)で定義されたものと同様であり、B、L及びEの好ましい値は、構造式(I)で定義されたものと同様である。nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但し、nとoとの合計は7以下である。より好ましいnは1〜3の整数値であり、より好ましいoは0〜3の整数値である。最も好ましいnは1であり、最も好ましいoは0である。構造式(Id−3)を生成するモノマーの具体例は、4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル]ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−(4−ヒドロキシベンゾイル)ベンジルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンジルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−2−カルボキシレート、4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル]ベンジルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−2−カルボキシレート、4−(4−ヒドロキシベンゾイル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル−8−エン−2−カルボキシレートなどを含むが、これに限定されるものではない。
但し、構造式(II)は酸感応性基を含まず、式中、R11、R12、R13及びR14は独立して、水素原子、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子又は−OR15、−R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17からなる群から選択される極性基を表すが、R11〜R14のうち少なくとも一つは、−OR15、−R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17からなる群から選択される極性基である。R15は水素原子又は直鎖、分枝鎖又は環状C1〜C6アルキル基、R16は置換又は未置換C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、R17は水素原子、直鎖、分枝鎖又は環状C1〜C6アルキル基、又はC7〜C15脂環式基であり;tは0〜約4の整数値であり;sは0〜約3の整数値であり、X及びYは、構造式(I)で定義されたものと同義である。
式中、R11、R12、R13、R14及びsは、構造式(II)と同様に定義される。R11、R12、R13、R14及びsの好ましい値も、構造式(II)で定義されたものと同様である。構造式(IIa)を生成するモノマーの具体例は、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメタノール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチルアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルエタノール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルジアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジオール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルジメタノール、[3−(トリクロロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル]メチルアセテート、[3−(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル]メチルアセテート、5−(メトキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イル−アセテート、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルメタノール、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルエタノール、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−オールなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R11、R12、R13及びR14は、構造式(IIa)と同様に定義される。R11、R12、R13及びR14の好ましい値も、構造式(IIa)で定義されたものと同様である。構造式(IIa−1)を生成するモノマーの具体例は、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−オール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメタノール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメチルアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルエタノール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルジアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジオール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルジメタノール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルエチルアセテート、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルメチルアセテート、3−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルアセテート、3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルアセテート、(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)メチルアセテート、(3−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)メチルアセテート、[3−(トリクロロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル]メチルアセテート、[3−(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル]メチルアセテート、5−(メトキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エンなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R11、R12、R13及びR14は、構造式(IIa)と同様に定義される。R11、R12、R13及びR14の好ましい値も、構造式(IIa)で定義されたものと同様である。構造式(IIa−2)を生成するモノマーの具体例は、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イル−アセテート、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルメタノール、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルエタノール、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−オールなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R11、R12、R13及びR14は、構造式(IIa)と同様に定義される。R11、R12、R13及びR14の好ましい値も、構造式(IIa)で定義されたものと同様である。構造式(Ia−3)を生成するモノマーの具体例は、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−オール、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルアセテート、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルメタノール、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルエタノール、10−メチルヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R11、R12、R13、R14及びsは、構造式(II)と同様に定義される。R11、R12、R13R14及びsの好ましい値も、構造式(II)で定義されたものと同様である。構造式(IIb)を生成するモノマーの具体例は、7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメタノール、2−(7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)エタノール、7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−オールなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R11、R12、R13、R14及びsは、構造式(II)と同様に定義される。R11、R12、R13、R14及びsの好ましい値も、構造式(II)で定義されたものと同様である。構造式(IIc)を生成するモノマーの具体例は、7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルメタノール、2−(7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)エタノール、7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−オールなどを含むが、これに限定されるものではない。
但し、構造式(III)は酸感応性基を含まない。式中、R21、R22、R23及びR24は独立して、水素原子、C1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C10直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ヒドロキシ基を含まないC6〜C10アリール基、ハロゲン原子又は−(CH2)vC(O)R25、−(CH2)vC(O)OR25、−(CH2)vC(O)(OR26)xOR25及び−O(R26O)xOR25からなる群から選択される極性基を示し;式中、vは0〜約5の整数値であり;xは約1〜約5の整数値であり;R25は水素原子、置換又は未置換C1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり;R26は置換又は未置換C2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基、或いは部分的又は完全にハロゲン化されたC2〜C6直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基であり、uは0〜約3の整数値であり;X及びYは構造式(I)で定義されたものと同義である。
式中、R21、R22、R23、R24及びuは、構造式(III)と同様に定義される。R21、R22、R23、R24及びuの好ましい値も、構造式(III)で定義されたものと同様である。構造式(IIIa)を生成するモノマーの具体例は、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、1−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルエタノン、2−ヒドロキシエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、2−ヒドロキシエチル3−フルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エタノール、2−[(3−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)オキシ]エタノール、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エチルアセテート、2−[(3−フルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)オキシ]エチルアセテート、2−[(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)オキシ]エチルアセテート、(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルオキシ)エタノール、1−(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)アセトンなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R21、R22、R23及びR24は、構造式(IIIa)と同様に定義される。R21、R22、R23及びR24の好ましい値も、構造式(IIIa)で定義されたものと同様である。構造式(IIIa−1)を生成するモノマーの具体例は、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、1−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルエタノン、2−ヒドロキシエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、2−ヒドロキシエチル3−フルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エタノール、2−[(3−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)オキシ]エタノール、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルオキシ)エチルアセテート、2−[(3−フルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)オキシ]エチルアセテート、2−[(3−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)オキシ]エチルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R21、R22、R23及びR24は、構造式(IIIa)と同様に定義される。R21、R22、R23及びR24の好ましい値も、構造式(IIIa)で定義されたものと同様である。構造式(IIIa−2)を生成するモノマーの具体例は、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−エン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−カルボン酸、メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−カルボキシレート、1’−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルエタノン、2’−ヒドロキシエチル(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−カルボキシレート)、2’−ヒドロキシエチル4−フルオロ(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−カルボキシレート)、2’−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルオキシ)エタノール、2’−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8−エン−3−イルオキシ)エチルアセテートなどを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R21、R22、R23及びR24は、構造式(IIIa)と同様に定義される。R21、R22、R23及びR24の好ましい値も、構造式(IIIa)で定義されたものと同様である。構造式(IIIa−3)を生成するモノマーの具体例は、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−エン、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−カルボン酸、メチルヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−カルボキシレート、1’−ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルエタノン、2’−ヒドロキシエチルヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−カルボキシレート、2’−ヒドロキシエチル10−クロロヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−カルボキシレート、2’−(ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルオキシ)エタノール、2’−(ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イルオキシ)エチルアセテート、1’−(10−メチルヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3−イル)アセトン、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3,4−ジカルボン酸、ヘキサシクロ[8,4,12,5,17,14,19,12,01,6,08,13]テトラデカ−10−エン−3イル酢酸などを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R21、R22、R23、R24及びuは、構造式(III)と同様に定義される。R21、R22、R23、R24及びuの好ましい値も、構造式(III)で定義されたものと同様である。構造式(IIIb)を生成するモノマーの具体例は、2−ヒドロキシエチル7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸、1−(3−メチル−7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)アセトン、3−メチル−7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、3−シアノ−7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、7−チアビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル酢酸などを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R21、R22、R23、R24及びuは、構造式(III)と同様に定義される。R21、R22、R23、R24及びuの好ましい値も、構造式(III)で定義されたものと同様である。構造式(IIIc)の例は、2−ヒドロキシエチル7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボキシレート、7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸、1−(3−メチル−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル)アセトン、3−メチル−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、3−シアノ−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−カルボン酸、7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イル酢酸などを含むが、これに限定されるものではない。
式中、R31、R32及びR33は独立して、水素原子、置換又は未置換アルキル基、置換又は未置換シクロアルキル基、置換又は未置換脂環式基、部分的又は完全にハロゲン置換されたアルキル基、置換又は未置換アリール基、置換又は未置換アルコキシ基であり、又はR31、R32及びR33のいずれか二つ又はR31、R32及びR33の全てが、酸素、硫黄又は窒素ヘテロ原子を含み得る環状又は多環式基の一部であり;An−は、置換又は未置換C1〜C12アルキル基、部分的又は完全にハロゲン置換されたC1〜C12アルキル基、C4〜C15シクロアルキル基、部分的又は完全にハロゲン置換されたC4〜C15シクロアルキル基、C7〜C20脂環式又はC6〜C20芳香族基のスルホネートと;置換又は未置換C1〜C12アルキレン基、部分的又は完全にハロゲン置換されたC1〜C12アルキレン基、C4〜C15シクロアルキレン基、部分的又は完全にハロゲン置換されたC4〜C15シクロアルキレン基、C7〜C20脂環式基又はC6〜C20芳香族基のジスルホネートと;構造式Vaのスルホンアミドと、構造式Vbのメチドと、からなる群から選択される。
式中、R41及びR42は独立して、置換又は未置換アルキル基、置換又は未置換シクロアルキル基、置換又は未置換脂環式基、部分的又は完全にハロゲン置換されたアルキル基、又は置換又は未置換アリール基である。
式中、R43、R44及びR45は独立して、C1〜C10ペルフルロアルキルスルホニル基である。
式中、R34及びR35は独立して、水素、アルキル又はハロゲン基であり;R36及びR37は独立して、C1〜C10アルキル又はアルコキシ基であり;R38はフェニル基であり;R51、R52、R53、R54、R55及びR56は独立して、水素、アルキル又はハロゲン基であり、及びAn−は上述で定義されたものと同義である。
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に、本発明の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する、第2の焼成工程と、
(f)前記の2層レジスト積層体を放射線で露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の感放射線レジストの一部を現像し、且つ下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出した下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程。
分子量(Mw)及び分子量分布データは、テトラヒドロフラン(THF)溶離液及びポリスチレンキャリブレーションを用い、Millennium GPC Vソフトウエア、屈折率検出器、Phenomenexから入手した4つのGPCカラム及びガードカラム(Phenogel−10 104、500、100、&50Å(全て7.8mmID×300mm)及びPhenogel−10ガードカラム7.8×50mm)を備えるWaters Corp.の液体クロマトグラフを用いた、ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)によって測定された。熱分解測定(TGA)は、Perkin−Elmer TGA−7熱重量分析機を用いて、10℃/分の加熱レートで実施された。ガラス転移温度(Tg)は、Perkin−Elmer Pyris−1示差走査熱量測定機を用いて、10℃/分の加熱レートで決定された。構造及び組成データは、Bruker Advance 400MHz核磁気共鳴吸収スペクトル装置を用いた1H及び13C NMRスペクトロメトリーで決定された。
固体シクロオレフィンポリマーは、米国特許第6,232,417号明細書、第6,265,596号明細書及び第6,455,650号明細書に記載されているように、第8族遷移金属触媒を用いた以下のカスタム合成で商業サプライヤーから入手された。固体シクロオレフィンポリマーは、ディーン−スタークトラップ及び温度プローブを装備した3つ口丸底フラスコ中で、3/1 THF/メタノール混合物(w/w)に溶解された(25重量%)。その後、固体シクロオレフィンポリマー100gあたり、19gのナトリウムメトキシドのメタノール溶液(25重量%)が、シクロオレフィンポリマー溶液を含むフラスコに添加された。反応混合物は、7.5時間還流され、溶媒は、ディーン−スタークトラップを用いた共沸蒸留によって連続的に除去され、同量のメタノールがフラスコに添加された。反応の完了は、IR(1720cm−1より大きいピークの消失)及び13C NMR(120−122ppmまでのピークの消失及び115−116ppmまでのピーク、メタC〜OHの出現)によって確認された。溶液は、その後、室温まで冷やされ、ボトルに移された。
固体シクロオレフィンポリマーは、米国特許第6,232,417号明細書、第6,265,596号明細書及び第6,455,650号明細書に記載されているように、第8族遷移金属触媒を用いた以下のカスタム合成で商業サプライヤーから入手された。固体シクロオレフィンポリマーは、ディーン−スタークトラップ及び温度プローブを装備した3つ口丸底フラスコ中で、3/1 THF/メタノール混合物(w/w)に溶解された(25重量%)。その後、固体シクロオレフィンポリマー100gあたり、シクロオレフィンポリマー中に存在するアセトキシ基のモル量の5%等量のモル量のナトリウムメトキシドのメタノール溶液(25重量%)が、シクロオレフィンポリマー溶液を含むフラスコに添加された。反応混合物は、5時間還流され、溶媒は、ディーン−スタークトラップを用いた共沸蒸留によって連続的に除去され、同量のメタノールがフラスコに添加された。反応の完了は、13C NMR(120−122ppmまでのピークの消失及び115−116ppmまでのピーク、メタC〜OHの出現)によって確認された。溶液は、その後、室温まで冷やされ、ボトルに移された。
n&k Technologiesから入手できるn&k1200アナライザが、熱硬化性下層膜の光学膜定数n及びkを決定するのに使用された。4インチシリコンウエハは、熱硬化性下層組成物を回転塗布され、1600Å膜厚を得るように、90秒間205℃〜250℃で塗布後焼成された。汚れのない4インチベアシリコンウエハが、ベースラインの屈折率測定のために使用された。その後、硬化膜の屈折率スペクトル(R)が深紫外線(DUV)、可視光(Visible)及び近赤外線(NIR)源を用いた、n&kアナライザ1200ツールで190〜900nmの範囲で測定された。193nmでの膜のn及びk値が、そのツールの製造業者によって提供されたソフトウエアによって、非常に高い適合度で屈折率スペクトルから計算された。そのソフトウエアは、光学定数n(λ)及びk(λ)を決定するために、米国特許第4,905,170号明細書に記載されたForouhi−Bloomer定式モデルを利用する。
遮光ボトル中で、ポリマーのメタノリシス及び微量金属還元のための一般的手法によって用意されたシクロオレフィンポリマー溶液(10重量%のポリマー含有量になるようにPGMEで希釈されたもの)、16.26重量%の架橋剤のPGMEA溶液、25.4重量%のTAGのPGME溶液及び、その調製物の固形物含有量を調節するための溶媒が混合された。その混合物は、その後、一晩回転され、下層組成物は、0.20μmのテフロン(登録商標)フィルターを通してフィルターろ過された。
調製物をリソグラフィで評価するために、シリコンウエハは、熱硬化性下層組成物で回転塗布され、90秒間205℃〜250℃で塗布後焼成(乾燥及び硬化)され、結果として1600Å膜厚になった。
シクロオレフィンポリマーP−1〜P15、P19及びP−20は、シクロオレフィンポリマーの完全なメタノリシスのための一般的手法に従って用意された。シクロオレフィンポリマーの組成及び分析データは、表1に示される。
シクロオレフィンポリマーP−16〜P−18は、シクロオレフィンポリマーの部分的メタノリシスのための一般的手法に従って用意された。シクロオレフィンポリマーの組成及び分析データは、表1に示される。
米国特許第6,232,417号明細書に記載の一般的合成手法(例1)に従って、メタノリシス前の塩基ポリマーを用意する。その反応は、16時間実施される。一般的なメタノリシス手法に従って、酢酸基を除去する。これにより、ポリマーP−21〜P−28が得られる(組成は表2を参照)。
調製物は、調製例のための一般的手法に従って用意された。調製例26で使用されたシクロオレフィンポリマーは、PGMEAの10%溶液であり、調製例22及び23で使用されたシクロオレフィンポリマーは、PGMEの代わりにシクロヘキサノン(CyHex)の10%溶液であった。組成は、表3に記載されている。
60ml遮光ボトル中の下層組成物50gに対し、1.975gのポリマー(NISSO PHS VP9000)、3.08g(16.26%のPMGEA溶液)のCLR−19−MF架橋剤、0.10gのTAG2168E(25.4%のPGME溶液)、44.85gのPGMEAが混合された。混合物は、その後一晩回転され、下層組成物は0.20μmフィルターを通してフィルターろ過された。
60mlの遮光ボトル中の下層組成物50gに、5.64gのポリマー溶液(35.19重量%固形物、STD6500 NOVOLAK:m−クレゾール及びp−クレゾールの共重合体)、3.08g(16.26%のPGMEA溶液)のCLR−19−MF架橋剤、0.10gのTAG2168E(25.4%のPGME溶液)、41.17gのPGMEAが混合された。混合物は、その後、一晩回転され、下層組成物は、0.20μmのフィルターを通してフィルターろ過された。
(193nmリソグラフィ評価)
調製例1〜25は、リソグラフィ評価のための一般的プロセスに従って実施され、調製1〜10、14及び18〜25は、光学定数n及びkの測定のための一般的手法に従って実施された。結果は、下の表3に記載されている。例1〜11、24及び25における下層膜は、205℃で、例12〜16では250℃で、及び例17〜23では230℃で塗布後焼成された。感光速度(photospeed)(1:1ピッチで80nmライン/スペース(L/S)の寸法にする量)は、リソグラフィ評価されたそれらの例については、30と39mJ/cm2との間であった。
(193nmのリソグラフィ評価)
調製例12は、リソグラフィ評価のための一般的プロセスに従って実施される。下層膜は、230℃で塗布後焼成される。80nmのL/Sが、汚れのない垂直のプロファイルで焼き付けられる。
(193nmのリソグラフィ評価)
調製例13は、リソグラフィ評価のための一般的なプロセスに従って実施される。下層膜は、230℃で塗布後焼成される。80nmのL/Sが、汚れのない垂直のプロファイルで焼き付けられる。
(193nmのリソグラフィ評価)
調製例26は、リソグラフィ評価のための一般的プロセスに従って実施される。下層膜は、230℃で塗布後焼成される。80nmのL/Sが、汚れのない垂直のプロファイルで焼き付けられる。
(リソグラフィ評価)
調製例27は、リソグラフィ評価のための一般的プロセスに従って実施される。下層膜は、230℃で塗布後焼成される。80nmのL/Sが、汚れのない垂直のプロファイルで焼き付けられる。
(193nmのリソグラフィ評価)
調製例28〜42は、リソグラフィ評価のための一般的プロセスに従って実施される。下層膜は、205℃で塗布後焼成される。80nmのL/Sが、汚れのない垂直のプロファイルで焼き付けられる。
(248nmのリソグラフィ評価)
調製例43及び44は、シリコンウエハ上に塗布され、90秒間205℃で塗布後焼成され、結果として500nm厚の下層膜を生じる。シリコン含有レジスト(TIS2000、FUJIFILM Electronic Materials U.S.A.,Inc.から入手できる化学増幅型レジスト)は、その後、下層膜全面に回転塗布され、250nm厚膜を得るために60秒間135℃で焼成される。2層塗布ウエハは、その後、パターン通りに、Cannon EX6ステッパ(バイナリレチクルで、0.65NA、5/8環状(annular))を用いて露光される。ウエハは、60秒間125℃で露光後焼成され、0.262Nの水性TMAH中で60秒間パドル現像される。ウエハは、DI水ですすがれ、回転乾燥される。結果として生じるレジストパターンは、その後、走査型電子顕微鏡(SEM)によって分析される。
(フォトレジスト溶媒耐性テスト)
硬化された下層膜は、4インチシリコンウエハに、調製例28〜36からの下層組成物を、1000rpmの回転速度で回転塗布し、205℃で90秒間ホットプレート上で下層塗布ウエハを焼成することで塗布膜を乾燥し、硬化する(架橋する)ことによって用意された。このように架橋された塗布膜は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に30秒間浸漬され、空気乾燥された。外観検査において、結果として生じた塗布膜がPGMEAに不溶であることが確認された。
(Wエッチング耐性)
下層膜を得るために、下層組成物は、回転塗布装置を用いて6インチシリコンウエハ上に塗布され、ホットプレート上で90秒間塗布後焼成された。下層膜は、5mTorrのチャンバー圧、500WのRFパワー、50Vのバイアス電圧、70sccmのSF6フロー及び30sccmのN2フローを有するLAMによってWエッチャー(SF6/N2)を用いてエッチングされた。エッチング時間は30秒であった。エッチング前後で下層膜厚測定が、n&kアナライザを用いて行われた。バルクエッチングレートは、以下のように計算された。
光学パラメーターは、光学定数n及びkの測定のための一般的手法に述べたように測定された。表5は下層膜組成物についてのWエッチングレート及び光学パラメーターを示す。
Claims (18)
- フォトリソグラフィ2層塗布基板を形成する、多層リソグラフィプロセスにおいて使用するためのエッチング耐性熱硬化性下層組成物であって、該組成物が、
(a)構造式(I)の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式(II)の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式(III)の少なくとも一つの繰り返し単位と、を備える、但し、構造式(I)、構造式(II)及び構造式(III)のいずれも酸感応性基を含まず、該構造式(I)、該構造式(II)及び該構造式(III)が、
(b)アミノ及びフェノール架橋剤からなる群から選択される、少なくとも一つの架橋剤と、
(c)少なくとも一つの熱酸発生剤(TAG)と、
(d)少なくとも一つの溶媒と、
(e)任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、
を含む、エッチング耐性熱硬化性下層組成物。 - 前記構造式(I)〜(III)中、
R1、R2及びR3は、独立して、水素原子、ハロゲン原子及びエチル基からなる群から選択され;Wは、単結合、及びC1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され、Arは、C6〜C10アリーレン基であり;R4は独立して、水素原子、メチル、三級ブチル及びフッ素化C1〜C2アルキル基からなる群から選択され;Arは、フェニル及びナフチルからなる群から選択され、Arがフェニルである場合、nは1〜3の整数値であり、oは0〜4の整数値であり、但しnとoとの合計は5以下であり、及びArがナフチルの場合、nは1〜5の整数値であり、oは0〜6の整数値であり、但しnとoとの合計は7以下であり;R11、R12、R13及びR14は独立して、水素原子、C1〜C2直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、部分的又は完全にハロゲン化されたC1〜C2直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子、並びに−OR15、R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17から構成される群から選択される極性基からなる群から選択される、但し、R11〜R14のうち少なくとも一つが、−OR15、−R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17からなる群から選択される極性基であり;R15は、水素原子、メチル及びエチル基からなる群から選択され;R16は、置換又は未置換C1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択され;R17は、水素原子、及び直鎖、分枝鎖又は環状C1〜C3アルキル基からなる群から選択され;tは0〜2の整数値であり;sは0〜3の整数値であり;R21、R22、R23及びR24は独立して、水素原子、C1〜C2直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、C1〜C2ハロゲン化直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基、ハロゲン原子、並びに−(CH2)vC(O)R25、−(CH2)vC(O)OR25、−(CH2)vC(O)(OR26)xOR25及び−O(R26O)xR25から構成される群から選択される極性基からなる群から選択され;式中、vは0又は1の整数値であり;xは整数値1であり;R25は水素原子、及びC1〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基からなる群から選択され;R26は置換又は未置換C2〜C4直鎖、分枝鎖又は環状アルキレン基からなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。 - 前記構造式(I)〜(III)中、
R1、R2及びR3は、水素原子であり;Wは、単結合及びメチレンからなる群から選択され;R4は、水素原子であり;Arは、フェニル及びナフチルからなる群から選択され、Arがフェニルの場合、nは整数値1であり、oは整数値0であり、及びArがナフチルの場合、nは整数値1であり、oは整数値0であり;mは0であり;R11、R12、R13及びR14は独立して、水素原子、メチル基、並びに−OR15、−R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17から構成される群から選択される極性基からなる群から選択される、但し、R11〜R14のうち少なくとも一つは、−OR15、−R16OR15、及び−(CH2)tOC(O)R17からなる群から選択される極性基であり;式中、R15は水素原子であり;R16はメチレン又はエチレン基からなる群から選択され;R17はメチル基であり;tは0又は1の整数値であり;R21、R22、R23及びR24は独立して、水素原子、メチル基、並びに−(CH2)vC(O)R25、−(CH2)vC(O)OR25、−(CH2)vC(O)(OR26)xOR25及び−O(R26O)xR25から構成される群から選択される極性基からなる群から選択され;式中、vは0又は1の整数値であり;xは整数値1であり;R25は水素原子であり;R26はエチレン及びイソプロピレンからなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。 - 前記構造式(I)の繰り返し単位が4’−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェノールであり;前記構造式(II)の繰り返し単位が、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノルボルネン−2−メチルアセテート、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン−8−イルアセテート、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン−8−オールからなる群から選択されるモノマー単位であり;前記構造式(III)の繰り返し単位が、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−8エン、2’−ヒドロキシエチル5−ノルボルネン−2−カルボキシレート、及び2’−(5−ノルボルネン−2−メトキシ)エタノールからなる群から選択されるモノマー単位である、
ことを特徴とする請求項1に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。 - 前記シクロオレフィンポリマーが、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2−イルフェノール及び、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン−8オールからなる繰り返し単位のポリマーである、
ことを特徴とする請求項1に記載のエッチング耐性熱硬化性下層組成物。 - 基板と、該基板上に塗布された請求項1に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ2層塗布基板。
- 基板と、該基板上に塗布された請求項2に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ2層塗布基板。
- 基板と、該基板上に塗布された請求項3に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ2層塗布基板。
- 基板と、該基板上に塗布された請求項4に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ2層塗布基板。
- 基板と、該基板上に塗布された請求項5に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ2層塗布基板。
- 基板と、該基板上に塗布された請求項6に記載の下層組成物の熱硬化膜と、該熱硬化下層組成物全面に塗布された感放射線性化学増幅型レジストと、を含む、フォトリソグラフィ2層塗布基板。
- 基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に請求項1に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。 - 基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に請求項2に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。 - 基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に請求項3に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。 - 基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に請求項4に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。 - 基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に請求項5に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。 - 基板上にパターンを形成するためのプロセスであって、次の処理工程、
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板に請求項6に記載の熱硬化性下層組成物を塗布する、第1の塗布工程と、
(c)前記下層組成物を熱で硬化して、下層膜を形成する工程と、
(d)前記下層膜全面に感放射線性レジストを塗布して、2層レジスト積層体を形成する、第2の塗布工程と、
(e)前記感放射線性レジストを焼成する工程と、
(f)前記2層レジスト積層体を露光する工程と、
(g)前記2層レジスト積層体の前記感放射線性レジストの一部を現像し、下にある前記下層膜の一部を露出する工程と、
(h)前記2層レジスト積層体をすすぐ工程と、
(i)前記露出された下層膜を酸素プラズマ中でエッチングして、2層レリーフ像を形成する工程と、
を備えるプロセス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US90322307P | 2007-02-23 | 2007-02-23 | |
US60/903,223 | 2007-02-23 | ||
US12/033,915 | 2008-02-20 | ||
US12/033,915 US7727705B2 (en) | 2007-02-23 | 2008-02-20 | High etch resistant underlayer compositions for multilayer lithographic processes |
PCT/US2008/054528 WO2008140846A1 (en) | 2007-02-23 | 2008-02-21 | High etch resistant underlayer compositions for multilayer lithographic processes |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010519594A JP2010519594A (ja) | 2010-06-03 |
JP2010519594A5 JP2010519594A5 (ja) | 2012-06-21 |
JP5075921B2 true JP5075921B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=39716276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009551006A Active JP5075921B2 (ja) | 2007-02-23 | 2008-02-21 | 多層リソグラフィプロセス用の高エッチング耐性下層組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7727705B2 (ja) |
JP (1) | JP5075921B2 (ja) |
TW (1) | TWI418943B (ja) |
WO (1) | WO2008140846A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5660330B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2015-01-28 | 日産化学工業株式会社 | 脂肪族環と芳香族環を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
JP5728762B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2015-06-03 | 住友ベークライト株式会社 | 自己画像形成性フィルム形成ポリマー、その組成物、並びにそれから製造されるデバイス及び構造物 |
CN104040383B (zh) * | 2012-01-17 | 2016-08-24 | 三菱树脂株式会社 | 反射材料 |
US9290623B2 (en) * | 2012-12-19 | 2016-03-22 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming silicon-containing resist underlayer film having cyclic diester group |
US8932799B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
JP6421942B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2018-11-14 | 日産化学株式会社 | 脂肪族多環構造を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
US10095113B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
US9581908B2 (en) * | 2014-05-16 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method |
JP6525376B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-06-05 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | オーバーコートされたフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物 |
JP6605720B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2019-11-13 | プロメラス, エルエルシー | 光パターニング可能なフッ素フリーフェノール官能基含有ポリマー組成物 |
US20200264511A1 (en) * | 2017-05-31 | 2020-08-20 | Mitsui Chemicals, Inc. | Material for forming underlayer film, resist underlayer film, method of producing resist underlayer film, and laminate |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69407879T2 (de) * | 1993-06-30 | 1998-04-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Phenolverbindungen, die Methoxymethylgruppen oder Hydroxymethylgruppen enthalten |
TW387904B (en) * | 1994-12-28 | 2000-04-21 | Hoechst Ag | Cycloolefin copolymer composition |
US6232417B1 (en) * | 1996-03-07 | 2001-05-15 | The B. F. Goodrich Company | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
EP0988331B1 (en) * | 1997-06-09 | 2004-09-01 | Promerus LLC | Method for the preparation of copolymers of ethylene/norbornene-type monomers with cationic palladium catalysts |
AU2872499A (en) * | 1998-02-23 | 1999-09-06 | B.F. Goodrich Company, The | Modified polycyclic polymers |
ID26627A (id) * | 1998-02-23 | 2001-01-25 | B F Goodrich Company Cs | Komposisi-komposisi penahan polisiklik dengan tahanan etsa yang ditingkatkan |
KR20000015014A (ko) * | 1998-08-26 | 2000-03-15 | 김영환 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 |
CN1249105C (zh) * | 1998-10-05 | 2006-04-05 | 普罗米鲁斯有限责任公司 | 环烯烃聚合催化剂及聚合方法 |
US6316165B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
US6323287B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-11-27 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography |
US6610808B2 (en) * | 1999-03-12 | 2003-08-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Thermally cured underlayer for lithographic application |
US6444408B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists |
US6509134B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Norbornene fluoroacrylate copolymers and process for the use thereof |
JP2003186189A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sony Corp | レジスト材料及び露光方法 |
US6800416B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-10-05 | Clariant Finance (Bvi) Ltd. | Negative deep ultraviolet photoresist |
TWI317365B (en) * | 2002-07-31 | 2009-11-21 | Jsr Corp | Acenaphthylene derivative, polymer, and antireflection film-forming composition |
KR20070029157A (ko) * | 2004-03-12 | 2007-03-13 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 리소그래피 적용을 위한 열경화된 언더코트 |
US20050215713A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Hessell Edward T | Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits |
US7427464B2 (en) * | 2004-06-22 | 2008-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and undercoat-forming material |
KR100971299B1 (ko) * | 2004-07-07 | 2010-07-20 | 프로메러스, 엘엘씨 | 감광성 유전체 수지 조성물 및 그 용도 |
JP2008158308A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
-
2008
- 2008-02-20 US US12/033,915 patent/US7727705B2/en active Active
- 2008-02-21 WO PCT/US2008/054528 patent/WO2008140846A1/en active Application Filing
- 2008-02-21 JP JP2009551006A patent/JP5075921B2/ja active Active
- 2008-02-22 TW TW097106292A patent/TWI418943B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080206667A1 (en) | 2008-08-28 |
WO2008140846A1 (en) | 2008-11-20 |
TW200848940A (en) | 2008-12-16 |
TWI418943B (zh) | 2013-12-11 |
JP2010519594A (ja) | 2010-06-03 |
US7727705B2 (en) | 2010-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5075921B2 (ja) | 多層リソグラフィプロセス用の高エッチング耐性下層組成物 | |
JP5604734B2 (ja) | ポジ型光像形成性底面反射防止コーティング | |
JP5074529B2 (ja) | リソグラフィー用途のための熱硬化型下層 | |
JP6050810B2 (ja) | 底面反射防止コーティング組成物及びそれの方法 | |
US8568958B2 (en) | Underlayer composition and process thereof | |
US7416821B2 (en) | Thermally cured undercoat for lithographic application | |
JP2011520148A (ja) | 反射防止コーティング組成物 | |
JP2005517972A (ja) | ポジ型光像形成性底面反射防止膜 | |
JP2013515972A (ja) | 縮合芳香環を含む反射防止コーティング組成物 | |
TWI408185B (zh) | 抗反射塗料組合物 | |
JP2015207007A (ja) | 半導体基板コーティングのための非ポリマーバインダー | |
TWI430033B (zh) | 供微影術應用之經熱固化底層 | |
JP2004534107A (ja) | リトグラフィーに応用するための熱硬化された下部層 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120301 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5075921 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |