JP2000058259A - 共振器型エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

共振器型エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number
JP2000058259A
JP2000058259A JP10223880A JP22388098A JP2000058259A JP 2000058259 A JP2000058259 A JP 2000058259A JP 10223880 A JP10223880 A JP 10223880A JP 22388098 A JP22388098 A JP 22388098A JP 2000058259 A JP2000058259 A JP 2000058259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electroluminescent
electrode
resonator
materials
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10223880A
Other languages
English (en)
Inventor
Motomu Yoshimura
求 吉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP10223880A priority Critical patent/JP2000058259A/ja
Publication of JP2000058259A publication Critical patent/JP2000058259A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機エレクトロルミネッセンス材料から発光
した光が、共振することにより増幅されレーザ発振可能
な共振器型エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板の両面に透明電極を施し、そ
れらの透明電極の各面上に有機エレクトロルミネッセン
ス材料を設ける。一方の有機エレクトロルミネッセンス
材料上に光を透過しない金属電極を、他方の有機エレク
トロルミネッセンス材料には、光を一部透過させる金属
電極を設ける。さらに、透明電極ガラス基板にペルチェ
素子を設け、発光による発熱を防ぎ、発光した光が共振
することにより増幅されレーザ発振を可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振器型エレクト
ロルミネッセンス素子に関する。本発明は、高効率なエ
レクトロルミネッセンス素子、平面レーザ光からビーム
レーザ光発振を可能とする有機固体レーザ、および、電
界発光型平面光源から電界発光型点光源を実現する装置
に用いられる。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子は図6に
示すように、仕事関数の大きな透明電極101と仕事関
数の小さな不透明金属電極104との間にエレクトロル
ミネッセンス材料102が挟まれている。仕事関数の大
きな透明電極はアノード(陽極)電極としてエレクトロ
ルミネッセンス材料中にホール107を注入し、仕事関
数の小さな金属電極はカソード(陰極)電極としてエレ
クトロルミネッセンス材料中に電子108(エレクトロ
ン)を注入する。注入されたホールとエレクトロンが、
エレクトロルミネッセンス材料中で再結合し、エキシト
ン105を形成する。エキシトンが緩和する際に、発光
分子を励起し、そこから発光106が起こる。この様に
して、電界印加109により、エレクトロルミネッセン
スと呼ばれる発光が起こる。従来のエレクトロルミネッ
センス素子は図7に示されるように、発生した光の大半
が、一方の透明電極から外部に出ていき、透明電極10
1でほとんど反射されない。そのために、従来のエレク
トロルミネッセンス素子では、共振器構造を持たないの
で、たとえ、発光輝度が10万カンデラ/m2以上の高
輝度発光が得られたとしても、その内部で光の増幅が起
こらない。また、高輝度発光が起こった場合には、発熱
作用も同時に起こるが、従来のエレクトロルミネッセン
ス素子では、この発熱を放逸する機構を持たない。この
ために、従来のエレクトロルミネッセンス素子では、電
界印加方式によりレーザ光を発振させる事は極めて難し
い。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のエレクトロルミ
ネッセンス素子では、10万カンデラ/m2以上の高輝
度発光を達成したとしても、上述したように、内部共振
器構造を持たず、また、発生熱の放逸機構を持たない欠
点を有している。このために、電界印加方式によりレー
ザ発光させる事は極めて難しい。本発明では、上述した
従来のエレクトロルミネッセンス素子の欠点を解決し、
エレクトロルミネッセンス素子が、高輝度発光を達成し
た場合に、その光をレーザ発振させる事を可能にするこ
とを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の共振器型エレク
トロルミネッセンス素子では、図1に示されるように、
その両面に仕事関数の大きな透明電極を設けた両面透明
電極付きガラス基板3を中央に配置し、それらの各面上
にエレクトロルミネッセンス材料2を取り付けている。
更に、仕事関係の小さな金属電極を取り付ける(請求項
1)が、その一方は、光を完全に反射する材料を用い、
他方は、光を一部透過する、すなわち、半透明の金属電
極を取り付ける。また、透明電極を設けたガラス基板に
は、全面にエレクトロルミネッセンス材料を取り付ける
のではなく、一部を露出した状態にしておく(請求項
9)。この露出した部分が、電界発光したときに出る発
熱を放逸するのに役立つ。露出した部分は、常に空気に
触れており、熱が空気中に放逸される。さらに、熱の放
逸効果を高めるために、図2に示すように、この露出部
にペルチェ素子6などの冷却素子を取り付け(請求項1
0および11)、強制的に冷却を行う。この様な、構造
にすれば、中央の透明電極を設けたガラス基板を挟ん
で、両サイドのエレクトロルミネッセンス材料から発光
した光は、中央の透明ガラス電極は、透明で光を双方向
に透過させるため、両サイドの金属電極に、それぞれ到
達することが出来る。この時、一方の金属電極は完全に
光を反射させ、この電極はレーザの共振器の高反射ミラ
ー(High Refrector : HR)として働き、他方の金属電
極は、光の一部を透過させるため、この電極はレーザ共
振器の出力結合ミラー(Output Coupler : OC)として
働き、その結果、本発明のエレクトロルミネッセンス素
子で発光した光は、両金属電極間で共振し、閾値を超え
たときにレーザ発振する。
【0005】本発明の共振器型エレクトロルミネッセン
ス素子では、図1に示されるように、両面に透明電極を
設けた両面透明電極付きガラス基板3を中央に配置し、
その両面にエレクトロルミネッセンス材料2を取り付け
ている。更に、金属電極を取り付けるが、その一方は、
光を完全に反射する材料を用い、他方は、光を一部透過
する、すなわち、半透明の金属電極を取り付ける。それ
ぞれのエレクトロルミネッセンス材料を発光させるに
は、中央の透明電極を共通電極として、各金属電極に同
じ電源9から同一の電圧を印加して、発光させる(請求
項12)方式が一つの方式であるが(図1)、両面の透
明電極を別々に用い、それぞれと各金属電極とを別々の
電源9aおよび9bで同一の電圧または別々の電圧を印
加し発光させる(請求項13および14)方式もある
(図3)。この様にして、発光させる2つのエレクトロ
ルミネッセンス材料は、同一の材料で有れば発光スペク
トルが同一になるので、その中の特定の波長の光が増幅
されるように、共振器長をエレクトロルミネッセンス材
料の厚みで制御すれば、その厚みに対応したレーザ光が
取り出せる。しかしながら、2つのエレクトロルミネッ
センス材料は必ずしも同一の材料でなくても良い(請求
項2〜4)。少なくともそれぞれの発光スペクトルの一
部が重なり合っていればよい。重なり合っている発光波
長部の光が、増幅されるようにエレクトロルミネッセン
ス材料の厚みを制御して、その厚みに対応した波長の光
をレーザ光として取り出せる。エレクトロルミネッセン
ス材料としては、ポリマー材料(請求項2および5)で
も良く、ポリマー分散型材料(請求項3および6)でも
良く、有機分子積層型材料(請求項4および7)でも、
有機・無機複合型材料でも良い。さて、発光には発熱が
付随的に起こる。この発熱をいかに放逸するかが、有機
エレクトロルミネッセンス材料を使ってレーザ発振させ
る際の大きな課題である。例えば、10万カンデラ/m
2の光が発光した場合には、その光だけで1W/cm2
熱量に相当する。一般には、光の外部取りだし効率は、
せいぜい、4〜5%である(参照文献:筒井、応用物
理、第66巻、第2号(1997)p.109)。この
事を考慮すれば、内部量子効率が100%と仮定して
も、10万カンデラ/m2の光が発光した場合には、そ
の光だけで20〜25W/cm2の発熱量に相当する。
実際には内部量子効率が100%ではないので、少なく
ともその数倍の発熱量がある。そこで、本発明では、透
明電極を設けたガラス基板には、全面にエレクトロルミ
ネッセンス材料を取り付けるのではなく、一部を露出し
た状態にしておく(図1、図3)。この露出した部分
が、電界発光したときに出る発熱を放逸してくれる。即
ち、露出した部分は、常に空気に触れており、発光によ
る熱が空気中に放逸される。さらに、熱の放逸効果を高
めるために、図2に示すように、この露出部にペルチェ
素子を取り付け、強制的に冷却を行う事が出来る。さら
に、このペルチェ素子による冷却はエレクトロルミネッ
センス材料の発光効率と寿命とを向上させることもでき
る。この様な構造にすれば(図1、図3、図2)、中央
の透明電極を設けたガラス基板を挟んで、両サイドのエ
レクトロルミネッセンス材料から発光した光は、中央の
透明ガラス電極は、透明で光を双方向に透過させるた
め、両サイドの金属電極に、それぞれ到達することが出
来る。このとき、一方の金属電極は完全に光を反射さ
せ、この電極はレーザの共振器の高反射ミラー(High R
efrector : HR)として働き、他方の金属電極は、光の
一部を透過させるため、この電極はレーザ共振器の出力
結合ミラー(Output Coupler : OC)として働き、その
結果、本発明のエレクトロルミネッセンス素子で発光し
た光は、両金属電極間で反射を繰り返しながら共振し、
コヒーレンシーを増しながら、閾値を超えたときにコヒ
ーレントなレーザ光7を発振する。図5に、発振13の
様子を模式的に示す。図5に示した11は非励起分子、
12は励起分子である。図5において、「矢印」をつけ
た線分は、光のコヒーレンシーが得られて、レーザ光と
して、素子の外部に出射する光を示しており、他方、
「矢印」のない線分は、光のコヒーレンシーが得られて
おらず、素子内で反射を繰り返している光を示してい
る。レーザ発振光の波長は両電極間の距離で決まる共振
長に対応した波長の光が発振される。なお、中央のガラ
スとエレクトロルミネッセンス材料との光学的屈折率は
一般には異なるが、発振される光は、そこを必ず往復す
るので、透明ガラス基板を通過するたびに波長が元の発
光波長に戻されるので、共振する事が可能となりコヒー
レンシーを持ったレーザ光が、出力結合ミラー(Output
Coupler : OC)として働く金属電極側から発振する。
この金属電極は一般には、平面であるため面発光レーザ
光源となる。この電極サイズをマクロからミクロに変え
て構成すれば、その電極面積に対応して、面発光レーザ
から点発光レーザにまで種々のレーザ光源が出来る。さ
て、中央の透明電極としては酸化インジウム錫(IT
O)、酸化錫(SnO2)、酸化インジウム(InO2
を使う。ガラス基板は石英ガラス、アルカリガラス、無
アルカリガラスの内のどれでも良いが、ガラス基板と透
明電極との間は酸化珪素(SiO2)でコートしてお
く。全反射型の金属電極としては、マグネシウムと銀の
合金(Mg/Ag)等のマグネシウム合金、アルミニウ
ムとリチウムとの合金(Al/Li)等のアルミニウム
合金等を用いる。一部光透過性金属電極としては金薄膜
等を用いる。エレクトロルミネッセンス材料としてはポ
リマー系の材料、ポリマー分散型材料、有機分子積層型
材料の3通りを用いることが出来る。ポリマー系の材料
としては、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)系ポ
リマー、ポリパラフェニレン(PPP)系ポリマー、ポ
リチオフェン(PT)系ポリマー、ポリシラン(PS)
系ポリマー等のπ共役性ポリマー等を用いる。ポリマー
分散型材料としては、ホストポリマーとして、ポリビニ
ルカルバゾールおよびその誘導体ポリマー、ポリメチル
アクリレート、ポリメチルメタアクリレート等を用い、
これらに電荷輸送剤、発光材を分散した材料を用いる。
電荷輸送剤、発光材については、以下に述べる分子積層
型材料に用いる電荷輸送剤、発光材が共通に用いられ
る。有機分子積層型材料は、電子輸送剤とホール輸送剤
の電荷輸送剤と発光材とが単層、2層、3層に積層され
る(参照文献:筒井、応用物理、第66巻、第2号(1
997)p.109)。電子輸送剤には、トリス(8−
ヒドロキシ−キノリノ)アルミニウム(AlQ3(tris
(8-hydroxy-quinolino)aluminium))、ビス(8−ヒ
ドロキシ−キノリノ)ベリリウム(BeQ2(bis(8-hy
droxy-quinolino)beryllium))、ジンク−ビス−ベン
ゾオキサゾール(Zn(BOZ)2(Zinc-bis-benzoxaz
ole))、ジンク−ビス−ベンゾチアゾール(Zn(B
TZ)2(Zinc-bis-benzothiazole))、トリス(1,
3−ジフェニル−1,3−プロパンジオノ)モノフェナ
ンスロリン)Eu(III)(Eu(DBM)3(Phe
n)(tris(1,3-diphenyl-1,3-propanediono))(mon
ophenanthroline)Eu(III)))、2−ビフェニル−5
−(パラ−ter−ブチルフェニル−1,3,4−オキ
サジアゾール(Butyl−PBD(2-biphenyl-5-(p
ara-ter-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole))、1−フ
ェニル−2−ビフェニル−5−パラ−ter−ブチルフ
ェニル−1,3,4−トリアゾール(TAZ(1-phenyl
-2-biphenyl-5-para-ter-butylphenyl-1,3,4-triazol
e))、1,3,5−トリス(4−ter−ブチルフェ
ニル−1,3,4−オキサジアゾリル)ベンゼン(TP
OB(1,3,5-tris(4-ter-butylphenyl-1,3,4-oxadiazo
lyl)benzene))、等の内少なくとも一つを用いる。ホ
ール輸送剤には、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビ
ス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]
−4,4′−ジアミン(TPD(N,N′-diphenyl-N,N′
-bis(3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl]-4,4′-diam
ine))、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(α
−ナフチル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−
ジアミン4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−
フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD(N,N′-di
phenyl-N,N′-bis(α-naphtyl)-[1,1′-biphenyl]-4,
4′-diamine:4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-a
mino]biphenyl))、4,4′−ビス(9−カルバゾリ
ル)−1,1′−ビフェニル(Cz−TPD(4,4′-Bi
s(9-carbazolyl)-1,1′-biphenyl))、3,4,9,
10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA
(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydrid
e))、銅フタロシアニン(CuPc(Copperphtarocya
nine))、亜鉛(II)5,10,15,20−テトラフ
ェニルポルフィリン(ZnTPP(Zinc(II)5,10,15,
20-tetraphenylporphyrin))、4,4′−ビス(10
−フェノキサジニル)ビフェニル(PO−TPD(4,
4′-Bis(10-phenoxazinyl)biphenyl))、4,4′−
ビス(10−フェノチアジニル)ビフェニル(PT−T
PD(4,4′-Bis(10-phenothiazinyl)biphenyl))、
4,4′−(2,2−ジフェニルビニレン)−1,1′
−ビフェニル(DPBI(4,4′-(2,2-diphenylvinyle
ne)-1,1′-biphenyl))、4,4′−(2,2−ジ−
パラメチルフェニルビニレン)−1,1′−ビフェニル
(DTVBI(4,4′-(2,2-di-paramethylphenylvinyl
ene)-1,1′-biphenyl))、4,4′,4″−トリス
(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルア
ミン(m−MTDATA(4,4′,4″-tris(3-methylph
enylphenylamino)triphenylamine))、4−ビフェニ
ルアミノフェニル−ビフェニルヒドラゾン(HDRZ
(4-biphenylaminophenyl-biphenylhydrazone))、
4,4′,4″−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニ
ルアミン(TCTA(4,4′,4″-tri(N-carbazolyl)t
riphenylamine))、Ru(II)(2,2′−ビピリジ
ルルテニウム錯体[Ru(bpy)32 +等の内、少な
くとも一つを用いる。発光材には、3−(2′ベンゾチ
アゾリル−7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマ
リン540、3-(2′-Benzothiazole)-7-N,N-diethyla
minocoumarin、(化1)):
【0006】
【化1】
【0007】、4−ジシアンメチレン−2−メチル−6
−(p−ジメチルアミノスチリル−4H−ピラン(DC
M1、4-Dicyanmethylene-2-methyl-6-(p-dimethylami
nostyryl)-4H-pyran、(化2)):
【0008】
【化2】
【0009】、4−ジシアンメチレン−2−メチル−6
−(オクタヒドロキノリジン[c,d]スチリル−4H
−ピラン(DCM2、4-Dicyanmethylene-2-methyl-6-
(octahydroquinolizine[c,d]styryl)-4H-pyran、(化
3)):
【0010】
【化3】
【0011】、ルブレン(Rubrene(化4)):
【0012】
【化4】
【0013】、キナクリドン誘導体(Quinacridone der
ivatives(化5)〜(化9)):
【0014】
【化5】
【0015】
【化6】
【0016】
【化7】
【0017】
【化8】
【0018】
【化9】
【0019】等の発光性色素の内少なくとも一つを用い
る。なお、分子積層型材料では、電荷輸送剤も発光材と
して働くため、レーザ発振させたい波長により、発光材
を添加するかどうかを決める。電荷輸送剤の発光波長で
良いならば、発光材を添加する必要はない。発光させる
ために用いる電源は、太陽電池、乾電池、2次電池、1
00V電源、200V電源、燃料電池等のいずれでも良
く、電圧値と周波数特性をそれぞれのエレクトロルミネ
ッセンス材料に合わせて、最適値を用いる。
【0020】
【発明の実施の形態】実施の形態1 本実施の形態は、図1に示すように、透明ガラスの両面
に透明電極ITOを設け、その両面に有機エレクトロル
ミネッセンス材料2を積層し、さらにその一方の有機エ
レクトロルミネッセンス材料の上に、光を透過しないア
ルミニウム/リチウム合金(Al/Li=10/1)を
不透明金属電極4として設ける。他方の有機エレクトロ
ルミネッセンス材料の上に、光を一部透過させる、すな
わち、半透明の金電極を半透明金属電極1として設け
る。有機エレクトロルミネッセンス材料としては、ポリ
パラフェニレンビニレンを用いる。エレクトロルミネッ
センス材料部は図1に示すように、ITO透明ガラス電
極基板の全面に積層させずに、その一部を空冷のために
残しておく。電源は、本実施の形態では、ITO透明電
極を共通アノード電極として用い、一つの電源で、各金
属電極に同電位を印加する。ここでは、15Vを印加し
た。その結果、波長500nmの2000カンデラ/m
2の発光が得られた。また、発光の指向性が良く、本実
施の形態は、レーザ発振を起こす事の出来る、共振器型
エレクトロルミネッセンス素子である。なお、図1の
(a)は本実施の形態の斜視図、(b)は断面図であ
る。
【0021】実施の形態2 本実施の形態は、図2に示すように、透明ガラスの両面
に透明電極ITOを施し、その両面に有機エレクトロル
ミネッセンス材料を積層し、さらにその一方の有機エレ
クトロルミネッセンス材料の上に、光を透過しないマグ
ネシウム/銀合金(Mg/Hg=10/1)を電極とし
て施す。他方の有機エレクトロルミネッセンス材料の上
に、光を一部透過させる金電極を施す。有機エレクトロ
ルミネッセンス材料としては、ポリビニルカルバゾール
(PVK)分散型材料を用いる。PVK中にトリス(8
−ヒドロキシ−キノリノ)アルミニウム(AlQ3(tri
s(8-hydroxy-quinolino)aluminium))と1−フェニ
ル−2−ビフェニル−5−パラ−ter−ブチルフェニ
ル−1,3,4−トリアゾール(TAZ(1-phenyl-2-b
iphenyl-5-para-ter-butylphenyl-1,3,4-triazole))
を分散させる。エレクトロルミネッセンス材料部は図2
に示すように、ITO透明ガラス電極基板の全面に積層
させずに、その一部を残しておき、冷却用のペルチェ素
子6を取り付け、エレクトロルミネッセンス発光の際の
発熱の冷却を行う。電源は、本実施の形態では、ITO
透明電極を共通アノード電極として用い、2つの電源
で、各金属電極に別々の電位を印加する。ここでは、M
g/Hg電極に15V、金電極に20Vをそれぞれ印加
した。さらに、ペルチェ素子で透明ガラス基板をマイナ
ス30度に冷却を行った。その結果、波長417nmの
2300カンデラ/m2の発光が得られた。また、発光
の指向性が良く、本実施の形態は、レーザ発振を起こす
事の出来る、共振器型エレクトロルミネッセンス素子で
ある。なお、図2は本実施の形態の断面図である。斜視
図は図1の(a)とペルチェ素子以外は同様である。
【0022】実施の形態3 本実施の形態は、図3に示すように、透明ガラスの両面
に透明電極ITOを施し、その両面に有機エレクトロル
ミネッセンス材料2aおよび2bを積層し、さらにその
一方の有機エレクトロルミネッセンス材料2bの上に、
光を透過しないマグネシウム/銀合金(Mg/Hg=1
0/1)を不透明金属電極4として設ける。他方の有機
エレクトロルミネッセンス材料2aの上に、光を一部透
過させる金電極を施す。有機エレクトロルミネッセンス
材料としては、一方のITO電極面にホール輸送剤ビス
(8−ヒドロキシ−キノリノ)ベリリウム(TCTA
(4,4′,4″-tri(N-carbazolyl)triphenylamine))
をさらに電子輸送剤1,3,5−トリス(4−ter−
ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル(TP
OB(1,3,5-tris(4-ter-butylphenyl-1,3,4-oxadiazol
yl)benzene)に積層させたものを用いる。他方のITO
電極面にはホール輸送剤N,N′−ジフェニル−N,
N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフ
ェニル]−4,4′−ジアミン(TPD(N,N′-diphen
yl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl]-4,
4′-diamine))を、電子輸送剤に1,3,5−トリス
(4−ter−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジ
アゾリル)ベンゼン(TPOB(1,3,5-tris(4-ter-bu
tylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl)benzene))に積層させ
たものを用いる。エレクトロルミネッセンス材料部は図
3に示すように、ITO透明ガラス電極基板の全面に積
層させずに、その一部を残しておき、冷却用ペルチェ素
子を取り付け、エレクトロルミネッセンス発光の際の発
熱の冷却を行う。電源は、本実施の形態では、ITO透
明電極を共通アノード電極として用い、2つの電源で、
各金属電極に別々の電位を印加する。ここでは、ホール
輸送剤TPDを含むエレクトロルミネッセンス材料側の
Mg/Hg電極に15V、金電極に18Vをそれぞれ印
加した。さらに、ペルチェ素子で透明ガラス基板をマイ
ナス30度に冷却を行った。その結果、両方のエレクト
ロルミネッセンス材料の共通発光波長域に当たる波長5
00nmの3500カンデラ/m2の発光が得られた。
また、発光の指向性が良く、本実施の形態は、レーザ発
振を起こす事の出来る、共振器型エレクトロルミネッセ
ンス素子である。なお、図3は本実施の形態の断面図で
ある。斜視図は図1の(a)と同様である。
【0023】実施の形態4 本実施の形態は、図4に示すように、透明ガラスの両面
に透明電極ITOを施し、その両面に有機エレクトロル
ミネッセンス材料を積層し、さらにその一方の有機エレ
クトロルミネッセンス材料の上に、光を透過しないマグ
ネシウム/銀合金(Mg/Hg=10/1)を不透明電
極4として設ける。他方の有機エレクトロルミネッセン
ス材料の上に、光を一部透過させる金電極1aを500
ミクロン角の形状で100ミクロン間隔に施す。有機エ
レクトロルミネッセンス材料としては、ITO電極面の
両面にホール輸送剤4,4′,4″−トリ(N−カルバ
ゾリル)トリフェニルアミン(TCTA(4,4′,4″-tr
i(N-carbazolyl)triphenylamine))に電子輸送剤
1,3,5−トリス(4−ter−ブチルフェニル−
1,3,4−オキサジアゾリル)ベンゼン(TPOB
(1,3,5-tris(4-ter-butylphenyl-1,3,4-oxadiazoly
l)benzene))を積層させたものを用いる。エレクトロ
ルミネッセンス材料部は図4に示すように、ITO透明
ガラス電極基板の全面に積層させずに、その一部を残し
ておき、冷却用のペルチェ素子6を取り付け、エレクト
ロルミネッセンス発光の際の発熱の冷却を行う。電源
は、本実施の形態では、ITO透明電極を共通アノード
電極として用い、2つの電源9aおよび9bで、各金属
電極に同一の電位を印加する。ここでは、Mg/Hg電
極に15V、500ミクロン角の各金電極にも15Vを
それぞれ印加した。さらに、ペルチェ素子で透明ガラス
基板をマイナス30度に冷却を行った。その結果、波長
510nmの2500カンデラ/m2の発光が得られ
た。また、各金電極の発光の指向性が良く、本実施の形
態は、レーザ発振を起こす事の出来る、共振器型エレク
トロルミネッセンス素子である。なお、図4は本実施の
形態の断面図である。斜視図は図1の(a)と同様であ
る。
【0024】
【発明の効果】本発明にかかわる共振器型エレクトロル
ミネッセンス素子は、仕事関数の大きな透明電極をガラ
ス基板の両面に設け、それらの透明電極の各面上にエレ
クトロルミネッセンス材料を有し、更に、両エレクトロ
ルミネッセンス材料上に仕事関数の小さな金属電極を設
けているので、高輝度発光を達成し、その光をレーザ発
振させることができる。
【0025】エレクトロルミネッセンス材料の少なくと
も一方が、ポリマー材料であることにより、厚みをレー
ザ発振波長に最適化することと、機械強度を増すことが
できる。
【0026】エレクトロルミネッセンス材料の少なくと
も一方が、ポリマー分散型材料であることにより、厚み
をレーザ発振波長に最適化することと、機械強度を増す
ことができる。
【0027】エレクトロルミネッセンス材料の少なくと
も一方が、有機分子積層型材料であることにより、厚み
をレーザ発振波長に最適化することと、薄膜化すること
ができる。
【0028】エレクトロルミネッセンス材料の両方が、
ポリマー材料であることにより、厚みをレーザ発振波長
に最適化することと、機械強度を一段と高めることがで
きる。
【0029】エレクトロルミネッセンス材料の両方が、
ポリマー分散型材料であることにより、厚みをレーザ発
振波長に最適化することと、機械強度を一段と高めるこ
とができる。
【0030】エレクトロルミネッセンス材料の両方が、
有機分子積層型材料であることにより、厚みをレーザ発
振波長に最適化することと、一層の薄膜化を行うことが
できる。
【0031】金属電極の一方が光を透過しない電極であ
り、他方が光を一部透過することが出来るので、高反射
ミラーおよび出力結合ミラーとして作用し、レーザ発振
させることができる。
【0032】透明電極をその両面に設けたガラス基板の
一部が、そのままの状態で電極端子以外には、エレクト
ロルミネッセンス材料と金属電極のいずれも設けられて
いないことにより、電界発光したときに出る熱を放逸で
きる。
【0033】透明電極をその両面に設けたガラス基板の
一部が、そのままの状態で電極端子以外には、エレクト
ロルミネッセンス材料と金属電極のいずれも設けられて
なく、冷却素子を設けられているので、電界発光したと
きに出る熱を放逸でき、エレクトロルミネッセンス材料
の発光効率と寿命とを向上させることができる。
【0034】前記冷却素子がペルチェ素子であるので、
電界発光したときに出る熱を放逸でき、エレクトロルミ
ネッセンス材料の発光効率と寿命とを向上させることが
できる。
【0035】透明電極と2つの金属電極の間を1つの電
源で繋ぎ、2つのエレクトロルミネッセンス材料を、同
一の電圧で発光させることにより、発光の指向性よくレ
ーザ発振させることができる。
【0036】透明電極と2つの金属電極の間を別々の電
源で繋ぎ、2つのエレクトロルミネッセンス材料を、同
一の電圧で発光させることにより、発光の指向性よくレ
ーザ発振させることができる。
【0037】透明電極と2つの金属電極の間を別々の電
源で繋ぎ、2つのエレクトロルミネッセンス材料を、別
々の電圧で発光させることにより、発光の指向性よくレ
ーザ発振させることができる。
【0038】少なくとも、光を一部透過する金属電極の
面積を変えることにより、面状発光から点状発光にまで
種々に制御することにより、発光の指向性よくレーザ発
振させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1の共振器型エレクトロルミネッ
センス素子を示す説明図、(a)は斜視図、(b)は断
面図である。
【図2】 実施の形態2の共振器型エレクトロルミネッ
センス素子の断面説明図である。
【図3】 実施の形態3の共振器型エレクトロルミネッ
センス素子の断面説明図である。
【図4】 実施の形態4の共振器型エレクトロルミネッ
センス素子の断面説明図である。
【図5】 本発明のエレクトロルミネッセンス素子のレ
ーザ発振の模式説明図である。
【図6】 従来のエレクトロルミネッセンス素子の発光
の原理説明図である。
【図7】 従来のエレクトロルミネッセンス素子の断面
説明図である。
【符号の説明】
1 半透明金属電極、2 エレクトロルミネッセンス材
料、3 両面透明電極付きガラス基板、4 不透明金属
電極、5 リード線、6 ペルチェ素子、7レーザ光、
9,9a,9b 電源。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 仕事関数の大きな透明電極をガラス基板
    の両面に設け、それらの透明電極の各面上にエレクトロ
    ルミネッセンス材料を有し、更に、両エレクトロルミネ
    ッセンス材料上に仕事関数の小さな金属電極を設けたこ
    とを特徴とする共振器型エレクトロルミネッセンス素
    子。
  2. 【請求項2】 エレクトロルミネッセンス材料の少なく
    とも一方が、ポリマー材料であることを特徴とする請求
    項1記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 エレクトロルミネッセンス材料の少なく
    とも一方が、ポリマー分散型材料であることを特徴とす
    る請求項1記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素
    子。
  4. 【請求項4】 エレクトロルミネッセンス材料の少なく
    とも一方が、有機分子積層型材料であることを特徴とす
    る請求項1記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素
    子。
  5. 【請求項5】 エレクトロルミネッセンス材料の両方
    が、ポリマー材料であることを特徴とする請求項1記載
    の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 【請求項6】 エレクトロルミネッセンス材料の両方
    が、ポリマー分散型材料であることを特徴とする請求項
    1記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 【請求項7】 エレクトロルミネッセンス材料の両方
    が、有機分子積層型材料であることを特徴とする請求項
    1記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 【請求項8】 金属電極の一方が光を透過しない電極で
    あり、他方が光を一部透過することの出来ることを特徴
    とする請求項1記載の共振器型エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  9. 【請求項9】 透明電極をその両面に設けたガラス基板
    の一部が、そのままの状態で電極端子以外には、エレク
    トロルミネッセンス材料と金属電極のいずれも設けられ
    ていないことを特徴とする請求項1記載の共振器型エレ
    クトロルミネッセンス素子。
  10. 【請求項10】 透明電極をその両面に設けたガラス基
    板の一部が、そのままの状態で電極端子以外には、エレ
    クトロルミネッセンス材料と金属電極のいずれも設けら
    れてなく、冷却素子を設けられていることを特徴とする
    請求項1記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素
    子。
  11. 【請求項11】 前記冷却素子がペルチェ素子である請
    求項10記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素
    子。
  12. 【請求項12】 透明電極と2つの金属電極の間を1つ
    の電源で繋ぎ、2つのエレクトロルミネッセンス材料
    を、同一の電圧で発光させることを特徴とする請求項1
    記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 【請求項13】 透明電極と2つの金属電極の間を別々
    の電源で繋ぎ、2つのエレクトロルミネッセンス材料
    を、同一の電圧で発光させることを特徴とする請求項1
    記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 【請求項14】 透明電極と2つの金属電極の間を別々
    の電源で繋ぎ、2つのエレクトロルミネッセンス材料
    を、別々の電圧で発光させることを特徴とする請求項1
    記載の共振器型エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 【請求項15】 少なくとも、光を一部透過する金属電
    極の面積を変えることにより、面状発光から点状発光に
    まで種々に制御することを特徴とする請求項1記載の共
    振器型エレクトロルミネッセンス素子。
JP10223880A 1998-08-07 1998-08-07 共振器型エレクトロルミネッセンス素子 Pending JP2000058259A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10223880A JP2000058259A (ja) 1998-08-07 1998-08-07 共振器型エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10223880A JP2000058259A (ja) 1998-08-07 1998-08-07 共振器型エレクトロルミネッセンス素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000058259A true JP2000058259A (ja) 2000-02-25

Family

ID=16805165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10223880A Pending JP2000058259A (ja) 1998-08-07 1998-08-07 共振器型エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000058259A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005002010A1 (ja) * 2003-06-27 2005-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機レーザー装置
JP2005310799A (ja) * 2002-10-03 2005-11-04 Seiko Epson Corp 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
JP2006165206A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2007073124A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Doosan Corporation White light emitting organic electroluminecent device
US7307940B2 (en) 2003-06-30 2007-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical pick-up device
CN100359745C (zh) * 2000-04-04 2008-01-02 索尼株式会社 非水电解质二次电池
US7385655B2 (en) 2002-09-02 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations
US7459726B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element
US7505487B2 (en) 2003-04-23 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator including phosphorescent material
US7769253B2 (en) 2002-09-02 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device
US7812520B2 (en) 2003-07-01 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Full color display based on organic light-emitting device
US8283679B2 (en) 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
WO2022030005A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 シャープ株式会社 表示装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100359745C (zh) * 2000-04-04 2008-01-02 索尼株式会社 非水电解质二次电池
US7769253B2 (en) 2002-09-02 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device
US7385655B2 (en) 2002-09-02 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations
JP2005310799A (ja) * 2002-10-03 2005-11-04 Seiko Epson Corp 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
US7459726B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element
US7505487B2 (en) 2003-04-23 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator including phosphorescent material
WO2005002010A1 (ja) * 2003-06-27 2005-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機レーザー装置
US8283679B2 (en) 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
US7307940B2 (en) 2003-06-30 2007-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical pick-up device
US7812520B2 (en) 2003-07-01 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Full color display based on organic light-emitting device
JP2006165206A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2009521095A (ja) * 2005-12-23 2009-05-28 ドゥサン コーポレーション 白色発光有機電界発光素子
KR100752321B1 (ko) * 2005-12-23 2007-08-29 주식회사 두산 백색 유기 전계 발광소자
WO2007073124A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Doosan Corporation White light emitting organic electroluminecent device
US7868541B2 (en) 2005-12-23 2011-01-11 Doosan Corporation White light emitting organic electroluminescent device
WO2022030005A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 シャープ株式会社 表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6438528B2 (ja) 照明装置
JP4027914B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた機器
JP4060113B2 (ja) 発光装置
JP2000058260A (ja) 両面発光型エレクトロルミネッセンス素子および両面自発光型情報表示素子
JP5452853B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20080218063A1 (en) Organic Electroluminescent Light Source
JP2000058259A (ja) 共振器型エレクトロルミネッセンス素子
JP2003045643A (ja) 発光素子、および表示装置
JP2011065927A (ja) 発光装置
JP4646702B2 (ja) 照明装置及びその作製方法
JP2004006165A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH09190883A (ja) 共振器型有機薄膜el素子
CN100483873C (zh) 发光器件
TW200522781A (en) Luminescence cell, luminescence device with luminescence cell, luminescence unit, luminescence device with luminescence unit, frame for luminescence device, and method for manufacturing luminescence cell
JP2006049057A (ja) 有機el表示装置
TWI262039B (en) Organic electroluminescent element
US20030117070A1 (en) Organic electroluminescent element, panel and apparatus using the same
CN100479275C (zh) 激光振荡器
JP4906137B2 (ja) 照明装置
JP4437558B2 (ja) 照明装置の作製方法
JP4831950B2 (ja) 発光装置、レーザーポインター
JP2011040437A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH0428197A (ja) 端面発光型電界発光素子およびその駆動方法
JP2000277265A (ja) 有機空間光変調素子
JP4954457B2 (ja) 発光装置の作製方法