JP5042743B2 - 半導体素子の微細パターン形成方法 - Google Patents
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Description
従来、フォトリソグラフィ工程ではg−ライン(436nm)及びi−ライン(365nm)光源が露光源として用いられていたが、漸次KrF(248nm)またはArF(193nm)等のような遠紫外線(DUV:Deep Ultra Violet)領域の光源からF2(157nm)またはEUV(Extremely Ultraviolet;13nm)等のような短波長光源が生産工程に適用されている。
一方、新しい光源を採用する場合新しい露光装備の開発が必要であるので、製造コストの面で効率的でない。さらに、短波長光源を用いる露光装備から得られるパターンの解像度が1umに制限されているので、微細パターンを含む高集積素子の製造が困難である。
このような問題を解決するため、最近はドライ(dry)露光工程の代りに露光レンズとウェーハとの間を溶液で埋めた後、露光工程を行なう液浸露光工程が素子の量産工程に適用されている。液浸露光工程はフォトレジスト膜と露光レンズとの間に屈折率を有する溶液を媒介体に形成して行なわれるので、空気に対する水の屈折率ほどのハイパー(hyper)NAレンズを具現することができるため解像力の上昇効果を得ることができ、焦点深度の低下がないため小さいピッチ(pitch)を有する超精密パターンの形成が可能である。
しかし、液浸露光工程で用いられる媒介体は大部分比熱(specific heat)の高い水等の溶液であるので、除去してもパターン上に一部残留して円形ブリッジ(bridge)形態のウォーターマークディフェクト(water mark defect)や、バブル(bubble)等を発生させる。さらに、液浸露光工程中にフォトレジストから媒介体(溶液)に汚染源等が湧き出しながら、接触した露光レンズが汚染する。
被食刻層が形成された基板の上部にフォトレジスト膜を塗布する段階と、
前記フォトレジスト膜の表面をアルカン溶媒を利用して前処理する段階と、
前記フォトレジスト膜の処理後に前記フォトレジスト膜上にオーバーコーティング膜を形成する段階と、
液浸露光装備を利用して前記の結果構造物を露光する段階とを含むことを特徴とする半導体素子のパターン形成方法を提供する。
図1は、本発明に係る半導体素子の微細パターンを形成する方法によるSEM写真である。
被食刻層の上部にフォトレジスト膜11を形成し、フォトレジストの上部をフォトレジスト組成物の構成溶媒を利用して前処理する。前記前処理されたフォトレジスト膜の上部に露光レンズの汚染を防止するため、オーバーコーティング膜13を形成した後、液浸露光工程を行なう。このとき、前記前処理溶液によりフォトレジスト膜の一部が溶解される。この溶解されたフォトレジスト膜の一部はオーバーコーティング膜組成物の形成時に、オーバーコーティング膜組成物溶媒と混合され(15で表記される)、むらのないオーバーコーティング膜の形成が困難である。
フォトレジスト組成物を半導体基板上に形成された被食刻層110上にコーティングし、100〜120℃で80〜100秒間ソフトベークしてフォトレジスト膜111を形成する。
前記被食刻層はシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、ボロフォスフォシリケートグラス(Borophosphosilicate Glass:BPSG)、PSG(Phosphosilicate Glass)、USG膜(Undoped Silicate Glass)、PE−TEOS(Plasma Enhanced-Tetraethoxysilicate Glass)酸化膜、シリコン酸化窒化膜、ポリシリコン膜、有機系乱反射膜、無機系乱反射膜、これらの積層膜及びこれらの組合せでなるものを用いて形成する。
前記前処理工程は、前記アルコール溶媒やアルカン溶媒を気体状態で噴射するか、液体状態でコーティングする過程を1回または多数回行なうことができ、このとき60〜150℃の温度で50〜150秒間行なうのが好ましい。
前記アルコール溶媒は、フォトレジスト層が溶解されない溶媒であれば特に制限されず、好ましくは炭素数4以上、好ましくは炭素数4〜15のアルコール溶媒、例えばブタノール、ペンタノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール及びデカノールでなる群から選択される1つ以上の溶媒を用いる。
前記アルカン溶媒は、フォトレジスト層が溶解されない溶媒であれば特に制限されず、好ましくは炭素数7以上、好ましくは炭素数7〜20の有機溶媒、例えばヘプタン、オクタン、ノナン及びデカンでなる群から選択される1つ以上の溶媒を用いる。
前記オーバーコーティング膜は、屈折率の低い液浸露光用オーバーコーティング膜に用いるフッ素系炭化水素化合物を含むものであれば特に限定されず、特に炭素数4以上、好ましくは炭素数4〜15のアルコール溶媒や、炭素数7以上、好ましくは炭素数7〜20のアルカン溶媒と共に、前記溶媒に溶解されるペルフルオロアルキル化合物を含む。本発明では、TCX−041(JSR社製造)を用いてスピンコーティング法で形成する。
前記液浸露光工程は、露光源としてはKrF、ArF、VUV、EUV、E−ビーム(beam)、X−線またはイオンビーム等を用い、0.1〜100mJ/cm2の露光エネルギーで行なうのが好ましい。
前記液浸露光工程は媒介体に水、ヘキサン、キシレン、シクロオクタン、ペルフルオロポリエーテル及びこれらの混合溶液の中で選択されるものを利用して行なうのが好ましい。
結論的に、本発明に係る方法はフォトレジスト膜の上部をオーバーコーティング膜の構成溶媒を利用して前処理した後、その上部にオーバーコーティング膜を形成する段階を含むことにより、むらのないオーバーコーティング膜の形成が可能である。
13、113 オーバーコーティング膜
110 被食刻層
112 処理工程
Claims (13)
- 被食刻層が形成された基板の上部にフォトレジスト膜を塗布する段階と、
前記フォトレジスト膜の表面を溶媒で前処理するものの、前記溶媒は炭素数7〜20のアルカン溶媒を含む段階と、
前記フォトレジスト膜の処理後に前記フォトレジスト膜上にオーバーコーティング膜を形成する段階と、
液浸露光装備を利用して前記の結果構造物を露光するものの、前記構造物はフォトレジスト膜上に提供されたオーバーコーティング膜を含む段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子のパターン形成方法。 - 前記被食刻層はシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、ボロフォスフォシリケートグラス、フォスフォシリケートグラス、アンドープドシリケートグラス、PE−TEOS酸化膜、シリコン酸化窒化膜、ポリシリコン膜、有機系乱反射膜、無機系乱反射膜、これらの積層膜及びこれらの組合せでなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記フォトレジスト膜はポリビニルフェノール系、ポリヒドロキシスチレン系、ポリノルボルネン系、ポリアダマンチル系、ポリイミド系、ポリアクリレート系、ポリメタアクリレート系及びポリフルオリン系でなる群から選択される1つ以上をベース樹脂に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記フォトレジスト膜のベース樹脂は置換された無水マレイン酸を重合反復単位で含むROMA型重合体と、シクロオレフィン重合反復単位、無水マレイン酸の重合反復単位及びメタクリレートまたはアクリレート系重合反復単位を含むCOMA型重合体と、前記重合体等が1つ以上混合された形態の重合体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記前処理工程は溶媒を気体状態で噴射するか、液体状態でコーティングして行なわれることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記アルカン溶媒はヘプタン、オクタン、ノナン及びデカンでなる群から選択される1つ以上の溶媒であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記オーバーコーティング膜はフッ素系炭化水素化合物と溶媒を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記溶媒は炭素数4〜15のアルコール溶媒、または炭素数7〜20のアルカン溶媒であることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記フッ素系炭化水素化合物は炭素数4〜15のアルコール溶媒や、炭素数7〜20のアルカン溶媒に溶解されるペルフルオロアルキル化合物であることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記方法はフォトレジスト膜の塗布前に、被食刻層の上部に下部反射防止膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記方法はフォトレジスト膜の塗布前に、下部反射防止膜の上部をプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチル3−メトキシプロピオネート、t−ブチルアセテート及びこれらの混合溶液でなる群から選択される溶液で前処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記液浸露光工程は露光源としてはKrF、ArF、VUV、EUV、E−ビーム、X−線及びイオンビームでなる群から選択される光源を利用することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記液浸露光工程は水、ヘキサン、キシレン、シクロオクタン、ペルフルオロポリエーテル及びこれらの混合溶液でなる群から選択される媒介体を利用して行なわれることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。
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