JP5032642B2 - インプリントリソグラフィ装置及び方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、インプリントリソグラフィ装置及び方法に関する。

半導体集積回路パターンの微細化及び高集積化に伴って、より微細な加工を実現することが要求されている。その技術の一つとして、光ナノインプリントリソグラフィ技術がある。

かかる技術は、凹凸パターンが形成された石英ガラスを光硬化型レジストが塗布されたＳｉ等の被転写基板に押し付けた状態で、光をレジストに照射することでレジストを硬化させ、石英ガラスを被転写基板から剥離することによって、被転写基板表面に石英ガラスの凹凸パターンを形成する技術である。すなわち、石英ガラスがパターンを形成するためのテンプレートとなる。

特開２００９−８８３７６号公報

しかしながら、テンプレートを被転写基板から剥離する際にテンプレートの凹凸部にレジストが付着する問題がある。このために、被転写基板に凹凸パターンを精度よく形成しにくい。

そこで本発明の実施形態は、パターン不良の少ないインプリントリソグラフィ装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係るインプリントリソグラフィ装置は、テンプレートに形成されたパターンサイズに基づいてパターン形成剤に含まれる、離型剤及びレジスト剤の混合比を計算する計算部と、前記計算部の計算結果に基づいて前記レジスト剤及び前記離型剤を混合する混合器と、前記混合器から前記パターン形成剤を前記基板上に滴下するノズルと、前記基板上に滴下された前記パターン形成剤を前記テンプレートで押下後に前記パターン形成剤に光を照射する照射装置と、を備える。

また、本発明の一態様に係るインプリントリソグラフィ方法は、テンプレートに形成されたパターンサイズに基づいてパターン形成剤に含まれる、離型剤及びレジスト剤の混合比を計算する工程と、前記計算結果に基づいて前記離型剤及び前記レジスト剤を混合器で混合する工程と、前記混合器から前記パターン形成剤をノズルにより前記基板上に滴下する工程と、前記基板上に滴下された前記パターン形成剤を前記テンプレートで押下後に前記パターン形成剤に光を照射する工程と、前記テンプレートを前記パターン形成剤から剥離する工程と、を備える。

本発明の第１の実施形態に係るインプリントリソグラフィ装置を示す図。 第１の実施形態を説明するための図。 第１の実施形態を説明するための図。 第１の実施形態を説明するための図。 第１の実施形態に係る変形例を示す図。 変形例を説明するための図。

以下図面を参照して、本発明の各実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは同様のものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
（第１の実施形態）

図１は、インプリントリソグラフィ装置１を示す図である。インプリントリソグラフィ装置１は、被転写基板１０を固定するステージ２０と、被転写基板１０上にパターン形成剤３０を塗布するノズル４０と、被転写基板１０上に塗布されたパターン形成剤３０を押し付けるテンプレート５０と、テンプレート５０を固定するステージ５４と、パターン形成剤３０を硬化させるための光を照射する照射装置５１を備える。

パターン形成剤３０は、離型剤３１及びレジスト剤３２を混合させたものである。

レジスト剤３２には、光重合開始剤が含まれている。光重合開始剤は、紫外線照射によって光重合反応が起こり、ポリマーに相変化し硬化する。レジスト剤３２は、例えばアクリル系、エポキシ系、又はビニルエーテル系の紫外線硬化樹脂等を用いることができる。

離型剤３１を用いることでレジスト剤３２をテンプレートから剥離しやすくできる。離型剤３１には、例えばフッ素系化合物、シリコーン系化合物、又はシリコーン系アクリル樹脂を用いることができる。フッ素化合物には、フルオロカーボン系、又はパーフルオロポリエーテル系のモノマー又はポリマーを用いることができる。シリコーン系化合物には、例えばポリシロキサンを用いることができる。

離型剤３１に使用されるフッ素系化合物やシリコーン系化合物では、樹脂構造や、官能基の特性により、表面エネルギーが低く、分子間が引き合う力が小さいために、摩擦が小さく離型性が良い特徴がある。また、フッ素系化合物における終端をフッ素で置換した分子構造や、シリコーン系化合物におけるシロキサン結合を主骨格としたほぼ直線的な分子構造では、緻密でなめらかな表面が形成されやすく、摩擦が小さい性質がある。

レジスト剤３２に使用される紫外線硬化樹脂では、光重合反応により、液体状態のモノマーが、固体のポリマーに硬化する。このために、テンプレート５０と密着性が高くなる。従って、レジスト剤３２をテンプレート５０から剥離しにくくなる。また、レジスト剤３２には、被露光基板１０との接着性を改善するために、密着促進剤が添加されているが、この添加剤は離型の阻害要因になる。

被転写基板１０には、例えばＳｉ基板等を用いることができる。

ステージ２０は、駆動部２５によって制御される。駆動部２５は、ステージ２０をｘｙｚ方向に並進移動し、θ回転、α回転、β回転をさせることができる。θはｚ軸周りのｘｙ平面の回転角であり、αとβはあおり角である。αはｘ軸まわり、βはｙ軸まわりのｘｙ平面の回転である。

ノズル４０は、混合器４１に接続されている。混合器４１は、離型剤３１とレジスト剤３２の混合比を調整してパターン形成剤３０を作る。混合器４１は、タンク４２とタンク４３に接続されている。また、混合器４１とノズル４０、タンク４２と混合器４１、及びタンク４３と混合器４１との間にはそれぞれ流量を調整するためのマスフローコントローラー４５、４６、４７が配管を通じて設けられている。ノズル４０は複数設けられていてもよい。

タンク４２には、離型剤が設けられている。タンク４３には、レジスト剤が設けられている。

テンプレート５０は、ステージ５４に固定され、駆動部５５によって位置が制御される。駆動部５５は、テンプレート５０をｘ方向、ｙ方向、ｚ方向に移動、及びθ回転、α回転、β回転させる。特に、テンプレート５０をパターン形成剤３０に押し込む、或いは接触させるインプリント動作において、Ｚ方向への駆動制御がされる。ステージ２０及びステージ５４のｘ方向、ｙ方向、又はｚ方向の位置を制御することで、テンプレート５０及び被転写基板１０の位置関係を制御する。テンプレート５０には、石英ガラス等を用いることができる。

照射装置５１は、制御部５６によって制御される。パターン形成剤３０をテンプレート５０で押し込んだ際に、照射装置５１を用いて光をパターン形成剤３０に照射する。光の照射量は、レジスト剤３２の露光特性に依存して設定され、制御部５６によって照射時間が管理される。

駆動部２５、駆動部５５、及び混合器４１は、それぞれ制御部２６、５６、４８を介してＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）６０で制御されている。ＣＰＵ６０は、計算部６１、決定部６２、及び命令部６３を備える。また、ＣＰＵ６０は、計算部６１を介してデータベース７０に接続されている。データベース７０は、インプリントリソグラフィ装置１の内外のどちらに設けられていてもよい。

データベース７０には、テンプレート５０の凹凸パターンと離型剤３１及びレジスト剤３２との関係を示すデータ、及びテンプレート５０の凹凸パターンデータが格納されている。テンプレート５０の凹凸パターンデータは、デバイスの設計データに基づいて設計されている。また、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のデバイスの回路を設計する際には、チップ領域の中央部にメモリセルが配置されることが多い。そして、メモリセルよりも大きい寸法でその周辺回路が設計される。従って、周辺部よりも中央部のパターンの方が小さいサイズであることが多い。

計算部６１は、データベース７０と接続されている。計算部６１は、テンプレート５０の凹凸パターンのデータに基づいて離型剤３１とレジスト剤３２の混合比を計算する。その際に、データベース７０から、テンプレート５０の凹凸パターンと離型剤３１及びレジスト剤３２との関係を示すデータを取り出す。

決定部６２は、パターン形成剤３０を塗布する位置を決定し、その結果を命令部６３へ送る。

命令部６３は、決定部６２から送られた結果に基づいて、制御部２６、５６、４８に駆動部２５、５５、及び混合器４１を動作させるための命令を行う。

図２は、テンプレート５０の凹凸パターンと離型剤３１及びレジスト剤３２との関係を示すデータを説明する図である。データベース７０には、図２に示すような相関関係のデータが格納されている。

図２は、テンプレート５０に形成された凹凸パターンのパターンサイズとテンプレート５０を離型した際のパターン欠陥数との関係を示す図である。縦軸は、被転写基板１０上に塗布されたパターン形成剤３０の凹凸パターンの欠陥数を示す。横軸は、テンプレート５０に形成された凹凸パターンのパターンサイズを示す。パターン欠陥数とは、テンプレート５０をパターン形成剤３０から剥離した際に形成されるパターンが所望のパターンとずれている場合の数を示す。係るずれは、パターンの凸部のちぎれ、又はパターンの荒れによるものである。パターンの荒れはラインエッジラフネスの劣化によるものである。パターン欠陥数の詳細な説明は後述する。

一般的にパターン欠陥数は、用いるテンプレートに依存する。すなわち、どのテンプレートを用いるかで、パターン欠陥数は変化する。ここでは、転写欠陥のスペックのうち、テンプレートの離型動作においてレジストパターンが破壊されることにより生じる欠陥数として設定する。

条件Ａ、Ｂ、Ｃはパターン形成剤３０に含まれる離型剤３１の含有量を示す。条件Ａは、最も離型剤３１の含有量が多い。条件Ｂは、条件Ａの次に離型剤の含有量が多い。条件Ｃは、離型剤の含有量が最も少ない。縦軸と横軸は反比例のような関係を示している。これは、パターンサイズが小さければテンプレート５０に形成された凹凸パターンの表面積が相対的に増加し、テンプレート５０とパターン形成剤３０との密着性が増大するためである。凹凸パターンのパターンサイズは、テンプレートにレジストが充填される凹凸パターンの凹部の内壁の側面及び底面を足し合わせた面積を考える。係る面積を用いることで、パターンサイズの表面積の大小を議論することができる。すなわち、凹部のパターンサイズが小さくなるほど密着性が増大する。このために、テンプレート５０からパターン形成剤３０を剥離しにくくなり、パターン形成剤３０に作用する剥離力が大きくなる。また、パターンサイズが小さくなるほど、機械強度が低下するためにレジストパターンがちぎれやすくなる。従って、パターンサイズが小さくなるほど、図２の許容レベル以下にして欠陥数を低減する必要がある。

パターンサイズが小さい場合（図２のＰ１）には、テンプレート５０とパターン形成剤３０との密着性が増大する。このため、テンプレート５０をパターン形成剤３０から剥離しやすくするために離型剤３１を多く含有させる必要がある。この場合に、許容レベル以下であるのは条件Ｃだけである。

パターンサイズが大きい場合（図２のＰ２）には、テンプレート５０とパターン形成剤３０との密着性は低下する。よって、離型剤３１の含有量はＰ１の場合と比較して少なくする必要があるので条件Ｃの離型剤３１の含有量を用いることは好ましくない。この場合には、テンプレート５０の凹部に充填されたパターン形成剤３０は、離型時のちぎれが生じにくくなる。しかし、パターン形成剤３０に形成されたパターンのラインエッジラフネスは劣化する。ラインエッジラフネスが劣化する理由は、離型剤３１の含有量が多いとレジスト剤３２の硬化反応が不足するためである。このため、精度よくラインエッジを製造することが難しくなる。

パターンの表面積に対する離型剤の被覆量が、任意のパターンに対して、単位面積当たりに略均一になるように離型剤の量を制御することが、密着性の大小分布を改善するために好ましい。

一般的に、離型剤３１の含有量はテンプレート離型によるパターン欠陥数と図３に示すような略２次曲線の関係にあることが知られている。従って、パターンサイズが大きいＰ２の場合には、許容レベルに近い条件Ｂの離型剤３１の含有量を用いることが適切であることがわかる。

パターン欠陥数が許容レベルと差分の少ない離型剤３１の条件を用いることが好ましい。

離型剤３１及びレジスト剤３２は、具体的には例えば以下のように用いる。図１は、テンプレート５０の中心部の凹凸パターンが密の領域（第１の領域、図１の符号７１）を示し、テンプレート５０の外側の凹凸パターンが疎（第２の領域、図１の符号７２）を示す。凹凸パターンの疎密に応じて離型剤３１及びレジスト剤３２の混合量を調整する。

テンプレート５０の表面の大きさを１００ｕｍ^２とする。テンプレート５０には、凹凸パターンが密の領域と疎の領域が形成されている。テンプレート５０の凹凸パターンが密の領域は、凹凸パターンの凹部の幅が２０nｍであり、深さが５０nｍの１：１のラインアンドスペースが形成されている。ラインアンドスペースのラインが占有する割合は５０％である。

一方で、テンプレート５０の凹凸パターンが疎の領域は、凹凸パターンの凹部の幅が２０ｎｍであり、深さが５０ｎｍのラインパターンが５μｍの間隔で形成されている。ラインパターンのラインが占有する割合は５％である。

なお、テンプレート５０のその他の領域にはパターンは形成されていないとする。

凹凸パターンが密の領域には、離型剤３１に約１０ｐｌ（ピコリットル）のシリコーン系アクリル樹脂を用いて、レジスト剤３２に約２５０ｐｌのアクリル系紫外線硬化樹脂を用いる。これらの離型剤３１とレジスト剤３２を混合してパターン形成剤３０を作製する。

一方で凹凸パターンが疎の領域には、離型剤３１に約２ｐｌのシリコーン系アクリル樹脂を用いて、レジスト剤３２に約２５ｐｌのアクリル系紫外線硬化樹脂を用いる。そして、これらの離型剤３１とレジスト剤３２を混合してパターン形成剤３０を作製する。

このようにして、凹凸パターンが疎密の領域に対応するように作製されたパターン形成剤３０を密の領域と疎の領域が形成され得る被転写基板１０に滴下する。

次に、２０ｎＮ程度の圧力で被転写基板１０に滴下されたパターン形成剤３０をテンプレート５０で押下する。この際、テンプレート５０と被転写基板１０との距離が２０ｎｍになるようにＺ方向の位置が制御され押下動作がされる。次に、２５７ｎｍの紫外光を照射してパターン形成剤３０を硬化させる。次に、パターン形成剤３０に押下されたテンプレート５０をパターン形成剤３０から剥離してパターン形成剤３０にパターンを形成する。

このようにして、テンプレート５０の凹凸パターンの疎密に応じて離型剤３１及びレジスト剤３２の混合量を調整することで、パターン不良の少ないインプリントができる。すなわち、テンプレート５０に形成された凹凸パターンに応じて離型剤３１及びレジスト剤３２の混合量を調整することでパターン不良の少ないインプリントを実現できる。なお、上記したテンプレート５０の表面の大きさは、説明を簡便にするためである。したがって、これは一例である。実際はこれよりも大きいサイズのテンプレートを用いる。例えば、３２ｍｍ×２６ｍｍの大きさである。

なお、本実施形態では、インクジェット法にて滴下する。かかる方法では、パターン形成剤３０の滴下量は、最大で０．１ｆｌ（フェムトリットル）の精度で制御できる。

図４は、インプリントリソグラフィ装置１の動作を示すフローチャート図である。

ブロック１０では、テンプレート５０の凹凸パターンに対応する離型剤３１及びレジスト剤３２のデータをデータベース７０から計算部６１が取り出す。

ブロック２０において、計算部６１はこれらのデータに基づいて離型剤３１及びレジスト剤３２の混合比（或いは離型剤のレジスト剤に対する含有量）を計算する。

ブロック３０では、ブロック２０で決定された離型剤３１とレジスト剤３２の混合比（或いは離型剤のレジスト剤に対する含有量）に基づいて、決定部６２がパターン形成剤３０の滴下位置を決定する。小さなパターンサイズが形成されるパターン形成剤３０の部分には、離型剤３１の含有量が多いパターン形成剤３０を塗布するように決定する。一方で、大きなパターンサイズが形成されるパターン形成剤３０の部分には、離型剤３１の含有量が少ないパターン形成剤３０を塗布するように決定する。パターンサイズについては、データベース７０に予め格納されたテンプレートの凹凸パターンデータを用いる。

また、ブロック３０では、計算部６１が計算した離型剤３１の含有量、及び決定部６２が決定したパターン形成剤３０の滴下位置でパターン形成剤３０を滴下するように命令部６３が制御部２６、４８、５６に命令する。

ブロック４０では、混合器４１が制御部４８を介して命令部６３からの命令に基づいて、離型剤３１の含有量を調整しノズル４０から滴下する。このとき、制御部２６、５６が適切な位置にパターン形成剤３０を滴下できるように駆動部２６、５５を移動させて制御する。つまり、駆動部５５の移動により、テンプレート５０は被転写基板１０から離れた位置に退避し、滴下動作が可能になっている。駆動部２６の移動は、滴下動作と同期するように制御される。

ブロック５０では、命令部６３の命令により制御部５６がテンプレート５０を被転写基板１０に塗布されたパターン形成剤３０を押し付けるように駆動部５５を制御することでインプリント動作を開始する。

ブロック６０では、テンプレート５０を被転写基板１０に塗布されたパターン形成剤３０に押し付けた状態で、照明装置５１から紫外線を、テンプレート５０を透過してパターン形成剤３０に照射し、パターン形成剤３０を硬化させる。照射量は、パターン形成剤３０の光重合反応に必要な照射エネルギーになるように照射時間が制御される。

ブロック７０では、命令部６３の命令により制御部５６がテンプレート５０をパターン形成剤３０から剥離するように駆動部５５を制御する。

なお、上記のフローチャートは一例である。従って、その途中工程に他の工程が介在してもよい。

インプリントリソグラフィ装置１を用いることで、凹凸パターンの小さな部分と大きな部分に離型剤を振り分けることができるので、パターン不良の少ないパターンを形成することができる。また、テンプレートを剥離する際に剥離に必要な力のショット（チップ）内の分布を低減することができる。よって高速で剥離動作を行うことができる。

なお、レジスト剤３２に、離型基をもともと樹脂構造内に有しているものを用いるとテンプレート５０を離型する際のパターン欠陥数を低減できる。

また、テンプレート５０側に予め離型膜が形成されたものを用いるとテンプレート５０を離型する際のパターン欠陥数を低減できる。
（変形例１）

図５は、インプリントリソグラフィ装置１の変形例であるインプリントリソグラフィ装置１００を示す図である。第１の実施形態で説明したのと同様の構成についての説明は省略する。

インプリントリソグラフィ装置１００は、インプリントリソグラフィ装置１とは、混合器４１が設けられていない点が異なる。すなわち、タンク４２とタンク４３が別々に設けられている。

図６は、インプリントリソグラフィ装置１００の動作を示すフローチャート図である。インプリントリソグラフィ装置１００の動作のうち、ブロック１０、ブロック５０〜ブロック７０はインプリントリソグラフィ装置１の動作と同様であるので説明は省略する。

ブロック１２０では、計算部６１が離型剤３１及びレジスト剤３２のそれぞれの滴下量を計算する。

ブロック１３０では、ブロック１２０で計算された離型剤３１とレジスト剤３２の滴下量に基づいて、決定部６２が離型剤３１とレジスト剤３２の滴下位置を決定する。離型剤３１とレジスト剤３２の滴下位置は、ほぼ同一箇所に滴下するように決定する。また、小さなパターンサイズが形成されるショット内の領域では、離型剤３１の滴下量を多く塗布するように決定する。一方で、大きなパターンサイズが形成されるショット内の領域では、離型剤３１の滴下量を少なく塗布するように決定する。パターンサイズについては、データベース７０に予め格納されたテンプレートの凹凸パターンデータを用いる。レジスト剤３２と離型剤３１が混ざることでパターン形成剤３０ができる。

また、ブロック１３０では、計算部６１が計算した離型剤３１とレジスト剤３２の滴下量、及び決定部６２が決定した離型剤３１とレジスト剤３２の滴下位置において、レジスト剤３２を滴下した後に、離型剤３１をレジスト剤３２の上に滴下するように命令部６３が制御部２６、４８、５６に命令する。

ブロック１４０では、タンク４２、４３が制御部４８を介して命令部６３からの命令に基づいて、離型剤３１及びレジスト剤３２の量をそれぞれ調整する。そして、タンク４２、４３のそれぞれに接続されたノズル４０から滴下する。このとき、制御部２６、５６が適切な位置に離型剤３１とレジスト剤３２を滴下できるように駆動部２６、５５を移動させて制御する。駆動部５５は、テンプレート５０が被転写基板１０から離れた位置に退避している。駆動部２６と離型剤３１及びレジスト剤３２のノズル４０からの滴下動作は同期して制御され、レジスト剤３２を滴下した後に離型剤３１がレジスト剤の上に滴下される。レジスト剤をショット内全面に滴下した後で、離型剤を滴下してから、ブロック５０、６０、７０を行い、次のショットに対して、ブロック１４０以降を繰返すことにより、被転写基板１０全面に、パターンをインプリント転写する。

なお、上記のフローチャートは一例である。従って、その途中工程に他の工程が介在してもよい。

また、レジスト剤をショット内の一部に滴下した直後に、離型剤を滴下した後、ショット内の次の位置にレジスト剤を滴下し、離型剤を滴下することを順次繰り返すことによりショット内の全面にレジスト剤と離型剤を塗布することができる。

このように、滴下したレジスト剤の上に離型剤を滴下する塗布方法により、テンプレートの凹凸パターンとレジスト剤の界面に離型剤を少量で介在させることを実現させ、テンプレート引き剥がし時の密着力を効率よく低減できるようにしている。

また、テンプレート凹凸パターンの内壁面に表面粗さがあり、この表面粗さによって離型時の摩擦力が大きく作用する場合においても、上述した塗布方法によりテンプレートの凹凸パターンとレジスト剤との界面に離型剤を介在させ、テンプレートの表面の荒れを少量の離型剤で被覆することにより摩擦力を低減することができる。

本例では、タンク４２とタンク４３を別々に設けることにより、離型剤とレジスト剤が配管で混ざることが無いのでインプリントリソグラフィを行う毎に配管を清掃する必要が無い。

なお、制御部２６、４８、５６は一つの制御部として制御してもよい。

変形例１においては、用いる離型剤とレジスト剤の溶解度の違いにより、パターン形成剤の形態が変化する。離型剤とレジスト剤が不相溶性の場合には、レジスト剤を滴下した後に離型剤を滴下することにより、レジスト表面に離型剤からなる離型膜が形成され、レジスト剤を離型剤が被覆するような形態となる。一方、相溶性がある場合には、レジスト剤と離型剤の界面において混合が起き、離型剤がレジスト剤に含浸する形態となる。

また、変形例１において、離型剤とレジスト剤の滴下位置は、それぞれがほぼ同一箇所に滴下するように決定しているが、離型剤がレジスト剤の上に滴下されていれば良く、両者の滴下位置が同一箇所（ショット内の同一座標位置）にある意味ではない。

変形例１において、離型剤とレジスト剤を別々に滴下する際には、インクジェット法を用いることにより、レジスト剤をｐｌ、離型剤をｆｌのオーダで滴下するように、滴下量を制御することが望ましい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ … インプリントリソグラフィ装置、１０ … 被転写基板、２０ … ステージ、２５ … 駆動部、２６ … 制御部、３０ … パターン形成剤、３１ … 離型剤、３２ … レジスト剤、４０ … ノズル、４１ … 混合器、４２ … タンク、４３ … タンク、４５ … マスフローコントローラー、４６ … マスフローコントローラー、４７ … マスフローコントローラー、４８ … 制御部、５０ … テンプレート、５１ … 照射装置、５４ … ステージ、５５ … 駆動部、５６ … 制御部、６０ … ＣＰＵ、６１ … 計算部、６２ … 決定部、６３ … 命令部、７０ … データベース

Claims (10)

1. テンプレートに形成されたパターンサイズに基づいてパターン形成剤に含まれる、離型剤及びレジスト剤の混合比を計算する計算部と、
   前記計算部の計算結果に基づいて前記レジスト剤及び前記離型剤を混合する混合器と、
   前記混合器から前記パターン形成剤を前記基板上に滴下するノズルと、
   前記基板上に滴下された前記パターン形成剤を前記テンプレートで押下後に前記パターン形成剤に光を照射する照射装置と、
   を備えることを特徴とするインプリントリソグラフィ装置。
2. 前記テンプレートは、パターンサイズが互いに異なる少なくとも２つの第１の領域及び第２の領域を有し、
   前記計算部が前記第１の領域に応じた前記離型剤及び前記レジスト剤の第１の混合比、並びに前記第２の領域に応じた前記離型剤及び前記レジスト剤の第２の混合比を計算し、
   前記混合器が前記第１の混合比及び前記第２の混合比に基づいて前記レジスト剤及び前記離型剤を混合することを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ装置。
3. テンプレートに形成されたパターンサイズに基づいてパターン形成剤に含まれる、離型剤及びレジスト剤の滴下量を計算する計算部と、
   前記レジスト剤を前記基板上に滴下する第１のノズルと、
   前記離型剤を前記基板上に滴下された前記レジスト剤に滴下する第２のノズルと、
   前記基板上に滴下された前記レジスト剤及び前記離型剤を前記テンプレートで押下後に前記パターン形成剤に光を照射する照射装置と、
   を備えることを特徴とするインプリントリソグラフィ装置。
4. 前記テンプレートは、パターンサイズが互いに異なる少なくとも２つの第１の領域及び第２の領域を有し、
   前記計算部が前記第１の領域に応じた前記離型剤及び前記レジスト剤の第１の滴下量、並びに前記第２の領域に応じた前記離型剤及び前記レジスト剤の第２の滴下量を計算することを特徴とする請求項３に記載のインプリントリソグラフィ装置。
5. 前記計算部は、予め前記パターン形成剤に凹凸パターンを形成した後に前記パターン形成剤に生じるパターン欠陥数及び前記テンプレートのパターンサイズから、前記レジスト剤及び前記離型剤の混合比を計算することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のインプリントリソグラフィ装置。
6. 前記パターン欠陥数及び前記凹凸パターンのパターンサイズのデータはデータベースに格納され、前記データベースは前記計算部に接続されていることを特徴とする請求項５に記載のインプリントリソグラフィ装置。
7. 前記レジスト剤は、アクリル系、エポキシ系、又はビニルエーテル系の紫外線硬化樹脂であり、前記離型剤は、フッ素系化合物、シリコーン系化合物、又はシリコーン系アクリル樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のインプリントリソグラフィ装置。
8. テンプレートに形成されたパターンサイズに基づいてパターン形成剤に含まれる、離型剤及びレジスト剤の混合比を計算する工程と、
   前記計算結果に基づいて前記離型剤及び前記レジスト剤を混合器で混合する工程と、
   前記混合器から前記パターン形成剤をノズルにより前記基板上に滴下する工程と、
   前記基板上に滴下された前記パターン形成剤を前記テンプレートで押下後に前記パターン形成剤に光を照射する工程と、
   前記テンプレートを前記パターン形成剤から剥離する工程と、
   を備えることを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
9. テンプレートに形成されたパターンサイズに基づいてパターン形成剤に含まれる、離型剤及びレジスト剤の混合比を計算する工程と、
   前記レジスト剤を前記基板上に第１のノズルにより滴下する工程と、
   前記離型剤を前記基板上に滴下された前記レジスト剤に第２のノズルにより滴下する工程と、
   前記基板上に滴下された前記レジスト剤及び前記離型剤を前記テンプレートで押下後に前記パターン形成剤に光を照射する工程と、
   前記テンプレートを前記レジスト剤及び前記離型剤から剥離する工程と、
   を備えることを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
10. 前記離型剤及び前記レジスト剤の混合比を計算する工程において、予め前記パターン形成剤に凹凸パターンを形成した後に前記パターン形成剤に生じるパターン欠陥数及び前記テンプレートのパターンサイズから、前記レジスト剤及び前記離型剤の混合比を計算することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のインプリントリソグラフィ方法。

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