JP5040503B2 - 半導体基板加工用粘着テープおよび半導体基板加工用粘着テープの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板加工用粘着テープおよび半導体基板加工用粘着テープの製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置を製造する工程において、半導体基板を切断する際に半導体基板加工用の粘着テープが用いられている。この粘着テープは、半導体基板に貼り付け、半導体基板を切断して得られた半導体素子をピックアップするために用いられる。

この粘着テープは半導体基板に貼り付ける際には所定の粘着力を有しているが、ダイシングと呼ばれる切断工程、エキスパンドと呼ばれる拡張工程を経て、個片化された半導体素子をピックアップする前には粘着力を低下させて半導体素子のピックアップを容易としている。粘着力を低下させる手法には、エネルギー線等を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応させ、粘着力を低下させる方法が知られている（例えば特許文献１、２参照）。

最近の技術動向としては半導体素子の汚染性においてますます厳しいものが要求されてきている。半導体基板を切断する際には、ブレードといわれる円刃を回転させて目的のライン上を切断する方式がとられているが、半導体基板を完全に切断するために粘着テープの粘着層、フィルム基材にも切り込みが発生することになる。切断ライン上の粘着層、フィルム基材は切断によって破壊され、屑となって外部に排出されるが完全には除去されず、半導体素子の表面、側面への屑の付着が半導体素子の汚染の原因となっている。屑の種類は、粘着剤起因によるもの、フィルム基材起因によるもの、半導体基板自体によるものに大別されるが、粘着剤起因のものは側面に纏わりつくことが多く、フィルム基材起因のものはヒゲと呼ばれる線状の屑となって表面に付着するという現象が起こっている。

特開昭６０−１９６９５６号公報 特開昭６０−２２３１３９号公報

本発明の目的は、半導体基板加工用粘着テープが、ダイシング工程において半導体基板を固定する特徴と、切断時に発生した粘着剤屑、フィルム基材屑、半導体基板屑の外部への排出を抑制し、同時に半導体素子の汚染を防止する特徴の２つの特徴を有することを目的とするものであり、特に砥粒の粗いブレードで硬い基板を切断する際に好適に用いることが可能な半導体基板加工用粘着テープを提供するものである。
更にまた、上述の半導体基板加工用粘着テープの製造方法、並びに半導体基板加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供するものである。

本発明は、
（１）基材フィルムと粘着層と離型フィルムを含む半導体基板加工用粘着テープであって、基材フィルム側の粘着層面に気泡部を有し、かつ前記気泡部の粘着層厚み方向の長さが粘着層厚みの５〜８５％の長さであることを特徴とする半導体基板加工用粘着テープ、
（２）前記半導体基板加工用粘着テープが半導体基板切断工程で使用される（１）項記載の半導体基板加工用粘着テープ、
（３）前記粘着層が、離型フィルム上にリバースグラビア塗工方式で粘着層形成され、更にそれらをフィルム基材とラミネートを行なう方法で製造された（１）項記載の半導体基板加工用粘着テープ、
（４）前記粘着層の厚みが５〜３０μｍである（１）〜（３）項のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ、
（５）前記粘着層がエネルギー線の照射により硬化する（１）〜（４）項のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ、
（６）（１）〜（５）項のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープの製造方法、
（７）（１）〜（５）項のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造する半導体装置の製造方法、
である。

本発明によれば、ダイシング時に発生するフィルム基材屑、粘着剤屑、基材屑の外部への排出を低減することができ、半導体素子の汚染、ダイシング装置の汚染を減らすことが可能になる。また、ブレードの砥粒が粗い場合や屑が発生しやすい半導体基板を切断する際に好適に用いることができる半導体基板加工用粘着テープを提供することができる。
また、粘着層の厚みを５〜３０μｍ、気泡部の粘着層厚み方向の長さを粘着層厚みの５〜８５％にすることにより屑の外部への排出を抑制が効率よく行なわれることになり、半導体素子の汚染に対して効果的である。

以下、本発明の半導体基板加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
本発明の半導体基板加工用粘着テープは、その用途を半導体基板切断工程であるダイシングに限定したものであって、テープの層構成としてフィルム基材と粘着層と剥離処理した離型フィルムからなる３層構成の半導体基板加工用粘着テープであって、粘着層が離型フィルム上にリバースグラビア塗工方式で粘着層形成され、更にそれらをフィルム基材とラミネートを行なう方法で製造されることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記に記載の半導体基板加工用粘着テープを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。

まず、半導体基板加工用粘着テープについて図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、半導体基板加工用粘着テープを模式的に示す断面図である。
図１に示すように、半導体基板加工用粘着テープ１０は、フィルム基材１と、フィルム基材１の一方の面側に設けられた粘着層２と剥離処理した離型フィルム３で構成されている。
図２は、図１を拡大表示したものである。本発明がリバースグラビア方式で製造することの特徴としては、粘着層２とフィルム基材層１の間に設ける気泡部４を形成するところにある。また、この気泡部４が粘着層２と離型フィルム３の間に形成するのではなく、粘着層２とフィルム基材層１の間に形成するために、その製造順序として、離型フィルム３上に粘着層２を形成し、最終的にフィルム基材１とラミネートを行なう方式で製造することを特徴としている。ここで設けられた気泡部４が基材屑、粘着剤屑、半導体基板屑の外部への排出を抑制するポケットの役割を果たすこととなる。

一般的な塗工方式には、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコート、リップコート等があり、塗工品質は平坦に塗工するための厚み精度が求められている。そのなかでもグラビアコートは、グラビアロールの溝部分に計量した塗工液を転写するため、グラビアロールのメッシュによる線を転写してしまうことがある。一般的にはこの線を転写しないように、グラビアロールの番手、塗工速度、塗工液粘度を調整して制御しているのであるが、今回の発明の目的は、グラビアロールのメッシュを転写させ、離型フィルム３上に形成される粘着層２表面にメッシュ状の凹凸を作成することにより最終的なラミネートによってフィルム基材１と粘着層２の層間に気泡部４を形成することを目的とした半導体基板加工用粘着テープの製造方式である。また、ダイレクトグラビア方式では粘着層２中にある気泡が離型フィルム３まで達し、気泡部４ではなく穴となってしまうことがある。そのため、離型フィルム３に粘着層２が接しない部位を形成せず、完全に平坦化するためにリバースグラビア方式で塗工することを特徴としている。

フィルム基材１は、粘着層２を支持する機能を有している。また、半導体基板をダイシングした後のエキスパンド工程で機械的強度を保持する機能をも有している。
フィルム基材１を構成する材料は、紫外線、電子線等のエネルギー線を透過するものであれば特に限定されない。具体的にはポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポチエチレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂およびこれらの熱可塑性樹脂の混合物を用いることができる。これらの中でもポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレートから選ばれる１種以上が好ましく、特にオレフィン系共重合体とスチレン系熱可塑性エラストマー等の熱可塑性エラストマーとの混合物が好ましい。これにより、フィルム基材１を透明にすることができ、それによってエネルギー線の照射による粘着層２の硬化を容易にすることができる。さらに、半導体基板加工用粘着テープ１０を拡張するエキスパンド工程があるが、拡張後の半導体基板加工用粘着テープ１０の緩みを収縮回復によって防止することができる。

フィルム基材１の厚さは、特に限定されないが、５０〜３００μｍが好ましく、特に８０〜２００μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に作業性に優れる。

また、フィルム基材１としては、特に限定されないが、後述する粘着層２を構成する材料と反応する官能基（例えばヒドロキシル基、カルボキシル基等）を有していることが好ましく、さらにフィルム基材１と粘着層２との密着性を向上するために、フィルム基材１の表面をコロナ処理、アンカーコート等で表面処理することが好ましい。

このようなフィルム基材１の一方の面側に、粘着層２が設けられる。粘着層２は、初期は半導体基板に粘着する機能を有しており、半導体基板を切断した後は容易に剥離可能となる機能を有している。
このような機能を有するために、粘着層２は次のような樹脂組成物（Ａ）〜（Ｆ）で構成されている。

ベース樹脂（Ａ）は、特に限定されないが、主として酢酸ビニルモノマーの重合体を含む。これにより、粘着層２の凝集力を向上することができる。これにより、半導体基板加工用粘着テープ１０のせん断強度を向上することができる。せん断強度が向上すると、エキスパンド工程においてリングと半導体加工用基板粘着テープ１０とのズレが生じ難くなる。

ベース樹脂（Ａ）は、特に限定されないが、アクリル系モノマーと、前記酢酸ビニルモノマーとの共重合体であることが好ましく、特に前記アクリル系モノマーと、前記酢酸ビニルモノマーと、官能基含有モノマーとの共重合体であることが好ましい。これにより、粘着層２の硬さ、粘着力および凝集力、タックとのバランスに優れる粘着層２を得ることができる。これにより、半導体基板貼着後の経過時間と粘着特性のバランスが実使用上の作業性に合致することができ、それによって作業効率を向上させることができる。

前記アクリル系モノマーとしては、特に限定されないが、例えばアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル等が挙げられる。これらの中でもアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルの中から選ばれた１種以上が好ましい。これにより、良好な粘着性に加えて、凝集力の制御が可能となる。さらに、他成分との相溶性を調整することが可能となる。

また、前記官能基含有モノマーとしては、特に限定されないが、例えばメタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、グリシジルメタクリレート、無水マレイン酸等が挙げられる。

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、少なくとも１種以上のエネルギー線硬化型樹脂（Ｂ）を含んでいる。これにより、エネルギー線照射後の粘着力を低下させることができる。
このようなエネルギー線硬化型樹脂（Ｂ）としては、例えば紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって、三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が広く用いられる。そのようなエネルギー線硬化型樹脂として、具体的にはトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート（オリゴマー）等を挙げることができる。これらの中でもウレタンアクリレートが好ましい。これにより粘着力を向上することができる。

前記エネルギー線硬化型樹脂（Ｂ）は、特に限定されないが、分子量の異なる２つ以上のエネルギー線硬化型樹脂（Ｂ）であることが好ましい。これにより、エネルギー線の照射による樹脂の架橋度を制御し、ピックアップ性を向上することができる。このような、分子量の異なる２つ以上のエネルギー線硬化型樹脂（Ｂ）としては、例えば第１エネルギー線硬化型樹脂と、前記第１エネルギー線硬化型樹脂よりも重量平均分子量が高い第２エネルギー線硬化型樹脂との組み合わせが挙げられる。

前記エネルギー線硬化型樹脂（Ｂ）の重合開始を容易とするために、前記樹脂組成物にはエネルギー線重合開始剤（Ｃ）を含んでいても良い。
前記エネルギー線重合開始剤（Ｃ）としては、例えば２−２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、架橋剤（Ｄ）として例えばエポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

前記イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、前記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

多価イソシアネートの具体例としては、例えば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２−４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン−２−４’−ジイソシアネート等が挙げられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートの中から選ばれる１種以上が好ましい。

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、帯電防止剤（Ｅ）、粘着付与剤（Ｆ）等を含んでいても良い。

前記帯電防止剤（Ｅ）としては、特に限定されないが、例えばアニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等の界面活性剤、温度依存しないようなものとしてはカーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物等の粉体が挙げられる。

前記粘着付与剤（Ｆ）としては、特に限定されないが、例えばロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられる。

前記樹脂組成物で構成される粘着層２を、離型フィルム３にリバースグラビア方式で形成してフィルム基材１とラミネートすることにより、本発明の半導体基板加工用粘着テープを得ることができる。
具体的には上述の方法で離型フィルム３に前記樹脂組成物を塗布して、８０〜１００℃×３０秒間〜１０分間程度、乾燥することにより表面に凹凸を持った粘着層２を形成することができる。グラビアロールの番手は粗いほど大きな凹凸を形成することが可能である。

このような凹凸を形成するためのグラビアロールの番手は、特に限定されないが、＃２０〜＃６０が好ましく、特に＃２５〜＃５０が好ましい。

また、このような凹凸を形成するための塗工液の粘度は、特に限定されないが、５００〜１００００[ｍＰａ・ｓ]が好ましく、特に１０００〜５０００[ｍＰａ・ｓ]が好ましい。

このようにして得られた半導体基板加工用粘着テープ１０の粘着層２の厚みは、特に限定されないが、５〜３０μｍであることが好ましく、特に１０〜２０μｍであることが好ましい。粘着層２が薄い場合には気泡部４の粘着層厚み方向の長さが短くなるので本発明の効果が低減し、また、粘着層２が厚い場合には気泡部４の粘着層厚み方向の長さが大きくなるので、粘着層２とフィルム基材１の密着性に問題が生じることがある。

このようにして得られた半導体基板加工用粘着テープ１０の気泡部４の長さは、特に限定されないが、粘着層厚みの５〜８５％の長さ、即ち０．２５〜２５．５μｍであることが好ましく、特に０．５〜１７μｍであることが好ましい。気泡部４の粘着層厚み方向の長さが短い場合には、基材屑、粘着剤屑、半導体基板屑の外部への排出を抑制する効果が低減し、また、気泡部４の粘着層厚み方向の長さが長い場合には粘着層２とフィルム基材１との接触面積の低下により粘着層２がフィルム基材１から剥がれるという問題が発生することがある。

次に、半導体装置の製造方法について説明する。
図３ないし図５に基づいて、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
図３に示すように、ダイサーテーブル５の上に半導体加工基板用粘着テープ１０を設置し、その中心部に半導体基板６を設置すると共に、半導体基板６の周囲にリング７を設置して半導体基板６を固定する。そして、ブレード８で半導体基板６を切断して、半導体基板６を個片化する。この際、半導体基板加工用粘着テープ１０は、緩衝作用を有しており、半導体基板６を切断する際の半導体素子の割れ、欠け等を防止している。なお、半導体基板加工用粘着テープ１０に半導体基板６およびリング７を予め貼着した後に、ダイサーテーブル５に設置しても良い。

次に、半導体基板加工用粘着テープ１０をエキスパンド装置１１で伸ばして、個片化した半導体基板６（半導体素子）を一定間隔に開いた後にピックアップして、基板に設置する。
具体的には、まず図４に示すように個片化した半導体基板６（半導体素子）を半導体基板加工用粘着テープ１０に搭載した状態でエネルギー線照射装置によってエネルギー線９を照射して、粘着層２を硬化させる。これにより、粘着層２を構成するエネルギー線硬化型樹脂が硬化して粘着力を低下させる。このように、半導体基板６に対する半導体基板加工用粘着テープ１０の粘着力を低下させることで個片化された半導体基板６（半導体素子）をピックアップするのが容易となる。次に、図５に示すように半導体基板６を半導体基板加工用粘着テープ１０に貼着した状態でエキスパンド装置１１に設置する。次に、エキスパンド装置１１で半導体基板加工用粘着テープ１０を伸ばして個片化した半導体基板６を一定間隔（Ａ方向）に開く。そして、一定間隔に開かれた半導体基板６（個片化した物を半導体素子という）をエジェクターヘッド１１１のニードル１１２で突き上げる。
そして、半導体素子をニードル１１２で突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で外部への排出を抑制する方法によってピックアップして、半導体素子を所定の基板等に搭載することによって半導体装置を得ることができる。

さて、このような半導体基板６を個片化する際の切断サイズ（個片化された半導体基板の面積）は、特に限定されないが、１〜６２５ｍｍ^２となるのが好ましく、特に４〜１００ｍｍ^２となるのが好ましい。サイズが前記下限値未満であるとダイシング時に飛散してしまう半導体素子の数が増えてしまう場合があり、前記上限値を超えるとピックアップ性が低下する場合がある。

本発明の半導体装置の製造方法について、添付の図面に基づいて詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、各部の構成は同等の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。
例えば、リングの形状は円形でなくてもよい。

以下、本発明を実施例および比較例により、更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
１．粘着層の製造
２−エチルヘキシルアクリレート２９．７重量％、酢酸ビニル６９．３重量％および２−ヒドロキシエチルメタクリレート１重量％を常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させ重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂Ａを得た。
このベース樹脂１００重量部に対して、エネルギー線硬化型樹脂として２官能ウレタンアクリレート１００重量部（三菱レイヨン社製、重量平均分子量が１１，０００）と、架橋剤としてトリレンジイソシアネートの多価アルコール付加体（コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）１５重量部と、エネルギー線重合開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部とを酢酸エチルに溶解した後、剥離処理したポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ）に乾燥後の厚さが２０μｍになるように＃３０の番手のグラビアロールを用いてグラビアコート方式で塗工し、８０℃で５分間乾燥して粘着層を得た。

２．半導体基板加工用粘着テープの製造
基材フィルムとして軟質塩ビフィルム（可塑剤３０重量部、厚さ８０μｍ）を用いた。この基材フィルムに、上述の粘着層を３０℃でラミネートロールを用いてラミネートして半導体基板加工用粘着テープを得た。基材フィルムと粘着層間の気泡については、任意の５つの気泡について粘着層厚み方向の長さを実体顕微鏡で確認・計測し、５点測定した平均値の０．０１μｍの位を四捨五入して平均長さとした。平均長さは１５．３μｍであった。

（実施例２）
グラビアロールの番手を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
グラビアロールの番手を＃２０として、粘着層厚み方向気泡平均長さ１７．０μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

（実施例３）
グラビアロールの番手を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
グラビアロールの番手を＃５０として、粘着層厚み方向気泡平均長さ５．７μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

（実施例４）
粘着層の厚みを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
粘着層の厚みを１０μｍとして、粘着層厚み方向気泡平均長さ７．５μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

（実施例５）
粘着層の厚みを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
粘着層の厚みを３０μｍとして、気泡サイズ約２０．８μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

（実施例６）
グラビアロールの番手、粘着層厚みを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
グラビアロールの番手を＃２０、粘着層厚みを３０μｍとして、気泡サイズ約２４．２μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

（実施例７）
グラビアロールの番手、粘着層厚みを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
グラビアロールの番手を＃６０、粘着層厚みを５μｍとして、気泡サイズ約０．３μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

（比較例１）
グラビアロールの番手、粘着層厚みを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
グラビアロールの番手を＃１００、粘着層厚みを３μｍとして、気泡の存在が確認できない半導体基板加工用粘着テープを得た。

（比較例２）
グラビアロールの番手、粘着層厚みを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
グラビアロールの番手を＃１５、粘着層厚みを３０μｍとして、気泡サイズ約２７．０μｍの半導体基板加工用粘着テープを得た。

各実施例および各比較例で得られた半導体基板加工用粘着テープについて以下の評価を行なった。評価内容を、評価項目と評価基準と共に示す。得られた結果を表１に示す。また、総合評価として×評価が１項目でもある場合は不合格とし、×評価が１項目もないものを合格とした。

１．基材フィルムのヒゲ
４インチの半導体基板（厚さ６２５μｍ）に、ポリエステルフィルムを剥離した後の半導体基板加工用粘着テープを貼り付けた後に、５ｍｍ×５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後に、全てのカットライン上を実体顕微鏡（×５０倍）で観察し、個片化された半導体素子の表面まで達している基材フィルムのヒゲの個数をカウントした。各符号は、以下の通りである。
◎：ヒゲの発生はなかった。
○：ヒゲの発生個数が１〜３０個であった。
△：ヒゲの発生個数が３１〜１００個であった。
×：ヒゲの発生個数が１０１個以上であった。

２．半導体素子表面への付着物
４インチの半導体基板（厚さ６２５μｍ）に、ポリエステルフィルムを剥離した後の半導体基板加工用粘着テープを貼り付けた後に、５ｍｍ×５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後に、任意の半導体素子１０個の表面を実体顕微鏡（×５０倍）で観察し、付着物があるかどうかを確認した。各符号は、以下の通りである。
◎：１０個全ての半導体素子において付着物はなかった。
○：１〜９個の半導体素子において付着物があった。
△：半導体素子１０個全てに付着物があったが、全ての辺（１素子は４辺）ではない。
×：全ての半導体素子の４辺全てに付着物があった。

３．半導体素子側面への付着物
４インチの半導体基板（厚さ６２５μｍ）に、ポリエステルフィルムを剥離した後の半導体基板加工用粘着テープを貼り付けた後に、５ｍｍ×５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後に、任意の半導体素子１０個をピックアップし、半導体素子を半導体基板加工用粘着テープから取り外した状態で素子の側面（切断面）を実体顕微鏡（×５０倍）で観察し、付着物があるかどうかを確認した。各符号は、以下の通りである。
◎：１０個全ての半導体素子において付着物はなかった。
○：１〜９個の半導体素子において付着物があった。
△：半導体素子１０個全てに付着物があったが、全ての辺（１素子は４辺）ではない。
×：全ての半導体素子の４辺全てに付着物があった。

４．粘着層の剥がれ（半導体素子裏面への付着物）
４インチの半導体基板（厚さ６２５μｍ）に、ポリエステルフィルムを剥離した後の半導体基板加工用粘着テープを貼り付けた後に、５ｍｍ×５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後に、任意の半導体素子１０個をピックアップし、半導体素子を半導体基板加工用粘着テープから取り外した状態で素子の裏面（半導体基板加工用粘着テープに貼着していた面）を実体顕微鏡（×５０倍）で観察し、粘着層の剥がれがあるかどうかを確認した。各符号は、以下の通りである。
◎：１０個全ての半導体素子において粘着層の剥がれはなかった。
○：１〜９個の半導体素子において粘着層の剥がれがあった。
△：半導体素子１０個全てに粘着層の剥がれがあったが、裏面全体ではない。
×：全ての半導体素子の裏面全体に粘着層の剥がれがあった。

５．基材フィルムのカットライン部
４インチの半導体基板（厚さ６２５μｍ）に、ポリエステルフィルムを剥離した後の半導体基板加工用粘着テープを貼り付けた後に、５ｍｍ×５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後に、全ての半導体素子、周辺の端材をピックアップし、半導体素子を半導体基板加工用粘着テープから全て取り外した状態で半導体基板加工用粘着テープのカットライン全てを実体顕微鏡（×５０倍）で観察し、屑の外部への排出を抑制しているかどうかを確認した。各符号は、以下の通りである。
◎：全てのカットラインにおいて、ムラなく屑が外部への排出を抑制されている。
○：全てのカットラインにおいて屑が外部への排出を抑制されているが、外部への排出を抑制できていない部分もある。
△：屑が外部への排出を抑制できていないカットラインが少なくとも１つ以上存在している。
×：全てのカットラインにおいて、屑が外部への排出を抑制されていない。

表１から明らかなように、実施例１〜７に示した半導体基板加工用粘着テープは、基本的な特性に優れており、半導体素子の個片化に合わせて、屑の外部への排出を抑制する機能を有することで半導体素子の汚染を防止し、基材フィルムと粘着層が剥がれることによる半導体素子裏面の汚染も同時に防止できることが確認された。
また、実施例５、６は、半導体素子の汚染防止に対して特に優れていた。
また、実施例３、７は、粘着層の剥がれ防止に対して特に優れていた。

本発明の半導体基板加工用粘着テープは、半導体基板を切断する際に用いるダイシングテープとして用いることができ、特に、汚染防止への要求に対して好適に用いることができる。

半導体基板加工用粘着テープを模式的に示す断面図である。 半導体基板加工用粘着テープを模式的に示す詳細な断面図である。 半導体基板を切断する方法を模式的に示す断面図である。 半導体基板加工用粘着テープにエネルギー線を照射している状態を模式的に示す模式図である。 切断した半導体基板を個片化した状態を示す模式図である。

符号の説明

１ フィルム基材
２ 粘着層
３ 離型フィルム
４ 気泡部
１０ 半導体基板加工用粘着テープ
５ ダイサーテーブル
６ 半導体基板
７ リング
８ ブレード
９ エネルギー線
１１ エキスパンド装置
１１１ エジェクターヘッド
１１２ ニードル

Claims (7)

1. 基材フィルムと粘着層と離型フィルムを含む半導体基板加工用粘着テープであって、基材フィルム側の粘着層面に気泡部を有し、かつ前記気泡部の粘着層厚み方向の長さが粘着層厚みの５〜８５％の長さであることを特徴とする半導体基板加工用粘着テープ。
2. 前記半導体基板加工用粘着テープが半導体基板切断工程で使用される請求項１記載の半導体基板加工用粘着テープ。
3. 前記粘着層が、離型フィルム上にリバースグラビア塗工方式で粘着層形成され、更にそれらをフィルム基材とラミネートを行なう方法で製造された請求項１記載の半導体基板加工用粘着テープ。
4. 前記粘着層の厚みが５〜３０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ。
5. 前記粘着層がエネルギー線の照射により硬化する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープの製造方法。
7. 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造する半導体装置の製造方法。

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