JP5059772B2 - 最大３６０°のコースの磁気角度位置センサ - Google Patents

Description

本発明は、最大３６０°までの角度に対する磁気回転（ロータリィ）位置センサの分野に関し、より特別には、その適用が唯一ではないが、自動車用のステアリングコラムの角度位置を測定する位置センサに関する。

磁場に基づいて角度を検出するセンサは多数の利点を有する。

・移動部分との機械的接触がなく、そのため磨耗がない。

・汚染に影響を受けない。

・低い製造コスト
・長い寿命期間
従来技術において、リング磁石と、磁石により生成された場の半径方向成分を測定する２つの磁気感知素子を有し、デコーディング後は、３６０度にわたる位置を検出するように機能する２つの正方形波正弦波信号を生成する、回転センサを記述している欧州特許第１０８３４０６号が知られている。

この解決策の不都合な点は、２つのプローブの存在であり、１つのプローブの他のプローブに対する不正確な配置による測定誤差を生じてしまう可能性があることである。更に、空間的に９０°オフセットされている２つの集積回路の存在により、印刷回路表面積が大きく、接続数も増大するので、センサの最終コスト費用が増大してしまう。

従来技術においては、１つの平面において、磁場の２つの成分の測定を可能にするプローブもまた知られている（ホール効果プローブ、例えば、ＭｅｌｅｘｉｓからのＭＬＸ９０３１６、または磁気抵抗プローブ）。

従来技術においては、３６０°回転でき、実質的に直径方向（図１参照）に磁化されたディスク磁石の角度位置を決定するために磁気抵抗プローブを使用する位置センサを記載する米国特許第０６３１６９３５号も知られている。前記特許においては、磁石により生成された磁場の方向を感知する磁気抵抗プローブは、磁石の下方で、実質的にその回転軸上に設置される。プローブは、磁石の回転軸上の磁場の成分ＢｘとＢｙを測定する（図２参照）。磁石とプローブのそのような配置は、そのようなセンサの使用に制限を与えてしまう。これは、例えば、ステアリングコラムのような貫通シャフトを有するシステムの角度位置を測定するために回転センサを使用する特別な場合においては、磁石とプローブのそのような配置は、ステアリングコラムのサイズにより、磁気感知素子が、その回転軸上に位置することを可能にすることを妨げてしまうという事実により不可能であるからである。

本発明は、上記の問題を、単一の点（物理的な観点からは、磁場の２つの成分の測定点間の距離が５ｍｍ未満の場合は、測定は単一の点において行われると考えられる）において同時に測定される、磁場の２つの成分（半径方向と接線方向、または軸方向と接線方向）の使用を、直径方向に磁化されたリング磁石またはディスク磁石の回転軸の外側で可能にし、それにより、この角度が磁場の角度に対応していなくても、その角度位置を突き止めることができるようにすることにより解決することを提案する（注意：磁場の方向は、測定がこの同じ磁石の軸上で行われる場合のみ、磁石の角度位置と「整列」する）。従って、下記に説明する解決策は、センサのコストを削減し、測定の信頼性を増大し、一方、有利なように、それを異なる幾何学的形状の構成に、特に、貫通シャフトを有する装置の場合に適合できるようにすることを可能にする。

直径方向に磁化されたリングまたはディスクの周りの空間における任意の点を考えると、この磁石により生成される磁場の半径方向成分と軸方向成分は、同位相である２つの正弦波曲線であり、一方、接線方向成分は、磁場の他の２つの成分に関して９０°位相がずれている正弦波曲線である（図３参照）。従って、９０°位相がずれている磁場の一対の成分（接線方向と半径方向、または接線方向と軸方向）を使用して、下記の公式により磁石の角度をデコードすることが可能である。

α（τ）＝ａｒｃｔａｎ（（Ｖ_1maxＶ₂（τ））／（Ｖ_2maxＶ₁（τ）））
ここにおいて、τは回転角度、
Ｖ₁は磁場の半径方向または軸方向成分、
Ｖ_1maxはＶ₁の振幅、
Ｖ₂は磁場の接線方向成分、
Ｖ_2maxはＶ₂の振幅である。

振幅が一般的には異なるこれらの２つの成分に基づいて、磁石の角度位置をデコードすることは、使用される２つの成分を標準化し、そこから角度を推測するために、アークタンジェントの計算ができるようにすることが必要となる。これらのデコーディングおよび標準化関数は、別個の素子（４）によるか、磁場の２つの成分の測定と、角度のデコーディングと、磁場の２成分の標準化を統合するプローブ（例えば、ＭＬＸ ９０１３６）により直接行う。

経済的な利点は、磁石の周りに９０°離して位置する２つのプローブを使用するときよりも、はるかに小さな印刷回路表面積を有するＳＭＤ（表面実装デバイス）タイプの単一の集積回路を使用することである。

１つの好適な実施の形態において、磁気感知素子は、少なくとも１対の磁気感知センサから構成され、その感知軸は平行であり、前記一対のセンサは、前記感知軸に直交する強磁性体ヨークにより磁気的に結合され、前記ヨークは、回転軸に直交する面に、または回転軸を通る面に平行な面に配置される。例として、磁気感知素子は、４つの共面センサ（従って、この感知軸は平行）を具備する、Ｍｅｌｅｘｉｓにより製造された集積磁束集中器ＭＬＸ９０１３６を有するプローブから構成される。これらの４つのホール素子は、ヨークを構成する強磁性体ディスクのエッジの下方に設置される。それらは９０°離されて設置されている。磁場は、強磁性体ディスク（高い比透磁率を有する）の近傍において湾曲する。磁場線は、磁束集中器の表面に直交し、ホール素子を通過し、それにより、プローブの面において、２つの磁場成分の測定が可能になる。更に、ホール素子により測定された磁場は、磁場線が、強磁性体ディスクの近傍に集中しているために増幅される。各軸（ＸとＹ、またはＸとＺ）上のホール素子は、アナログ／デジタル変換器により増幅されてサンプリングされる、２つのホール素子の電圧差（磁場の軸方向成分を消去する）を出力する信号処理回路に接続される。デジタル信号処理回路は、各成分に、プログラマブルゲインを乗算し（それにより、実質的に等しい大きさの正弦波曲線を得ることが可能になる）、除算とアークタンジェント計算を行う前に、種々の補償（オフセット直交性、プローブの温度に関するパラメータにおける変動に関して）を行う。得られた角度は、集積回路の出力において、例えば、この角度に比例する電圧の形状で利用できる。

本発明は、直径方向の異方性を有する可塑性フェライトから製造されたリング磁石を有利に使用し、それにより、可能な限りの低コストで、非常に良好な性能を得ることが可能になる。更に、異方性を有する磁石の使用は、磁化処理を容易にする。これは、センサの性能（出力信号の線形性）は、良好な直径方向の磁化を得ることに直接依存するからである。等方性磁石の使用も可能であるが、磁化処理、つまり、磁石の「良好な」直径方向の磁化を得ることは、より複雑になる。これは、リング磁石を直径方向に磁化するために必要な磁場は、単純なコイルに電流を流すことにより容易に得られるが、空気と磁化される物質間の透磁率における差のために、磁場線の湾曲が生成され、その湾曲は、２つの媒体間の境界における屈折に関する関係に従う。

ｔａｎ（α₁）／ｔａｎ（α₂）＝μ_r1／μ_r2
この湾曲は、直径方向でない物質の磁化という結果になり、従って、図１０に示されているように、測定された２つの成分の歪みという結果になる。これら２つの信号は、９０°位相のずれている２つの正弦波曲線ではなく、その位相は、磁場の２つの成分に基づいてデコードされた信号を示している同じ図１０から分かるように、デコーディングの間に、非常に大きな非線形性という結果になる。

等方性物質の場合、「低品質な」直径方向の磁化につながる、磁石内の磁場線のこの湾曲を補正および補償するために、磁石の外形は、有利なように、円形の代わりに、実質的に楕円形が選択される（図１１参照）。

プローブＭＬＸ９０３１６を使用するときは、このプローブを、非線形性誤差を部分的に補償するようにプログラムすることができる。この補償は、センサの全コースにわたる、異なるゲインのプログラミングを介して行われる。そのようなプログラミングの場合は、図１２には、下記が示される。

・非線形伝達関数によりデコードされた信号
・デコードされた信号の非線形性
等方性磁石または半径方向の異方性を有する磁石の場合は、半径方向の磁化で磁石を漸進的に磁化でき、その磁化は、磁石の周辺において、正弦則に従う。磁化のこの方法により、直径方向の磁化の場合に起こる、磁場線の屈折による磁化方向における誤差を回避できるようになる。

適用が出力信号の冗長性を必要とする場合は、第１測定点から、回転軸に関して角度方向にオフセットされた第２測定点を使用することにより、システムを二重化することももちろん考えられる。従って、好ましくは、２つの類似なハウジングを有することが可能で、それぞれのハウジングは、特別なゲイン調整を伴って、測定と、１つは接線方向であり、他方は半径方向および軸方向成分の組合せの結果である２つの信号のデコーディングを統合し、それにより２つの独立した角度位置信号が出力される。

何回転もするステアリングホイールに連結されるステアリングコラムの位置の測定のような適用の場合は、３６０°を超えるコースの測定が必要であることが分かる。そして、本発明によるセンサを、何回転もの回転を、センサにおける１回転以下の回転に減少する移動リデューサに連結することにより使用することが可能である。

本発明は、種々の図を参照することにより、より良好に理解されるであろう。

図１は、直径方向に磁化されたディスク磁石で得られる典型的な磁場線を示している。磁場線は、磁石の中心を通過し、磁石の磁化方向と同一直線の面上に示されている。図２と図３において、磁気誘導の半径方向（Ｂｘ）、接線方向（Ｂｙ）、および軸方向（Ｂａｘｉａｌ）成分が、それぞれ、磁石の回転軸上であって、磁石の外径よりも大きい半径上に位置する点における測定点に対して示されている。図２は、磁石の回転の関数としての、軸の点上の磁気誘導の成分ＸとＹは、同じ大きさであり、軸方向成分は、磁石の上方の位置に拘わらずゼロであることを示している。図３に関しては、磁気誘導の３成分はゼロ以外であり、半径方向および軸方向成分は同じ位相であり、一方、接線方向成分は、この２つの成分とは９０°ずれていることが分かる。

図４は、本発明によるセンサを示しており、実質的に半径方向に磁化されたリング形状の永久磁石（１）を備えており、空間における任意の点で、この磁石は、２つの磁気感知素子により測定される、半径方向または軸方向（３）および接線方向（２）成分を有する磁場を生成し、そこからの信号は、処理素子（４）により処理され、処理素子は、２つの成分のデコーディングと、標準化を行い、磁石の角度位置に比例する電気信号を出力する。

図５は、ステアリングコラムセンサとして使用される、磁石（１）により生成される磁場の半径方向および接線方向成分を使用するセンサの構成を示している。この構成は、ステアリングコラムまたはドライブシャフト（５）の軸上に直接搭載される、直径方向に磁化されたリング磁石を使用する。プローブの面は、それが磁石の対称面と同一面で、それにより、プローブ（６）の位置誤差の場合に、磁場の軸方向成分の影響を制限するように、有利に設置される。これは、この特別な構成に対しては、磁場の軸方向成分はゼロであり、従って、プローブが完全には位置していなくても、プローブにより測定される軸方向成分の接線方向成分上への射影はゼロとなるからである。この特別な構成においては、場の２つの成分の測定と、２つの成分の標準化と、９０°位相がずれている２つの信号に基づく角度のデコーディングを統合するプローブが利用される。１つの好適な変形によれば、磁石は、コラムに直接接着接合される。

図７は、ステアリングコラムセンサとしての使用される、磁石（１）により生成される磁気誘導の軸方向および接線方向成分を使用するセンサ構成を示している。この構成に対しては、プローブ（４）位置決めの精度が良くない場合は、出力信号に歪みを与える接線方向成分に寄与する、半径方向成分の明確な消去につながるプローブの位置はない。従って、そのような構成に対しては、プローブの位置は、半径方向成分を最小に削減し、一方、他の２つの成分上では、最適な大きさを保持するように有利に選択される。この特別な構成においては、場の２つの成分の測定と、２つの成分の標準化と、９０°位相のずれている２つの信号に基づく角度のデコーディングを統合するプローブが利用される。

図８は、比透磁率が１（空気の比透磁率のようにμｒ＝１）に等しいリング磁石の内部および外部で、直径方向の磁化を取得する目的で磁化したときの磁場線を示している。磁場線は、如何なる変形も伴わずに磁石を通過し、それにより、完全な直径方向の磁化が可能になる。

図９は、比透磁率が１.２に等しいリング磁石の内部と外部で磁化したときの磁場線を示している。磁場線は、磁石を通過するときに、空気（μｒ＝１）と磁石（この場合は、μｒ＝１.２）の間の比透磁率の差による変形を受ける。磁場線のこの偏差は、磁石の不良な直径方向の磁化という結果になる。この問題を解決するためには、好ましい磁化方向を有する異方性磁石を使用することももちろん可能である。等方性磁石の場合、図１０に示されている結果につながる、良好な直径方向の磁化を得ることは困難である。この磁化誤差を補正して補償するために、実質的に楕円形の外形を有する磁石を使用できる。そのような磁石上で測定される誘導の成分は、図１１に示されている。磁場線の屈折における差と、測定ギャップにおける変化により引き起こされる非線形性において注目すべき改善が見られる。

磁化処理の間の、磁石の表面における磁場線の屈折による、不良な直径方向の磁化で磁化された等方性リング磁石の場合は、プログラマブルプローブを使用するときは、信号の非線形性を部分的に補償することを可能にする非線形伝達関数をプログラムすることができる（図１２参照）。

等方性磁石、または半径方向の異方性を有する磁石の場合は、図１３は、１回転にわたる、残存磁化の正弦波的変化をするリング磁石を示している。そのような構成は、図１４に示される信号という結果になる。

図１５は、リデューサに入力に位置する素子の３６０°を越えるコースを測定するように、リデューサの出力に統合されたリング磁石に統合された、本発明によるセンサを示している。これは、例えば、ステアリングホイールの角度位置を、数回転にわたり検出する必要のある、ステアリングコラムの場合に使用できる。図１５の例は、プラネタリリデューサと連結されたセンサを示しているが、如何なる他のリデューサシステムも、統合がその適用と互換性があるならば、使用できる。

図１６は、磁束集中器（１９）と、素子１９のエッジの下に、９０°の間を置いて設置された４つのホール素子（１５、１６、１７、および１８）を示している。ホール素子（１５、１６、１７、および１８）のそれぞれは、磁束集中器（１９）の面ＸＯＹに直交する軸Ｚに沿って配向されている検出軸を有する。素子１５と１６は、軸Ｘに沿う磁気誘導を測定し、素子１７と１８は、軸Ｙに沿う磁気誘導を測定する。磁束集中器（１９）の４つの素子（１５、１６、１７、および１８）とヨーク（１９）は、アセンブリを単一の構成要素として形成するためにカプセル化するハウジング内に搭載されている。

図１７は、軸ＸとＹの１つに沿う垂直断面おいて、磁束集中器（１９）が存在するときの磁場線を示している。磁場線は湾曲し、集中器の表面に対して直交するようになり、ホール素子（１７）と（１８）を通過する。

図１８は、信号処理のブロック図を示している。信号Ｖ_xとＶ_yは、ホール素子１５（信号Ｖ_z1を出力する）と、１６（信号Ｖ_z2を出力する）と、１７（信号Ｖ_z3を出力する）と、１８（信号Ｖ_z4を出力する）から得られる。差は、ゲイン（２１）（電子的ゲインと、強磁性体集中器１９によるゲインを含む）により増幅され、それらは、アナログ／デジタル変換器（２２）を通過して、デジタル信号処理ブロック（２３）に到達する。測定された振幅の補正は、このブロックにより行われて、出力信号（Ｖ_out）を出力する。

図１９と図２０において、磁石（１）は、直径方向の磁化を有する円柱形タイルである。この直径方向の配向は、タイル（１）に対して、無数の方向を表現できる。図１９と図２０は、この磁化が取ることができる方向の２つの例である。図１９において、磁化は磁石（１）の中心に対して半径方向であり、一方、図２０においては、接線方向である。従って、これらの例は、本質的に限定的なものではない。

図２１は、プローブ（６）が、リングを形成する円柱形の空洞磁石（１）の内部に位置している第２実施の形態を示している。プローブ（６）をこのように設置することを可能にすることは、センサを収容するシステムの寸法がそれを必要とする場合は、実際に有益であり得る。

図２２と図２３は、外部磁場を遮断するシールド（８１）と連結された、本発明により記述されるセンサを示している。センサが汚染された環境で使用される場合は、外部磁場に影響されないことを確実にすることは、実際に有効であり得る。図２２において、磁石（１）は、それ自身がシャフト５上に搭載されている強磁性体ヨーク（７１）上に搭載されている。プローブ（６）は、磁場の接線方向および半径方向成分を測定するように配向されている磁石（１）の前部に配置されている。それは、このタイプの機能に対して普通に使用される、それに限定されるわけではない例としての、高透磁率を有する合金のような材料から製造されているシールド（８１）により囲まれている。プローブ（６）は、軸方向の磁場に影響されないので、シールド（８１）は、好ましくは、磁石の面内のプローブ（６）の周りに設置される。図２３において、同じセンサに連結された同じシールド機能が見られるが、ここでは、プローブ（６）は、磁場の接線方向および軸方向成分を測定するように設置されている。本実施の形態においては、そして、プローブ（６）が半径方向の磁場の影響を受けないので、シールド（８１）は、好ましくは、磁石（１１）に対して接線方向の面内のプローブの周りに設置される。このように設置すると、シールド（８１）が、測定中に、外部磁場に影響されないことを確実にできる。図２２と図２３において、このシールド（８１）は、小さな寸法の折り曲げられた薄板の形状である。

図２２と図２３に示されているこのシールド（８１）は、最小サイズを可能にする有利な解決法であるが、決してそれに限定されるわけではない。この技術に精通した者には知られているすべてのシールド手段も、当然、位置センサと統合することができる。例えば、図２６において、シールド（８１）は、磁石（１）とプローブ（６）から構成されているアセンブリを完全に取り囲むリングにより表現されている。

本発明によるセンサは、それに限定されるわけではなく、貫通シャフトを備える適用に対して特に安定なため、センサを、例えば、ボールベアリングのようなベアリングの直接の近傍に設置することが考えられる。図２４と図２５は、ボールベアリング（９１）に連結された、本発明により説明されたセンサの２つの実施の形態を示している。図２４のプローブ（６）は、接線方向および軸方向磁場を感知するが、図２５のプローブ（６）は、接線方向および半径方向磁場を感知する。両者の場合、ボールベアリング（９１）は、小型アセンブリを形成するように、センサの近傍に設置される。理想的には、磁石（１）と、センサの寸法と、感知素子の位置は、ベアリング（９１）の寸法と、センサとベアリング（９１）から構成されるアセンブリの合計サイズの関数として選択されるべきである。

図１は、直径方向に磁化されたディスク磁石により生成された磁場線を示している。 図２は、磁石の回転軸上に位置する点、図１の点Ｏ、における３つの磁気誘導成分を示している。 図３は、磁石の回転軸の外側に位置する点における３つの磁気誘導成分を示している。 図４は、本発明の概略図を示している。 図５は、誘導の半径方向および接線方向成分を使用する回転センサの図を示している。 図６は、図５に記載された構成に対する、空間の任意の点（磁石の中間面上の測定点）における３つの磁気誘導成分を示している。 図７は、誘導の軸方向および接線方向成分を使用する回転センサの図を示している。 図８は、１に等しい比透磁率（μｒ）を有する物質に対する磁化時の磁石内部の磁場線を示している。 図９は、１.２に等しい比透磁率（μｒ）を有する物質に対する磁化時の磁石内部の磁場線を示している。 図１０は、磁気誘導の半径方向および接線方向成分と、「直径方向に」磁化された等方性円形リング磁石上で測定された信号の非線形性を示している。 図１１は、磁気誘導の半径方向および接線方向成分と、実質的に楕円の外形を有する「直径方向に」磁化された等方性磁石上で測定された信号の非線形性を示している。 図１２は、等方性磁石上で得られ、非線形伝達関数でデコードされた信号を示している。 図１３は、漸進的半径方向磁化を有する磁石を示している。 図１４は、磁石の周りの空間における任意の点における磁気誘導の３つの成分を示している。 図１５は、複数回転の適用のために使用されるリデューサと統合された、本発明によるセンサの統合化を示している。 図１６は、磁束集中器のエッジ上に設置された４つのホール素子を示している。 図１７は、磁束集中器が存在するときの磁場線を示している。 図１８は、４つのホール素子と、磁束集中器を使用するプローブの信号処理のブロック図を示している。 図１９は、磁石がタイルである、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２０は、磁石がタイルである、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２１は、磁気感知素子を具備するプローブが、空洞円柱形磁石の内部に位置している、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２２は、プローブが外部磁場を遮断するシールドと連結されている、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２３は、プローブが外部磁場を遮断するシールドと連結されている、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２４とは、センサがベアリングと連結されている、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２５は、センサがベアリングと連結されている、本発明による第２の実施の形態を示している。 図２６は、プローブが外部磁場を遮断するシールドと連結されている、本発明による第２の実施の形態を示している。

Claims (20)

1. 角度位置センサであって、その軸の周りを回転する、少なくとも１つの実質的に円柱形の永久磁石（１）から構成される移動素子と、少なくとも２つの磁気感知素子（２、３）と、前記移動素子の絶対位置に応じた信号を出力する、少なくとも１つの処理回路（４）と、を具備し、前記磁気感知素子（２、３）は、実質的に同じ点に位置し、磁場の接線方向成分と、前記磁場の半径方向および／または軸方向成分を測定し、前記磁石は、等方性材料で形成され、前記センサは前記磁石（１）内の磁場線の湾曲を補償する手段を含むことを特徴とする角度位置センサ。
2. 磁場線の湾曲を補償する前記手段は、前記センサのストローク全体に亘って様々なゲインの調整を可能にする信号処理回路（４）によって形成される請求項１に記載の磁気位置センサ。
3. 磁場線の湾曲を補償する前記手段は、前記センサ上の異なるゲインによる非線形性誤差を補償するようにセンサを処理するプログラム手段から構成される請求項１に記載の磁気位置センサ。
4. 磁場線の湾曲を補償する前記手段は、楕円形状を有する前記永久磁石（１）である請求項１に記載の磁気位置センサ。
5. 前記磁石は、該磁石の周辺において正弦則に従う半径方向の漸進的な磁化を有する請求項１に記載の磁気位置センサ。
6. 磁束を集中する少なくとも１つの磁束集中器と、前記少なくとも２つの磁気感知素子（２、３）として感知軸が平行であり且つ磁気を測定する２対の磁気感知素子を具備し、前記磁気感知素子は、前記平行な感知軸に直交する前記磁束集中器の周辺近くに設置され、前記磁気感知素子の２つは、前記磁場の前記半径方向および／または軸方向成分を測定し、前記磁気感知素子の他の２つは、前記磁場の前記接線方向成分を測定することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の磁気位置センサ。
7. 前記信号処理回路（４）は、前記磁気感知素子の少なくとも２つからの２つの電気信号を使用してアークタンジェント計算を行う請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気位置センサ。
8. 前記信号処理回路（４）は、前記角度をデコードするために使用される前記２つの信号のゲイン調整を可能にすることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
9. 前記少なくとも２つの磁気感知素子（２、３）と、前記少なくとも１つの処理回路（４）とは、１つの同一のハウジング内に統合されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
10. 前記永久磁石（１）は、空洞円柱であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
11. 前記磁気感知素子は、前記磁石の中間面に実質的に位置することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
12. 前記永久磁石（１）は、その位置が測定対象である回転シャフトに搭載されることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
13. 前記永久磁石（１）は、強磁性の磁束集中器に接着接合されることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
14. 前記永久磁石は、実質的に直径方向に磁化されることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
15. 前記永久磁石（１）は、実質的に直径方向に磁化された磁石タイルであることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
16. 前記磁石は、１回転にわたる漸進性正弦波形磁化を有することを特徴とする請求項１から１５のいずれか１項に記載の角度位置センサ。
17. 前記信号処理回路（４）は、前記磁石（１）内の磁場線の湾曲を補償する伝達関数の非線形プログラミングを可能にすることを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の磁気位置センサ。
18. 前記磁石により生成された前記磁気誘導の前記半径方向および接線方向成分を測定するプローブを具備することを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の角度位置センサ。
19. 前記コースは３６０°以下であることを特徴とする請求項１から１８のいずれか１項に記載の角度位置センサ。
20. 回転を１回転以下の回転に減少する移動リデューサに連結され、前記磁石は、前記移動リデューサの出力に固定されることを特徴とする請求項１から１９のいずれか１項に記載の角度位置センサ。

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