JPH0434349A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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- JPH0434349A JPH0434349A JP13996190A JP13996190A JPH0434349A JP H0434349 A JPH0434349 A JP H0434349A JP 13996190 A JP13996190 A JP 13996190A JP 13996190 A JP13996190 A JP 13996190A JP H0434349 A JPH0434349 A JP H0434349A
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- rays
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- Pending
Links
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は蛍光Ｘ線分析装置に関し、特に微量試料の分析
に通した分析装置に関するものである。
に通した分析装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、蛍光Ｘ線分析装置には蛍光Ｘ線の励起源としてＸ
線管球が用いられている。Ｘ線管球で用いられるターゲ
ット物貢には種々のものがあり、それぞれ連続Ｘ線と特
性Ｘ線を放射する。これらは分析の目的により使い分け
られている６例えば定性分析で広範囲の元素をニア析す
る場合には、タングステンの連ＭＸ線のようで広範囲エ
ネルギで大きな強度を持つものが遺している。一方ある
特定の元素を感度良く測定したい場合には、この元素を
最も効率良く励起する特性Ｘ線を有するターゲットを選
ぶ必要がある。この場合、分析元素よりも原子番号が２
大きな元素の特性Ｘ線が最も効率が良い事が知られてい
る。
線管球が用いられている。Ｘ線管球で用いられるターゲ
ット物貢には種々のものがあり、それぞれ連続Ｘ線と特
性Ｘ線を放射する。これらは分析の目的により使い分け
られている６例えば定性分析で広範囲の元素をニア析す
る場合には、タングステンの連ＭＸ線のようで広範囲エ
ネルギで大きな強度を持つものが遺している。一方ある
特定の元素を感度良く測定したい場合には、この元素を
最も効率良く励起する特性Ｘ線を有するターゲットを選
ぶ必要がある。この場合、分析元素よりも原子番号が２
大きな元素の特性Ｘ線が最も効率が良い事が知られてい
る。
蛍光Ｘ線分析法で微量試料を分析する際には試料支持体
による一次ＸＩａの散乱および発生電子の制動輻射がバ
ックグラウンドの主な原因となる。
による一次ＸＩａの散乱および発生電子の制動輻射がバ
ックグラウンドの主な原因となる。
分析したい元素の特性Ｘ線の領域で一次Ｘ線の連続Ｘ線
強度が大きな場合は信号／バックグラウンド比が小さく
なり、検出限界が大きくなる。
強度が大きな場合は信号／バックグラウンド比が小さく
なり、検出限界が大きくなる。
そこで従来の装置ではＸ線管球と試料との間にフィルタ
を入れ、Ｘ線管球からの連続Ｘ線をカットし信号／バッ
クグラウンド比を向上させている。
を入れ、Ｘ線管球からの連続Ｘ線をカットし信号／バッ
クグラウンド比を向上させている。
一方、−次Ｘ線をさらに単色化するために二次ターゲッ
ト（または二次蛍光体と呼ばれる）を用いる場合がある
。Ｘ線管球からの一次Ｘ線を二次ターゲットに照射し、
ここから発生する蛍光Ｘ線を試料に照射するもので、バ
ックグラウンドの低いスペクトルが得られ、特に微量含
有元素の分析に効果がある。
ト（または二次蛍光体と呼ばれる）を用いる場合がある
。Ｘ線管球からの一次Ｘ線を二次ターゲットに照射し、
ここから発生する蛍光Ｘ線を試料に照射するもので、バ
ックグラウンドの低いスペクトルが得られ、特に微量含
有元素の分析に効果がある。
この場合二次ターゲットは試料から離して置かれている
。
。
［発明が解決しようとするｉｌ！！！］しかしながら、
従来の二次ターゲットを用いる方法では二次ターゲット
から試料まで距葭があり二次ターゲットで発生したＸ線
は発散するので試料に入射するＸ線強度が低下していた
。したがって、試料で励起される蛍光ｘｗ！強度が小さ
くなり測定に要する時間が長いという欠点があった。
従来の二次ターゲットを用いる方法では二次ターゲット
から試料まで距葭があり二次ターゲットで発生したＸ線
は発散するので試料に入射するＸ線強度が低下していた
。したがって、試料で励起される蛍光ｘｗ！強度が小さ
くなり測定に要する時間が長いという欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、試料で励起される蛍光Ｘ線強度を高め測定時間の短
縮を図フた蛍光Ｘ線分析装置の提供を目的とする。
て、試料で励起される蛍光Ｘ線強度を高め測定時間の短
縮を図フた蛍光Ｘ線分析装置の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段および作用］前記目的を達
成するため本発明は試料中の分析元素を選択的に励起す
るような特性Ｘ線を放射する元素を含むＸ線ターゲット
と試料支持体とを一体化することにより、試料中の分析
元素を効率的に励起し、微量試料に対して高感度な元素
分析を可能とする。
成するため本発明は試料中の分析元素を選択的に励起す
るような特性Ｘ線を放射する元素を含むＸ線ターゲット
と試料支持体とを一体化することにより、試料中の分析
元素を効率的に励起し、微量試料に対して高感度な元素
分析を可能とする。
すなわち試料に対し、Ｘ線ターゲットを直接接触させる
か、または間に薄板を介して数ｍｍ以下の距離で配置し
、別のＸ線管等から得られるＸ線等を用いてＸ線ターゲ
ットを励起し、その特性Ｘ線でＸ線ターゲットに近接し
た位置にある試料を励起する。
か、または間に薄板を介して数ｍｍ以下の距離で配置し
、別のＸ線管等から得られるＸ線等を用いてＸ線ターゲ
ットを励起し、その特性Ｘ線でＸ線ターゲットに近接し
た位置にある試料を励起する。
［実施例］
第１図は本発明の３４１の実施例の概略構成を示す図で
ある。
ある。
分析すべき試料１はＸ線ターゲット２の上に直接置かれ
る。したがって、Ｘ線ターゲット２は試料支持体を兼ね
る。
る。したがって、Ｘ線ターゲット２は試料支持体を兼ね
る。
Ｘ線ターゲット２は試料１中の分析元素を選択的に励起
するために適当な特性Ｘ線を放射する元素を含んでいる
。−例をあげると試料中の分析元素が鉄である場合Ｘ線
ターゲット２の材買はニッケルが最適である。
するために適当な特性Ｘ線を放射する元素を含んでいる
。−例をあげると試料中の分析元素が鉄である場合Ｘ線
ターゲット２の材買はニッケルが最適である。
Ｘ線源３からの一次Ｘ線４は試料１およびＸ線ターゲッ
ト２へ照射される。
ト２へ照射される。
Ｘ＠ターゲット２から放射された特性Ｘ線５は試料１中
の分析元素を選択的に励起する。
の分析元素を選択的に励起する。
試料１で発生した蛍光Ｘ線６は検出器７により検知され
る。
る。
検出器フはエネルギ分散型Ｘ線分析装置であって、例え
ば半導体検出器でマルチチャンネルアナライザに接続さ
れＸ線のエネルギを弁別することができる。
ば半導体検出器でマルチチャンネルアナライザに接続さ
れＸ線のエネルギを弁別することができる。
検出器フからの信号は信号処理装置８へ送られて記録さ
れ、解析される。
れ、解析される。
なお、−次Ｘ＠４に代えて電子線またはイオンビームを
用いてもよい。
用いてもよい。
第２図は本発明の′ｓ２の実施例の概略構成を示す。
Ｘ線ターゲット２の表面から測った蛍光Ｘ線６の取り出
し角がＸ線ターゲット２から放射される特性Ｘ線５の全
反射臨界角以下となる位置にスリット９、検出器７を配
置する。
し角がＸ線ターゲット２から放射される特性Ｘ線５の全
反射臨界角以下となる位置にスリット９、検出器７を配
置する。
Ｘ線ターゲット２の表面は十分に平滑な平面であり、Ｘ
線ターゲット２の内部で発生した特性Ｘ線５はＸ線ター
ゲット２表面における屈折の効果のため全反射臨界角以
下には放出されないので、検出器７へ到達することはで
きないが、試料１を通過ずる際にこれを励起することは
できる。
線ターゲット２の内部で発生した特性Ｘ線５はＸ線ター
ゲット２表面における屈折の効果のため全反射臨界角以
下には放出されないので、検出器７へ到達することはで
きないが、試料１を通過ずる際にこれを励起することは
できる。
その結果試料１で発生した蛍光Ｘ線６は検出器７の方向
へも放射される。したがって、信号／バックグラウンド
比のきわめて大台な測定を行なうことができる。
へも放射される。したがって、信号／バックグラウンド
比のきわめて大台な測定を行なうことができる。
Ｘ線源３、検出器フ、信号処理装置８自体の構成、作用
効果については前記第１の実施例と同様である。
効果については前記第１の実施例と同様である。
′ｓ３図は本発明の第３の実施例の概略構成を示す。
試料支持体は、Ｘ線ターゲット２と試料支持板１０とか
ら構成されている。
ら構成されている。
ＸＭ！ターゲット２の表面は試料支持板１０に対して傾
斜している。試料支持板１０はＸ＠ターゲット２で発生
した特性Ｘ線が十分透過できるような厚さと材質を持フ
ている。蛍光Ｘ線６の取り出し方向がＸ線ターゲット２
の表面と平行になるように、スリット９、検出器７を配
置する。
斜している。試料支持板１０はＸ＠ターゲット２で発生
した特性Ｘ線が十分透過できるような厚さと材質を持フ
ている。蛍光Ｘ線６の取り出し方向がＸ線ターゲット２
の表面と平行になるように、スリット９、検出器７を配
置する。
このような構成によりＸ線ターゲット２で発生した特性
Ｘ線５は検出器７へ到達することができない。一方、試
料１で発生した蛍光Ｘ線６は、比較的大きな取り出し角
で検出される。したがって、信号／バックグラウンド比
のきわめて大きな測定を行なうことができる。
Ｘ線５は検出器７へ到達することができない。一方、試
料１で発生した蛍光Ｘ線６は、比較的大きな取り出し角
で検出される。したがって、信号／バックグラウンド比
のきわめて大きな測定を行なうことができる。
その他の構成、作用効果については前記第１の実施例と
同様である。
同様である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、試料中の分析元素を選
択的に励起する特性Ｘ線を放射する元素を含むＸ線ター
ゲットを試料支持体として用いることにより、試料中の
分析元素の蛍光Ｘ線励起を効率的に行ない、微量試料の
元素分析を短時間で行なうことができ、また試料支持体
を交換するだけで、分析元素に応じて常に最適なＸ線タ
ーゲットを選択することができる。さらに通常の二次タ
ーゲット付き蛍光Ｘ線分析装置に比べ装置全体を小型化
することができる。したがって、微量試料の元素分析に
適した蛍光Ｘ線分析装置が得られる。
択的に励起する特性Ｘ線を放射する元素を含むＸ線ター
ゲットを試料支持体として用いることにより、試料中の
分析元素の蛍光Ｘ線励起を効率的に行ない、微量試料の
元素分析を短時間で行なうことができ、また試料支持体
を交換するだけで、分析元素に応じて常に最適なＸ線タ
ーゲットを選択することができる。さらに通常の二次タ
ーゲット付き蛍光Ｘ線分析装置に比べ装置全体を小型化
することができる。したがって、微量試料の元素分析に
適した蛍光Ｘ線分析装置が得られる。
第１図は本発明の第１の実施例の概略構成図、第２図は
′ｓ２の実施例の概略構成図、′ｓ３図は第３の実施例
の概略構成図である。 １：試料、 ２：Ｘ＠ツタ−ット、 ３：Ｘ線源、 ４ニ一次Ｘ線、 ５：特性Ｘ線、 ６：蛍光Ｘ線、 ７：Ｘ線検出器、 ８：信号処理装置、 ９ニスリツト、 １０：試料支持板。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第 図
′ｓ２の実施例の概略構成図、′ｓ３図は第３の実施例
の概略構成図である。 １：試料、 ２：Ｘ＠ツタ−ット、 ３：Ｘ線源、 ４ニ一次Ｘ線、 ５：特性Ｘ線、 ６：蛍光Ｘ線、 ７：Ｘ線検出器、 ８：信号処理装置、 ９ニスリツト、 １０：試料支持板。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第 図
Claims (4)
- （１）試料中の分析元素の蛍光Ｘ線を励起させるための
特性Ｘ線を放射する物質を含むＸ線ターゲットと、該Ｘ
線ターゲットを照射して前記特性Ｘ線を励起するターゲ
ット照射手段と、前記試料中で励起され外部に発散する
前記蛍光Ｘ線の検出手段とを具備し、前記試料は実質上
前記Ｘ線ターゲット上に支持したことを特徴とする蛍光
Ｘ線分析装置。 - （２）前記Ｘ線ターゲットの試料支持側表面は全反射臨
界角を持つように平滑平面とし、該平面に対する前記蛍
光Ｘ線の検出手段の検出方向は前記特性Ｘ線に対する臨
界角以下としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の蛍光Ｘ線分析装置。 - （３）前記Ｘ線ターゲット表面は試料底面に対し傾斜し
、両者間に楔形の微小隙間を設けて試料をＸ線ターゲッ
ト上に支持したことを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の蛍光Ｘ線分析装置。 - （４）前記蛍光Ｘ線の検出手段の検出方向は前記Ｘ線タ
ーゲットの傾斜表面と平行であることを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996190A JPH0434349A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996190A JPH0434349A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434349A true JPH0434349A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15257703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13996190A Pending JPH0434349A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007225469A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sii Nanotechnology Inc | 蛍光ｘ線分析装置 |
| KR101109050B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-02-29 | 주식회사 아이에스피 | 형광엑스선을 이용한 비접촉식 두께 측정장치 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP13996190A patent/JPH0434349A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007225469A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sii Nanotechnology Inc | 蛍光ｘ線分析装置 |
| KR101109050B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-02-29 | 주식회사 아이에스피 | 형광엑스선을 이용한 비접촉식 두께 측정장치 |
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