JP5062952B2 - レーザ発振器 - Google Patents
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Description
Nir Tessler、"Lasers Based on Semiconducting Organic Materials"、Adv. Mater.、 1999、11、p.363-370
本実施の形態では、基板上に電極層と有機物を含む層を積層した発光素子を用いたレーザー装置において、基板側からレーザー光を取り出すことのできる構造について説明する。
なお、上述した発光層100では、発光材料をドーパントとして用いても構わない。すなわち、発光材料よりもイオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料をホストとし、これに上述した発光材料を少量(0.001%から30%程度)混合しても構わない。
実施の形態1では、基板106側、すなわち第1の電極103側からレーザー光を取り出す構成について示したが、本実施の形態では基板の上面、すなわち第2の電極104側からレーザー光を取り出す構成について示す。図1において、106は基板であり、特に材料は選ばない。ガラスや石英、プラスチックのみならず、紙や布などの柔軟な基板でも用いることができる。もちろん、透明である必要はない。
本実施の形態では、発光層で増幅され、射出したレーザビームが電極によって反射すことで発光層中に戻され、さらに増幅されるような2重の増幅構造を有するレーザ発振器について説明する。
本実施の形態では端面(エッジ部分)からレーザー光を取り出すことが可能なレーザー装置の構造を記述する。
本実施の形態では本発明における発光層を湿式法を用いて作製する方法について説明する。
Claims (14)
- レーザビームを発振するレーザ発振器であって、
基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた、有機物を含む第1の層と、
前記第1の層上に設けられた、少なくとも発光材料を含む有機物と金属酸化物とを含む第2の層と、
前記第2の層上に設けられた、有機物を含む第3の層と、
前記第3の層上に設けられた第2の電極と、で構成される発光素子を有し、
前記第2の層は、前記第1の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記第3の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記金属酸化物を含有しない場合と比較して高い屈折率を有することを特徴とするレーザ発振器。 - 波長λのレーザビームを発振するレーザ発振器であって、
基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた、有機物を含む第1の層と、
前記第1の層上に設けられた、少なくとも発光材料を含む有機物と金属酸化物とを含む第2の層と、
前記第2の層上に設けられた、有機物を含む第3の層と、
前記第3の層上に設けられた第2の電極と、で構成される発光素子を有し、
前記第2の層は、前記第1の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記第3の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記金属酸化物を含有しない場合と比較して高い屈折率を有し、
前記第2の層の膜厚deは、前記第2の層の屈折率をneとしてde=mλ/2ne(mは1以上の整数)を満たすことを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項1又は請求項2において、
前記金属酸化物は、ビスマス酸化物、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、タンタル酸化物、ニッケル酸化物、亜鉛酸化物、インジウム錫酸化物、又はジルコニウムチタン酸化物であることを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第2の層に含まれる前記有機物の前記金属酸化物の金属原子に対するモル比は、0.1以上10以下であることを特徴とするレーザ発振器。 - レーザビームを発振するレーザ発振器であって、
基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた、有機物を含む第1の層と、
前記第1の層上に設けられた、少なくとも発光材料を含む有機物と金属硫化物とを含む第2の層と、
前記第2の層上に設けられた、有機物を含む第3の層と、
前記第3の層上に設けられた第2の電極と、で構成される発光素子を有し、
前記第2の層は、前記第1の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記第3の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記金属硫化物を含有しない場合と比較して高い屈折率を有することを特徴とするレーザ発振器。 - 波長λのレーザビームを発振するレーザ発振器であって、
基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた、有機物を含む第1の層と、
前記第1の層上に設けられた、少なくとも発光材料を含む有機物と金属硫化物とを含む第2の層と、
前記第2の層上に設けられた、有機物を含む第3の層と、
前記第3の層上に設けられた第2の電極と、で構成される発光素子を有し、
前記第2の層は、前記第1の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記第3の層よりも屈折率が高く、
前記第2の層は、前記金属硫化物を含有しない場合と比較して高い屈折率を有し、
前記第2の層の膜厚deは、前記第2の層の屈折率をneとしてde=mλ/2ne(mは1以上の整数)を満たすことを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項5又は請求項6において、
前記金属硫化物は、ZnS又はCdSであることを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項5乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第2の層に含まれる前記有機物の前記金属硫化物の金属原子に対するモル比は、0.1以上10以下であることを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項2又は請求項6において、
前記第1の層の膜厚dfは、前記第1の層の屈折率をnfとすると、df=(2m−1)λ/4nf(mは1以上の整数)を満たすことを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項2又は請求項6において、
前記第3の層の膜厚dfは、前記第3の層の屈折率をnfとすると、df=(2m−1)λ/4nf(mは1以上の整数)を満たすことを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記第1の層は正孔注入層又は正孔輸送層を有し、
前記第3の層は電子輸送層又は電子注入層を有することを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記第1の層は電子輸送層又は電子注入層を有し、
前記第3の層は正孔注入層又は正孔輸送層を有することを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記基板及び前記第1の電極は透光性を有することを特徴とするレーザ発振器。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記第2の電極上に設けられた基板を有し、
前記第2の電極上に設けられた基板と前記第2の電極は透光性を有することを特徴とするレーザ発振器。
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