JP2001085747A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JP2001085747A JP25838199A JP25838199A JP2001085747A JP 2001085747 A JP2001085747 A JP 2001085747A JP 25838199 A JP25838199 A JP 25838199A JP 25838199 A JP25838199 A JP 25838199A JP 2001085747 A JP2001085747 A JP 2001085747A
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light
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Takeshi Sano
武志 佐野
Akira Shiraishi
旭 白石
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Sanken Electric Co Ltd
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Sanken Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の色むらの発生を防止し、光の指
向性を高める。 【解決手段】 基体(3, 4, 11)と、基体(3, 4, 11)に形
成された凹部(3a)に固着された半導体発光素子(2)と、
半導体発光素子(2)を被覆し且つ凹部(3a)に充填される
コーティング材(10)と、コーティング材(10)を被覆する
被覆体(8)とを備え、半導体発光素子(2)から照射された
光を他の発光波長に変換する蛍光物質を含む透光性の積
層体(12)を半導体発光素子(2)の上面又は下面に固着
し、半導体発光素子(2)から照射された光を散乱させる
光散乱剤(16)をコーティング材(10)中に混入する。これ
により、色むらが無く指向性の高い発光が得られると共
に、クラック発生を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子か
らの発光を蛍光物質によって波長変換させて装置外部に
取り出す半導体発光装置、詳細には色むらを防止し光の
指向性を向上できる半導体発光装置に属する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、窒化ガリウム系化合物半導体等
の発光素子を被覆する被覆体（封止樹脂）中に蛍光物質
を含む積層体を形成し、発光素子から放射される光の波
長が積層体によって変換され、異なる波長の光を外部に
放出する半導体発光装置は公知である。
【０００３】図７は、ダイオードチップ(2)から照射さ
れる光の波長を発光ダイオードチップ(2)の上面に形成
された積層体の蛍光体チップ(12)によって変換する従来
の発光ダイオード装置(20)の断面図を示す。図７に示す
発光ダイオード装置(20)では、一方の端部側に凹部（皿
形状の電極）(3a)及び第一のワイヤ接続部(9a)が形成さ
れたカソード側リードとしての第一の外部端子(3)と、
他の一方の端部側に第二のワイヤ接続部(9b)が形成され
たアノード側リードとしての第二の外部端子(4)と、接
着剤(13)により凹部(3a)の底面(3b)に固着された発光ダ
イオードチップ(2)と、発光ダイオードチップ(2)の上面
に接着剤(15)を介して固着された蛍光体チップ(12)と、
発光ダイオードチップ(2)に固着されたカソード電極(2
g)及びアノード電極(2f)と第一のワイヤ接続部(9a)及び
第二のワイヤ接続部(9b)との間に電気的に接続された第
一のボンディングワイヤ(5)及び第二のボンディングワ
イヤ(6)とを備える。また、蛍光体チップ(12)及び発光
ダイオードチップ(2)が配置された凹部(3a)、外部端子
(3, 4)の端部及びボンディングワイヤ(5, 6)は、透光性
の封止樹脂(8)内に封入され、封止樹脂(8)の先端にはレ
ンズ部(8a)を備えるので、封止樹脂(8)内を通過する光
がレンズ部(8a)によって集光されて指向性が高められ
る。
【０００４】発光ダイオード装置(20)の外部端子(3, 4)
間に電圧を印加して発光ダイオードチップ(2)に通電す
ると、発光ダイオードチップ(2)から光が照射される。
照射された光の内、発光ダイオードチップ(2)の上方向
に放出された光は、透光性の接着剤(15)を介して蛍光体
チップ(12)に達し、波長変換されて異なった波長の光と
なった後に蛍光体チップ(12)から放出される。この波長
変換された光は、発光ダイオードチップ(2)の横方向に
放出された波長変換されない光及び横方向に放出され凹
部(3a)の側壁(3c)で反射した波長変換されない光と混合
して、封止樹脂(8)を通して発光ダイオード装置(20)の
外部に放出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す発光ダイオ
ード装置(20)は、前記のように発光ダイオードチップ
(2)から照射されて蛍光体チップ(12)を介して異なる発
光波長に変換された光と、発光ダイオードチップ(2)か
ら照射されて蛍光体チップ(12)を介さずに波長変換され
ない光との混合された光が発光ダイオード装置(20)の外
部に放出される。このとき、実際には、波長変換された
光と波長変換されない光とが完全に混合されず、外部に
放出される光に色むらが生じて色合いが不均一になる。
【０００６】図８は、発光素子として窒化ガリウム系
（GaN）系青色発光ダイオードチップ(2)を使用し、蛍光
物質としてYAG（イットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット、化学式Y3Al5O12）蛍光体チップ(12)を使用して白
色光を発生する発光ダイオード装置（白色発光ダイオー
ド）(20)の色むらを模式的に示す。図８に示すように、
発光ダイオードチップ(2)の上面から放出された光は蛍
光体チップ(12)によって十分に波長変換されて白色又は
黄色に近い色に観測される。一方、発光ダイオードチッ
プ(2)の側面から放出された光は、蛍光体チップ(12)に
よる波長変換が不十分で青色に観測される。このため、
上方からみると、図９に示すように、黄色又は白色気味
の中央と青色気味のリング状の外周との光の色むらが発
生する。
【０００７】また、前記発光ダイオード装置(20)の封止
樹脂(8)に光散乱剤を混入することにより、波長変換さ
れた光と波長変換されない光とを封止樹脂(8)内で混合
して、色むらを防止することができる。しかしながら、
封止樹脂(8)に光散乱剤を混入すると、凹部(3a)から放
出された光が封止樹脂(8)内で光散乱剤に衝突して乱反
射するので、発光ダイオード装置(20)の先端のレンズ部
(8a)で完全に集光されず、光の指向角は大きくなり指向
性が低下する。
【０００８】本発明は、色むらの発生を防止する半導体
発光装置を提供することを目的とする。また、光の指向
性を高める半導体発光装置を提供することを目的とす
る。また、半導体発光素子を被覆するコーティング材の
熱膨張によるクラック発生を抑制することを目的とす
る。更に、半導体発光素子に加わる応力を低減し、半導
体発光素子の劣化を防ぐことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
装置は、基体(3, 4, 11)と、基体(3, 4, 11)に形成され
た凹部(3a)に固着された半導体発光素子(2)と、半導体
発光素子(2)を被覆し且つ凹部(3a)に充填されるコーテ
ィング材(10)と、コーティング材(10)を被覆する被覆体
(8)とを備える。半導体発光素子(2)から照射された光を
他の発光波長に変換する蛍光物質を含む透光性の積層体
(12)を半導体発光素子(2)の上面又は下面に固着し、半
導体発光素子(2)から照射された光を散乱させる光散乱
剤(16)をコーティング材(10)中に混入する。
【００１０】半導体発光素子(2)から照射された光が積
層体(12)及びコーティング材(10)内を通過するとき、光
散乱剤(16)により種々の方向に偏向され凹部(3a)内で散
乱光が発生し、散乱光は混合され互いに干渉するので、
被覆体(8)の発光面全面にわたり発光量が均一化され
る。また、光の散乱に加えて、蛍光物質を含む積層体(1
2)を通る光は波長変換され、更に波長変換された光と波
長変換されない光とが混合され且つ干渉する。このた
め、コーティング材(10)から外部に放出される光は、散
乱、波長変換及び混合され且つ干渉するので、被覆体
(8)の発光面全面にわたり発光色が均一化される。この
ように、被覆体(8)から放出される光量及び発光色が均
一化されるので、色むらを十分に抑制することができ
る。光の散乱、波長変換、混合及び干渉は、反射板とな
る凹部(3a)内で行われ、多量の光が凹部(3a)の内面で反
射するので、光ビームの広がりが抑制され、被覆体(8)
の頂部に向かう光量が増加して、集光性及び指向性を向
上できる。更に、コーティング材(10)中に光散乱剤(16)
を混入するので、コーティング材(10)の線膨張係数が半
導体発光素子(2)の線膨張係数に近づく。このため、半
導体発光素子(2)の点灯時の発熱によるコーティング材
(10)と半導体発光素子(2)との線膨張係数差によるコー
ティング材(10)の熱膨張が緩和され、クラックの発生を
抑制することができる。
【００１１】本発明の実施の形態では、基体(3, 4, 11)
を構成する一対の外部端子(3, 4)の一方の端部に凹部(3
a)が形成され、凹部(3a)の底面(3b)に半導体発光素子
(2)が固着され、半導体発光素子(2)の一対の電極(2f, 2
g)と前記外部端子(3, 4)の少なくとも一方とがボンディ
ングワイヤ(5, 6)で電気的に接続される。コーティング
材(10)、外部端子(3, 4)の端部及びボンディングワイヤ
(5, 6)は被覆体(8)により被覆される。光散乱剤(16)
は、珪素、アルミニウム、チタン、カルシウム及びバリ
ウムの１種又は２種以上を含む酸化物若しくは塩又は有
機顔料である。
【００１２】積層体(12)は、半導体発光素子(2)と基体
(3, 4, 11)との間又は基体(3, 4, 11)の反対側で半導体
発光素子(2)の主面に透光性の接着剤(13, 15)を介して
固着される。また、半導体発光素子(2)から照射された
光の少なくとも一部を吸収し、これよりも長い波長の光
を放出する。積層体(12)及びコーティング材(10)は蛍光
物質及び光散乱剤(16)を含んでもよい。
【００１３】コーティング材(10)は、透光性を有するポ
リメタロキサン、セラミック又は樹脂であり、特に、メ
タロキサン（metaloxane）結合を主体として形成された
ガラスである。コーティング材(10)は、光散乱剤(16)が
混入された表面層(10a)と、表面層(10a)の下方に形成さ
れ且つ光散乱剤(16)が混入されていないか又は表面層(1
0a)より光散乱剤(16)の含有量が少ない内部層(10b)とを
備える。内部層(10b)は、半導体発光素子(2)の下面を除
く全面を被覆し、表面層(10a)は内部層(10b)を介して半
導体発光素子(2)を被覆する。
【００１４】半導体発光素子(2)又は積層体(12)は、凹
部(3a)の上縁部(3d)から突出しない。半導体発光素子
(2)は、接着剤(13)を介して又は積層体(12)及び接着剤
(13, 15)を介して凹部(3a)の底部(3b)に固着される。半
導体発光素子(2)は、３６５〜５５０nmの光波長で発光
し、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子から成る。
【００１５】半導体発光素子(2)から照射される光に対
して透光性を有するバインダとバインダ内に混合され且
つ半導体発光素子(2)から照射される光を吸収して他の
発光波長に変換する蛍光物質とを含む蛍光バインダ層(1
2)を介して、半導体発光素子(2)を凹部(3a)の底部(3b)
に固着する。
【００１６】基体(3, 4, 11)を構成する絶縁性基板(11)
の一方の主面に凹部(3a)が形成され、凹部(3a)に半導体
発光素子(2)が固着され、半導体発光素子(2)の一対の電
極(2f, 2g)は、絶縁性基板(11)の一方の主面に沿って互
いに反対方向に延びる一対の外部端子(3, 4)に電気的に
接続される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体発光装
置の実施の形態を図１〜図６について説明する。
【００１８】図１に示すように、本実施の形態による発
光ダイオード装置(1)は、基体を構成する第一の外部端
子(3)及び第二の外部端子(4)と、第一の外部端子(3)に
形成された凹部(3a)に固着された半導体発光素子である
発光ダイオードチップ(2)と、発光ダイオードチップ(2)
を被覆し且つ凹部(3a)に充填されるコーティング材(10)
と、コーティング材(10)を被覆する被覆体の封止樹脂
(8)とを備える。また、発光ダイオードチップ(2)の上面
に固着され且つ発光ダイオードチップ(2)から照射され
た光を他の発光波長に変換する蛍光物質を含む透光性の
積層体を構成する蛍光体チップ(12)と、コーティング材
(10)中に混入され且つ発光ダイオードチップ(2)から照
射された光を散乱させる光散乱剤(16)とを有する。蛍光
体チップ(12)は蛍光物質を含む光透過性の結晶体、焼成
体、樹脂等の混合無機材料、混合有機材料又は混合無機
有機材料によって構成された固体の小片である。蛍光体
チップ(12)を固体の小片で形成することにより、発光ダ
イオード装置を容易に製造することができる。
【００１９】発光ダイオードチップ(2)は３６５〜５５
０nmの波長で発光させる窒化ガリウム（GaN）系化合物
半導体から成る。本実施の形態では、発光ダイオードチ
ップ(2)に発光波長のピークが約４４０〜４７０nmのGaN
系の青色発光ダイオードチップ(2)を使用する。蛍光体
チップ(12)は付活剤としてセリウムを適量添加したYAG
（イットリウム・アルミニウム・ガーネット、化学式Y3
Al5O12、励起波長のピーク約４５０nm、発光波長のピー
ク約５４０nmの黄緑色光）の単結晶又は焼結体を使用す
る。これにより、発光ダイオードチップ(2)の発光波長
とYAG蛍光体の励起波長とがほぼ一致するため効率良く
波長変換が行なわれる。蛍光体チップ(12)の発光スペク
トル分布をシフトさせて発光ダイオード装置(1)の発光
を更に所望の色調に調整するときは、YAG蛍光体の結晶
構造を一部変更すればよい。例えばガリウム又は／及び
ルテチウムを適量添加すれば短波長側にシフトし、ガド
リニウム等を適量添加すれば長波長側にシフトする。
【００２０】発光ダイオードチップ(2)の下面及び上面
は、接着剤(13, 15)を介して凹部(3a)の底面(3b)及び蛍
光体チップ(12)の下面にそれぞれ固着される。接着剤(1
3, 15)は、無機材料を含有する接着性樹脂を使用する。
エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂が好ましく、接着性樹
脂に混合する無機材料は、銀、アルミニウム、酸化チタ
ン、シリカ等が好ましい。また、ポリメタロキサン又は
セラミックから成る接着剤(13, 15)を使用すれば、接着
性樹脂の劣化、変色及び劣化変色に伴う光吸収を防止で
きる。
【００２１】発光ダイオードチップ(2)の上面には一対
の電極(2f, 2g)が接続され、電極(2f, 2g)と外部端子
(3, 4)の端部のワイヤ接続部(9a, 9b)との間に、ボンデ
ィングワイヤ(5, 6)が電気的に接続される。接続は周知
のワイヤボンディング法により容易に行うことができ
る。凹部(3a)の深さは、発光ダイオードチップ(2)と蛍
光体チップ(12)とを重ねた高さよりも大きく、蛍光体チ
ップ(12)の上面は凹部(3a)の上縁部(3d)より上方には突
出しない。凹部(3a)は、第一の外部端子(3)の端部を長
さ方向に押し潰して形成される。
【００２２】凹部(3a)の内側に配置された発光ダイオー
ドチップ(2)と蛍光体チップ(12)と共に、凹部(3a)には
コーティング材(10)が充填される。コーティング材(10)
は、透光性を有するポリメタロキサンゲル、セラミック
又はエポキシ等の樹脂である。ポリメタロキサンゲルは
メタロキサン結合を有し、金属アルコキシドをゾル・ゲ
ル法により加水分解重合して成るポリメタロキサンゾル
を固化して形成される。ポリメタロキサンゲルは、耐紫
外線特性に優れ高温環境下又は紫外線下でも実質的に黄
変・着色を生じない。このため、コーティング材(10)
は、発光ダイオードチップ(2)から生ずる短波長の光が
比較的長時間照射されても、また発光ダイオードチップ
(2)の通電による発熱で温度上昇が生じても、発光ダイ
オードチップ(2)からの発光を減衰させる黄変・着色が
発生しない。
【００２３】コーティング材(10)中には、発光ダイオー
ドチップ(2)から照射された光を散乱させる光散乱剤(1
6)を含有させる。光散乱剤(16)は、珪素、アルミニウ
ム、チタン、カルシウム及びバリウム等の無機物の１種
又は２種以上を含む酸化物若しくは塩又は有機顔料を使
用する。光散乱剤(16)を含むコーティング材(10)は、光
散乱剤(16)を分散させたコーティング材形成溶液を塗布
機（図示せず）で凹部(3a)内に供給するディスペンサ塗
布法又は光散乱剤(16)を分散させたコーティング材形成
溶液に凹部(3a)を浸漬するディップ法により形成され
る。コーティング材(10)、外部端子(3, 4)の端部及びボ
ンディングワイヤ(5, 6)は、先端にレンズ部(8a)を備え
且つエポキシ樹脂からなる封止樹脂(8)に被覆される。
封止樹脂(8)は周知のポッティング法又はトランスファ
モールド法により形成される。
【００２４】図１に示す発光ダイオード装置(1)の外部
端子(3, 4)間に電圧を印加して発光ダイオードチップ
(2)を発光させると、発光ダイオードチップ(2)から放出
された光の一部は、蛍光体チップ(12)の蛍光物質によっ
てその発光波長と異なる波長に変換され、蛍光体チップ
(12)の外部に放出される。一方、発光ダイオードチップ
(2)から放出された光で蛍光体チップ(12)を通過しない
光は、波長変換されない。波長変換されない光と波長変
換された光とは、コーティング材(10)中に混入された光
散乱剤(16)に衝突して種々の方向に乱反射するので、凹
部(3a)内でよく混合され互いに干渉する。凹部(3a)内で
混合された光は、発光ダイオードチップ(2)の青色光と
蛍光体チップ(12)の黄色光とが混色された白色光とな
り、封止樹脂(8)内に入射され、乱反射せずに封止樹脂
(8)のレンズ部(8a)で集光されて発光ダイオード装置(1)
の外部に放出される。
【００２５】以上より、本実施形態による発光ダイオー
ド装置(1)は、発光ダイオードチップ(2)から照射された
光が蛍光体チップ(12)及びコーティング材(10)内を通過
するとき、光散乱剤(16)により偏向され凹部(3a)内で散
乱光が発生し、散乱光は混合され互いに干渉するので、
封止樹脂(8)の発光面全面にわたり発光量が均一化され
る。また、蛍光体チップ(12)を通る光は波長変換され、
更に波長変換された光と波長変換されない光とが混合さ
れ且つ干渉する。このため、コーティング材(10)から外
部に放出される光は、散乱、波長変換及び混合され且つ
干渉するので、封止樹脂(8)の発光面全面にわたり発光
色が均一化される。このように、封止樹脂(8)から放出
される光量及び発光色が均一化されるので、色むらを十
分に抑制できる。光の散乱、波長変換、混合及び干渉
は、反射板となる凹部(3a)内で行われ、多量の光が凹部
(3a)の内面で反射するので、光ビームの広がりが抑制さ
れ、封止樹脂(8)のレンズ部(8b)に向かう光量が増加し
て、集光性及び指向性を向上できる。更に、コーティン
グ材(10)中に光散乱剤(16)を混入するので、コーティン
グ材(10)の線膨張係数が発光ダイオードチップ(2)の線
膨張係数に近づく。このため、発光ダイオードチップ
(2)の点灯時の発熱によるコーティング材(10)と発光ダ
イオードチップ(2)との線膨張係数差によるコーティン
グ材(10)の熱膨張が緩和され、クラックの発生を抑制す
る。
【００２６】前記実施の形態は変更が可能である。例え
ば、前記実施の形態では、発光ダイオードチップ(2)の
上面に蛍光体チップ(12)を固着した発光ダイオード装置
(1)を示したが、図２に示すように、発光ダイオードチ
ップ(2)の下面と凹部(3a)の底面(3b)との間に蛍光体チ
ップ(12)を固着してもよい。また、図３に示すように、
透光性を有するバインダとバインダ内に混合され且つ発
光ダイオードチップ(2)から照射された光を吸収して他
の発光波長に変換する蛍光物質とを含む蛍光バインダ層
(12)を介して、発光ダイオードチップ(2)を凹部(3a)の
底部(3b)に固着してもよい。
【００２７】前記実施の形態では光散乱剤(16)をコーテ
ィング材(10)に均一に分散させた発光ダイオード装置
(1)を示したが、図４に示すように、光散乱剤(16)が混
入された表面層(10a)と、表面層(10a)の下方に形成され
且つ光散乱剤(16)が混入されていないか又は表面層(10
a)より光散乱剤(16)の含有量が少ない内部層(10b)とか
ら成るコーティング材(10)を形成してもよい。このと
き、内部層(10b)は、発光ダイオードチップ(2)の下面を
除く全面を被覆し、表面層(10a)は内部層(10b)を介して
発光ダイオードチップ(2)を被覆する。
【００２８】また、前記実施の形態では、基体を構成す
る第一の外部端子(3)に凹部(3a)が形成されているが、
基体を構成する絶縁性基板(11)の一方の主面に凹部(3a)
を形成してもよい。図５に示すように、凹部(3a)には発
光ダイオードチップ(2)が固着され、発光ダイオードチ
ップ(2)の一対の電極(2f, 2g)は、絶縁性基板(11)の一
方の主面に沿って互いに反対方向に延びる一対の外部端
子(3, 4)にボンディングワイヤ(5, 6)を介して電気的に
接続される。また、図６に示すように、ボンディングワ
イヤ(5, 6)を介さずに一対の電極(2f, 2g)を直接外部端
子(3, 4)に接続してもよい。
【００２９】図２〜図６に示す実施の形態は、図１に示
す実施の形態とほぼ同一の作用効果が得られる。また、
蛍光物質と光散乱剤(16)とを蛍光体チップ(12)及びコー
ティング材(10)の一方又は両方に含有させてもほぼ同一
の作用効果が得られる。
【００３０】
【発明の効果】本発明では、コーティング材に光散乱剤
を含有させるので、均一で色むらの無い発光が得られ、
指向性及び集光性が高く良好な発光特性が得られる。ま
た、コーティング材のクラック発生を抑制して、信頼性
の高い半導体発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による半導体発光装置の断面図
【図２】 本発明による第２の実施の形態を示す部分拡
大断面図
【図３】 本発明による第３の実施の形態を示す部分拡
大断面図
【図４】 本発明による第４の実施の形態を示す部分拡
大断面図
【図５】 本発明による第５の実施の形態を示す部分拡
大断面図
【図６】 本発明による第６の実施の形態を示す部分拡
大断面図
【図７】 従来の半導体発光装置の断面図
【図８】 図７の半導体発光装置の部分拡大断面図
【図９】 図７の半導体発光装置を点灯させた状態を示
す平面図
【符号の説明】
(1)・・半導体発光装置（発光ダイオード装置）、 (2)
・・半導体発光素子（発光ダイオードチップ）、 (2f,
2g)・・電極、 (3, 4)・・外部端子、 (3a)・・凹
部、 (3b)・・底部、 (3c)・・側壁、 (3d)・・上縁
部、 (5, 6)・・ボンディングワイヤ、 (8)・・被覆
体（封止樹脂）、 (9a, 9b)・・ワイヤ接続部、 (10)
・・コーティング材、 (10a)・・表面層、 (10b)・・
内部層、(11)・・絶縁性基板、 (12)・・積層体（蛍光
体チップ）、 (13, 15)・・接着剤、 (16)・・光散乱
剤、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｊ 11/00 Ｃ０９Ｊ 11/00 201/00 201/00 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ 23/31 Ｂ Ｆターム(参考） 4J038 AA011 HA206 HA216 HA306 HA446 HA481 HA561 KA08 KA12 NA01 NA03 NA17 NA19 PB09 4J040 EC001 EK031 HA066 HA136 HA306 KA35 KA42 LA07 LA10 NA17 NA20 4M109 AA02 BA01 BA03 CA05 CA07 CA21 EA02 EC11 ED02 ED05 EE12 EE15 GA01 5F041 AA06 AA14 CA40 DA07 DA43 DA46 DA47 EE25

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体と、該基体に形成された凹部に固着
    された半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆し且
    つ前記凹部に充填されるコーティング材と、該コーティ
    ング材を被覆する被覆体とを備える半導体発光装置にお
    いて、 前記半導体発光素子から照射された光を他の発光波長に
    変換する蛍光物質を含む透光性の積層体を前記半導体発
    光素子の上面又は下面に固着し、 前記半導体発光素子から照射された光を散乱させる光散
    乱剤を前記コーティング材中に混入したことを特徴とす
    る半導体発光装置。
  2. 【請求項２】 前記基体を構成する一対の外部端子の一
    方の端部に凹部が形成され、該凹部の底面に前記半導体
    発光素子が固着され、該半導体発光素子の一対の電極と
    前記一対の外部端子の少なくとも一方とがボンディング
    ワイヤで電気的に接続された請求項１に記載の半導体発
    光装置。
  3. 【請求項３】 前記コーティング材、外部端子の端部及
    びボンディングワイヤを前記被覆体により被覆する請求
    項１又は２に記載の半導体発光装置。
  4. 【請求項４】 前記光散乱剤は、珪素、アルミニウム、
    チタン、カルシウム及びバリウムの１種又は２種以上を
    含む酸化物若しくは塩又は有機顔料である請求項１〜３
    の何れか１項に記載の半導体発光装置。
  5. 【請求項５】 前記積層体は、前記半導体発光素子と前
    記基体との間又は前記基体の反対側で前記半導体発光素
    子の主面に透光性の接着剤を介して固着された請求項１
    〜４の何れか１項に記載の半導体発光装置。
  6. 【請求項６】 前記積層体は、前記半導体発光素子から
    照射された光の少なくとも一部を吸収し、これよりも長
    い波長の光を放出する請求項１〜５の何れか１項に記載
    の半導体発光装置。
  7. 【請求項７】 前記積層体は前記蛍光物質及び光散乱剤
    を含む請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体発光装
    置。
  8. 【請求項８】 前記コーティング材は前記光散乱剤及び
    蛍光物質を含む請求項１〜７の何れか１項に記載の半導
    体発光装置。
  9. 【請求項９】 前記コーティング材は、透光性を有する
    ポリメタロキサン、セラミック又は樹脂である請求項１
    〜８の何れか１項に記載の半導体発光装置。
  10. 【請求項１０】 前記コーティング材は、メタロキサン
    （metaloxane）結合を主体として形成されたガラスであ
    る請求項９に記載の半導体発光装置。
  11. 【請求項１１】 前記コーティング材は、前記光散乱剤
    が混入された表面層と、該表面層の下方に形成され且つ
    前記光散乱剤が混入されていないか又は前記表面層より
    前記光散乱剤の含有量が少ない内部層とを備える請求項
    １〜１０の何れか１項に記載の半導体発光装置。
  12. 【請求項１２】 前記コーティング材の前記内部層は、
    前記半導体発光素子の下面を除く全面を被覆し、前記表
    面層は前記内部層を介して前記半導体発光素子を被覆す
    る請求項１１に記載の半導体発光装置。
  13. 【請求項１３】 前記半導体発光素子又は積層体は、前
    記凹部の上縁部から突出しない請求項１〜１２の何れか
    １項に記載の半導体発光装置。
  14. 【請求項１４】 前記半導体発光素子は、前記接着剤を
    介して又は前記積層体及び接着剤を介して前記凹部の底
    部に固着される請求項１〜１３の何れか１項に記載の半
    導体発光装置。
  15. 【請求項１５】 前記半導体発光素子は、３６５〜５５
    ０nmの光波長で発光する請求項１〜１４の何れか１項に
    記載の半導体発光装置。
  16. 【請求項１６】 前記半導体発光素子は、窒化ガリウム
    系化合物半導体発光素子から成る請求項１〜１５の何れ
    か１項に記載の半導体発光装置。
  17. 【請求項１７】 前記半導体発光素子から照射される光
    に対して透光性を有するバインダと該バインダ内に混合
    され且つ前記半導体発光素子から照射される光を吸収し
    て他の発光波長に変換する蛍光物質とを含む蛍光バイン
    ダ層を介して、前記半導体発光素子を前記凹部の底部に
    固着する請求項１〜１６の何れか１項に記載の半導体発
    光装置。
  18. 【請求項１８】 前記基体を構成する絶縁性基板の一方
    の主面に凹部が形成され、該凹部に前記半導体発光素子
    が固着され、前記半導体発光素子の一対の電極は、前記
    絶縁性基板の一方の主面に沿って互いに反対方向に延び
    る一対の外部端子に電気的に接続された請求項１に記載
    の半導体発光装置。
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