JP5011359B2 - アラインメントマーク配置 - Google Patents
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
12 第一アラインメントパターン
14 第一ストライプ
15 反射層
16 第二アラインメントパターン
17 第1材料層
18 第二ストライプ
20 基板
21 第2材料層
Claims (9)
- アラインメントマーク配置であって、
基板上にある複数の互いに平行な第一ストライプを含み、各第一ストライプは第一サイズを有する第一アラインメントパターンと、
前記第一アラインメントパターンの真上に設けられ、前記第一アラインメントパターンと重なる、複数の互いに平行な第二ストライプを含み、各第二ストライプは、前記第一アラインメントパターンの前記各第一ストライプの前記第一サイズより大きい第二サイズを有する第二アラインメントパターンとを含み、
前記各第一ストライプ及び前記各第二ストライプは長方形であり、前記各第一ストライプは第一幅を有し、前記各第二ストライプは第一幅より大きい第二幅を有し、
前記第二ストライプは反射材料を含み、
前記第二ストライプは第一材料層に直接形成されており、
前記第一材料層は実質的に透明であり、
前記各第一ストライプは反射層により被覆され、反射層は基板の表面に広がっており、
前記反射層の表面と前記各第二ストライプの表面との間に、ステップ高さが設けられている、アラインメントマーク配置。 - 前記第一幅は1.2μmであり、前記第二幅は1.6μmである、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記各第二ストライプは第二エッジを含み、前記第一ストライプは第二エッジから離れている第一エッジを含む、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記第一エッジと前記第二エッジとは200nm以上の距離で離間している、請求項3に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記反射材料は、ポリシリコン、金属、炭素、金属シリサイド、及び窒化シリコンからなる群から選ばれる、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記第二ストライプは、前記第一材料層の上にある第二材料層の中に形成されたトレンチパターンである、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記第二ストライプは前記第一材料層の上に形成された突起である、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記反射層は、ポリシリコン、金属、炭素、金属シリサイド、及び窒化シリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種類の材料で形成されている、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
- 前記第一材料層は酸化シリコンを含む、請求項1に記載のアラインメントマーク配置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/478,778 | 2009-06-05 | ||
US12/478,778 US8164753B2 (en) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | Alignment mark arrangement and alignment mark structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283321A JP2010283321A (ja) | 2010-12-16 |
JP5011359B2 true JP5011359B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=43049403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009198310A Active JP5011359B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-08-28 | アラインメントマーク配置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8164753B2 (ja) |
JP (1) | JP5011359B2 (ja) |
CN (1) | CN101908526B (ja) |
DE (1) | DE102009039128B4 (ja) |
TW (1) | TWI389286B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013066300A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Intel Corporation | A getter reticle |
TWI573504B (zh) * | 2013-10-16 | 2017-03-01 | Adv Flexible Circuits Co Ltd | The optical positioning structure of the circuit substrate |
CN103904060B (zh) * | 2014-04-01 | 2016-08-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft lcd阵列对位标记设计及制造方法 |
CN106033482B (zh) * | 2015-03-18 | 2021-03-16 | 联华电子股份有限公司 | 产生布局图案的方法 |
CN104810312B (zh) * | 2015-05-21 | 2017-12-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 栅极层上的对位标记的制作方法 |
US11581264B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-02-14 | Micron Technology, Inc. | Electronic devices comprising overlay marks, memory devices comprising overlay marks, and related methods |
CN113296354B (zh) * | 2020-02-22 | 2023-04-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0116953A2 (en) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi, Ltd. | Alignment apparatus |
JP2000252190A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置のアライメントマーク |
JP3503888B2 (ja) | 2000-09-01 | 2004-03-08 | 沖電気工業株式会社 | アライメントマーク及びその形成方法 |
CN100476599C (zh) * | 2002-09-20 | 2009-04-08 | Asml荷兰有限公司 | 光刻标记结构、包含该光刻标记结构的光刻投射装置和利用该光刻标记结构进行基片对准的方法 |
US7193715B2 (en) * | 2002-11-14 | 2007-03-20 | Tokyo Electron Limited | Measurement of overlay using diffraction gratings when overlay exceeds the grating period |
US7288836B2 (en) | 2005-08-29 | 2007-10-30 | United Microelectronics Corp. | Stacked alignment mark and method for manufacturing thereof |
JP4967904B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4897006B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
-
2009
- 2009-06-05 US US12/478,778 patent/US8164753B2/en active Active
- 2009-08-14 TW TW098127377A patent/TWI389286B/zh active
- 2009-08-27 DE DE102009039128.2A patent/DE102009039128B4/de active Active
- 2009-08-28 CN CN2009101666926A patent/CN101908526B/zh active Active
- 2009-08-28 JP JP2009198310A patent/JP5011359B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102009039128A1 (de) | 2010-12-09 |
CN101908526A (zh) | 2010-12-08 |
JP2010283321A (ja) | 2010-12-16 |
TWI389286B (zh) | 2013-03-11 |
TW201044539A (en) | 2010-12-16 |
DE102009039128B4 (de) | 2018-05-30 |
US8164753B2 (en) | 2012-04-24 |
US20100309470A1 (en) | 2010-12-09 |
CN101908526B (zh) | 2013-06-26 |
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