JP5013523B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ヒートシンクと、ヒートシンクの上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層と、第１層上に配置された樹脂を母材とする第２層と、第２層上に配置された金属製スプレッダと、金属製スプレッダ上に配置された半導体素子と、金属製スプレッダに電気的に接続された外部端子と、ヒートシンクの下面および外部端子の一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置の製造方法に関する。

更に、本発明は、ヒートシンクと、ヒートシンクの上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層と、第１層上に配置された樹脂を母材とする第２層と、第２層上に配置されたリードフレームと、リードフレーム上に配置された半導体素子と、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置の製造方法に関する。

特に、本発明は、非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が絶縁性に形成されている場合よりも、第２層の熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子が発生した熱の放熱性を向上させることができる半導体装置の製造方法に関する。

従来から、ヒートシンクと、ヒートシンクの上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層と、第１層上に配置された樹脂を母材とする第２層と、第２層上に配置されたリードフレームと、リードフレーム上に配置された半導体素子と、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置が知られている。この種の半導体装置の例としては、例えば特開２０００−２６０９１８号公報に記載されたものがある。

特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、半導体素子が発生した熱を、リードフレーム、第２層、第１層およびヒートシンクを介して半導体装置の外側に放熱することができる。

詳細には、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、例えばエポキシ系樹脂のような樹脂の母材に対して、例えばアルミナのような非導電性の放熱性フィラーを含有させることにより、絶縁性の第１層が形成されている。更に、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、例えばエポキシ系樹脂のような樹脂の母材に対して、例えばアルミナのような非導電性の放熱性フィラーを含有させることにより、絶縁性の第２層が形成されている。

ところで、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、上述したように、非導電性フィラーを含有させることにより、第２層が形成されている。そのため、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、導電性フィラーを含有させることによって第２層が形成されている場合よりも、第２層の熱伝導率が低下してしまい、その結果、半導体素子が発生した熱の放熱性が低下してしまう。

特開２０００−２６０９１８号公報

前記問題点に鑑み、本発明は、非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が絶縁性に形成されている場合よりも、第２層の熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子が発生した熱の放熱性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

詳細には、本発明は、導電性の第２層を介して隣接する２つの金属製スプレッダが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができ、更に、第２層のうち、金属製スプレッダと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

更に、本発明は、導電性の第２層を介して隣接する２つのリードフレームが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができ、更に、第２層のうち、リードフレームと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明によれば、ヒートシンク（１）と、
ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
第２層（３ａ）上に配置された金属製スプレッダ（４ａ）と、
金属製スプレッダ（４ａ）上に配置された半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）と、
金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続された外部端子（６ａ）と、
ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、第１層（２）上のうち、金属製スプレッダ（４ａ）と接触する部分にのみ位置するように、かつ、第１層（２）上のうち、金属製スプレッダ（４ａ）と接触しない部分には位置しないように配置し、次いで、
熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁が金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
コイルばね（２２ａ）によって付勢された押圧ピン（２１ａ）によって、金属製スプレッダ（４ａ）を半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧し、
その結果、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、金属製スプレッダ（４ａ）の側面と接触し、次いで、
金属製スプレッダ（４ａ）が半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）および金属製スプレッダ（４ａ）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を金属製スプレッダ（４ａ）上に搭載すると共に、外部端子（６ａ）を金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続し、次いで、
ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

請求項２に記載の発明によれば、ヒートシンク（１）と、
ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
第２層（３ａ）上に配置された金属製スプレッダ（４ａ）と、
金属製スプレッダ（４ａ）上に配置された半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）と、
金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続された外部端子（６ａ）と、
ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に配置し、次いで、
熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁が金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
コイルばね（２２ａ）によって付勢された押圧ピン（２１ａ）によって、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面（４ａ２）に形成された金属製スプレッダ（４ａ）を第１層（２）に対して押圧し、
その結果、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、金属製スプレッダ（４ａ）の側面と接触し、次いで、
半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面（４ａ２）に形成された金属製スプレッダ（４ａ）が第１層（２）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）および金属製スプレッダ（４ａ）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を金属製スプレッダ（４ａ）上に搭載すると共に、外部端子（６ａ）を金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続し、次いで、
ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

請求項３に記載の発明によれば、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に対して第２層（３ａ）を接合する前に、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に対して平行に延びる多数の微小溝（４ｃ）を金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に形成し、次いで、微小溝（４ｃ）の凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝（４ｃ）の凹部をアンダーカット形状に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

請求項４に記載の発明によれば、プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分と、プレス加工によって潰されるストロークが小さい部分とを金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に設けることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

請求項５に記載の発明によれば、ヒートシンク（１）と、
ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
第２層（３ａ）上に配置されたリードフレーム（１４）と、
リードフレーム（１４）上に配置された半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）と、
ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、第１層（２）上のうち、リードフレーム（１４）と接触する部分にのみ位置するように、かつ、第１層（２）上のうち、リードフレーム（１４）と接触しない部分には位置しないように配置し、次いで、
熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁がリードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
コイルばね（１０ｂ）によって付勢された押圧部材（１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”）によって、リードフレーム（１４）を半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧し、
その結果、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、リードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、リードフレーム（１４）の側面と接触し、次いで、
リードフレーム（１４）が半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）およびリードフレーム（１４）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）をリードフレーム（１４）上に搭載し、次いで、
ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

請求項６に記載の発明によれば、ヒートシンク（１）と、
ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
第２層（３ａ）上に配置されたリードフレーム（１４）と、
リードフレーム（１４）上に配置された半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）と、
ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、リードフレーム（１４）の下面に配置し、次いで、
熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁がリードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
コイルばね（１０ｂ）によって付勢された押圧部材（１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”）によって、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面に形成されたリードフレーム（１４）を第１層（２）に対して押圧し、
その結果、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、リードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、リードフレーム（１４）の側面と接触し、次いで、
半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面に形成されたリードフレーム（１４）が第１層（２）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）およびリードフレーム（１４）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）をリードフレーム（１４）上に搭載し、次いで、
ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

請求項７に記載の発明によれば、リードフレーム（１４）の下面に対して第２層（３ａ）を接合する前に、リードフレーム（１４）の下面に対して平行に延びる多数の微小溝をリードフレーム（１４）の下面に形成し、次いで、微小溝の凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝の凹部をアンダーカット形状に形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

請求項８に記載の発明によれば、プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分と、プレス加工によって潰されるストロークが小さい部分とをリードフレーム（１４）の下面に設けることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、樹脂を母材とする絶縁性の第１層が、ヒートシンクの上面全体に配置される。また、樹脂を母材とする第２層が、第１層上に配置される。更に、金属製スプレッダが第２層上に配置される。また、半導体素子が金属製スプレッダ上に配置されると共に、外部端子が金属製スプレッダに電気的に接続される。更に、ヒートシンクの下面および外部端子の一部が露出するように、半導体素子が封止用樹脂によって封止される。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置では、半導体素子が発生した熱を、金属製スプレッダ、第２層、第１層およびヒートシンクを介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第２層に印加される電圧と第２層を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が導電性に形成される。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層の熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子が発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、複数の金属製スプレッダが設けられる場合に、導電性の第２層を介して隣接する２つの金属製スプレッダが電気的に短絡してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第２層が、第１層上のうち、金属製スプレッダと接触する部分にのみ配置され、金属製スプレッダと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、導電性の第２層を介して隣接する２つの金属製スプレッダが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、第２層のうち、金属製スプレッダと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、上述したように、第２層が、第１層上のうち、金属製スプレッダと接触する部分にのみ配置され、金属製スプレッダと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されるのに伴って、第２層のうち、金属製スプレッダと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、金属製スプレッダが第２層に対して押圧される時に、半導体素子が金属製スプレッダ上にまだ実装されていない。つまり、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、半導体素子が金属製スプレッダ上にまだ実装されていない状態で、金属製スプレッダが第２層に対して押圧される。そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子が既に実装されている金属製スプレッダが第２層に対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダを第２層に対して均一に押圧することができる。

更に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂によって半導体素子が封止される前の工程において、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられる。つまり、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられた後の工程において、封止用樹脂によって半導体素子が封止される。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を十分に硬化させることができる。また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層および第２層を十分に硬化させるために第１層および第２層の加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうおそれがない。

請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、金属製スプレッダが第２層に対して押圧される前に、第２層の外縁が金属製スプレッダの外縁よりも１ｍｍ内側に位置するように、第２層が第１層上に形成され、金属製スプレッダが第２層に対して押圧されると、第２層の厚さが２分の１程度になり、金属製スプレッダの下側に位置していた第２層の一部が、金属製スプレッダの外縁よりも外側に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダの側面と接触する。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層と金属製スプレッダの側面とが接触しない場合よりも、第２層と金属製スプレッダとの接合強度を増加させることができる。

請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層に対して金属製スプレッダを押圧する工程中に第１層の厚さが減少しないように、第１層が予め完全に硬化せしめられる。詳細には、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層が第１層上に形成される工程の前の段階で第１層が完全に硬化せしめられる。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層に対して金属製スプレッダを押圧する工程中に第１層の厚さが減少するのに伴って第１層の絶縁性が低下し、金属製スプレッダとヒートシンクとが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層に対して金属製スプレッダを押圧する工程中に第１層の厚さが減少する場合よりも、第１層の絶縁性を向上させることができる。

また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層に対する金属製スプレッダの押圧力を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダの下面と第１層の上面との間の第２層の厚さを薄くすることができ、その結果、金属製スプレッダから第１層への熱伝導性を向上させることができる。

請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、樹脂を母材とする絶縁性の第１層が、ヒートシンクの上面全体に配置される。また、樹脂を母材とする第２層が、金属製スプレッダの下面に配置される。更に、下面に第２層が配置された金属製スプレッダが、第１層上に配置される。更に、半導体素子が金属製スプレッダ上に配置されると共に、外部端子が金属製スプレッダに電気的に接続される。また、ヒートシンクの下面および外部端子の一部が露出するように、半導体素子が封止用樹脂によって封止される。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置では、半導体素子が発生した熱を、金属製スプレッダ、第２層、第１層およびヒートシンクを介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、第２層に印加される電圧と第２層を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が導電性に形成される。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層の熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子が発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、複数の金属製スプレッダが設けられる場合に、導電性の第２層を介して隣接する２つの金属製スプレッダが電気的に短絡してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、第２層が、第１層上のうち、金属製スプレッダと接触する部分にのみ配置され、金属製スプレッダと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、導電性の第２層を介して隣接する２つの金属製スプレッダが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、第２層のうち、金属製スプレッダと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、上述したように、第２層が、第１層上のうち、金属製スプレッダと接触する部分にのみ配置され、金属製スプレッダと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されるのに伴って、第２層のうち、金属製スプレッダと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、下面に第２層が形成された金属製スプレッダが第１層に対して押圧される時に、半導体素子が金属製スプレッダ上にまだ実装されていない。つまり、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、半導体素子が金属製スプレッダ上にまだ実装されていない状態で、下面に第２層が形成された金属製スプレッダが第１層に対して押圧される。そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子が既に実装されている金属製スプレッダが第１層に対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダを第１層に対して均一に押圧することができる。

更に、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂によって半導体素子が封止される前の工程において、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられる。つまり、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられた後の工程において、封止用樹脂によって半導体素子が封止される。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を十分に硬化させることができる。また、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層および第２層を十分に硬化させるために第１層および第２層の加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうおそれがない。

請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、下面に第２層が形成された金属製スプレッダが第１層に対して押圧される前に、第２層の外縁が金属製スプレッダの外縁よりも１ｍｍ内側に位置するように、第２層が金属製スプレッダの下面に形成され、下面に第２層が形成された金属製スプレッダが第１層に対して押圧されると、第２層の厚さが２分の１程度になり、金属製スプレッダの下側に位置していた第２層の一部が、金属製スプレッダの外縁よりも外側に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダの側面と接触する。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層と金属製スプレッダの側面とが接触しない場合よりも、第２層と金属製スプレッダとの接合強度を増加させることができる。

請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層が下面に形成された金属製スプレッダを第１層に対して押圧する工程中に第１層の厚さが減少しないように、第１層が予め完全に硬化せしめられる。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層が下面に形成された金属製スプレッダを第１層に対して押圧する工程中に第１層の厚さが減少するのに伴って第１層の絶縁性が低下し、金属製スプレッダとヒートシンクとが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層が下面に形成された金属製スプレッダを第１層に対して押圧する工程中に第１層の厚さが減少する場合よりも、第１層の絶縁性を向上させることができる。

また、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層が下面に形成された金属製スプレッダを第１層に対して押圧する力を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダの下面と第１層の上面との間の第２層の厚さを薄くすることができ、その結果、金属製スプレッダから第１層への熱伝導性を向上させることができる。

請求項３に記載の半導体装置の製造方法では、金属製スプレッダの下面に対して第２層を接合する前に、金属製スプレッダの下面に対して平行に延びる多数の微小溝が金属製スプレッダの下面に形成され、次いで、微小溝の凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝の凹部がアンダーカット形状に形成される。

そのため、請求項３に記載の半導体装置の製造方法によれば、例えば特開平９−２７７５４０号公報に記載されたウエットエッチングを用いることなく、金属製スプレッダの下面に対する第２層のアンカー効果を増加させるためにアンダーカット形状を金属製スプレッダの下面の微小溝の凹部に容易に形成することができる。

請求項４に記載の半導体装置の製造方法では、プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分と、プレス加工によって潰されるストロークが小さい部分とが、金属製スプレッダの下面に設けられる。

そのため、請求項４に記載の半導体装置の製造方法によれば、プレス加工によって潰されるストロークが金属製スプレッダの下面全体で均一にされる場合よりも、プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分とプレス加工によって潰されるストロークが小さい部分との境界部分に形成される鉛直面の分だけ、金属製スプレッダと第２層との接触面積を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダと第２層との接合強度を増加させることができる。

請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、樹脂を母材とする絶縁性の第１層が、ヒートシンクの上面全体に配置される。また、樹脂を母材とする第２層が、第１層上に配置される。更に、リードフレームが第２層上に配置される。また、半導体素子がリードフレーム上に配置される。更に、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように、半導体素子が封止用樹脂によって封止される。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置では、半導体素子が発生した熱を、リードフレーム、第２層、第１層およびヒートシンクを介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、第２層に印加される電圧と第２層を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が導電性に形成される。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層の熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子が発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、複数のリードフレームが設けられる場合に、導電性の第２層を介して隣接する２つのリードフレームが電気的に短絡してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、第２層が、第１層上のうち、リードフレームと接触する部分にのみ配置され、リードフレームと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、導電性の第２層を介して隣接する２つのリードフレームが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、第２層のうち、リードフレームと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、上述したように、第２層が、第１層上のうち、リードフレームと接触する部分にのみ配置され、リードフレームと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されるのに伴って、第２層のうち、リードフレームと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、リードフレームが第２層に対して押圧される時に、半導体素子がリードフレーム上にまだ実装されていない。つまり、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、半導体素子がリードフレーム上にまだ実装されていない状態で、リードフレームが第２層に対して押圧される。そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子が既に実装されているリードフレームが第２層に対して押圧される場合よりも、リードフレームを第２層に対して均一に押圧することができる。

更に、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂によって半導体素子が封止される前の工程において、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられる。つまり、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられた後の工程において、封止用樹脂によって半導体素子が封止される。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を十分に硬化させることができる。また、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層および第２層を十分に硬化させるために第１層および第２層の加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうおそれがない。

請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、リードフレームが第２層に対して押圧される前に、第２層の外縁がリードフレームの外縁よりも１ｍｍ内側に位置するように、第２層が第１層上に形成され、リードフレームが第２層に対して押圧されると、第２層の厚さが２分の１程度になり、リードフレームの下側に位置していた第２層の一部が、リードフレームの外縁よりも外側に流れ出て盛り上がり、リードフレームの側面と接触する。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層とリードフレームの側面とが接触しない場合よりも、第２層とリードフレームとの接合強度を増加させることができる。

請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１層の厚さが減少しないように、第１層が予め完全に硬化せしめられる。詳細には、請求項５に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層が第１層上に形成される工程の前の段階で第１層が完全に硬化せしめられる。

そのため、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１層の厚さが減少するのに伴って第１層の絶縁性が低下し、リードフレームとヒートシンクとが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１層の厚さが減少する場合よりも、第１層の絶縁性を向上させることができる。

また、請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層に対するリードフレームの押圧力を増加させることができ、それにより、リードフレームの下面と第１層の上面との間の第２層の厚さを薄くすることができ、その結果、リードフレームから第１層への熱伝導性を向上させることができる。

請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、樹脂を母材とする絶縁性の第１層が、ヒートシンクの上面全体に配置される。また、樹脂を母材とする第２層が、リードフレームの下面に配置される。更に、下面に第２層が配置されたリードフレームが、第１層上に配置される。更に、半導体素子がリードフレーム上に配置される。また、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように、半導体素子が封止用樹脂によって封止される。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置では、半導体素子が発生した熱を、リードフレーム、第２層、第１層およびヒートシンクを介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、第２層に印加される電圧と第２層を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が導電性に形成される。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層が絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層の熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子が発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、複数のリードフレームが設けられる場合に、導電性の第２層を介して隣接する２つのリードフレームが電気的に短絡してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、第２層が、第１層上のうち、リードフレームと接触する部分にのみ配置され、リードフレームと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、導電性の第２層を介して隣接する２つのリードフレームが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されると、第２層のうち、リードフレームと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。

この点に鑑み、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、上述したように、第２層が、第１層上のうち、リードフレームと接触する部分にのみ配置され、リードフレームと接触しない部分には配置されない。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層が、ヒートシンクの上面全体に配置された第１層上の全体に配置されるのに伴って、第２層のうち、リードフレームと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、下面に第２層が形成されたリードフレームが第１層に対して押圧される時に、半導体素子がリードフレーム上にまだ実装されていない。つまり、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、半導体素子がリードフレーム上にまだ実装されていない状態で、下面に第２層が形成されたリードフレームが第１層に対して押圧される。そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子が既に実装されているリードフレームが第１層に対して押圧される場合よりも、リードフレームを第１層に対して均一に押圧することができる。

更に、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂によって半導体素子が封止される前の工程において、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられる。つまり、請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、第１層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層が加熱されて硬化せしめられた後の工程において、封止用樹脂によって半導体素子が封止される。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を十分に硬化させることができる。また、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層および第２層を十分に硬化させるために第１層および第２層の加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層および第２層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうおそれがない。

請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、下面に第２層が形成されたリードフレームが第１層に対して押圧される前に、第２層の外縁がリードフレームの外縁よりも１ｍｍ内側に位置するように、第２層がリードフレームの下面に形成され、下面に第２層が形成されたリードフレームが第１層に対して押圧されると、第２層の厚さが２分の１程度になり、リードフレームの下側に位置していた第２層の一部が、リードフレームの外縁よりも外側に流れ出て盛り上がり、リードフレームの側面と接触する。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２層とリードフレームの側面とが接触しない場合よりも、第２層とリードフレームとの接合強度を増加させることができる。

請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層が下面に形成されたリードフレームを第１層に対して押圧する工程中に第１層の厚さが減少しないように、第１層が予め完全に硬化せしめられる。

そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層が下面に形成されたリードフレームを第１層に対して押圧する工程中に第１層の厚さが減少するのに伴って第１層の絶縁性が低下し、リードフレームとヒートシンクとが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層が下面に形成されたリードフレームを第１層に対して押圧する工程中に第１層の厚さが減少する場合よりも、第１層の絶縁性を向上させることができる。

また、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１層が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層が下面に形成されたリードフレームを第１層に対して押圧する力を増加させることができ、それにより、リードフレームの下面と第１層の上面との間の第２層の厚さを薄くすることができ、その結果、リードフレームから第１層への熱伝導性を向上させることができる。

請求項７に記載の半導体装置の製造方法では、リードフレームの下面に対して第２層を接合する前に、リードフレームの下面に対して平行に延びる多数の微小溝がリードフレームの下面に形成され、次いで、微小溝の凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝の凹部がアンダーカット形状に形成される。

そのため、請求項７に記載の半導体装置の製造方法によれば、例えば特開平９−２７７５４０号公報に記載されたウエットエッチングを用いることなく、リードフレームの下面に対する第２層のアンカー効果を増加させるためにアンダーカット形状をリードフレームの下面の微小溝の凹部に容易に形成することができる。

請求項８に記載の半導体装置の製造方法では、プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分と、プレス加工によって潰されるストロークが小さい部分とが、リードフレームの下面に設けられる。

そのため、請求項８に記載の半導体装置の製造方法によれば、プレス加工によって潰されるストロークがリードフレームの下面全体で均一にされる場合よりも、プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分とプレス加工によって潰されるストロークが小さい部分との境界部分に形成される鉛直面の分だけ、リードフレームと第２層との接触面積を増加させることができ、それにより、リードフレームと第２層との接合強度を増加させることができる。

以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と、ヒートシンク１の上面全体に形成された第１層２と、第１層２の上面の一部に形成された第２層３ａ，３ｂとによって構成されたサブアセンブリを示した図である。詳細には、図１（Ａ）はヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂとによって構成されたサブアセンブリの後側面図、図１（Ｂ）はその平面図、図１（Ｃ）はその左側面図、図１（Ｄ）はその底面図、図１（Ｅ）は図１（Ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図１（Ｆ）は図１（Ｅ）のＢ部の拡大図、図１（Ｇ）は図１（Ｆ）のＣ部の拡大図である。

第１の実施形態の半導体装置では、図１に示すように、ヒートシンク１が、例えばＡｌ、銅等のような放熱性の高い材料によって構成されている。また、ヒートシンク１の側面等には、封止用樹脂８（図１０および図１１参照）のアンカー効果を増加させるための凸部１ａおよび凹部１ｂが形成されている。更に、例えば放熱フィンなどのような他の部材（図示せず）に対して第１の実施形態の半導体装置をねじ止めするための貫通穴１ｃがヒートシンク１に形成されている。

第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図１に示すように、まず最初に、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂の母材に対して非導電性の放熱性フィラーを含有させたものが、ヒートシンク１の上面全体に例えば塗布、印刷等によって形成される。次いで、熱処理が行われ、それにより、図１に示すように、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２がヒートシンク１の上面全体に形成される。詳細には、図１（Ｇ）に示すように、厚さが例えば約１２０μｍになるように、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２が形成される。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂の母材に対して導電性フィラーを含有させたものが、第１層２の上面の一部に例えば塗布、印刷等によって形成される。次いで、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）になる程度に熱処理が行われ、それにより、図１（Ｂ）に示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ，３ｂが第１層２の上面の一部に形成される。

詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、金属製スプレッダ４ａ（図４参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａに対して押圧される前であって、金属製スプレッダ４ｂ（図４参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して押圧される前に、図１（Ｂ）に示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａの外縁が金属製スプレッダ４ａ（図４参照）の外縁４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、かつ、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂの外縁が金属製スプレッダ４ｂ（図４参照）の外縁４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ，３ｂが第１層２の上面の一部に形成される。

更に詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ，３ｂが第１層２の上面の一部に形成される工程の前の段階で、第１層２が完全に硬化せしめられる。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａに対して金属製スプレッダ４ａが押圧され、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して金属製スプレッダ４ｂが押圧される工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って、第１層２の絶縁性が低下してしまうおそれを低減することができる。

図２は第２層３ａ，３ｂに印加される電圧と第２層３ａ，３ｂを流れる電流との関係を示した図である。図２において、横軸は第２層３ａ，３ｂに印加される電圧を示しており、縦軸は第２層３ａ，３ｂを流れる電流を示している。第１の実施形態の半導体装置では、図２に示すように、第２層３ａ，３ｂに印加される電圧と第２層３ａ，３ｂを流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂の母材に対して導電性フィラーを含有させることによって、第２層３ａ，３ｂが導電性に形成されている。

図３は図１に示した第２層３ａ上に例えば銅製のような金属製スプレッダ４ａが押圧され、図１に示した第２層３ｂ上に例えば銅製のような金属製スプレッダ４ｂが押圧された状態を示した図である。詳細には、図３（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂと金属製スプレッダ４ａ，４ｂとによって構成されたサブアセンブリの後側面図、図３（Ｂ）はその平面図、図３（Ｃ）はその左側面図、図３（Ｄ）は図３（Ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図、図３（Ｅ）は図３（Ｄ）のＥ部の拡大図、図３（Ｆ）は図３（Ｅ）のＦ部の拡大図である。

図４は図３に示した金属製スプレッダ４ａ，４ｂを斜め上側から見た斜視図、図５は図３に示した金属製スプレッダ４ａ，４ｂを斜め下側から見た斜視図、図６は金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２等の拡大図である。詳細には、図６（Ａ）は金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２および金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２の拡大図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示した金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２または金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２を更に拡大して示した図である。

第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図３に示すように、金属製スプレッダ４ａが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ（図１参照）に対して押圧される前に、図４に示すように、例えばプレス加工によって、凹部４ａ１ａが金属製スプレッダ４ａの上面４ａ１に形成される。また、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図３に示すように、金属製スプレッダ４ｂが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂ（図１参照）に対して押圧される前に、図４に示すように、例えばプレス加工によって、凹部４ｂ１ａが金属製スプレッダ４ｂの上面４ｂ１に形成される。

更に、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図３に示すように、金属製スプレッダ４ａが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ（図１参照）に対して押圧される前に、図６に示すように、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対して粗面化処理が行われる。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対する半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａのアンカー効果を増加させることができる。

具体的には、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図６（Ｂ）に示すように、例えばダイヤモンドパウダーのような微粒子を用いたヘアライン（ケガキ）処理を行うことによって、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対して平行であって、図６（Ｂ）の右上−左下方向に延びる多数の微小溝４ｃが金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に形成される。その結果、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２には、微小溝４ｃが存在する位置に凹部が形成され、微小溝４ｃの両側（図６（Ｂ）の左上側または右下側）であって微小溝４ｃが存在しない位置に凸部が形成される。次いで、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２全体がプレス加工によって潰される。その結果、微小溝４ｃの凹部の両側の凸部の頂部が潰され、それにより、微小溝４ｃの凹部がアンダーカット形状に形成される。

更に詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２のうち、格子状に延びている溝部４ｅでは、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きくされる。一方、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２のうち、溝部４ｅによって囲まれる矩形部４ｄでは、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さくされる。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２の溝部４ｅが矩形部４ｄよりも凹んでいる。

同様に、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図３に示すように、金属製スプレッダ４ｂが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂ（図１参照）に対して押圧される前に、図６に示すように、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対する粗面化処理が行われる。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対する半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂのアンカー効果を増加させることができる。

具体的には、図６（Ｂ）に示すように、例えばダイヤモンドパウダーのような微粒子を用いたヘアライン（ケガキ）処理を行うことによって、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対して平行であって、図６（Ｂ）の右上−左下方向に延びる多数の微小溝４ｃが金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に形成される。その結果、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２には、微小溝４ｃが存在する位置に凹部が形成され、微小溝４ｃの両側（図６（Ｂ）の左上側または右下側）であって微小溝４ｃが存在しない位置に凸部が形成される。次いで、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２全体がプレス加工によって潰される。その結果、微小溝４ｃの凹部の両側の凸部の頂部が潰され、それにより、微小溝４ｃの凹部がアンダーカット形状に形成される。

更に詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２のうち、格子状に延びている溝部４ｅでは、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きくされる。一方、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２のうち、溝部４ｅによって囲まれる矩形部４ｄでは、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さくされる。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２の溝部４ｅが矩形部４ｄよりも凹んでいる。

第１の実施形態の半導体装置では、図６（Ｂ）に示すように、微小溝４ｃが溝部４ｅに対して平行または垂直に延びているが、第２の実施形態の半導体装置では、代わりに、微小溝４ｃを溝部４ｅに対して約４５°の角度をなして延ばすことも可能である。

図７は半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ（図１参照）に対して金属製スプレッダ４ａを押圧し、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して金属製スプレッダ４ｂを押圧するための冶具２０などを示した図である。詳細には、図７（Ａ）は冶具２０の上側から冶具２０の内部を透視して見た図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。

第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、コイルばね２２ｂによって付勢された押圧ピン２１ｂによって、金属製スプレッダ４ｂが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して押圧される。その結果、図３（Ｆ）に示すように、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２（図５および図６（Ａ）参照）の下側（図３（Ｆ）の右側）に位置する半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、それにより、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２（図５および図６（Ａ）参照）の下側（図３（Ｆ）の右側）に位置していた半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂの一部が、金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも外側（図３（Ｆ）の下側）に流れ出て上側（図３（Ｆ）の左側）に盛り上がり、金属製スプレッダ４ｂの側面と接触する。

同様に、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図１（Ｂ）、図３（Ｂ）および図７（Ａ）に示すように、コイルばね２２ａによって付勢された押圧ピン２１ａによって、金属製スプレッダ４ａが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａに対して押圧される。その結果、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２（図５および図６（Ａ）参照）の下側に位置する半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、それにより、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２（図５および図６（Ａ）参照）の下側に位置していた半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａの一部が、金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’（図１（Ｂ）参照）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、金属製スプレッダ４ａの側面と接触する。

一方、第１の実施形態の半導体装置では、金属製スプレッダ４ａ（図３参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ（図１参照）に対して押圧されるのに伴って金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’（図１参照）よりも外側に流れ出た半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａと、金属製スプレッダ４ｂ（図３参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂ（図１参照）に対して押圧されるのに伴って金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’（図１参照）よりも外側に流れ出た半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂとは、互いに接触することなく、互いに離間せしめられている。

換言すれば、第１の実施形態の半導体装置では、図１（Ｂ）および図３（Ｂ）に示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａが、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａと接触する部分にのみ配置され、金属製スプレッダ４ａと接触しない部分には配置されていない。更に、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂが、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｂと接触する部分にのみ配置され、金属製スプレッダ４ｂと接触しない部分には配置されていない。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、金属製スプレッダ４ａが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ（図１参照）に対して押圧せしめられ、金属製スプレッダ４ｂが半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層３ａ，３ｂが、加熱され、熱硬化せしめられる。その結果、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２および金属製スプレッダ４ａに対する導電性の第２層３ａの接合強度が増加せしめられ、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２および金属製スプレッダ４ｂに対する導電性の第２層３ｂの接合強度が増加せしめられる。

図８および図９は図３に示したサブアセンブリに半導体素子５等が搭載された状態を示した図である。詳細には、図８（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂと金属製スプレッダ４ａ，４ｂと半導体素子５と外部端子６ａ，６ｂとボンディングワイヤ７とによって構成されたサブアセンブリの平面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＨ−Ｈ線に沿った断面図、図９は第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂと金属製スプレッダ４ａ，４ｂと半導体素子５と外部端子６ａ，６ｂとボンディングワイヤ７とによって構成されたサブアセンブリの斜視図である。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図９に示すように、例えばダイオードのような半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上に搭載されると共に、円筒状の金属製外部端子６ａが金属製スプレッダ４ａに電気的に接続される。また、円筒状の金属製外部端子６ｂが金属製スプレッダ４ｂに電気的に接続される。更に、例えば半導体素子５の上面と金属製スプレッダ４ｂとが、例えばボンディングワイヤ７によって電気的に接続される。その結果、例えば半導体素子５がダイオードである場合には、金属製外部端子６ｂがアノード電極端子として機能すると共に、金属製外部端子６ａがカソード電極端子として機能する。

第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図８および図９に示すように、円筒状の金属製外部端子６ａが金属製スプレッダ４ａに電気的に接続され、円筒状の金属製外部端子６ｂが金属製スプレッダ４ｂに電気的に接続される前に、雌ねじ部が円筒状の金属製外部端子６ａ，６ｂの内周面に形成される。

図１０および図１１は図８および図９に示したサブアセンブリが封止用樹脂８によって封止され、第１の実施形態の半導体装置が完成した状態を示した図である。詳細には、図１０は第１の実施形態の半導体装置を斜め上側から見た斜視図、図１１は第１の実施形態の半導体装置を斜め下側から見た斜視図である。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図１０に示すように、金属製外部端子６ａ，６ｂの一部が露出し、かつ、図１１に示すように、ヒートシンク１の下面が露出するように、図８および図９に示した半導体素子５が封止用樹脂８によって封止される。

つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図１に示すように、樹脂を母材とする絶縁性の第１層２が、ヒートシンク１の上面全体に配置されている。また、樹脂を母材とする第２層３ａ，３ｂが、第１層２上に配置されている。更に、図１および図３に示すように、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａ上に配置され、金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂ上に配置されている。また、図８および図９に示すように、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上に配置されている。また、外部端子６ａが金属製スプレッダ４ａに電気的に接続され、外部端子６ｂが金属製スプレッダ４ｂに電気的に接続されている。更に、図９、図１０および図１１に示すように、ヒートシンク１の下面および外部端子６ａ，６ｂの一部が露出するように、半導体素子５が封止用樹脂８によって封止されている。

そのため、第１の実施形態の半導体装置では、半導体素子５が発生した熱を、金属製スプレッダ４ａ、第２層３ａ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置では、図２に示すように、第２層３ａ，３ｂ（図１参照）に印加される電圧と第２層３ａ，３ｂを流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層３ａ，３ｂが導電性に形成されている。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層３ａ，３ｂが絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層３ａ，３ｂの熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子５が発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層３ａ，３ｂ（図１（Ｂ）参照）が、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されていると、図３に示すように複数の金属製スプレッダ４ａ，４ｂが設けられている場合に、導電性の第２層３ａ，３ｂを介して隣接する２つの金属製スプレッダ４ａ，４ｂが電気的に短絡してしまうおそれがある。この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置では、図１および図３に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ａと接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｂが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｂと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ｂと接触しない部分には配置されていない。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、導電性の第２層３ａ，３ｂを介して隣接する２つの金属製スプレッダ４ａ，４ｂが電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層３ａ，３ｂ（図１（Ｂ）参照）が、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されていると、第２層３ａ，３ｂのうち、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ（図３（Ｂ）参照）と接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置では、図１および図３に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ａと接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｂが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｂと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ｂと接触しない部分には配置されていない。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、第２層３ａ，３ｂが、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されるのに伴って、第２層３ａ，３ｂのうち、金属製スプレッダ４ａ，４ｂと接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図７（Ａ）に示すように、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａ（図１参照）に対して押圧される時に、半導体素子５（図８参照）が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない状態で、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧される。そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５が既に実装されている金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダ４ａを第２層３ａに対して均一に押圧することができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂８（図１０および図１１参照）によって半導体素子５（図８および図９参照）が封止される前の工程において、第１層２（図１参照）が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ（図１参照）が加熱されて硬化せしめられる。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１層２が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂが加熱されて硬化せしめられた後の工程において、図１０および図１１に示すように、封止用樹脂８によって半導体素子５が封止される。そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子５が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層２および第２層３ａ，３ｂを十分に硬化させることができる。また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２および第２層３ａ，３ｂを十分に硬化させるために第１層２および第２層３ａ，３ｂの加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層２および第２層３ａ，３ｂを硬化させるための加熱によって半導体素子５が悪影響を受けてしまうおそれがない。

また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図７に示すように、金属製スプレッダ４ａ，４ｂが第２層３ａ，３ｂに対して押圧される前に、図１（Ｂ）に示すように、第２層３ａの外縁が金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ａが第１層２上に形成されると共に、第２層３ｂの外縁が金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｂが第１層２上に形成される。更に、図７（Ａ）に示すように、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧されると、第２層３ａの厚さが約２分の１程度になり、金属製スプレッダ４ａの下側に位置していた第２層３ａの一部が、金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも外側に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ａの側面と接触する。また、図７（Ｂ）に示すように、金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂに対して押圧されると、図３（Ｆ）に示すように、第２層３ｂの厚さが約２分の１程度になり、金属製スプレッダ４ｂの下側（図３（Ｆ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも外側（図３（Ｆ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ｂの側面と接触する。

そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａとの接合強度を増加させることができ、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂとの接合強度を増加させることができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂに対して金属製スプレッダ４ａ，４ｂを押圧する工程中に第１層２の厚さが減少しないように、第１層２が予め完全に硬化せしめられる。詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂが第１層２上に形成される工程の前の段階で第１層２が完全に硬化せしめられる。そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂに対して金属製スプレッダ４ａ，４ｂを押圧する工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って第１層２の絶縁性が低下し、金属製スプレッダ４ａ，４ｂとヒートシンク１とが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂに対して金属製スプレッダ４ａ，４ｂを押圧する工程中に第１層２の厚さが減少する場合よりも、第１層２の絶縁性を向上させることができる。

また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂに対する金属製スプレッダ４ａ，４ｂの押圧力を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面と第１層２の上面との間の第２層３ａ，３ｂの厚さを薄くすることができ、その結果、金属製スプレッダ４ａ，４ｂから第１層２への熱伝導性を向上させることができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図７に示すように、金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２（図５および図６参照）に対して第２層３ａ，３ｂを接合する前に、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２に対して平行に延びる多数の微小溝４ｃが金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２に形成され、次いで、微小溝４ｃの凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝４ｃの凹部がアンダーカット形状に形成される。そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、例えば特開平９−２７７５４０号公報に記載されたウエットエッチングを用いることなく、金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２に対する第２層３ａ，３ｂのアンカー効果を増加させるためにアンダーカット形状を金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２の微小溝４ｃの凹部に容易に形成することができる。

また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きい溝部４ｅと、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さい矩形部４ｄとが、金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２に設けられる。そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２全体で均一にされる場合よりも、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きい溝部４ｅとプレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さい矩形部４ｄとの境界部分に形成される鉛直面の分だけ、金属製スプレッダ４ａ，４ｂと第２層３ａ，３ｂとの接触面積を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダ４ａ，４ｂと第２層３ａ，３ｂとの接合強度を増加させることができる。

以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第３の実施形態の半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１に示すように、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ，３ｂが第１層２上に形成されるが、第３の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に形成される。

図１２は第３の実施形態の半導体装置の製造時に、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成され、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成された状態を示した図である。詳細には、図１２（Ａ）は第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成された金属製スプレッダ４ａおよび第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成された金属製スプレッダ４ｂの底面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図１２（Ｃ）は図１２（Ａ）のＪ−Ｊ線に沿った断面図である。

図１３は第３の実施形態の半導体装置の製造時に、図１２（Ｂ）に示した下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧され、図１２（Ｃ）に示した下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧された状態を示した断面図である。詳細には、図１３（Ａ）は図１２（Ｂ）に示した下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが、第１層２に対して押圧された状態における金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’の近傍の断面図、図１３（Ｂ）は図１２（Ｃ）に示した下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが、第１層２に対して押圧された状態における金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’の近傍の断面図である。

第３の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１３（Ａ）に示すように、下面４ａ２（図１２参照）に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５（図８参照）が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない。つまり、第３の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない状態で、下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される。そのため、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５が既に実装されている金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダ４ａを第１層２に対して均一に押圧することができる。

更に、第３の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１３（Ａ）に示すように、下面４ａ２（図１２参照）に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される前に、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に示すように、第２層３ａの外縁が金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ａが金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に形成され、図１３（Ａ）に示すように、下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧されると、第２層３ａの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、金属製スプレッダ４ａの下側（図１３（Ａ）の右側）に位置していた第２層３ａの一部が、金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも外側（図１３（Ａ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ａの側面と接触する。そのため、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａとの接合強度を増加させることができる。

同様に、第３の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１３（Ｂ）に示すように、下面４ｂ２（図１２参照）に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧される前に、図１２（Ａ）および図１２（Ｃ）に示すように、第２層３ｂの外縁が金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｂが金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に形成され、図１３（Ｂ）に示すように、下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧されると、第２層３ｂの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、金属製スプレッダ４ｂの下側（図１３（Ｂ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも外側（図１３（Ｂ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ｂの側面と接触する。そのため、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂとの接合強度を増加させることができる。

更に、第３の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１３に示すように、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂが下面４ａ２，４ｂ２（図１２参照）に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂを第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少しないように、第１層２が予め完全に硬化せしめられる。そのため、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂが下面４ａ２，４ｂ２に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂを第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って第１層２の絶縁性が低下し、金属製スプレッダ４ａ，４ｂとヒートシンク１とが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂが下面４ａ２，４ｂ２に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂを第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少する場合よりも、第１層２の絶縁性を向上させることができる。

また、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂが下面４ａ２，４ｂ２に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂを第１層２に対して押圧する力を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダ４ａ，４ｂの下面４ａ２，４ｂ２と第１層２の上面との間の第２層３ａ，３ｂの厚さを薄くすることができ、その結果、金属製スプレッダ４ａ，４ｂから第１層２への熱伝導性を向上させることができる。

以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第４の実施形態の半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１に示すように、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ，３ｂが第１層２上の２箇所に形成されるが、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ（図１４参照）が第１層２上の３箇所に形成される。

更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１および図８に示すように、第２層３ｂ上に配置される金属製スプレッダ４ｂ上に金属製外部端子６ｂが電気的に接続されるが、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、第２層３ｂ上に配置される金属製スプレッダ４ｂ（図１４参照）上に金属製外部端子６ｂ（図１４参照）が電気的に接続されると共に、金属製スプレッダ４ｂ上に半導体素子５’（図１４参照）が搭載される。更に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第２層３ｃ上に配置される金属製スプレッダ４ｃ’（図１４参照）上に金属製外部端子６ｃ（図１４参照）が電気的に接続され、半導体素子５’の上面と金属製スプレッダ４ｃ’とが、例えばボンディングワイヤ７’（図１４参照）によって電気的に接続される。

図１４は封止用樹脂８（図１５参照）によって封止される前における第４の実施形態の半導体装置を示した図である。詳細には、図１４（Ａ）は封止用樹脂８（図１５参照）によって封止される前における第４の実施形態の半導体装置の平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＫ−Ｋ線に沿った断面図である。図１５は第４の実施形態の半導体装置を示した図である。詳細には、図１５（Ａ）は第４の実施形態の半導体装置の平面図、図１５（Ｂ）は第４の実施形態の半導体装置の正面図、図１５（Ｃ）は第４の実施形態の半導体装置の回路図である。

第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１４（Ａ）に示すように、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａの下側に位置する部分に第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが形成され、金属製スプレッダ４ｂの下側に位置する部分に第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが形成され、金属製スプレッダ４ｃ’の下側に位置する部分に第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃが形成される。

更に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１４に示すように、第２層３ａ上に配置される金属製スプレッダ４ａ上に金属製外部端子６ａが電気的に接続されると共に、金属製スプレッダ４ａ上に半導体素子５が搭載される。また、第２層３ｂ上に配置される金属製スプレッダ４ｂ上に金属製外部端子６ｂが電気的に接続されると共に、金属製スプレッダ４ｂ上に半導体素子５’が搭載される。更に、第２層３ｃ上に配置される金属製スプレッダ４ｃ’上に金属製外部端子６ｃが電気的に接続される。また、半導体素子５の上面と金属製スプレッダ４ｂとが、例えばボンディングワイヤ７によって電気的に接続され、半導体素子５’の上面と金属製スプレッダ４ｃ’とが、例えばボンディングワイヤ７’によって電気的に接続される。

つまり、第４の実施形態の半導体装置では、図１４に示すように、樹脂を母材とする絶縁性の第１層２が、ヒートシンク１の上面全体に配置されている。また、樹脂を母材とする第２層３ａ，３ｂ，３ｃが、第１層２上に配置されている。更に、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａ上に配置され、金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂ上に配置され、金属製スプレッダ４ｃ’が第２層３ｃ上に配置されている。また、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上に配置され、半導体素子５’が金属製スプレッダ４ｂ上に配置されている。また、外部端子６ａが金属製スプレッダ４ａに電気的に接続され、外部端子６ｂが金属製スプレッダ４ｂに電気的に接続され、外部端子６ｃが金属製スプレッダ４ｃ’に電気的に接続されている。更に、図１５に示すように、ヒートシンク１の下面および外部端子６ａ，６ｂ，６ｃの一部が露出するように、半導体素子５，５’が封止用樹脂８によって封止されている。

そのため、第４の実施形態の半導体装置では、半導体素子５が発生した熱を、金属製スプレッダ４ａ、第２層３ａ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができ、半導体素子５’が発生した熱を、金属製スプレッダ４ｂ、第２層３ｂ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、第４の実施形態の半導体装置では、第１の実施形態の半導体装置と同様に、図２に示すように、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ（図１４参照）に印加される電圧と第２層３ａ，３ｂ，３ｃを流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層３ａ，３ｂ，３ｃが導電性に形成されている。そのため、第４の実施形態の半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層３ａ，３ｂ，３ｃが絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層３ａ，３ｂ，３ｃの熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子５，５’が発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ（図１４参照）が、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されていると、図１４に示すように複数の金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’が設けられている場合に、導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃを介して隣接する２つの金属製スプレッダ４ａ，４ｂが電気的に短絡し、隣接する２つの金属製スプレッダ４ｂ，４ｃ’が電気的に短絡してしまうおそれがある。この点に鑑み、第４の実施形態の半導体装置では、図１４に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ａと接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｂが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｂと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ｂと接触しない部分には配置されていない。更に、第２層３ｃが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｃ’と接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ｃ’と接触しない部分には配置されていない。そのため、第４の実施形態の半導体装置によれば、導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃを介して隣接する金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’が電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ（図１４参照）が、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されていると、第２層３ａ，３ｂ，３ｃのうち、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’（図１４参照）と接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。この点に鑑み、第４の実施形態の半導体装置では、図１４に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ａと接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｂが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｂと接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ｂと接触しない部分には配置されていない。更に、第２層３ｃが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｃ’と接触する部分にのみ配置されており、金属製スプレッダ４ｃ’と接触しない部分には配置されていない。そのため、第４の実施形態の半導体装置によれば、第２層３ａ，３ｂ，３ｃが、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されるのに伴って、第２層３ａ，３ｂ，３ｃのうち、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’と接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、図１４に示すように、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧される時に、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない。つまり、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない状態で、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧される。そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５が既に実装されている金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダ４ａを第２層３ａに対して均一に押圧することができる。

同様に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１４に示すように、金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂに対して押圧される時に、半導体素子５’が金属製スプレッダ４ｂ上にまだ実装されていない。つまり、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５’が金属製スプレッダ４ｂ上にまだ実装されていない状態で、金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂに対して押圧される。そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５’が既に実装されている金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂに対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダ４ｂを第２層３ｂに対して均一に押圧することができる。

更に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、封止用樹脂８（図１５参照）によって半導体素子５，５’（図１４参照）が封止される前の工程において、第１層２（図１４参照）が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ（図１４参照）が加熱されて硬化せしめられる。つまり、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１層２が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃが加熱されて硬化せしめられた後の工程において、図１５に示すように、封止用樹脂８によって半導体素子５，５’が封止される。そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子５，５’が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃを十分に硬化させることができる。また、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃを十分に硬化させるために第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃの加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃを硬化させるための加熱によって半導体素子５，５’が悪影響を受けてしまうおそれがない。

また、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、図７に示すように、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’が第２層３ａ，３ｂ，３ｃに対して押圧される前に、第２層３ａの外縁が金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ａが第１層２上に形成される（図１（Ｂ）参照）と共に、第２層３ｂの外縁が金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｂが第１層２上に形成され（図１（Ｂ）参照）、第２層３ｃの外縁が金属製スプレッダ４ｃ’のよりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｃが第１層２上に形成される。更に、金属製スプレッダ４ａが第２層３ａに対して押圧されると、第２層３ａの厚さが約２分の１程度になり、金属製スプレッダ４ａの下側に位置していた第２層３ａの一部が、金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’（図１（Ｂ）参照）よりも外側に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ａの側面と接触する（図３（Ｆ）参照）。また、金属製スプレッダ４ｂが第２層３ｂに対して押圧されると、第２層３ｂの厚さが約２分の１程度になり、金属製スプレッダ４ｂの下側（図３（Ｆ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも外側（図３（Ｆ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ｂの側面と接触する（図３（Ｆ）参照）。更に、金属製スプレッダ４ｃ’が第２層３ｃに対して押圧されると、第２層３ｃの厚さが約２分の１程度になり、金属製スプレッダ４ｃ’の下側に位置していた第２層３ｃの一部が、金属製スプレッダ４ｃ’の外縁よりも外側に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ｃ’の側面と接触する（図３（Ｆ）参照）。

そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａとの接合強度を増加させることができ、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂとの接合強度を増加させることができ、第２層３ｃと金属製スプレッダ４ｃ’の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｃと金属製スプレッダ４ｃ’との接合強度を増加させることができる。

更に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃに対して金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を押圧する工程中に第１層２の厚さが減少しないように、第１層２が予め完全に硬化せしめられる。詳細には、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃが第１層２上に形成される工程の前の段階で第１層２が完全に硬化せしめられる。そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃに対して金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を押圧する工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って第１層２の絶縁性が低下し、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’とヒートシンク１とが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃに対して金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を押圧する工程中に第１層２の厚さが減少する場合よりも、第１層２の絶縁性を向上させることができる。

また、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃに対する金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の押圧力を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面と第１層２の上面との間の第２層３ａ，３ｂ，３ｃの厚さを薄くすることができ、その結果、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’から第１層２への熱伝導性を向上させることができる。

更に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面に対して第２層３ａ，３ｂ，３ｃを接合する前に、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面に対して平行に延びる多数の微小溝４ｃが金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面に形成され（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）、次いで、微小溝４ｃの凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝４ｃの凹部がアンダーカット形状に形成される。そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、例えば特開平９−２７７５４０号公報に記載されたウエットエッチングを用いることなく、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面に対する第２層３ａ，３ｂ，３ｃのアンカー効果を増加させるためにアンダーカット形状を金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面の微小溝４ｃの凹部に容易に形成することができる。

また、第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きい溝部４ｅと、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さい矩形部４ｄとが、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面に設けられる（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。そのため、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面全体で均一にされる場合よりも、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きい溝部４ｅとプレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さい矩形部４ｄとの境界部分に形成される鉛直面の分だけ、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’と第２層３ａ，３ｂ，３ｃとの接触面積を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’と第２層３ａ，３ｂ，３ｃとの接合強度を増加させることができる。

以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第４の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第５の実施形態の半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第４の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１４に示すように、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ，３ｂ、３ｃが第１層２上に形成されるが、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃが金属製スプレッダ４ｃ’の下面４ｃ２（図１６参照）に形成される。

図１６は第５の実施形態の半導体装置の製造時に、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成され、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成され、金属製スプレッダ４ｃ’の下面４ｃ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃが例えば塗布、印刷等によって形成された状態を示した図である。詳細には、図１６（Ａ）は第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成された金属製スプレッダ４ａ、第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成された金属製スプレッダ４ｂおよび第２層３ｃが例えば塗布、印刷等によって形成された金属製スプレッダ４ｃ’の底面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）のＬ−Ｌ線に沿った断面図、図１６（Ｃ）は図１６（Ａ）のＭ−Ｍ線に沿った断面図、図１６（Ｄ）は図１６（Ａ）のＮ−Ｎ線に沿った断面図である。

図１７は第５の実施形態の半導体装置の製造時に、図１６（Ｂ）に示した下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧され、図１６（Ｃ）に示した下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧され、図１６（Ｄ）に示した下面４ｃ２に第２層３ｃが形成された金属製スプレッダ４ｃ’が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図である。詳細には、図１７（Ａ）は図１６（Ｂ）に示した下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが、第１層２に対して押圧された状態における金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’の近傍の断面図、図１７（Ｂ）は図１６（Ｃ）に示した下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが、第１層２に対して押圧された状態における金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’の近傍の断面図、図１７（Ｃ）は図１６（Ｄ）に示した下面４ｃ２に第２層３ｃが形成された金属製スプレッダ４ｃ’が、第１層２に対して押圧された状態における金属製スプレッダ４ｃ’の外縁４ｃ”の近傍の断面図である。

第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１７（Ａ）に示すように、下面４ａ２（図１６参照）に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５（図１４参照）が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない。つまり、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５が金属製スプレッダ４ａ上にまだ実装されていない状態で、下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される。そのため、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５が既に実装されている金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダ４ａを第１層２に対して均一に押圧することができる。

また、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１７（Ｂ）に示すように、下面４ｂ２（図１６参照）に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５’（図１４参照）が金属製スプレッダ４ｂ上にまだ実装されていない。つまり、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５’が金属製スプレッダ４ｂ上にまだ実装されていない状態で、下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧される。そのため、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５’が既に実装されている金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧される場合よりも、金属製スプレッダ４ｂを第１層２に対して均一に押圧することができる。

更に、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１７（Ａ）に示すように、下面４ａ２（図１６参照）に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧される前に、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示すように、第２層３ａの外縁が金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ａが金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に形成され、図１７（Ａ）に示すように、下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧されると、第２層３ａの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、金属製スプレッダ４ａの下側（図１７（Ａ）の右側）に位置していた第２層３ａの一部が、金属製スプレッダ４ａの外縁４ａ’よりも外側（図１７（Ａ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ａの側面と接触する。そのため、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ａと金属製スプレッダ４ａとの接合強度を増加させることができる。

同様に、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１７（Ｂ）に示すように、下面４ｂ２（図１６参照）に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧される前に、図１６（Ａ）および図１６（Ｃ）に示すように、第２層３ｂの外縁が金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｂが金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に形成され、図１７（Ｂ）に示すように、下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧されると、第２層３ｂの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、金属製スプレッダ４ｂの下側（図１７（Ｂ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、金属製スプレッダ４ｂの外縁４ｂ’よりも外側（図１７（Ｂ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ｂの側面と接触する。そのため、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂの側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｂと金属製スプレッダ４ｂとの接合強度を増加させることができる。

また、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１７（Ｃ）に示すように、下面４ｃ２（図１６参照）に第２層３ｃが形成された金属製スプレッダ４ｃ’が第１層２に対して押圧される前に、図１６（Ａ）および図１６（Ｄ）に示すように、第２層３ｃの外縁が金属製スプレッダ４ｃ’の外縁４ｃ”よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｃが金属製スプレッダ４ｃ’の下面４ｃ２に形成され、図１７（Ｃ）に示すように、下面４ｃ２に第２層３ｃが形成された金属製スプレッダ４ｃ’が第１層２に対して押圧されると、第２層３ｃの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、金属製スプレッダ４ｃ’の下側（図１７（Ｃ）の右側）に位置していた第２層３ｃの一部が、金属製スプレッダ４ｃ’の外縁４ｃ”よりも外側（図１７（Ｃ）の下側）に流れ出て盛り上がり、金属製スプレッダ４ｃ’の側面と接触する。そのため、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｃと金属製スプレッダ４ｃ’の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｃと金属製スプレッダ４ｃ’との接合強度を増加させることができる。

更に、第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１７に示すように、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃが下面４ａ２，４ｂ２，４ｃ２（図１６参照）に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少しないように、第１層２が予め完全に硬化せしめられる。そのため、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃが下面４ａ２，４ｂ２，４ｃ２に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って第１層２の絶縁性が低下し、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’とヒートシンク１とが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃが下面４ａ２，４ｂ２，４ｃ２に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少する場合よりも、第１層２の絶縁性を向上させることができる。

また、第５の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃが下面４ａ２，４ｂ２，４ｃ２に形成された金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’を第１層２に対して押圧する力を増加させることができ、それにより、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面４ａ２，４ｂ２，４ｃ２と第１層２の上面との間の第２層３ａ，３ｂ，３ｃの厚さを薄くすることができ、その結果、金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’から第１層２への熱伝導性を向上させることができる。

上述した第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、ヒートシンク１上の第１層２上に３箇所の第２層３ａ，３ｂ，３ｃと３個の金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’と、２個の半導体素子５，５’と、３個の金属製外部端子６ａ，６ｂ，６ｃとが配置されるが、第６の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、ヒートシンク１上の第１層２上に５箇所の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅと、６個の半導体素子５−１，５−２，５−３，５−４，５−５，５−６と、５個の金属製外部端子６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅとが配置される。

また、上述した第５の実施形態の半導体装置の製造方法では、ヒートシンク１上に第１層２が配置され、３個の金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’の下面のそれぞれに第２層３ａ，３ｂ，３ｃが形成され、金属製スプレッダ４ａ上に半導体素子５が配置され、金属製スプレッダ４ｂ上に半導体素子５が配置され、３個の金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’のそれぞれの上に３個の金属製外部端子６ａ，６ｂ，６ｃが配置されるが、第７の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、ヒートシンク１上に第１層２が配置され、５個の金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’，４ｄ’，４ｅ’の下面のそれぞれに第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが形成され、金属製スプレッダ４ａ上に半導体素子５−１，５−２，５−３が配置され、金属製スプレッダ４ｂ上に半導体素子５−４が配置され、金属製スプレッダ４ｃ’上に半導体素子５−５が配置され、金属製スプレッダ４ｄ’上に半導体素子５−６が配置され、５個の金属製スプレッダ４ａ，４ｂ，４ｃ’，４ｄ’，４ｅ’のそれぞれの上に５個の金属製外部端子６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅが配置される

図１８は封止用樹脂８（図１５参照）によって封止される前における第６および第７の実施形態の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の平面図である。

第６および第７の実施形態の半導体装置においても、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに印加される電圧と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが導電性に形成されている。

また、第６および第７の実施形態の半導体装置においても、図１８に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ａと接触する部分にのみ位置し、金属製スプレッダ４ａと接触しない部分には位置しない。更に、第２層３ｂが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｂと接触する部分にのみ位置し、金属製スプレッダ４ｂと接触しない部分には位置しない。また、第２層３ｃが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｃ’と接触する部分にのみ位置し、金属製スプレッダ４ｃ’と接触しない部分には位置しない。更に、第２層３ｄが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｄ’と接触する部分にのみ位置し、金属製スプレッダ４ｄ’と接触しない部分には位置しない。また、第２層３ｅが、第１層２上のうち、金属製スプレッダ４ｅ’と接触する部分にのみ位置し、金属製スプレッダ４ｅ’と接触しない部分には位置しない。

更に、第６および第７の実施形態の半導体装置においても、ヒートシンク１の下面および外部端子６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅの一部が露出するように封止樹脂８（図１５参照）によって半導体素子５−１，５−２，５−３，５−４，５−５，５−６が封止される。

以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第８の実施形態について説明する。図１９は第８の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と、その上面全体に形成された第１層２と、その上面の一部に形成された第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとによって構成されたサブアセンブリを示した図である。詳細には、図１９（Ａ）はヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとによって構成されたサブアセンブリの平面図、図１９（Ｂ）はその正面図、図１９（Ｃ）はその右側面図、図１９（Ｄ）は第１層２の厚さと第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの厚さとの関係を示した拡大断面図である。

第８の実施形態の半導体装置では、図１９に示すように、ヒートシンク１が、例えばＡｌ、銅等のような放熱性の高い材料によって構成されている。第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図１９に示すように、まず最初に、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂の母材に対して非導電性の放熱性フィラーを含有させたものが、ヒートシンク１の上面全体に例えば塗布、印刷等によって形成される。次いで、熱処理が行われ、それにより、図１９に示すように、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２がヒートシンク１の上面全体に形成される。詳細には、図１９（Ｄ）に示すように、厚さが例えば約１２０μｍになるように、硬化状態（Ｃステージ）の絶縁性の第１層２が形成される。

次いで、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂の母材に対して導電性フィラーを含有させたものが、第１層２の上面の一部に例えば塗布、印刷等によって形成される。次いで、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）になる程度に熱処理が行われ、それにより、図１９（Ａ）に示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが第１層２の上面の一部に形成される。

詳細には、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１（図２０参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａに対して押圧される前であって、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２（図２０参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して押圧される前であって、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３（図２０参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｃに対して押圧される前であって、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４（図２０参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｄに対して押圧される前であって、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５（図２０参照）が半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｅに対して押圧される前に、図１９（Ａ）に示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の外縁１４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、かつ、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の外縁１４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、かつ、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｃの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の外縁１４ｃ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、かつ、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｄの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の外縁１４ｄ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、かつ、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｅの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の外縁１４ｅ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが第１層２の上面の一部に形成される。

更に詳細には、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが第１層２の上面の一部に形成される工程の前の段階で、第１層２が完全に硬化せしめられる。そのため、第８の実施形態の半導体装置によれば、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が押圧され、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が押圧され、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｃに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が押圧され、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｄに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が押圧され、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｅに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ５が押圧される工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って、第１層２の絶縁性が低下してしまうおそれを低減することができる。

図２０は第８の実施形態の半導体装置の一部を構成するリードフレーム１４を示した図である。詳細には、図２０（Ａ）はリードフレーム１４の平面図、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＰ−Ｐ線に沿った断面図、図２０（Ｃ）は図２０（Ａ）のＱ−Ｑ線に沿った断面図である。

第８の実施形態の半導体装置では、図２０に示すように、リードフレーム１４が厚肉部１４ａと薄肉部１４ｂとによって構成されている。詳細には、例えばプレス加工により、薄肉部１４ｂの板厚が厚肉部１４ａの板厚よりも薄くされる。リードフレーム１４の厚肉部１４ａには、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ（図２５参照）を搭載したり、ボンディングワイヤ７を接続したりするための搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が設けられている。リードフレーム１４の薄肉部１４ｂには、第８の実施形態の半導体装置の端子を構成する端子部１４ｂ１，１４ｂ２，１４ｂ３，１４ｂ４，１４ｂ５と、例えば成形用金型に対してリードフレーム１４を位置決めするための位置決め部１４ｂ６，１４ｂ７とが設けられている。端子部１４ｂ１，１４ｂ２，１４ｂ３，１４ｂ４，１４ｂ５のそれぞれには、穴１４ｂ１ａ，１４ｂ２ａ，１４ｂ３ａ，１４ｂ４ａ，１４ｂ５ａが形成され、位置決め部１４ｂ６，１４ｂ７のそれぞれには、穴１４ｂ６ａ，１４ｂ７ａが形成されている。

図２１は第８の実施形態の半導体装置の製造方法におけるリードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ上に配置された状態を示した図である。詳細には、図２１（Ａ）はヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとリードフレーム１４とによって構成されたサブアセンブリの平面図、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のＲ−Ｒ線に沿った断面図、図２１（Ｃ）は図２１（Ａ）のＳ−Ｓ線に沿った断面図である。

第８の実施形態の半導体装置では、図２１に示すように、リードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ上に配置されている。詳細には、第８の実施形態の半導体装置では、リードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ上に配置される時に、リードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して図２１（Ｃ）の下向きに押圧されると共に、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが加熱されて熱硬化せしめられる。

図２２は第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１との関係等を示した拡大断面図である。詳細には、図２２（Ａ）は第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１との関係を示した拡大断面図、図２２（Ｂ）は第２層３ｂとリードフレーム１４の搭載部１４ａ２との関係を示した拡大断面図、図２２（Ｃ）は第２層３ｃとリードフレーム１４の搭載部１４ａ３との関係を示した拡大断面図、図２２（Ｄ）は第２層３ｄとリードフレーム１４の搭載部１４ａ４との関係を示した拡大断面図、図２２（Ｅ）は第２層３ｅとリードフレーム１４の搭載部１４ａ５との関係を示した拡大断面図である。

第８の実施形態の半導体装置では、上述したように、リードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ上に配置される時に、リードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して図２１（Ｃ）の下向きに押圧されると共に、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが加熱されて熱硬化せしめられる。詳細には、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図２２（Ａ）に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第２層３ａに対して押圧されると、第２層３ａの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下側（図２２（Ａ）の右側）に位置していた第２層３ａの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の外縁１４ａ’よりも外側（図２２（Ａ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の側面と接触する。また、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図２２（Ｂ）に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第２層３ｂに対して押圧されると、第２層３ｂの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下側（図２２（Ｂ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の外縁１４ｂ’よりも外側（図２２（Ｂ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の側面と接触する。

更に、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図２２（Ｃ）に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第２層３ｃに対して押圧されると、第２層３ｃの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下側（図２２（Ｃ）の右側）に位置していた第２層３ｃの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の外縁１４ｃ’よりも外側（図２２（Ｃ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の側面と接触する。また、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図２２（Ｄ）に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第２層３ｄに対して押圧されると、第２層３ｄの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下側（図２２（Ｄ）の右側）に位置していた第２層３ｄの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の外縁１４ｄ’よりも外側（図２２（Ｄ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の側面と接触する。更に、第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図２２（Ｅ）に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５が第２層３ｅに対して押圧されると、第２層３ｅの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下側（図２２（Ｅ）の右側）に位置していた第２層３ｅの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の外縁１４ｅ’よりも外側（図２２（Ｅ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の側面と接触する。

図２３および図２４は第８の実施形態の半導体装置のリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５のそれぞれを第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧するための冶具１０等を示した図である。詳細には、図２３は冶具１０等を部分的に透視して見た平面図、図２４（Ａ）は図２３のＴ−Ｔ線に沿った断面図、図２４（Ｂ）は図２３のＵ−Ｕ線に沿った断面図である。

第８の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１を第２層３ａに対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”が設けられている。また、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２を第２層３ｂに対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ２が設けられている。更に、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３を第２層３ｃに対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ３が設けられている。また、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４を第２層３ｄに対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ４が設けられている。更に、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５を第２層３ｅに対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ５，１０ａ５’が設けられている。

詳細には、第８の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図２３および図２４に示すように、搭載部１４ａ１が、３個の押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”によって第２層３ａに対して押圧される。更に、搭載部１４ａ１の面積の３分の１程度の面積を有する搭載部１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４のそれぞれが、それぞれ１個の押圧部材１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４によって第２層３ｂ，３ｃ，３ｄに対して押圧される。また、搭載部１４ａ１の面積の３分の２程度の面積を有する搭載部１４ａ５が、２個の押圧部材１０ａ５，１０ａ５’によって第２層３ｅに対して押圧される。

換言すれば、第８の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図２３および図２４に示すように、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対してリードフレーム１４を押圧するために、８個のバネ加圧式の押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’が設けられ、それらがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５上にほぼ均等に配列されている。そのため、第８の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対してリードフレーム１４を均一に押圧することができる。

その結果、第８の実施形態の半導体装置によれば、図２２に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面と第１層２の上面との間の第２層３ａの厚さ（約５０μｍ）と、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下面と第１層２の上面との間の第２層３ｂの厚さ（約５０μｍ）と、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下面と第１層２の上面との間の第２層３ｃの厚さ（約５０μｍ）と、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下面と第１層２の上面との間の第２層３ｄの厚さ（約５０μｍ）と、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下面と第１層２の上面との間の第２層３ｅの厚さ（約５０μｍ）とをほぼ等しくすることができる。

つまり、第８の実施形態の半導体装置では、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５のそれぞれが冶具１０によって第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧されると共に、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが加熱されて熱硬化せしめられる。それにより、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５のそれぞれと第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとの接合強度が増加せしめられる。

更に、第８の実施形態の半導体装置では、図２０および図２３に示すように、リードフレーム１４のうち、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’によって押圧される搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の厚さが、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’によって押圧されない薄肉部１４ｂの厚さよりも厚くされている。

そのため、第８の実施形態の半導体装置によれば、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’によってリードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧される時にリードフレーム１４が変形してしまうおそれを低減することができ、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５のそれぞれを第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して均一に押圧することができる。

図２５は半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５上に実装され、ワイヤボンディングされた状態を示した図である。詳細には、図２５（Ａ）はヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとリードフレーム１４と半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆとボンディングワイヤ７とによって構成されたサブアセンブリの平面図、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図、図２５（Ｃ）は図２５（Ａ）のＷ−Ｗ線に沿った断面図である。

第８の実施形態の半導体装置の製造時には、図２５に示すように、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１上に実装され、半導体素子５ｄがリードフレーム１４の搭載部１４ａ２上に実装され、半導体素子５ｅがリードフレーム１４の搭載部１４ａ３上に実装され、半導体素子５ｆがリードフレーム１４の搭載部１４ａ４上に実装される。次いで、半導体素子５ａの上面とリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の上面とがボンディングワイヤ７によって接続され、半導体素子５ｂの上面とリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の上面とがボンディングワイヤ７によって接続され、半導体素子５ｃの上面とリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の上面とがボンディングワイヤ７によって接続され、半導体素子５ｄの上面と半導体素子５ｅの上面と半導体素子５ｆの上面とリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の上面とがボンディングワイヤ７によって接続される。

第８の実施形態の半導体装置では、図２５（Ａ）に示すように、６個の半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム１４上に実装されているが、第９の実施形態の半導体装置では、代わりに、６個以外の任意の数の半導体素子をリードフレーム上に実装することも可能である。

図２６はヒートシンク１の下面およびリードフレーム１４の一部が露出するように封止用樹脂８によってヒートシンク１、リードフレーム１４および半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがインサート成形された状態を示した図である。詳細には、図２６（Ａ）は封止用樹脂８によってヒートシンク１、リードフレーム１４および半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがインサート成形された成形体の平面図、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図、図２６（Ｃ）は図２６（Ａ）のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。

第８の実施形態の半導体装置の成形時には、図２６に示すように、例えばリードフレーム１４の位置決め部１４ｂ６の穴１４ｂ６ａおよび位置決め部１４ｂ７の穴１４ｂ７ａを用いることにより、ヒートシンク１と第１層２と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆとリードフレーム１４と半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆとボンディングワイヤ７とによって構成された図２５に示したサブアセンブリが、成形用金型に対して位置決めされる。

更に、第８の実施形態の半導体装置の成形時には、図２６に示すように、沿面距離を増加させるための溝８ａが封止用樹脂８の表面に形成される。また、例えば放熱用フィンを取り付けるための貫通穴８ｂが封止用樹脂８に形成される。

第８の実施形態の半導体装置では、封止用樹脂８として熱可塑性樹脂が用いられるが、第１０の実施形態の半導体装置では、代わりに、封止用樹脂８として熱硬化性樹脂を用いることも可能である。封止用樹脂８として熱可塑性樹脂が用いられる第８の実施形態の半導体装置によれば、封止用樹脂８として熱硬化性樹脂が用いられる場合よりも、封止用樹脂８の成形に要する時間を短縮することができる。

図２７はリードフレーム１４の位置決め部１４ｂ６，１４ｂ７が切断された第８の実施形態の半導体装置の完成品の平面図である。

つまり、第８の実施形態の半導体装置では、図１９に示すように、樹脂を母材とする絶縁性の第１層２が、ヒートシンク１の上面全体に配置されている。また、樹脂を母材とする第２層３ａ，３ｂ，３ｂ，３ｃ，３ｅが、第１層２上に配置されている。更に、図１９および図２１に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第２層３ａ上に配置され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第２層３ｂ上に配置され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第２層３ｃ上に配置され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第２層３ｄ上に配置され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５が第２層３ｅ上に配置されている。また、図２５に示すように、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１上に配置され、半導体素子５ｄがリードフレーム１４の搭載部１４ａ２上に配置され、半導体素子５ｅがリードフレーム１４の搭載部１４ａ３上に配置され、半導体素子５ｆがリードフレーム１４の搭載部１４ａ４上に配置されている。更に、図２５および図２６に示すように、ヒートシンク１の下面およびリードフレーム１４の一部が露出するように、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが封止用樹脂８によって封止されている。

そのため、第８の実施形態の半導体装置では、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃが発生した熱を、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１、第２層３ａ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができ、半導体素子５ｄが発生した熱を、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２、第２層３ａ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができ、半導体素子５ｅが発生した熱を、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３、第２層３ａ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができ、半導体素子５ｆが発生した熱を、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４、第２層３ａ、第１層２およびヒートシンク１を介して半導体装置の外側に放熱することができる。

更に、第８の実施形態の半導体装置では、第１の実施形態の半導体装置と同様に、図２に示すように、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ（図１９参照）に印加される電圧と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが導電性に形成されている。そのため、第８の実施形態の半導体装置によれば、例えばアルミナ、窒化珪素、結晶シリカなどのような非導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが絶縁性に形成されている特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置よりも、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの熱伝導率を向上させることができ、それにより、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが発生した熱の放熱性を向上させることができる。

一方、仮に、導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ（図１９（Ａ）参照）が、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されていると、図２１に示すように複数のリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が設けられている場合に、導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを介して隣接するリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が電気的に短絡してしまうおそれがある。この点に鑑み、第８の実施形態の半導体装置では、図１９および図２１に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１と接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｂが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２と接触しない部分には配置されていない。更に、第２層３ｃが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３と接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｄが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４と接触しない部分には配置されていない。更に、第２層３ｅが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５と接触しない部分には配置されていない。そのため、第８の実施形態の半導体装置によれば、導電性の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを介して隣接するリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が電気的に短絡してしまうおそれを排除することができる。

また、仮に、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ（図１９（Ａ）参照）が、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されていると、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅのうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５（図２１（Ａ）参照）と接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれがある。この点に鑑み、第８の実施形態の半導体装置では、図１９および図２１に示すように、第２層３ａが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１と接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｂが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２と接触しない部分には配置されていない。更に、第２層３ｃが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３と接触しない部分には配置されていない。また、第２層３ｄが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４と接触しない部分には配置されていない。更に、第２層３ｅが、第１層２上のうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５と接触する部分にのみ配置されており、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５と接触しない部分には配置されていない。そのため、第８の実施形態の半導体装置によれば、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが、ヒートシンク１の上面全体に配置された第１層２上の全体に配置されるのに伴って、第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅのうち、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５と接触しない部分に熱応力が集中し、その部分にクラックが発生してしまうおそれを排除することができる。

また、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第２層３ａ（図１９参照）に対して押圧される時に、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ１上にまだ実装されていない。また、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第２層３ｂ（図１９参照）に対して押圧される時に、半導体素子５ｄ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ２上にまだ実装されていない。更に、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第２層３ｃ（図１９参照）に対して押圧される時に、半導体素子５ｅ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ３上にまだ実装されていない。また、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第２層３ｄ（図１９参照）に対して押圧される時に、半導体素子５ｆ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ４上にまだ実装されていない。つまり、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５上にまだ実装されていない状態で、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧される。そのため、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが既に実装されているリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧される場合よりも、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して均一に押圧することができる。

更に、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂８（図２６参照）によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ（図２５参照）が封止される前の工程において、第１層２（図１９参照）が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ（図１９参照）が加熱されて硬化せしめられる。つまり、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１層２が硬化状態にされ、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが加熱されて硬化せしめられた後の工程において、図２５および図２６に示すように、封止用樹脂８によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが封止される。そのため、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを十分に硬化させることができる。また、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを十分に硬化させるために第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１層２および第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを硬化させるための加熱によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが悪影響を受けてしまうおそれがない。

また、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧される前に、図１９（Ａ）に示すように、第２層３ａの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の外縁１４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ａが第１層２上に形成され、第２層３ｂの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の外縁１４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｂが第１層２上に形成され、第２層３ｃの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の外縁１４ｃ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｃが第１層２上に形成され、第２層３ｄの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の外縁１４ｄ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｄが第１層２上に形成され、第２層３ｅの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の外縁１４ｅ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように第２層３ｅが第１層２上に形成される。

更に、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第２層３ａに対して押圧されると、図２２（Ａ）に示すように、第２層３ａの厚さが約２分の１程度になり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下側（図２２（Ａ）の右側）に位置していた第２層３ａの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の外縁１４ａ’よりも外側（図２２（Ａ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の側面と接触する。また、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第２層３ｂに対して押圧されると、図２２（Ｂ）に示すように、第２層３ｂの厚さが約２分の１程度になり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下側（図２２（Ｂ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の外縁１４ｂ’よりも外側（図２２（Ｂ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の側面と接触する。更に、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第２層３ｃに対して押圧されると、図２２（Ｃ）に示すように、第２層３ｃの厚さが約２分の１程度になり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下側（図２２（Ｃ）の右側）に位置していた第２層３ｃの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の外縁１４ｃ’よりも外側（図２２（Ｃ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の側面と接触する。また、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第２層３ｄに対して押圧されると、図２２（Ｄ）に示すように、第２層３ｄの厚さが約２分の１程度になり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下側（図２２（Ｄ）の右側）に位置していた第２層３ｄの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の外縁１４ｄ’よりも外側（図２２（Ｄ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の側面と接触する。更に、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５が第２層３ｅに対して押圧されると、図２２（Ｅ）に示すように、第２層３ｅの厚さが約２分の１程度になり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下側（図２２（Ｅ）の右側）に位置していた第２層３ｅの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の外縁１４ｅ’よりも外側（図２２（Ｅ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の側面と接触する。

そのため、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１との接合強度を増加させることができ、第２層３ｂとリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｂとリードフレーム１４の搭載部１４ａ２との接合強度を増加させることができ、第２層３ｃとリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｃとリードフレーム１４の搭載部１４ａ３との接合強度を増加させることができ、第２層３ｄとリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｄとリードフレーム１４の搭載部１４ａ４との接合強度を増加させることができ、第２層３ｅとリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｅとリードフレーム１４の搭載部１４ａ５との接合強度を増加させることができる。

更に、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を押圧する工程中に第１層２の厚さが減少しないように、第１層２が予め完全に硬化せしめられる。詳細には、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが第１層２上に形成される工程の前の段階で第１層２が完全に硬化せしめられる。そのため、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を押圧する工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って第１層２の絶縁性が低下し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５とヒートシンク１とが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対してリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を押圧する工程中に第１層２の厚さが減少する場合よりも、第１層２の絶縁性を向上させることができる。

また、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対するリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の押圧力を増加させることができ、それにより、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面と第１層２の上面との間の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの厚さを薄くすることができ、その結果、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５から第１層２への熱伝導性を向上させることができる。

更に、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、図２３および図２４に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面に対して第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを接合する前に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、図６（Ｂ）に示すように、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面に対して平行に延びる多数の微小溝４ｃがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面に形成され、次いで、微小溝４ｃの凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝４ｃの凹部がアンダーカット形状に形成される。そのため、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、例えば特開平９−２７７５４０号公報に記載されたウエットエッチングを用いることなく、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面に対する第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅのアンカー効果を増加させるためにアンダーカット形状をリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面の微小溝４ｃの凹部に容易に形成することができる。

また、第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、図６（Ｂ）に示すように、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きい溝部４ｅと、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さい矩形部４ｄとが、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面に設けられる。そのため、第８の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面全体で均一にされる場合よりも、プレス加工によって潰されるストローク（深さ）が大きい溝部４ｅとプレス加工によって潰されるストローク（深さ）が小さい矩形部４ｄとの境界部分に形成される鉛直面の分だけ、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとの接触面積を増加させることができ、それにより、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ３，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５と第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとの接合強度を増加させることができる。

以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第１１の実施形態について説明する。第１１の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第８の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第１１の実施形態の半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第８の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

第８の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１９に示すように、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが第１層２上に形成されるが、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂがリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下面に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃがリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下面に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｄがリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下面に形成され、第１層２よりも硬度が低い半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｅがリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下面に形成される。

図２８は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｄが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｅが例えば塗布、印刷等によって形成された状態を示したリードフレーム１４の底面図である。

図２９はリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ等の拡大断面図である。詳細には、図２９（Ａ）はリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａの拡大断面図、図２９（Ｂ）はリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂの拡大断面図、図２９（Ｃ）はリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃの拡大断面図、図２９（Ｄ）はリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｄの拡大断面図、図２９（Ｅ）はリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｅの拡大断面図である。

図３０は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ａ）に示した下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧された状態等を示した断面図である。詳細には、図３０（Ａ）は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ａ）に示した下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図、図３０（Ｂ）は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ｂ）に示した下面に第２層３ｂが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図、図３０（Ｃ）は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ｃ）に示した下面に第２層３ｃが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図、図３０（Ｄ）は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ｄ）に示した下面に第２層３ｄが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図、図３０（Ｅ）は第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ｅ）に示した下面に第２層３ｅが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ５が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図である。

第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ａ）に示すように、下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ１上にまだ実装されていない。つまり、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１上にまだ実装されていない状態で、下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧される。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃが既に実装されているリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧される場合よりも、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１を第１層２に対して均一に押圧することができる。

更に、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ａ）に示すように、下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧される前に、図２８および図２９（Ａ）に示すように、第２層３ａの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の外縁４ａ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ａがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に形成され、図３０（Ａ）に示すように、下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧されると、第２層３ａの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下側（図３０（Ａ）の右側）に位置していた第２層３ａの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の外縁４ａ’よりも外側（図３０（Ａ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の側面と接触する。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１との接合強度を増加させることができる。

また、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｂ）に示すように、下面に第２層３ｂが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５ｄ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ２上にまだ実装されていない。つまり、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５ｄがリードフレーム１４の搭載部１４ａ２上にまだ実装されていない状態で、下面に第２層３ｂが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第１層２に対して押圧される。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５ｄが既に実装されているリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第１層２に対して押圧される場合よりも、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２を第１層２に対して均一に押圧することができる。

更に、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｂ）に示すように、下面に第２層３ｂが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第１層２に対して押圧される前に、図２８および図２９（Ｂ）に示すように、第２層３ｂの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の外縁４ｂ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｂがリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下面に形成され、図３０（Ｂ）に示すように、下面に第２層３ｂが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ２が第１層２に対して押圧されると、第２層３ｂの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下側（図３０（Ｂ）の右側）に位置していた第２層３ｂの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の外縁４ｂ’よりも外側（図３０（Ｂ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の側面と接触する。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｂとリードフレーム１４の搭載部１４ａ２の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｂとリードフレーム１４の搭載部１４ａ２との接合強度を増加させることができる。

また、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｃ）に示すように、下面に第２層３ｃが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５ｅ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ３上にまだ実装されていない。つまり、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５ｅがリードフレーム１４の搭載部１４ａ３上にまだ実装されていない状態で、下面に第２層３ｃが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第１層２に対して押圧される。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５ｅが既に実装されているリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第１層２に対して押圧される場合よりも、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３を第１層２に対して均一に押圧することができる。

更に、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｃ）に示すように、下面に第２層３ｃが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第１層２に対して押圧される前に、図２８および図２９（Ｃ）に示すように、第２層３ｃの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の外縁４ｃ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｃがリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下面に形成され、図３０（Ｃ）に示すように、下面に第２層３ｃが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ３が第１層２に対して押圧されると、第２層３ｃの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下側（図３０（Ｃ）の右側）に位置していた第２層３ｃの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の外縁４ｃ’よりも外側（図３０（Ｃ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の側面と接触する。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｃとリードフレーム１４の搭載部１４ａ３の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｃとリードフレーム１４の搭載部１４ａ３との接合強度を増加させることができる。

また、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｄ）に示すように、下面に第２層３ｄが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第１層２に対して押圧される時に、半導体素子５ｆ（図２５参照）がリードフレーム１４の搭載部１４ａ４上にまだ実装されていない。つまり、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子５ｆがリードフレーム１４の搭載部１４ａ４上にまだ実装されていない状態で、下面に第２層３ｄが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第１層２に対して押圧される。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子５ｆが既に実装されているリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第１層２に対して押圧される場合よりも、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４を第１層２に対して均一に押圧することができる。

更に、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｄ）に示すように、下面に第２層３ｄが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第１層２に対して押圧される前に、図２８および図２９（Ｄ）に示すように、第２層３ｄの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の外縁４ｄ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｄがリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下面に形成され、図３０（Ｄ）に示すように、下面に第２層３ｄが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ４が第１層２に対して押圧されると、第２層３ｄの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下側（図３０（Ｄ）の右側）に位置していた第２層３ｄの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の外縁４ｄ’よりも外側（図３０（Ｄ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の側面と接触する。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｄとリードフレーム１４の搭載部１４ａ４の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｄとリードフレーム１４の搭載部１４ａ４との接合強度を増加させることができる。

また、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０（Ｅ）に示すように、下面に第２層３ｅが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ５が第１層２に対して押圧される前に、図２８および図２９（Ｅ）に示すように、第２層３ｅの外縁がリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の外縁４ｅ’よりも約１ｍｍ内側に位置するように、第２層３ｅがリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下面に形成され、図３０（Ｅ）に示すように、下面に第２層３ｅが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ５が第１層２に対して押圧されると、第２層３ｅの厚さが約１００μｍから約５０μｍに減少し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下側（図３０（Ｅ）の右側）に位置していた第２層３ｅの一部が、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の外縁４ｅ’よりも外側（図３０（Ｅ）の下側）に流れ出て盛り上がり、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の側面と接触する。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第２層３ｅとリードフレーム１４の搭載部１４ａ５の側面とが接触しない場合よりも、第２層３ｅとリードフレーム１４の搭載部１４ａ５との接合強度を増加させることができる。

更に、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図３０に示すように、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが下面に形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少しないように、第１層２が予め完全に硬化せしめられる。そのため、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが下面に形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少するのに伴って第１層２の絶縁性が低下し、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５とヒートシンク１とが電気的に短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが下面に形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を第１層２に対して押圧する工程中に第１層２の厚さが減少する場合よりも、第１層２の絶縁性を向上させることができる。

また、第１１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１層２が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅが下面に形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５を第１層２に対して押圧する力を増加させることができ、それにより、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５の下面と第１層２の上面との間の第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの厚さを薄くすることができ、その結果、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５から第１層２への熱伝導性を向上させることができる。

第１２の実施形態では、上述した第１から第１１の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と、ヒートシンク１の上面全体に形成された第１層２と、第１層２の上面の一部に形成された第２層３ａ，３ｂとによって構成されたサブアセンブリを示した図である。 第２層３ａ，３ｂに印加される電圧と第２層３ａ，３ｂを流れる電流との関係を示した図である。 図１に示した第２層３ａ上に例えば銅製のような金属製スプレッダ４ａが押圧され、図１に示した第２層３ｂ上に例えば銅製のような金属製スプレッダ４ｂが押圧された状態を示した図である。 図３に示した金属製スプレッダ４ａ，４ｂを斜め上側から見た斜視図である。 図３に示した金属製スプレッダ４ａ，４ｂを斜め下側から見た斜視図である。 金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２等の拡大図である。 半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ａ（図１参照）に対して金属製スプレッダ４ａを押圧し、半硬化状態（Ｂステージ）の導電性の第２層３ｂに対して金属製スプレッダ４ｂを押圧するための冶具２０などを示した図である。 図３に示したサブアセンブリに半導体素子５等が搭載された状態を示した図である。 図３に示したサブアセンブリに半導体素子５等が搭載された状態を示した図である。 図８および図９に示したサブアセンブリが封止用樹脂８によって封止され、第１の実施形態の半導体装置が完成した状態を示した図である。 図８および図９に示したサブアセンブリが封止用樹脂８によって封止され、第１の実施形態の半導体装置が完成した状態を示した図である。 第３の実施形態の半導体装置の製造時に、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成され、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成された状態を示した図である。 第３の実施形態の半導体装置の製造時に、図１２（Ｂ）に示した下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧され、図１２（Ｃ）に示した下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧された状態を示した断面図である。 封止用樹脂８（図１５参照）によって封止される前における第４の実施形態の半導体装置を示した図である。 第４の実施形態の半導体装置を示した図である。 第５の実施形態の半導体装置の製造時に、金属製スプレッダ４ａの下面４ａ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成され、金属製スプレッダ４ｂの下面４ｂ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成され、金属製スプレッダ４ｃ’の下面４ｃ２に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃが例えば塗布、印刷等によって形成された状態を示した図である。 第５の実施形態の半導体装置の製造時に、図１６（Ｂ）に示した下面４ａ２に第２層３ａが形成された金属製スプレッダ４ａが第１層２に対して押圧され、図１６（Ｃ）に示した下面４ｂ２に第２層３ｂが形成された金属製スプレッダ４ｂが第１層２に対して押圧され、図１６（Ｄ）に示した下面４ｃ２に第２層３ｃが形成された金属製スプレッダ４ｃ’が第１層２に対して押圧された状態を示した断面図である。 封止用樹脂８（図１５参照）によって封止される前における第６および第７の実施形態の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の平面図である。 第８の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と、その上面全体に形成された第１層２と、その上面の一部に形成された第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅとによって構成されたサブアセンブリを示した図である。 第８の実施形態の半導体装置の一部を構成するリードフレーム１４を示した図である。 第８の実施形態の半導体装置の製造方法におけるリードフレーム１４が第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ上に配置された状態を示した図である。 第２層３ａとリードフレーム１４の搭載部１４ａ１との関係等を示した拡大断面図である。 第８の実施形態の半導体装置のリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５のそれぞれを第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧するための冶具１０等を示した図である。 第８の実施形態の半導体装置のリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５のそれぞれを第２層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに対して押圧するための冶具１０等を示した図である。 半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム１４の搭載部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４，１４ａ５上に実装され、ワイヤボンディングされた状態を示した図である。 ヒートシンク１の下面およびリードフレーム１４の一部が露出するように封止用樹脂８によってヒートシンク１、リードフレーム１４および半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがインサート成形された状態を示した図である。 リードフレーム１４の位置決め部１４ｂ６，１４ｂ７が切断された第８の実施形態の半導体装置の完成品の平面図である。 第１１の実施形態の半導体装置の製造時に、リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ２の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｂが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ３の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｃが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ４の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｄが例えば塗布、印刷等によって形成され、リードフレーム１４の搭載部１４ａ５の下面に対して厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ｅが例えば塗布、印刷等によって形成された状態を示したリードフレーム１４の底面図である。 リードフレーム１４の搭載部１４ａ１の下面に対して例えば塗布、印刷等によって形成された厚さ約１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）の第２層３ａ等の拡大断面図である。 第１１の実施形態の半導体装置の製造時に図２８および図２９（Ａ）に示した下面に第２層３ａが形成されたリードフレーム１４の搭載部１４ａ１が第１層２に対して押圧された状態等を示した断面図である。

符号の説明

１ ヒートシンク
２ 第１層
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ 第２層
４ａ，４ｂ，４ｃ’ 金属製スプレッダ
４ａ２，４ｂ２，４ｃ２ 下面
４ａ’，４ｂ’，４ｃ” 外縁
４ｃ 微小溝
４ｄ 矩形部
４ｅ 溝部
５，５’，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ 半導体素子
６ａ，６ｂ，６ｃ 外部端子
７，７’ ボンディングワイヤ
８ 封止用樹脂
１４ リードフレーム

Claims (8)

1. ヒートシンク（１）と、
   ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
   第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
   第２層（３ａ）上に配置された金属製スプレッダ（４ａ）と、
   金属製スプレッダ（４ａ）上に配置された半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）と、
   金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続された外部端子（６ａ）と、
   ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
   ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
   第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、第１層（２）上のうち、金属製スプレッダ（４ａ）と接触する部分にのみ位置するように、かつ、第１層（２）上のうち、金属製スプレッダ（４ａ）と接触しない部分には位置しないように配置し、次いで、
   熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
   この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁が金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
   コイルばね（２２ａ）によって付勢された押圧ピン（２１ａ）によって、金属製スプレッダ（４ａ）を半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧し、
   その結果、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、金属製スプレッダ（４ａ）の側面と接触し、次いで、
   金属製スプレッダ（４ａ）が半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）および金属製スプレッダ（４ａ）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
   半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を金属製スプレッダ（４ａ）上に搭載すると共に、外部端子（６ａ）を金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続し、次いで、
   ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. ヒートシンク（１）と、
   ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
   第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
   第２層（３ａ）上に配置された金属製スプレッダ（４ａ）と、
   金属製スプレッダ（４ａ）上に配置された半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）と、
   金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続された外部端子（６ａ）と、
   ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
   ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
   第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に配置し、次いで、
   熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
   この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁が金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
   コイルばね（２２ａ）によって付勢された押圧ピン（２１ａ）によって、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面（４ａ２）に形成された金属製スプレッダ（４ａ）を第１層（２）に対して押圧し、
   その結果、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、金属製スプレッダ（４ａ）の外縁（４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、金属製スプレッダ（４ａ）の側面と接触し、次いで、
   半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面（４ａ２）に形成された金属製スプレッダ（４ａ）が第１層（２）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）および金属製スプレッダ（４ａ）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
   半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を金属製スプレッダ（４ａ）上に搭載すると共に、外部端子（６ａ）を金属製スプレッダ（４ａ）に電気的に接続し、次いで、
   ヒートシンク（１）の下面および外部端子（６ａ）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５，５−１，５−２，５−３）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に対して第２層（３ａ）を接合する前に、金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に対して平行に延びる多数の微小溝（４ｃ）を金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に形成し、次いで、微小溝（４ｃ）の凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝（４ｃ）の凹部をアンダーカット形状に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分と、プレス加工によって潰されるストロークが小さい部分とを金属製スプレッダ（４ａ）の下面（４ａ２）に設けることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. ヒートシンク（１）と、
   ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
   第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
   第２層（３ａ）上に配置されたリードフレーム（１４）と、
   リードフレーム（１４）上に配置された半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）と、
   ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
   ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
   第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、第１層（２）上のうち、リードフレーム（１４）と接触する部分にのみ位置するように、かつ、第１層（２）上のうち、リードフレーム（１４）と接触しない部分には位置しないように配置し、次いで、
   熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
   この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁がリードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
   コイルばね（１０ｂ）によって付勢された押圧部材（１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”）によって、リードフレーム（１４）を半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧し、
   その結果、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、リードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、リードフレーム（１４）の側面と接触し、次いで、
   リードフレーム（１４）が半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）およびリードフレーム（１４）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
   半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）をリードフレーム（１４）上に搭載し、次いで、
   ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. ヒートシンク（１）と、
   ヒートシンク（１）の上面全体に配置された樹脂を母材とする絶縁性の第１層（２）と、
   第１層（２）上に配置された樹脂を母材とする第２層（３ａ）と、
   第２層（３ａ）上に配置されたリードフレーム（１４）と、
   リードフレーム（１４）上に配置された半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）と、
   ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止する封止用樹脂（８）とを具備する半導体装置の製造方法において、
   ヒートシンク（１）上に硬化状態の第１層（２）を形成し、次いで、
   第２層（３ａ）に印加される電圧と第２層（３ａ）を流れる電流との関係がほぼ比例関係になるように導電性フィラーを樹脂の母材に含有させることによって導電性に形成された第２層（３ａ）を、リードフレーム（１４）の下面に配置し、次いで、
   熱処理を行うことによって、第２層（３ａ）を、第１層（２）よりも硬度が低い半硬化状態にし、
   この時に、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の外縁がリードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも１ｍｍ内側に位置し、次いで、
   コイルばね（１０ｂ）によって付勢された押圧部材（１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”）によって、半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面に形成されたリードフレーム（１４）を第１層（２）に対して押圧し、
   その結果、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置する半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の厚さが２分の１程度になり、それにより、リードフレーム（１４）の下面の下側に位置していた半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）の一部が、リードフレーム（１４）の外縁（１４ａ’）よりも外側に流れ出て上側に盛り上がり、リードフレーム（１４）の側面と接触し、次いで、
   半硬化状態の導電性の第２層（３ａ）が下面に形成されたリードフレーム（１４）が第１層（２）に対して押圧せしめられている状態で、導電性の第２層（３ａ）を加熱して熱硬化させ、それにより、硬化状態の絶縁性の第１層（２）およびリードフレーム（１４）に対する第２層（３ａ）の接合強度を増加させ、次いで、
   半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）をリードフレーム（１４）上に搭載し、次いで、
   ヒートシンク（１）の下面およびリードフレーム（１４）の一部が露出するように封止用樹脂（８）によって半導体素子（５ａ，５ｂ，５ｃ）を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. リードフレーム（１４）の下面に対して第２層（３ａ）を接合する前に、リードフレーム（１４）の下面に対して平行に延びる多数の微小溝をリードフレーム（１４）の下面に形成し、次いで、微小溝の凹部の両側の凸部の頂部をプレス加工によって潰すことにより、微小溝の凹部をアンダーカット形状に形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
8. プレス加工によって潰されるストロークが大きい部分と、プレス加工によって潰されるストロークが小さい部分とをリードフレーム（１４）の下面に設けることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

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