JP5010497B2 - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents
発光ダイオードパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5010497B2 JP5010497B2 JP2008035264A JP2008035264A JP5010497B2 JP 5010497 B2 JP5010497 B2 JP 5010497B2 JP 2008035264 A JP2008035264 A JP 2008035264A JP 2008035264 A JP2008035264 A JP 2008035264A JP 5010497 B2 JP5010497 B2 JP 5010497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- light emitting
- mixing material
- mixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 44
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000011022 opal Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
RGB(レッド、グリーン、ブルー)発光ダイオードパッケージにおいて、素子が装着または搭載されるレフレクター上に配されたレッド、グリーン及びブルーの発光ダイオードチップと、上記各発光ダイオードチップから放出される光が均一に混合されるよう光の散乱を促す光混合物質及びレジン充填剤とを具備し、上記光混合物質とレジン充填剤は混合された形態でパッケージ内にダイオードチップ上面側を被覆するよう配され、ここで上記光混合物質はレジン充填剤内に均一に分散された形態で存在することを特徴とするRGB発光ダイオードパッケージが設けられる。
本発明者はRGB発光ダイオードパッケージにおいて、レジン系またはオパール系光混合物質(散乱剤ともいう)をレジン充填剤と共にパッケージ内に均一に分散させると発光ダイオードから放出される光を効果的に散乱させられ、これに応じて短距離でも均一な色混合が可能になることに想到し本発明の完成に至った。
エポキシレジンは一般に比重1.230〜1.189を有し、曲げ強度や硬度などの機械的性質が優れるものと知られている。
シリコンレジンは珪素樹脂とも呼ばれるが、シリコン樹脂の分子構造は珪素と酸素が交互に存在するシロキサン結合(Si-O結合)の形態となる珪素を骨格として、珪素にメチル基・フェニル基・ヒドロキシ基などが添加された熱可塑性合成樹脂である。
図4のように、均一に分散される上記レジン系の光混合物質は光の散乱を容易にさせ広い放射角で均一に光が発散するよう促し、各R、G及びB発光ダイオードから放出される光の経路を様々にする役目を果たす。結局、上記レジン系の光混合物質は各発光ダイオードから放出される光が均一に混合されるよう促すものである。
製造例
RGB発光ダイオードであって発光波長のピークが465nm、ガリウムニトリド(GaN)半導体構造を有するRGB発光ダイオードチップを使用する。光混合物質にはシリコンレジンまたはエポキシレジンを使用し、これを光混合物質とレジン充填剤の総重量を基準に1〜20重量%で均一に混合する。この際、上記光混合物質は混合する際液状のレジン充填剤に粉末状の光混合物質を混合し、ミキサを使用して均一に混ぜる方式で添加及び混合する。次いで、真空雰囲気下において脱ガス工程を通して気泡を除去した後、RGB発光ダイオードパッケージに分散し塗布する。塗布はディスペンシング、スクリーンプリンティングあるいは分散法等の方法が適用可能である。その後、上記レジンに適切な硬化条件において硬化させる。この際、硬化は光混合物質としてシリコンレジが使用された場合、150℃で1時間ほど施し、さらに光混合物質としてエポキシレジンが使用された場合には120〜180℃で5時間ほど施す。
下記のような条件においてコンピュータシミュレーション(Light Tools、Optical Research Associates)を通して様々な場合におけるRGB発光ダイオードの色混合性を調べた。
1)光混合物質が含有されない場合、
2)光混合物質が発光ダイオードチップ上に一定間隔を置いて層を形成した場合(パッケージ表面に光混合物質の層形成)、
3)光混合物質(3重量%添加)とレジン充填剤が混合された形態でダイオードチップ直上面側に配された場合(パッケージ内部に光混合物質分布)、及び
4)光混合物質(10重量%添加)とレジン充填剤が混合された形態でダイオードチップ直上面側に配された場合(パッケージ内部光混合物質分布);
のRGB発光ダイオード色混合性をレイトレーシングを通して調べた。
RGB光線数は各20eaにし、指向角は140°にした。光混合物質(散乱剤)の大きさは、実際の大きさは大変微細(2μm以下)なので具現が不可能なことから小さい球と仮定し材質は熱可塑性アクリル樹脂(PPMA(Polymethyl Methacrylate))とした。光混合物質の効果のみ調査するため発光ダイオード内部は空気と仮定し、表面において屈折及び反射するものは無いと仮定した。こうした光線トレーシング調査結果を図5に示した。
2 RGB発光ダイオードチップ
3 発光素子が装着または搭載されるレフレクター
4 充填剤
5 光混合物質(散乱剤)
Claims (6)
- 発光ダイオードパッケージにおいて、
レフレクター上に配された発光ダイオードチップと、
前記発光ダイオードチップから放出される光が均一に混合されるよう光の散乱を促す光混合物質及びシリコンレジン充填剤とを具備し、
前記光混合物質と前記シリコンレジン充填剤は混合された形態で前記発光ダイオードチップの上面側を被覆するよう配され、前記光混合物質は前記シリコンレジン充填剤内に均一に分散され、前記シリコンレジン充填剤と連結環を形成するメチル基を有するシリコンレジンであることを特徴とする発光ダイオードパッケージ。 - 前記発光ダイオードチップは、レッド、グリーン及びブルーの発光ダイオードチップを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記光混合物質は比重0.5〜1.8を有することを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記光混合物質は液状の前記シリコンレジン充填剤に粉末状で投入されミキサを使用して均一に混合された後、真空雰囲気において気泡を除去する方式で添加及び混合されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記光混合物質はビーズあるいは粒子形態で分散されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記ビーズあるいは粒子形態を有する光混合物質は粒径0.1〜30μmを有することを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2004-051422 | 2004-07-02 | ||
KR1020040051422A KR100616594B1 (ko) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 색 혼합성이 향상된 rgb 발광 다이오드 패키지 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004302286A Division JP2006019677A (ja) | 2004-07-02 | 2004-10-15 | 色混合性の向上されたrgb発光ダイオードパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124518A JP2008124518A (ja) | 2008-05-29 |
JP5010497B2 true JP5010497B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=35512963
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004302286A Pending JP2006019677A (ja) | 2004-07-02 | 2004-10-15 | 色混合性の向上されたrgb発光ダイオードパッケージ |
JP2008035264A Active JP5010497B2 (ja) | 2004-07-02 | 2008-02-15 | 発光ダイオードパッケージ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004302286A Pending JP2006019677A (ja) | 2004-07-02 | 2004-10-15 | 色混合性の向上されたrgb発光ダイオードパッケージ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7321137B2 (ja) |
JP (2) | JP2006019677A (ja) |
KR (1) | KR100616594B1 (ja) |
TW (1) | TWI242897B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI255566B (en) * | 2005-03-04 | 2006-05-21 | Jemitek Electronics Corp | Led |
US7950824B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-05-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting system and a color indicator part therefor |
DE102006041460A1 (de) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Vorrichtung mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip |
US20100295067A1 (en) * | 2006-10-20 | 2010-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device with collimating structure |
JP4603005B2 (ja) | 2007-03-28 | 2010-12-22 | 日本特殊陶業株式会社 | スパークプラグの製造方法 |
JP5222617B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-06-26 | 株式会社日立製作所 | 情報システム及びi/o処理方法 |
US20110006005A1 (en) * | 2009-05-18 | 2011-01-13 | Aquamarine Power Limited | Desalination system and method |
US10039933B2 (en) * | 2013-04-09 | 2018-08-07 | Michael E. Haarlander | Phototherapy device |
CN107481999A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-15 | 深圳市英唐光显技术有限公司 | 一种多晶片白光led封装结构 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01269902A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 透過型スクリーン用光拡散板 |
JPH04137570A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
JPH05240665A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-17 | Yokogawa Electric Corp | 光学式エンコーダ用光源ユニット |
JPH08262230A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 液晶表示装置のバックライト用導光体 |
JPH09148633A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-06-06 | Matsushita Electron Corp | 発光ダイオード整列光源 |
JP3373106B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2003-02-04 | 株式会社きもと | 光学フィルム |
JP3235470B2 (ja) | 1996-06-18 | 2001-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びそれを用いた発光装置 |
JP3219000B2 (ja) | 1996-12-27 | 2001-10-15 | 日亜化学工業株式会社 | Led表示器とその製造方法 |
JP3468018B2 (ja) | 1997-04-10 | 2003-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
JPH11103092A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Kikuchi Shokai:Kk | 発光装置 |
JP3690968B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2005-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその形成方法 |
JP2001085747A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2001297603A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Bridgestone Corp | 線状発光体 |
JP4066620B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 |
US6699409B2 (en) * | 2001-01-15 | 2004-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for producing dot-printless light guide plate for liquid crystal display device using norbornene copolymer |
JP4010299B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2007-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置とその形成方法 |
TW595012B (en) * | 2001-09-03 | 2004-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device |
JP2003298115A (ja) | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2004095765A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP4254214B2 (ja) | 2002-11-27 | 2009-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TW556844U (en) * | 2002-12-20 | 2003-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Lightguide plate and surface-light source |
TWI220076B (en) * | 2003-08-27 | 2004-08-01 | Au Optronics Corp | Light-emitting device |
US6881980B1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-04-19 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Package structure of light emitting diode |
-
2004
- 2004-07-02 KR KR1020040051422A patent/KR100616594B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-07 US US10/959,154 patent/US7321137B2/en active Active
- 2004-10-12 TW TW093130837A patent/TWI242897B/zh active
- 2004-10-15 JP JP2004302286A patent/JP2006019677A/ja active Pending
-
2008
- 2008-02-15 JP JP2008035264A patent/JP5010497B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060002396A (ko) | 2006-01-09 |
US7321137B2 (en) | 2008-01-22 |
TWI242897B (en) | 2005-11-01 |
JP2008124518A (ja) | 2008-05-29 |
TW200603432A (en) | 2006-01-16 |
US20060001034A1 (en) | 2006-01-05 |
KR100616594B1 (ko) | 2006-08-28 |
JP2006019677A (ja) | 2006-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5010497B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
JP5376801B2 (ja) | 少なくとも一つのカプセル化層がナノ粒子群を含む複数のカプセル化層を有する発光素子およびその形成方法 | |
KR100693463B1 (ko) | 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드 | |
US8350280B2 (en) | Light emitting diode with light conversion | |
TWI463706B (zh) | 燈泡、發光裝置及其製造方法 | |
CN102347428A (zh) | 发光器件封装 | |
US20070114558A1 (en) | LED module | |
JP2010007085A (ja) | 複合蛍光体粉末、及びこれを用いた発光装置並びに複合蛍光体粉末の製造方法 | |
US20130181243A1 (en) | Solid State Lighting Device | |
JP6546583B2 (ja) | 疎水化処理蛍光体及び発光装置 | |
TW200901502A (en) | Light emitting diode device and fabrication method thereof | |
CN107710426A (zh) | 发光装置 | |
US10533729B2 (en) | Light source with LED chip and luminophore layer | |
CN101684933B (zh) | 一种白光发光二极管封装结构及其封装方法 | |
JP2015192096A (ja) | 発光装置 | |
CN108369983B (zh) | 采用使用多种钕和氟化合物的可调滤色的led设备 | |
KR100649771B1 (ko) | 색 혼합성이 향상된 rgb 발광 다이오드 패키지 | |
CN102810537B (zh) | 白光led发光装置 | |
EP1763568A1 (en) | Wave length shifting compositions for white emitting diode systems | |
JP2007335495A (ja) | 発光体とその製造方法 | |
KR100586976B1 (ko) | 분산성 및 휘도가 향상된 발광 다이오드 패키지 | |
CN201199001Y (zh) | 360度白光发光二极管 | |
KR101456267B1 (ko) | 조명장치 | |
JP2011054987A (ja) | Ledランプ | |
JP2005135983A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080227 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120229 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120601 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5010497 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |