JP5045999B2 - 蛍光x線分析装置 - Google Patents
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Description
本発明は、一次X線を照射するX線源と、中央部に貫通孔を有したコリメータが前面に置かれた検出器とを備え、前記X線源から試料に前記一次X線を照射した時に前記試料から発生して、前記コリメータの前記貫通孔を通過する一次蛍光X線を検出器で検出する蛍光X線分析装置であって、前記X線源及び前記検出器は、前記試料に近接して配置され、前記一次X線が前記試料で散乱した一次散乱線、及び前記試料から発生した前記一次蛍光X線が照射される前記X線源または前記検出器の被照射面は、前記一次散乱線及び前記一次蛍光X線の照射により発生する二次散乱線や二次蛍光X線を低減する二次X線低減層によって覆われており、前記二次X線低減層は、前記コリメータの前記貫通孔の孔壁及び前記コリメータの外周面のうち少なくともいずれかを覆っていることを特徴としている。
また、この発明に係る蛍光X線分析装置によれば、コリメータの貫通孔に入射した一次蛍光X線及び一次散乱線は、貫通孔を通過して検出器に直接入射されるとともに、その一部は貫通孔の孔壁に照射される。この際、貫通孔の孔壁には二次X線低減層が設けられているので、貫通孔の孔壁から発生する二次蛍光X線を低減させて、検出器に入射する不要なX線の計数を低減させることができる。
また、この発明に係る蛍光X線分析装置によれば、コリメータの外周面に照射された一次蛍光X線及び一次散乱線は二次X線低減層に吸収され、試料に再び照射される二次散乱線及び二次蛍光X線を低減させることができる。このため、これら二次散乱線及び二次蛍光X線が試料で散乱し発生する三次散乱線を低減することができ、バックグランド強度を低減させるとともに、検出器に入射する不要なX線の計数を低減させることができる。
ある元素において、X線源から照射した一次X線によって試料から発生する蛍光X線の発生効率は、照射した一次X線のエネルギーが蛍光X線を発生させる元素の吸収端エネルギー以上で、かつ吸収端エネルギーに近いほど高くなり、照射した一次X線のエネルギーが蛍光X線を発生させる元素の吸収端エネルギーより低ければ発生効率はゼロ(0)となることが知られている。
そして、Cuに照射した一次X線のエネルギーがCuのK殻の吸収端エネルギーよりも高い場合、例えば、50keVの場合、上記の発生効率の条件から、K殻からの蛍光X線であるK線がL殻からの蛍光X線であるL線よりも多く発生する。一方、Cuに照射した一次X線のエネルギーがCuのK殻の吸収端エネルギーよりも低く、かつ、CuのL殻の吸収端エネルギーよりも高い場合、例えば、7keVの場合は、K線は発生せず、L線のみ発生することになる。Cuに照射した一次X線のエネルギーがL殻の吸収端エネルギーよりも低い場合は、K線、L線ともに発生しない。
そこで、本実施形態のように、Moからなるコリメータ6の表面をCuからなる二次X線低減層の基層10aで覆うことで、試料で発生した一次散乱線及び一次蛍光X線が二次X線低減層の基層10aに吸収される。このため、コリメータ6を励起する一次散乱線及び一次蛍光X線が低減し、これによりコリメータ6から発生する二次蛍光X線及び二次蛍光X線が低減する。さらに、コリメータ6から発生する二次蛍光X線は再び二次蛍光X線低減層の基層10aを通過することで吸収され、さらに二次蛍光X線及び二次蛍光X線は低減される。以上の過程により、コリメータ6から発生する二次蛍光X線及び二次散乱線は低減するが、その代わり、二次X線低減層の基層10aから二次蛍光X線及び二次散乱線が発生する。
これにより、前記二次X線低減層は、前記二次X線低減層に覆われた被照射面から最も多く発生する蛍光X線の吸収端エネルギーよりも該二次X線低減層から最も多く発生する蛍光X線の吸収端エネルギーが低い元素で形成することで、試料から発生した一次蛍光X線や一次散乱線が前記吸収端エネルギーより大きい場合には、効果的に二次蛍光X線を低減することができる。
また、二次蛍光X線は、検出器の検出素子に入射するまでの間に吸収されるが、二次蛍光X線のエネルギーが低くなるほど検出しにくくなる。そのため、上記の二次X線低減層を形成する元素に関する条件のように、二次X線低減層によって発生する蛍光X線のエネルギーを下げるように二次X線低減層の元素を用いることで、さらに二次蛍光X線を低減することができる。
2 X線源
3 検出器
3a 先端部
6 コリメータ
6a 外周面
7 貫通孔
7b 孔壁
9 被照射面
10、11、12 二次X線低減層
10a、11a 基層
10b、11b 表面層
A 一次X線
B、B1、B2、B3 一次蛍光X線
C、C1、C2、C3 一次散乱線
D、D1、D2、D3 二次散乱線
E、E1、E2、E3 二次蛍光X線
F 三次散乱線
S 試料
S1 一面
S2 他面
Claims (3)
- 一次X線を照射するX線源と、中央部に貫通孔を有したコリメータが前面に置かれた検出器とを備え、前記X線源から試料に前記一次X線を照射した時に前記試料から発生して、前記コリメータの前記貫通孔を通過する一次蛍光X線を検出器で検出する蛍光X線分析装置であって、
前記X線源及び前記検出器は、前記試料に近接して配置され、前記一次X線が前記試料で散乱した一次散乱線、及び前記試料から発生した前記一次蛍光X線が照射される前記X線源または前記検出器の被照射面は、前記一次散乱線及び前記一次蛍光X線の照射により発生する二次散乱線や二次蛍光X線を低減する二次X線低減層によって覆われており、
前記二次X線低減層は、前記コリメータの前記貫通孔の孔壁及び前記コリメータの外周面のうち少なくともいずれかを覆っていることを特徴とする蛍光X線分析装置。 - 請求項1に記載の蛍光X線分析装置において、
前記二次X線低減層は、該二次X線低減層に覆われた前記被照射面から最も多く発生する蛍光X線のエネルギーよりも、前記二次X線低減層から最も多く発生する蛍光X線のエネルギーが低い元素で形成されていることを特徴とする蛍光X線分析装置。 - 請求項2に記載の蛍光X線分析装置において、
前記二次X線低減層は、基層と、該基層を覆う表面層の少なくとも2つの層で構成され、該表面層は、前記基層から最も多く発生する蛍光X線のエネルギーよりも、前記表面層から最も多く発生する蛍光X線のエネルギーが低い元素で形成されていることを特徴とする蛍光X線分析装置。
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