JP5070229B2 - 半導体を用いた電子デバイス - Google Patents
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Description
なお、図9にはカソード電極が形成された最も上の層から、下に向かって各層の伝導形がnpnpとなる構造が示されているが、サイリスタとしては原理的にはpnpnでもさしつかえない。
また、バイポーラトランジスタは2つのpn接合を含むが、バイポーラトランジスタが形成できるということは、当然にpn接合1個を含むダイオードが形成できることは、当業者には明らかである。従って、pn接合ダイオードも本発明の技術的範囲に含まれる。
101 基板
102 層
103 バッファ層
104 酸化モリブデン層
110 ショットキー電極
111 ソース電極
112 ドレイン電極
200 バイポーラトランジスタ
201 モリブデン基板
202 層
203 バッファ層
204 n形酸化モリブデン層、層
205 p形酸化モリブデン層、層
206 n形酸化モリブデン層、層
210 コレクタ電極
211 ベース電極
212 エミッタ電極
300 サイリスタ
301 基板
302 層
303 バッファ層
304 p形酸化モリブデン層、層
305 n形酸化モリブデン層、層
306 p形酸化モリブデン層、層
307 n形酸化モリブデン層、層
311 カソード電極
312 ゲート電極
313 アノード電極
1001,1002,1003 直線
Claims (12)
- 少なくとも1つのpn接合を含むことが、動作上不可欠な半導体電子デバイスにおいて、モリブデンから成る基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層及び該酸化モリブデンの層の上に直接形成されたp形及びn形の高純度単結晶三酸化モリブデンから成るpn接合を含む半導体電子デバイス。
- 少なくとも1つのpn接合を含むことが、動作上不可欠な半導体電子デバイスにおいて、モリブデンから成る基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層、該酸化モリブデンの層の上に直接形成された酸化モリブデンから成るバッファ層及び該バッファ層の上に直接形成されたp形及びn形の高純度単結晶三酸化モリブデンから成るpn接合を含む半導体電子デバイス。
- 前記半導体電子デバイスが、ダイオード、バイポーラトランジスタ又はサイリスタである請求項1又は2に記載の半導体電子デバイス。
- モリブデン基板とその表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層及び該酸化モリブデンの層の上に直接形成された少なくともチャネル層としての高純度の単結晶三酸化モリブデンの層を含む電界効果トランジスタ。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層、該酸化モリブデンの層の上に直接形成された酸化モリブデンから成るバッファ層及び該バッファ層上に直接形成された少なくともチャネル層としての高純度単結晶三酸化モリブデンの層を含む電界効果トランジスタ。
- 前記高純度単結晶三酸化モリブデンの層が、気相成長法によって形成される請求項1乃至5に記載の半導体電子デバイス。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層、該酸化モリブデンの層の上に直接形成されたエミッタ又はコレクタとしての高純度単結晶三酸化モリブデンの層を含むバイポーラトランジスタ。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層、該酸化モリブデンの層の上に直接形成された酸化モリブデンから成るバッファ層及び該バッファ層の上に直接形成されたエミッタ又はコレクタとしての高純度単結晶三酸化モリブデンの層を含むバイポーラトランジスタ。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層及び該酸化モリブデンの層の上に直接形成された第1のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第1のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第2のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層及び第2のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層をこの順序で積層した構造を有するサイリスタ。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層、該酸化モリブデンの層の上に直接形成された酸化モリブデンから成るバッファ層及び該バッファ層の上に直接形成された第1のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第1のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第2のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層及び第2のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層をこの順序で積層した構造を有するサイリスタ。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層及び該酸化モリブデンの層の上に直接形成された第1のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第1のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第2のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層及び第2のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層をこの順序で積層した構造を有するサイリスタ。
- モリブデン基板、該基板の表面付近を酸化して形成された酸化モリブデンの層、該酸化モリブデンの層の上に、直接形成された酸化モリブデンから成るバッファ層及び該バッファ層の上に直接形成された第1のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第1のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層、第2のn形高純度単結晶三酸化モリブデン層及び第2のp形高純度単結晶三酸化モリブデン層をこの順序で積層した構造を有するサイリスタ。
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