JP5046855B2 - 素子基板、記録ヘッド、ヘッドカートリッジ及び記録装置 - Google Patents
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Description
R102+R803a=R101+R803b
具体的に本実施例における寸法関係を示す。L1=200μm、L2=120μm、R101=40Ω、R102=33.3Ω、R803b=10Ωとする。ドライバ102のオン抵抗とドライバ101のオン抵抗は6.7Ω異なるので、この関係を満たすためにはR803a=16.7Ωとすればよい。
101 ドライバ
111 ドライバ
122 ドライバ
601 吐出口
602 吐出口
611 吐出口
621 吐出口
803 ヒータ駆動用電源配線
Claims (8)
- それぞれ同一のインク吐出量でインクを吐出する複数の吐出口からなる第1の吐出口列及び第2の吐出口列と、前記第1の吐出口列及び前記第2の吐出口列の前記複数の吐出口のそれぞれに設けられた複数のヒータと、前記第1の吐出口列の複数のヒータに近接して設けられ、前記第1の吐出口列の複数のヒータのそれぞれを駆動する複数のトランジスタからなる第1のドライバアレイと、前記第2の吐出口列の複数のヒータに近接して設けられ、前記第2の吐出口列の複数のヒータのそれぞれを駆動する複数のトランジスタからなる第2のドライバアレイと、前記第1のドライバアレイの領域に対して異なる層に重ねて設けられた前記第1の吐出口列の複数のヒータに対応する第1の電源配線と、前記第2のドライバアレイの領域に対して異なる層に重ねて設けられた前記第2の吐出口列の複数のヒータに対応する第2の電源配線とを備え、前記第1のドライバアレイのトランジスタの配列密度が前記第2のドライバアレイのトランジスタの配列密度より低く、前記第1のドライバアレイのトランジスタのオン抵抗は前記第2のドライバアレイのトランジスタのオン抵抗よりも小さい素子基板であって、
前記第1のドライバアレイのトランジスタの面積は前記第2のドライバアレイのトランジスタの面積よりも大きく、
前記第1の電源配線の幅は前記第2の電源配線の幅よりも狭いことを特徴とする素子基板。 - 前記第1の吐出口列及び第2の吐出口列とは異なる吐出量のインクを吐出する第3の吐出口列を、前記第2の吐出口列の吐出口の配列方向に沿って前記第2の吐出口列に近接してさらに備え、
前記第2のドライバアレイは、前記第2の吐出口列に対応した複数のトランジスタと前記第3の吐出口列に対応した複数のトランジスタとからなることを特徴とする請求項1に記載の素子基板。 - 前記第1のドライバアレイのトランジスタのオン抵抗と前記第1の電源配線の抵抗との和と前記第2のドライバアレイのトランジスタのオン抵抗と前記第2の電源配線の抵抗との和が同一であることを特徴とする請求項1に記載の素子基板。
- 前記第1の吐出口列のヒータと前記第2の吐出口列のヒータとは同一の形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の素子基板。
- 前記素子基板はインクジェット記録ヘッド用であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の素子基板。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の素子基板を有する記録ヘッド。
- 請求項6に記載の記録ヘッドと、インクを収容したインクタンクとを有することを特徴とするヘッドカートリッジ。
- 請求項6に記載の記録ヘッドまたは請求項7に記載のヘッドカートリッジを有することを特徴とする記録装置。
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