JP2002134790A - 半導体発光装置及びその製法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光装置の耐環境性及び演色性を向上
する。 【解決手段】 一対の配線導体(3, 4)と、一対の配線導
体(3, 4)の一方の端部に固着された半導体発光素子(2)
と、半導体発光素子(2)を被覆する光透過性のメタロキ
サンゲル層(10)とを備え、メタロキサンゲル層(10)は、
半導体発光素子(2)から照射される青色光に対して光透
過性を有し、且つ半導体発光素子(2)から照射される青
色光を吸収して黄色光に変換する蛍光体(10a)を含み、
且つ金属アルコキシドの加水分解重合により得られたメ
タロキサンゾル又は金属アルコキシドと有機樹脂との無
機・有機複合体の加水分解重合により得られたメタロキ
サンゾル又はセラミック前駆体ポリマーから成るメタロ
キサンゾルによって形成されると共に、半導体発光素子
(2)と配線導体(3, 4)とを強固に密着し、蛍光体(10a)
は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prwで
表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦
ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５である。
する。 【解決手段】 一対の配線導体(3, 4)と、一対の配線導
体(3, 4)の一方の端部に固着された半導体発光素子(2)
と、半導体発光素子(2)を被覆する光透過性のメタロキ
サンゲル層(10)とを備え、メタロキサンゲル層(10)は、
半導体発光素子(2)から照射される青色光に対して光透
過性を有し、且つ半導体発光素子(2)から照射される青
色光を吸収して黄色光に変換する蛍光体(10a)を含み、
且つ金属アルコキシドの加水分解重合により得られたメ
タロキサンゾル又は金属アルコキシドと有機樹脂との無
機・有機複合体の加水分解重合により得られたメタロキ
サンゾル又はセラミック前駆体ポリマーから成るメタロ
キサンゾルによって形成されると共に、半導体発光素子
(2)と配線導体(3, 4)とを強固に密着し、蛍光体(10a)
は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prwで
表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦
ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置、
特に半導体発光素子から照射される光を波長変換して外
部に放出する半導体発光装置及びその製法に属する。
特に半導体発光素子から照射される光を波長変換して外
部に放出する半導体発光装置及びその製法に属する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、半導体発光素子(2)から照射さ
れる光の波長を蛍光体(15a)によって変換する従来の半
導体発光装置の断面図を示す。図９に示す半導体発光装
置(30)では、カソード側リードである配線導体(3)のカ
ップ部(3a)の底部(3b)に半導体発光素子(2)が固着さ
れ、ボンディングワイヤ(5)により半導体発光素子(2)の
カソード側の電極(2a)が配線導体(3)の上端部(9a)に接
続される。また、半導体発光素子(2)のアノード側の電
極(2b)はボンディングワイヤ(6)によりアノード側リー
ドである配線導体(4)の上端部(9b)に接続される。カッ
プ部(3a)に固着された半導体発光素子(2)は、カップ部
(3a)内に充填され且つ蛍光体(15a)が混入された光透過
性の保護樹脂層(15)により被覆される。半導体発光素子
(2)、カソード側の配線導体(3)のカップ部(3a)及び上端
部(9a)、アノード側の配線導体(4)の上端部(9b)、ボン
ディングワイヤ(5, 6)は、更に光透過性の封止樹脂(8)
内に封入される。
れる光の波長を蛍光体(15a)によって変換する従来の半
導体発光装置の断面図を示す。図９に示す半導体発光装
置(30)では、カソード側リードである配線導体(3)のカ
ップ部(3a)の底部(3b)に半導体発光素子(2)が固着さ
れ、ボンディングワイヤ(5)により半導体発光素子(2)の
カソード側の電極(2a)が配線導体(3)の上端部(9a)に接
続される。また、半導体発光素子(2)のアノード側の電
極(2b)はボンディングワイヤ(6)によりアノード側リー
ドである配線導体(4)の上端部(9b)に接続される。カッ
プ部(3a)に固着された半導体発光素子(2)は、カップ部
(3a)内に充填され且つ蛍光体(15a)が混入された光透過
性の保護樹脂層(15)により被覆される。半導体発光素子
(2)、カソード側の配線導体(3)のカップ部(3a)及び上端
部(9a)、アノード側の配線導体(4)の上端部(9b)、ボン
ディングワイヤ(5, 6)は、更に光透過性の封止樹脂(8)
内に封入される。
【０００３】半導体発光装置(30)のカソード側の配線導
体(3)とアノード側の配線導体(4)との間に電圧を印加
し、半導体発光素子(2)に通電すると、半導体発光素子
(2)から照射される光は、保護樹脂層(15)内を通りカッ
プ部(3a)内の傾斜面(3c)で反射した後に、透明な封止樹
脂(8)を通り半導体発光装置(30)の外部に放出される。
また、半導体発光素子(2)の上面から放射されてカップ
部(3a)の傾斜面(3c)で反射されずに直接に保護樹脂層(1
5)及び封止樹脂(8)を通って半導体発光装置(30)の外部
に放出される光もある。封止樹脂(8)の先端には半球状
のレンズ部(8a)が形成され、封止樹脂(8)内を通過する
光は、レンズ部(8a)によって集光されて指向性が高めら
れる。半導体発光素子(2)の発光時に、半導体発光素子
(2)から照射される光は保護樹脂層(15)内に混入された
蛍光体(15a)によって異なる波長に変換されて放出され
る。この結果、半導体発光素子(2)から照射された光と
は異なる波長の光が半導体発光装置(30)から放出され
る。
体(3)とアノード側の配線導体(4)との間に電圧を印加
し、半導体発光素子(2)に通電すると、半導体発光素子
(2)から照射される光は、保護樹脂層(15)内を通りカッ
プ部(3a)内の傾斜面(3c)で反射した後に、透明な封止樹
脂(8)を通り半導体発光装置(30)の外部に放出される。
また、半導体発光素子(2)の上面から放射されてカップ
部(3a)の傾斜面(3c)で反射されずに直接に保護樹脂層(1
5)及び封止樹脂(8)を通って半導体発光装置(30)の外部
に放出される光もある。封止樹脂(8)の先端には半球状
のレンズ部(8a)が形成され、封止樹脂(8)内を通過する
光は、レンズ部(8a)によって集光されて指向性が高めら
れる。半導体発光素子(2)の発光時に、半導体発光素子
(2)から照射される光は保護樹脂層(15)内に混入された
蛍光体(15a)によって異なる波長に変換されて放出され
る。この結果、半導体発光素子(2)から照射された光と
は異なる波長の光が半導体発光装置(30)から放出され
る。
【０００４】半導体発光装置を白色系の光源として利用
する場合には、例えば特許第２９２７２７９号公報に記
載のように、半導体発光素子の青色光を発する窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子とし、蛍光体を青色光で励
起され黄色光を発するイットリウム（Y）・アルミニウ
ム（Al）・ガーネット（YAG）系蛍光体とし、半導体発
光素子の発光と蛍光体の発光との混色によって白色光を
得る構成が知られている。この特許第２９２７２７９号
公報に記載の半導体発光装置は、カップ部内に窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子と、この半導体発光素子の
発光により励起されて発光するイットリウム（Y）・ア
ルミニウム（Al）・ガーネット（YAG）系蛍光体である
(R1-x,Smx)3(AlyGa1-y)5O：Ceの蛍光体（RがY及びGdの
うち少なくとも何れか１つの元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ
≦１）を含有しカップ内に充填又は層状に設けられた透
明樹脂とを備えている。
する場合には、例えば特許第２９２７２７９号公報に記
載のように、半導体発光素子の青色光を発する窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子とし、蛍光体を青色光で励
起され黄色光を発するイットリウム（Y）・アルミニウ
ム（Al）・ガーネット（YAG）系蛍光体とし、半導体発
光素子の発光と蛍光体の発光との混色によって白色光を
得る構成が知られている。この特許第２９２７２７９号
公報に記載の半導体発光装置は、カップ部内に窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子と、この半導体発光素子の
発光により励起されて発光するイットリウム（Y）・ア
ルミニウム（Al）・ガーネット（YAG）系蛍光体である
(R1-x,Smx)3(AlyGa1-y)5O：Ceの蛍光体（RがY及びGdの
うち少なくとも何れか１つの元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ
≦１）を含有しカップ内に充填又は層状に設けられた透
明樹脂とを備えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】(R1-x,Smx)3(AlyG
a1-y)5O：Ce（RがY及びGdのうち少なくとも何れか１つ
の元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表される蛍光体(1
5a)を含有する保護樹脂層(15)で半導体発光素子(2)を包
囲し、更に全体を封止樹脂(8)で包囲する従来の半導体
発光装置(30)では、実用上種々の問題が生ずる。
a1-y)5O：Ce（RがY及びGdのうち少なくとも何れか１つ
の元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表される蛍光体(1
5a)を含有する保護樹脂層(15)で半導体発光素子(2)を包
囲し、更に全体を封止樹脂(8)で包囲する従来の半導体
発光装置(30)では、実用上種々の問題が生ずる。
【０００６】第１の問題は、保護樹脂層(15)及び封止樹
脂(8)の耐環境性が十分でないため、半導体発光素子(2)
が劣化する。一般に樹脂は水分を透過させるため、半導
体発光装置(30)が高湿度の雰囲気中に放置されると、時
間の経過と共に樹脂の内部に水分が浸透する。この場
合、ナトリウム又は塩素等の有害な不純物イオンも水分
と共に樹脂を透過し、半導体発光素子(2)の表面に到達
する結果、半導体発光素子(2)の表面リーク電流を増加
させるなど、半導体発光素子(2)の特性に有害な影響を
与える。従って、清浄な環境で製造された半導体発光装
置(30)でも、高湿度の雰囲気中に放置すると、有害な不
純物イオンが樹脂の内部に次第に浸透して半導体発光素
子(2)の電気的特性が劣化する難点がある。
脂(8)の耐環境性が十分でないため、半導体発光素子(2)
が劣化する。一般に樹脂は水分を透過させるため、半導
体発光装置(30)が高湿度の雰囲気中に放置されると、時
間の経過と共に樹脂の内部に水分が浸透する。この場
合、ナトリウム又は塩素等の有害な不純物イオンも水分
と共に樹脂を透過し、半導体発光素子(2)の表面に到達
する結果、半導体発光素子(2)の表面リーク電流を増加
させるなど、半導体発光素子(2)の特性に有害な影響を
与える。従って、清浄な環境で製造された半導体発光装
置(30)でも、高湿度の雰囲気中に放置すると、有害な不
純物イオンが樹脂の内部に次第に浸透して半導体発光素
子(2)の電気的特性が劣化する難点がある。
【０００７】第２の問題は、半導体発光素子(2)から発
生する青色光によって保護樹脂層(15)が劣化することで
ある。一般に、炭素、水素、酸素、窒素等の元素が網目
状に結合した有機高分子化合物によって構成される保護
樹脂層(15)は、エネルギーの大きな光（即ち、波長の短
い光）が照射されると、有機高分子の繋ぎ目が切断さ
れ、各種の光学的特性及び化学的特性が劣化することが
知られている。青色光を発する窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子は、黄緑色光や赤色光を発するGaP系やGaA
lAs系、GaAlInP系化合物半導体発光素子よりも発光波長
が短いため、保護樹脂層(15)は光強度の強い半導体発光
素子(2)の周囲から次第に黄変し着色現象が発生する。
このため、半導体発光素子(2)が発した光は着色部で吸
収され減衰する。更に、保護樹脂層(15)の劣化に伴って
耐湿性が低下すると共にイオン透過性が増大するため、
半導体発光素子(2)自体も劣化し、その結果、半導体発
光装置(30)の発光強度は相乗的に低減する。
生する青色光によって保護樹脂層(15)が劣化することで
ある。一般に、炭素、水素、酸素、窒素等の元素が網目
状に結合した有機高分子化合物によって構成される保護
樹脂層(15)は、エネルギーの大きな光（即ち、波長の短
い光）が照射されると、有機高分子の繋ぎ目が切断さ
れ、各種の光学的特性及び化学的特性が劣化することが
知られている。青色光を発する窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子は、黄緑色光や赤色光を発するGaP系やGaA
lAs系、GaAlInP系化合物半導体発光素子よりも発光波長
が短いため、保護樹脂層(15)は光強度の強い半導体発光
素子(2)の周囲から次第に黄変し着色現象が発生する。
このため、半導体発光素子(2)が発した光は着色部で吸
収され減衰する。更に、保護樹脂層(15)の劣化に伴って
耐湿性が低下すると共にイオン透過性が増大するため、
半導体発光素子(2)自体も劣化し、その結果、半導体発
光装置(30)の発光強度は相乗的に低減する。
【０００８】第３の問題は、保護樹脂層(15)の耐熱性が
低いため黄変・着色し、半導体発光素子(2)から照射さ
れた光が減衰する点にある。窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子は順方向電圧が高いため、比較的低い順方向
電流でも電力損失が大きく、作動時に素子温度はかなり
上昇する。一般に、樹脂は高温に加熱されると次第に劣
化して黄変・着色を起こすことが知られている。従っ
て、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を半導体発光
素子(2)として半導体発光装置(30)に用いると、高温と
なる半導体発光素子(2)と接する部分から保護樹脂層(1
5)が次第に黄変・着色するため、半導体発光装置(30)の
発光強度は次第に低下する。
低いため黄変・着色し、半導体発光素子(2)から照射さ
れた光が減衰する点にある。窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子は順方向電圧が高いため、比較的低い順方向
電流でも電力損失が大きく、作動時に素子温度はかなり
上昇する。一般に、樹脂は高温に加熱されると次第に劣
化して黄変・着色を起こすことが知られている。従っ
て、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を半導体発光
素子(2)として半導体発光装置(30)に用いると、高温と
なる半導体発光素子(2)と接する部分から保護樹脂層(1
5)が次第に黄変・着色するため、半導体発光装置(30)の
発光強度は次第に低下する。
【０００９】第４の問題は、従来の半導体発光装置(30)
に用いられるイットリウム(Y)・アルミニウム(Al)・ガ
ーネット(YAG)系蛍光体、即ち化学式が(R1-x,Smx)3(Aly
Ga1- y)5O：Ceで表される蛍光体（RがY及びGdのうち少な
くとも何れか１つの元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の
赤色領域での発光成分が少ないため、半導体発光装置(3
0)の演色性が劣るという問題である。
に用いられるイットリウム(Y)・アルミニウム(Al)・ガ
ーネット(YAG)系蛍光体、即ち化学式が(R1-x,Smx)3(Aly
Ga1- y)5O：Ceで表される蛍光体（RがY及びGdのうち少な
くとも何れか１つの元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の
赤色領域での発光成分が少ないため、半導体発光装置(3
0)の演色性が劣るという問題である。
【００１０】演色性(color rendering properties)と
は、対象となる物体を照らす照明光の、その物体の色
（物体色）の見え方に及ぼす影響を表す特性のことであ
る。物体色は、その物体表面の固有の反射率のスペクト
ル分布と、その物体を照射する照明光のスペクトル分布
とによって決定される。例えば赤色の物体に光を照射し
た場合、太陽光や白熱電球の下では相対的に鮮やかな赤
色に見えるのに対し、家庭用蛍光灯下ではややどす黒く
変色して見える。これは太陽光や白熱電球の光に比べ、
家庭用蛍光灯のスペクトルに含まれる赤色光成分が相対
的に少ないために、被照射物からの赤色成分の反射光が
少なく、その結果赤色領域の色彩が暗く見えることに起
因する。このように照明光の演色性とは、その物体の持
つ本来の物体色をどの程度自然に忠実に見せることがで
きるかという特性であり、照明光として重要な特性の一
つである。従って、従来の半導体発光装置(30)では、蛍
光体(15a)の発光成分の内、特に赤色成分が少ないため
に、この半導体発光装置(30)の光で対象となる物体を照
らしても、その物体が本来持つ固有の色彩を正確に見る
ことができないという問題があった。
は、対象となる物体を照らす照明光の、その物体の色
（物体色）の見え方に及ぼす影響を表す特性のことであ
る。物体色は、その物体表面の固有の反射率のスペクト
ル分布と、その物体を照射する照明光のスペクトル分布
とによって決定される。例えば赤色の物体に光を照射し
た場合、太陽光や白熱電球の下では相対的に鮮やかな赤
色に見えるのに対し、家庭用蛍光灯下ではややどす黒く
変色して見える。これは太陽光や白熱電球の光に比べ、
家庭用蛍光灯のスペクトルに含まれる赤色光成分が相対
的に少ないために、被照射物からの赤色成分の反射光が
少なく、その結果赤色領域の色彩が暗く見えることに起
因する。このように照明光の演色性とは、その物体の持
つ本来の物体色をどの程度自然に忠実に見せることがで
きるかという特性であり、照明光として重要な特性の一
つである。従って、従来の半導体発光装置(30)では、蛍
光体(15a)の発光成分の内、特に赤色成分が少ないため
に、この半導体発光装置(30)の光で対象となる物体を照
らしても、その物体が本来持つ固有の色彩を正確に見る
ことができないという問題があった。
【００１１】以上のように、窒化ガリウム系化合物の半
導体発光素子(2)の周囲をイットリウム(Y)・アルミニウ
ム(Al)・ガーネット(YAG)系の蛍光体(15a)を混合した樹
脂で封止する従来の半導体発光装置(30)は、白色発光が
可能でありながらも信頼性と演色性に難があるため、長
寿命で自然な色彩表現が可能な優れた半導体発光装置と
は成り得なかった。
導体発光素子(2)の周囲をイットリウム(Y)・アルミニウ
ム(Al)・ガーネット(YAG)系の蛍光体(15a)を混合した樹
脂で封止する従来の半導体発光装置(30)は、白色発光が
可能でありながらも信頼性と演色性に難があるため、長
寿命で自然な色彩表現が可能な優れた半導体発光装置と
は成り得なかった。
【００１２】本発明は、優れた耐環境性及び演色性を有
する半導体発光装置及びその製法を提供することを目的
とする。
する半導体発光装置及びその製法を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
では、一対の配線導体(3, 4)と、該一対の配線導体(3,
4)の一方の端部に固着された半導体発光素子(2)と、前
記半導体発光素子(2)を被覆する光透過性のメタロキサ
ンゲル層(10)とを備える。本発明では、メタロキサンゲ
ル層(10)は、半導体発光素子(2)から照射される青色光
に対して光透過性を有し、且つ半導体発光素子(2)から
照射される青色光を吸収して黄色光に変換する蛍光体(1
0a)を含み、且つ金属アルコキシドの加水分解重合によ
り得られたメタロキサンゾル又は金属アルコキシドと有
機樹脂との無機・有機複合体の加水分解重合により得ら
れたメタロキサンゾル又はセラミック前駆体ポリマーか
ら成るメタロキサンゾルによって形成されると共に、記
半導体発光素子(2)と配線導体(3, 4)とを強固に密着す
る。蛍光体(10a)は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5
O12：Cez,Prwで表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.
５、０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５で
ある。
では、一対の配線導体(3, 4)と、該一対の配線導体(3,
4)の一方の端部に固着された半導体発光素子(2)と、前
記半導体発光素子(2)を被覆する光透過性のメタロキサ
ンゲル層(10)とを備える。本発明では、メタロキサンゲ
ル層(10)は、半導体発光素子(2)から照射される青色光
に対して光透過性を有し、且つ半導体発光素子(2)から
照射される青色光を吸収して黄色光に変換する蛍光体(1
0a)を含み、且つ金属アルコキシドの加水分解重合によ
り得られたメタロキサンゾル又は金属アルコキシドと有
機樹脂との無機・有機複合体の加水分解重合により得ら
れたメタロキサンゾル又はセラミック前駆体ポリマーか
ら成るメタロキサンゾルによって形成されると共に、記
半導体発光素子(2)と配線導体(3, 4)とを強固に密着す
る。蛍光体(10a)は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5
O12：Cez,Prwで表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.
５、０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５で
ある。
【００１４】半導体発光素子(2)の青色光の一部をメタ
ロキサンゲル層(10)中の蛍光体(10a)によって黄色光に
変換し、半導体発光素子(2)の青色光と蛍光体(10a)の黄
色光とを混色させて白色系の光とし、半導体発光素子
(2)を包囲するメタロキサンゲル層(10)を通して外部に
放出する。このとき、半導体発光素子(2)の青色光は樹
脂劣化の原因となる紫外線のような短波長光を多く含む
が、本発明によるメタロキサンゲル層(10)は、短波長光
による劣化を受けず黄変・着色を起こさず、半導体発光
素子(2)による発光を減衰させない。また、有害イオン
の浸透を防ぐイオンバリア効果が高いため、半導体発光
装置の外部及び蛍光体(10a)からの有害イオンによる半
導体発光素子(2)の劣化を防止する。
ロキサンゲル層(10)中の蛍光体(10a)によって黄色光に
変換し、半導体発光素子(2)の青色光と蛍光体(10a)の黄
色光とを混色させて白色系の光とし、半導体発光素子
(2)を包囲するメタロキサンゲル層(10)を通して外部に
放出する。このとき、半導体発光素子(2)の青色光は樹
脂劣化の原因となる紫外線のような短波長光を多く含む
が、本発明によるメタロキサンゲル層(10)は、短波長光
による劣化を受けず黄変・着色を起こさず、半導体発光
素子(2)による発光を減衰させない。また、有害イオン
の浸透を防ぐイオンバリア効果が高いため、半導体発光
装置の外部及び蛍光体(10a)からの有害イオンによる半
導体発光素子(2)の劣化を防止する。
【００１５】０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００
１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５で一般式が(Y
1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prwで表される本発明
による蛍光体(10a)は、従来の化学式が(R1-x,Smx)3(Aly
Ga1-y)5O：Ceで表される蛍光体（RがY及びGdのうち少な
くとも何れか１つの元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）と
比べ、共附括剤であるPr（プラセオジム）の発光作用に
よって赤色領域の約６１０nmと約６４０nmとに発光ピー
クが生じ赤色領域の発光成分が補強される。このため、
白色系の光を発する半導体発光装置に用いると赤色領域
の演色性を改善することができる。ｘ値が０.５より大
きいとGdの割合が増大して、輝度が低下するおそれがあ
るため０≦ｘ≦０.５が好ましい。また、ｙ値が０.５よ
り大きいと、Gaの割合が増大して、輝度が低下するおそ
れがあるため０≦ｙ≦０.５が好ましい。また、ｚ値が
０.００１より小さいと賦活剤のCeの割合が低下して輝
度が減少する反面、ｚ値が０.５より大きいと賦活剤の
濃度の増大により発光強度が低下する濃度消光が生じて
輝度が低下するおそれがあるため、０.００１≦ｚ≦０.
５が好適である。更に、ｗ値が０.００１より少ないとP
rの割合が減少して赤色系発光の波長成分のピーク強度
が低下する反面、ｗ値が０.５より大きいと輝度が低下
するおそれがあるため０.００１≦ｗ≦０.５が好まし
い。
１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５で一般式が(Y
1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prwで表される本発明
による蛍光体(10a)は、従来の化学式が(R1-x,Smx)3(Aly
Ga1-y)5O：Ceで表される蛍光体（RがY及びGdのうち少な
くとも何れか１つの元素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）と
比べ、共附括剤であるPr（プラセオジム）の発光作用に
よって赤色領域の約６１０nmと約６４０nmとに発光ピー
クが生じ赤色領域の発光成分が補強される。このため、
白色系の光を発する半導体発光装置に用いると赤色領域
の演色性を改善することができる。ｘ値が０.５より大
きいとGdの割合が増大して、輝度が低下するおそれがあ
るため０≦ｘ≦０.５が好ましい。また、ｙ値が０.５よ
り大きいと、Gaの割合が増大して、輝度が低下するおそ
れがあるため０≦ｙ≦０.５が好ましい。また、ｚ値が
０.００１より小さいと賦活剤のCeの割合が低下して輝
度が減少する反面、ｚ値が０.５より大きいと賦活剤の
濃度の増大により発光強度が低下する濃度消光が生じて
輝度が低下するおそれがあるため、０.００１≦ｚ≦０.
５が好適である。更に、ｗ値が０.００１より少ないとP
rの割合が減少して赤色系発光の波長成分のピーク強度
が低下する反面、ｗ値が０.５より大きいと輝度が低下
するおそれがあるため０.００１≦ｗ≦０.５が好まし
い。
【００１６】本発明による半導体発光装置の製法では、
一対の配線導体(3, 4)の一方の端部にカップ部(3a)を形
成する工程と、カップ部(3a)の底部(3b)に半導体発光素
子(2)を固着する工程と、半導体発光素子(2)の上面に形
成された電極(2a, 2b)と一対の配線導体(3, 4)とをボン
ディングワイヤ(5, 6)により電気的に接続する工程と、
一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prw（０≦
ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び
０.００１≦ｗ≦０.５）で表され且つ半導体発光素子
(2)から照射される光を吸収して他の発光波長に変換す
る蛍光体(10a)と、金属アルコキシド又はセラミック前
駆体ポリマーから成るメタロキサンゾルとをカップ部(3
a)内に注入して、半導体発光素子(2)、電極(2a, 2b)及
び電極(2a, 2b)に接続された前記ボンディングワイヤ
(5, 6)の端部を被覆する工程と、メタロキサンゾルを乾
燥・加熱硬化してメタロキサンゲル層(10)を形成する工
程と、メタロキサンゲル層(10)を更に封止樹脂(8)によ
り封止する工程とを含み、メタロキサンゲル層(10)は、
半導体発光素子(2)及び配線導体(3, 4)と強固に密着す
る。
一対の配線導体(3, 4)の一方の端部にカップ部(3a)を形
成する工程と、カップ部(3a)の底部(3b)に半導体発光素
子(2)を固着する工程と、半導体発光素子(2)の上面に形
成された電極(2a, 2b)と一対の配線導体(3, 4)とをボン
ディングワイヤ(5, 6)により電気的に接続する工程と、
一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prw（０≦
ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び
０.００１≦ｗ≦０.５）で表され且つ半導体発光素子
(2)から照射される光を吸収して他の発光波長に変換す
る蛍光体(10a)と、金属アルコキシド又はセラミック前
駆体ポリマーから成るメタロキサンゾルとをカップ部(3
a)内に注入して、半導体発光素子(2)、電極(2a, 2b)及
び電極(2a, 2b)に接続された前記ボンディングワイヤ
(5, 6)の端部を被覆する工程と、メタロキサンゾルを乾
燥・加熱硬化してメタロキサンゲル層(10)を形成する工
程と、メタロキサンゲル層(10)を更に封止樹脂(8)によ
り封止する工程とを含み、メタロキサンゲル層(10)は、
半導体発光素子(2)及び配線導体(3, 4)と強固に密着す
る。
【００１７】本発明による他の実施の形態では、絶縁性
基板(11)の一方の主面にカップ部(11a)を形成する工程
と、絶縁性基板(11)の一方の主面に沿って互いに反対方
向に延びる一対の配線導体(3, 4)を形成する工程と、カ
ップ部(11a)の底部(11b)にて一対の配線導体(3, 4)の一
方に半導体発光素子(2)を固着する工程とを含む。
基板(11)の一方の主面にカップ部(11a)を形成する工程
と、絶縁性基板(11)の一方の主面に沿って互いに反対方
向に延びる一対の配線導体(3, 4)を形成する工程と、カ
ップ部(11a)の底部(11b)にて一対の配線導体(3, 4)の一
方に半導体発光素子(2)を固着する工程とを含む。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体発光装
置の実施の形態を図１〜図３より説明する。図１に示す
本実施の形態による半導体発光装置(20)は、一対の配線
導体(3, 4)と、一対の配線導体(3, 4)の一方の端部に固
着された半導体発光素子(2)とを備える。半導体発光素
子(2)は、発光層が窒化ガリウム系化合物半導体より成
る発光波長ピーク約４３０nm〜約４８０nmの青色ＬＥＤ
チップであり、一対の配線導体(3, 4)の一方の端部に形
成されたカップ部(3a)の底部(3b)に固着される。また、
半導体発光素子(2)の上面には一対の電極(2a, 2b)が形
成され、電極(2a, 2b)と配線導体(3, 4)とがボンディン
グワイヤ(5, 6)で電気的に接続されて、半導体発光素子
(2)、電極(2a, 2b)及び電極(2a, 2b)に接続したボンデ
ィングワイヤ(5,6)の端部がメタロキサンゲル層(10)に
より被覆される。メタロキサンゲル層(10)は、半導体発
光素子(2)から照射される青色光に対して光透過性を有
し、且つ金属アルコキシドの加水分解重合により得られ
たメタロキサンゾル又は金属アルコキシドと有機樹脂と
の無機・有機複合体の加水分解重合により得られたメタ
ロキサンゾル又はセラミック前駆体ポリマーから成るメ
タロキサンゾルによって形成される。
置の実施の形態を図１〜図３より説明する。図１に示す
本実施の形態による半導体発光装置(20)は、一対の配線
導体(3, 4)と、一対の配線導体(3, 4)の一方の端部に固
着された半導体発光素子(2)とを備える。半導体発光素
子(2)は、発光層が窒化ガリウム系化合物半導体より成
る発光波長ピーク約４３０nm〜約４８０nmの青色ＬＥＤ
チップであり、一対の配線導体(3, 4)の一方の端部に形
成されたカップ部(3a)の底部(3b)に固着される。また、
半導体発光素子(2)の上面には一対の電極(2a, 2b)が形
成され、電極(2a, 2b)と配線導体(3, 4)とがボンディン
グワイヤ(5, 6)で電気的に接続されて、半導体発光素子
(2)、電極(2a, 2b)及び電極(2a, 2b)に接続したボンデ
ィングワイヤ(5,6)の端部がメタロキサンゲル層(10)に
より被覆される。メタロキサンゲル層(10)は、半導体発
光素子(2)から照射される青色光に対して光透過性を有
し、且つ金属アルコキシドの加水分解重合により得られ
たメタロキサンゾル又は金属アルコキシドと有機樹脂と
の無機・有機複合体の加水分解重合により得られたメタ
ロキサンゾル又はセラミック前駆体ポリマーから成るメ
タロキサンゾルによって形成される。
【００１９】金属アルコキシドより得られるメタロキサ
ンゾルは、化学式がM(OR)n（M：金属、R：アルキル基）
で表される有機金属化合物である金属アルコキシドをア
ルコール等の溶媒に分散させ、水と微量の触媒とを滴下
して混合することにより部分的に加水分解重合反応を生
じさせ、その結果生成した金属化合物のポリマーが溶媒
に分散した状態となった液体として生成される。金属ア
ルコキシドは、シリコン、アルミニウム、チタン、ジル
コニウム等の単一金属アルコキシド又は複数の金属アル
コキシドより成る複合金属アルコキシドを用いる。例え
ば、金属アルコキシドは、Si(OCH3)4、Si(OC2H5)4、Si
(i-OC3H7)4、Si(t-OC4H9)4、Ti(OCH3)4、Ti(OC2H5)4、T
i(iso-OC3H7)4、Ti(OC4H9)4、Zr(OCH3)4、Zr(OC2H5)4、
Zr(OC3H 7)4、Zr(OC4H9)4、Al(OCH3)3、Al(OC2H5)3、Al
(iso-OC3H7)3、Al(OC4H9)3から選択された１種又は２種
以上である。金属アルコキシドの官能基の一部を修飾し
て有機樹脂モノマーを導入した無機・有機複合体を用い
ることができる。また、セラミック前駆体ポリマーから
成るメタロキサンゾルは、ポリシラザンから生成され
る。ポリシラザンは、化学式-SiH2-NH-を基本構造とし
た無機化合物であり、ジクロロシランとピリジンとの錯
体にアンモニアを導入して合成される。ポリシラザンを
キシレンなど適当な溶媒で希釈して液状のメタロキサン
ゾルが得られる。
ンゾルは、化学式がM(OR)n（M：金属、R：アルキル基）
で表される有機金属化合物である金属アルコキシドをア
ルコール等の溶媒に分散させ、水と微量の触媒とを滴下
して混合することにより部分的に加水分解重合反応を生
じさせ、その結果生成した金属化合物のポリマーが溶媒
に分散した状態となった液体として生成される。金属ア
ルコキシドは、シリコン、アルミニウム、チタン、ジル
コニウム等の単一金属アルコキシド又は複数の金属アル
コキシドより成る複合金属アルコキシドを用いる。例え
ば、金属アルコキシドは、Si(OCH3)4、Si(OC2H5)4、Si
(i-OC3H7)4、Si(t-OC4H9)4、Ti(OCH3)4、Ti(OC2H5)4、T
i(iso-OC3H7)4、Ti(OC4H9)4、Zr(OCH3)4、Zr(OC2H5)4、
Zr(OC3H 7)4、Zr(OC4H9)4、Al(OCH3)3、Al(OC2H5)3、Al
(iso-OC3H7)3、Al(OC4H9)3から選択された１種又は２種
以上である。金属アルコキシドの官能基の一部を修飾し
て有機樹脂モノマーを導入した無機・有機複合体を用い
ることができる。また、セラミック前駆体ポリマーから
成るメタロキサンゾルは、ポリシラザンから生成され
る。ポリシラザンは、化学式-SiH2-NH-を基本構造とし
た無機化合物であり、ジクロロシランとピリジンとの錯
体にアンモニアを導入して合成される。ポリシラザンを
キシレンなど適当な溶媒で希釈して液状のメタロキサン
ゾルが得られる。
【００２０】これらのメタロキサンゾルは通常液体であ
るが、対象物に塗布し空気中で放置乾燥して固化（ゲル
化）させた後に加熱硬化すると、メタロキサン（metalo
xane）結合を主体とした金属酸化物又は金属酸化物と有
機樹脂とのハイブリッド体の透明なガラス状の固形体
（メタロキサンゲル）を生成する。半導体発光素子(2)
の融点よりもはるかに低い温度である１７０℃前後で加
熱硬化でき、半導体発光素子(2)の特性を劣化させない
低温領域で丈夫なメタロキサンゲル層(10)を形成でき
る。特定の発光波長を吸収する光吸収物質、半導体発光
素子(2)の発光を散乱する光散乱物質又はメタロキサン
ゲル層(10)のクラックを防止する結合材をメタロキサン
ゲル層(10)内に配合してもよい。
るが、対象物に塗布し空気中で放置乾燥して固化（ゲル
化）させた後に加熱硬化すると、メタロキサン（metalo
xane）結合を主体とした金属酸化物又は金属酸化物と有
機樹脂とのハイブリッド体の透明なガラス状の固形体
（メタロキサンゲル）を生成する。半導体発光素子(2)
の融点よりもはるかに低い温度である１７０℃前後で加
熱硬化でき、半導体発光素子(2)の特性を劣化させない
低温領域で丈夫なメタロキサンゲル層(10)を形成でき
る。特定の発光波長を吸収する光吸収物質、半導体発光
素子(2)の発光を散乱する光散乱物質又はメタロキサン
ゲル層(10)のクラックを防止する結合材をメタロキサン
ゲル層(10)内に配合してもよい。
【００２１】形成されたメタロキサンゲル層(10)は、下
記の優れた特性を備えている。 [１]耐湿性に優れ、内部に水分を浸透させず、半導体発
光素子(2)を劣化させない。 [２]有害イオンの浸透を防ぐイオンバリア効果が高いた
め、半導体発光装置の外部や蛍光体(10a)からの有害イ
オンで半導体発光素子(2)を劣化させない。 [３]耐候性に優れ、高温環境下及び短波長光照射下でも
黄変・着色を起こさず、半導体発光素子(2)の発光を減
衰させない。 [４]メタロキサンゲル中の金属原子が、金属及び半導体
表面の自然酸化物層の酸素原子と強固に結合するので、
半導体発光素子(2)、配線導体(3, 4)及び酸化物系の蛍
光体(10a)との密着性がよい。
記の優れた特性を備えている。 [１]耐湿性に優れ、内部に水分を浸透させず、半導体発
光素子(2)を劣化させない。 [２]有害イオンの浸透を防ぐイオンバリア効果が高いた
め、半導体発光装置の外部や蛍光体(10a)からの有害イ
オンで半導体発光素子(2)を劣化させない。 [３]耐候性に優れ、高温環境下及び短波長光照射下でも
黄変・着色を起こさず、半導体発光素子(2)の発光を減
衰させない。 [４]メタロキサンゲル中の金属原子が、金属及び半導体
表面の自然酸化物層の酸素原子と強固に結合するので、
半導体発光素子(2)、配線導体(3, 4)及び酸化物系の蛍
光体(10a)との密着性がよい。
【００２２】前記メタロキサンゲル層(10)には、図１に
示すように、半導体発光素子(2)から照射される青色光
を吸収して黄色光に変換する蛍光体(10a)を含む。蛍光
体(10a)は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：C
ez,Prwで表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.
００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５である。
この蛍光体(10a)の製法は、原料として、酸化イットリ
ウム（Y2O3）粉末、酸化ガドリニウム（Gd2O3）粉末、
酸化アルミニウム（Al2O3）粉末、酸化ガリウム（Ga
2O3）粉末、酸化セリウム（CeO2）粉末、酸化プラセオ
ジム（Pr6O11）粉末を適量用意し、融剤であるフッ化バ
リウム（BaF2）粉末と共にボールミルを用いて混合す
る。この混合粉末を還元雰囲気（窒素（N2）９５%＋水
素（H2）５%）にて１４５０℃で４時間焼成する。得ら
れた焼結体を冷却後にビーズミルにて粉砕し、蒸留水で
洗浄して不純物を分離除去した後に乾燥し、所定のメッ
シュの篩を通過させて蛍光体(10a)の粉末を得る。
示すように、半導体発光素子(2)から照射される青色光
を吸収して黄色光に変換する蛍光体(10a)を含む。蛍光
体(10a)は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：C
ez,Prwで表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.
００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５である。
この蛍光体(10a)の製法は、原料として、酸化イットリ
ウム（Y2O3）粉末、酸化ガドリニウム（Gd2O3）粉末、
酸化アルミニウム（Al2O3）粉末、酸化ガリウム（Ga
2O3）粉末、酸化セリウム（CeO2）粉末、酸化プラセオ
ジム（Pr6O11）粉末を適量用意し、融剤であるフッ化バ
リウム（BaF2）粉末と共にボールミルを用いて混合す
る。この混合粉末を還元雰囲気（窒素（N2）９５%＋水
素（H2）５%）にて１４５０℃で４時間焼成する。得ら
れた焼結体を冷却後にビーズミルにて粉砕し、蒸留水で
洗浄して不純物を分離除去した後に乾燥し、所定のメッ
シュの篩を通過させて蛍光体(10a)の粉末を得る。
【００２３】このようにして得られた０≦ｘ≦０.５、
０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦
ｗ≦０.５で一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：C
ez,Prwで表される蛍光体(10a)は、従来の図９に示す半
導体発光装置(30)に用いられるイットリウム（Y）・ア
ルミニウム（Al）・ガーネット（YAG）系蛍光体、即ち
化学式が(R1-x,Smx)3(AlyGa1-y)5O：Ceで表される蛍光
体(15a)（RがY及びGdのうち少なくとも何れか１つの元
素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）と比べ、共附括剤である
Pr（プラセオジム）の発光作用によって赤色領域の約６
１０nmと約６４０nmに発光ピークが生じ赤色領域の発光
成分が補強されるので、白色系の光を発する半導体発光
装置に用いると赤色領域の演色性を改善することができ
る。
０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦
ｗ≦０.５で一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：C
ez,Prwで表される蛍光体(10a)は、従来の図９に示す半
導体発光装置(30)に用いられるイットリウム（Y）・ア
ルミニウム（Al）・ガーネット（YAG）系蛍光体、即ち
化学式が(R1-x,Smx)3(AlyGa1-y)5O：Ceで表される蛍光
体(15a)（RがY及びGdのうち少なくとも何れか１つの元
素で０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）と比べ、共附括剤である
Pr（プラセオジム）の発光作用によって赤色領域の約６
１０nmと約６４０nmに発光ピークが生じ赤色領域の発光
成分が補強されるので、白色系の光を発する半導体発光
装置に用いると赤色領域の演色性を改善することができ
る。
【００２４】前記半導体発光装置(20)は以下の工程によ
り形成する。最初に一対の配線導体(3, 4)の一方の端部
にカップ部(3a)を形成し、カップ部(3a)の底部(3b)に窒
化ガリウム系の半導体発光素子(2)を接着剤で固着す
る。図１に示すように、カップ部(3a)はカソード側の配
線導体(3)の端部に半導体発光素子(2)の高さより深く形
成される。固着した半導体発光素子(2)の上面には、一
対の電極(2a, 2b)が形成され、電極(2a, 2b)と配線導体
(3, 4)とをボンディングワイヤ(5, 6)により電気的に接
続する。
り形成する。最初に一対の配線導体(3, 4)の一方の端部
にカップ部(3a)を形成し、カップ部(3a)の底部(3b)に窒
化ガリウム系の半導体発光素子(2)を接着剤で固着す
る。図１に示すように、カップ部(3a)はカソード側の配
線導体(3)の端部に半導体発光素子(2)の高さより深く形
成される。固着した半導体発光素子(2)の上面には、一
対の電極(2a, 2b)が形成され、電極(2a, 2b)と配線導体
(3, 4)とをボンディングワイヤ(5, 6)により電気的に接
続する。
【００２５】次に、金属アルコキシド又はセラミック前
駆体ポリマーから成るメタロキサンゾルをカップ部(3a)
内に注入する。このとき、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,
Gay) 5O12：Cez,Prw（０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、
０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５）で表
される前記製法により生成した蛍光体(10a)の粉末をメ
タロキサンゾルに混合し注入する。蛍光体(10a)を含む
メタロキサンゾルは、半導体発光素子(2)、電極(2a, 2
b)及び電極(2a, 2b)に接続されたボンディングワイヤ
(5, 6)の端部を被覆し、空気中でメタロキサンゾルを乾
燥後、半導体発光素子(2)の融点よりもはるかに低い温
度の１７０℃前後で加熱硬化してメタロキサンゲル層(1
0)をカップ部(3a)内に形成する。このため、メタロキサ
ンゲル層(10)は半導体発光素子(2)及び配線導体(3, 4)
と強固に密着する。
駆体ポリマーから成るメタロキサンゾルをカップ部(3a)
内に注入する。このとき、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,
Gay) 5O12：Cez,Prw（０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、
０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５）で表
される前記製法により生成した蛍光体(10a)の粉末をメ
タロキサンゾルに混合し注入する。蛍光体(10a)を含む
メタロキサンゾルは、半導体発光素子(2)、電極(2a, 2
b)及び電極(2a, 2b)に接続されたボンディングワイヤ
(5, 6)の端部を被覆し、空気中でメタロキサンゾルを乾
燥後、半導体発光素子(2)の融点よりもはるかに低い温
度の１７０℃前後で加熱硬化してメタロキサンゲル層(1
0)をカップ部(3a)内に形成する。このため、メタロキサ
ンゲル層(10)は半導体発光素子(2)及び配線導体(3, 4)
と強固に密着する。
【００２６】更に、メタロキサンゲル層(10)外側を光透
過性の封止樹脂(8)で封止して図１に示す半導体発光装
置(20)が形成される。封止樹脂(8)は、液状で透明なエ
ポキシ樹脂を成形型（図示せず）に注入した後に、メタ
ロキサンゲル層(10)、配線導体(3, 4)の上端部(9a, 9b)
及びボンディングワイヤ(5, 6)をエポキシ樹脂中に浸漬
して所定の位置に固定し、エポキシ樹脂を加熱硬化して
形成される。
過性の封止樹脂(8)で封止して図１に示す半導体発光装
置(20)が形成される。封止樹脂(8)は、液状で透明なエ
ポキシ樹脂を成形型（図示せず）に注入した後に、メタ
ロキサンゲル層(10)、配線導体(3, 4)の上端部(9a, 9b)
及びボンディングワイヤ(5, 6)をエポキシ樹脂中に浸漬
して所定の位置に固定し、エポキシ樹脂を加熱硬化して
形成される。
【００２７】前記製法で形成された半導体発光装置(20)
の配線導体(3, 4)間に電圧を印加し半導体発光素子(2)
に通電して半導体発光素子(2)を発光させると、半導体
発光素子(2)から照射される光は、メタロキサンゲル層
(10)内を通過した後、封止樹脂(8)の外部に放出され
る。このとき、半導体発光素子(2)から放射された青色
光成分の一部がメタロキサンゲル層(10)内の蛍光体(10
a)によって波長の長い黄色光に波長変換され、波長変換
されない半導体発光素子(2)からの青色光成分と混合し
て白色光となり、封止樹脂(8)の先端部に形成されたレ
ンズ部(8a)によって集光されて半導体発光装置(20)の外
部に放出される。
の配線導体(3, 4)間に電圧を印加し半導体発光素子(2)
に通電して半導体発光素子(2)を発光させると、半導体
発光素子(2)から照射される光は、メタロキサンゲル層
(10)内を通過した後、封止樹脂(8)の外部に放出され
る。このとき、半導体発光素子(2)から放射された青色
光成分の一部がメタロキサンゲル層(10)内の蛍光体(10
a)によって波長の長い黄色光に波長変換され、波長変換
されない半導体発光素子(2)からの青色光成分と混合し
て白色光となり、封止樹脂(8)の先端部に形成されたレ
ンズ部(8a)によって集光されて半導体発光装置(20)の外
部に放出される。
【００２８】本実施の形態では、半導体発光素子(2)の
発光波長と蛍光体(10a)の励起波長とがほぼ一致するた
め、波長変換効率の高い明るい半導体発光装置が得られ
る。また、メタロキサンゾルに混合する蛍光体(10a)粉
末量を調整し、メタロキサンゲル層(10)内の分布濃度を
変更することにより半導体発光装置(20)の発光色の色調
を調整することができる。更に、蛍光体(10a)の製造時
に配合する原料の添加量を調整し蛍光体(10a)の結晶構
造を一部変更して発光波長の分布をシフトすることも可
能である。このようにすれば半導体発光装置(20)の発光
色を更に異なる色調に調整することができる。例えばGa
（ガリウム）の添加量を多くすると長波長側にシフトす
ることができる。
発光波長と蛍光体(10a)の励起波長とがほぼ一致するた
め、波長変換効率の高い明るい半導体発光装置が得られ
る。また、メタロキサンゾルに混合する蛍光体(10a)粉
末量を調整し、メタロキサンゲル層(10)内の分布濃度を
変更することにより半導体発光装置(20)の発光色の色調
を調整することができる。更に、蛍光体(10a)の製造時
に配合する原料の添加量を調整し蛍光体(10a)の結晶構
造を一部変更して発光波長の分布をシフトすることも可
能である。このようにすれば半導体発光装置(20)の発光
色を更に異なる色調に調整することができる。例えばGa
（ガリウム）の添加量を多くすると長波長側にシフトす
ることができる。
【００２９】図２は本発明による半導体発光装置の他の
実施の形態を示す。図２に示すチップ形の半導体発光装
置(20)は、絶縁性基板(11)と、絶縁性基板(11)の一方の
主面から側面に沿って他方の主面に延び且つ相互に離間
した配線導体(3, 4)と、一方の配線導体(3)に接着剤(1
2)を介して固着された半導体発光素子(2)と、半導体発
光素子(2)のカソード電極(2a)及びアノード電極(2b)と
それぞれの配線導体(3, 4)とを電気的に接続するボンデ
ィングワイヤ(5, 6)と、絶縁性基板(11)の一方の主面に
形成されたカップ部(11a)内に充填されて半導体半導体
発光素子(2)を被覆するメタロキサンゲル層(10)と、メ
タロキサンゲル層(10)を介して半導体発光素子(2)を被
覆する封止樹脂(8)とを備える。メタロキサンゲル層(1
0)には、前記実施の形態と同様に、半導体発光素子(2)
から照射された光の少なくとも一部を吸収し、半導体発
光素子(2)からの発光よりも長波長の光を発光する
(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prw（０≦ｘ≦０.
５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００
１≦ｗ≦０.５）で表される蛍光体(10a)が混入される。
実施の形態を示す。図２に示すチップ形の半導体発光装
置(20)は、絶縁性基板(11)と、絶縁性基板(11)の一方の
主面から側面に沿って他方の主面に延び且つ相互に離間
した配線導体(3, 4)と、一方の配線導体(3)に接着剤(1
2)を介して固着された半導体発光素子(2)と、半導体発
光素子(2)のカソード電極(2a)及びアノード電極(2b)と
それぞれの配線導体(3, 4)とを電気的に接続するボンデ
ィングワイヤ(5, 6)と、絶縁性基板(11)の一方の主面に
形成されたカップ部(11a)内に充填されて半導体半導体
発光素子(2)を被覆するメタロキサンゲル層(10)と、メ
タロキサンゲル層(10)を介して半導体発光素子(2)を被
覆する封止樹脂(8)とを備える。メタロキサンゲル層(1
0)には、前記実施の形態と同様に、半導体発光素子(2)
から照射された光の少なくとも一部を吸収し、半導体発
光素子(2)からの発光よりも長波長の光を発光する
(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prw（０≦ｘ≦０.
５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び０.００
１≦ｗ≦０.５）で表される蛍光体(10a)が混入される。
【００３０】板状のエポキシ系樹脂基板等から成る絶縁
性基板(11)の一方の主面に形成されたカップ部(11a)
は、絶縁性基板(11)の一方の主面から他方の主面に向か
って窪み、カップ部(11a)の側面には図２のように傾斜
面(11c)が形成される。カップ部(11a)の深さは半導体発
光素子(2)の厚みよりも大きいので、絶縁性基板(11)の
一方の主面となるカップ部(2a)の上面は半導体発光素子
(2)の上面よりも高い。このため、カップ部(2a)に充填
されたメタロキサンゲル層(10)によって半導体発光素子
(2)を完全に被覆し、メタロキサンゲル層(10)に混入さ
れた蛍光体(10a)によって半導体発光素子(2)から照射さ
れた光を良好に波長変換することができる。
性基板(11)の一方の主面に形成されたカップ部(11a)
は、絶縁性基板(11)の一方の主面から他方の主面に向か
って窪み、カップ部(11a)の側面には図２のように傾斜
面(11c)が形成される。カップ部(11a)の深さは半導体発
光素子(2)の厚みよりも大きいので、絶縁性基板(11)の
一方の主面となるカップ部(2a)の上面は半導体発光素子
(2)の上面よりも高い。このため、カップ部(2a)に充填
されたメタロキサンゲル層(10)によって半導体発光素子
(2)を完全に被覆し、メタロキサンゲル層(10)に混入さ
れた蛍光体(10a)によって半導体発光素子(2)から照射さ
れた光を良好に波長変換することができる。
【００３１】カップ部(2a)の底に形成されたには配線導
体(3, 4)は、絶縁性基板(11)の一方の主面から側面を通
って絶縁性基板(11)の他方の主面にまで延伸し、他方の
主面に形成された脚部(13, 14)はそれぞれ接続電極とし
て機能する。また、カップ部(2a)に形成された傾斜面(1
1c)と底部(11b)とは半導体発光素子(2)から放出された
光に対する反射板として機能する。
体(3, 4)は、絶縁性基板(11)の一方の主面から側面を通
って絶縁性基板(11)の他方の主面にまで延伸し、他方の
主面に形成された脚部(13, 14)はそれぞれ接続電極とし
て機能する。また、カップ部(2a)に形成された傾斜面(1
1c)と底部(11b)とは半導体発光素子(2)から放出された
光に対する反射板として機能する。
【００３２】図２に示すチップ形の半導体発光装置(20)
の製法は、最初に絶縁性基板(11)の一方の主面にカップ
部(11a)を形成し、絶縁性基板(11)の一方の主面に沿っ
て互いに反対方向に延びる一対の配線導体(3, 4)を形成
する。配線導体(3, 4)は、絶縁性基板(11)に対して蒸着
又はメッキ等によって形成する。次にカップ部(11a)の
底部(11b)に一方の配線導体(3)を介して半導体発光素子
(2)を固着する。一方の配線導体(3)の一端側に導電性又
は絶縁性ペースト等の接着剤(12)を塗布して半導体発光
素子(2)を固着する。これ以降のボンディングワイヤ(5,
6)の接続、メタロキサンゲル層(10)及び封止樹脂(8)の
形成等の工程は、図１に示す前記実施の形態と同様の方
法により行われる。
の製法は、最初に絶縁性基板(11)の一方の主面にカップ
部(11a)を形成し、絶縁性基板(11)の一方の主面に沿っ
て互いに反対方向に延びる一対の配線導体(3, 4)を形成
する。配線導体(3, 4)は、絶縁性基板(11)に対して蒸着
又はメッキ等によって形成する。次にカップ部(11a)の
底部(11b)に一方の配線導体(3)を介して半導体発光素子
(2)を固着する。一方の配線導体(3)の一端側に導電性又
は絶縁性ペースト等の接着剤(12)を塗布して半導体発光
素子(2)を固着する。これ以降のボンディングワイヤ(5,
6)の接続、メタロキサンゲル層(10)及び封止樹脂(8)の
形成等の工程は、図１に示す前記実施の形態と同様の方
法により行われる。
【００３３】また、図２に示すチップ形の半導体発光装
置(20)では、半導体発光素子(2)から照射された光の一
部がメタロキサンゲル層(10)の蛍光体(10a)によって波
長変換され、図１に示す前記実施の形態と同様の作用効
果が得られる。
置(20)では、半導体発光素子(2)から照射された光の一
部がメタロキサンゲル層(10)の蛍光体(10a)によって波
長変換され、図１に示す前記実施の形態と同様の作用効
果が得られる。
【００３４】本発明による図１及び図２に示す実施の形
態では変更が可能である。例えば、図１及び図２では、
蛍光体(10a)をメタロキサンゲル層(10)内に均一に分散
させているが、半導体発光素子(2)側で蛍光体(10a)の混
入濃度を増加してもよく、逆に半導体発光素子(2)と反
対側で蛍光体(10a)の混入濃度を増加してもよい。
態では変更が可能である。例えば、図１及び図２では、
蛍光体(10a)をメタロキサンゲル層(10)内に均一に分散
させているが、半導体発光素子(2)側で蛍光体(10a)の混
入濃度を増加してもよく、逆に半導体発光素子(2)と反
対側で蛍光体(10a)の混入濃度を増加してもよい。
【００３５】また、更に光学的特性や作業性を向上する
ため、下記の改善が可能である。 ［１］ メタロキサンゲル層(10)内に光散乱物質を混入
して半導体発光素子(2)の光を散乱させることにより、
蛍光体(10a)に当たる半導体発光素子(2)の光量が増加し
波長変換効率を向上すると共に、半導体発光装置(20)か
ら外部に放出される光の指向角を広げることができる。 ［２］ メタロキサンゲル層(10)のクラックを防止する
結合剤を配合する。 ［３］ メタロキサンゾルの粘度を高くする。 ［４］ メタロキサンゾルの収縮を低減する。
ため、下記の改善が可能である。 ［１］ メタロキサンゲル層(10)内に光散乱物質を混入
して半導体発光素子(2)の光を散乱させることにより、
蛍光体(10a)に当たる半導体発光素子(2)の光量が増加し
波長変換効率を向上すると共に、半導体発光装置(20)か
ら外部に放出される光の指向角を広げることができる。 ［２］ メタロキサンゲル層(10)のクラックを防止する
結合剤を配合する。 ［３］ メタロキサンゾルの粘度を高くする。 ［４］ メタロキサンゾルの収縮を低減する。
【００３６】このような場合は、図３に示すようにメタ
ロキサンゾルに蛍光体(10a)の粉末と共に、シリカ、酸
化チタン等のセラミック粉末(10b)を目的に応じて適量
混合すればよい。図３では、混合するセラミック粉末の
種類及び量によって得られる効果が異なる。例えば、セ
ラミック粉末(10b)が粒径約１０nmの超微粒子状シリカ
（日本アエロジル株式会社製、商品名：AEROSIL#200）
の場合、メタロキサンゾルのチクソトロピック性が増大
するため［３］の効果が大きい。また、セラミック粉末
(10b)が、粒径約数μmの破砕シリカ若しくは真球状シリ
カの場合、チクソトロピック性の増加はほとんど無く、
メタロキサンゲル層(10)の骨材としての働きが中心とな
るので［２］及び［４］の効果が大きい。また、メタロ
キサンゲル層(10)と屈折率の異なったセラミック粉末(1
0b)を用いると、メタロキサンゲルとセラミック粉末と
の界面における光散乱が大きくなるので［１］の効果が
大きい。従って、混合するセラミック粉末(10b)は目的
に応じて単一でも複数種組み合わせてもよい。図３は図
１に示す半導体発光装置(20)のメタロキサンゲル層(10)
にセラミック粉末(10b)を混入した例を示したが、図２
に示すチップ形の半導体発光装置(20)のメタロキサンゲ
ル層(10)に光散乱物質を混入しても同様の作用効果が得
られる。
ロキサンゾルに蛍光体(10a)の粉末と共に、シリカ、酸
化チタン等のセラミック粉末(10b)を目的に応じて適量
混合すればよい。図３では、混合するセラミック粉末の
種類及び量によって得られる効果が異なる。例えば、セ
ラミック粉末(10b)が粒径約１０nmの超微粒子状シリカ
（日本アエロジル株式会社製、商品名：AEROSIL#200）
の場合、メタロキサンゾルのチクソトロピック性が増大
するため［３］の効果が大きい。また、セラミック粉末
(10b)が、粒径約数μmの破砕シリカ若しくは真球状シリ
カの場合、チクソトロピック性の増加はほとんど無く、
メタロキサンゲル層(10)の骨材としての働きが中心とな
るので［２］及び［４］の効果が大きい。また、メタロ
キサンゲル層(10)と屈折率の異なったセラミック粉末(1
0b)を用いると、メタロキサンゲルとセラミック粉末と
の界面における光散乱が大きくなるので［１］の効果が
大きい。従って、混合するセラミック粉末(10b)は目的
に応じて単一でも複数種組み合わせてもよい。図３は図
１に示す半導体発光装置(20)のメタロキサンゲル層(10)
にセラミック粉末(10b)を混入した例を示したが、図２
に示すチップ形の半導体発光装置(20)のメタロキサンゲ
ル層(10)に光散乱物質を混入しても同様の作用効果が得
られる。
【００３７】
【実施例】本発明による半導体発光装置と従来の半導体
発光装置との性能試験の比較を図４〜図８に示す。従来
例として図４に示す従来の市販の半導体発光装置(30)を
用い、本発明として図１の実施の形態に示す半導体発光
装置(20)を用いる。
発光装置との性能試験の比較を図４〜図８に示す。従来
例として図４に示す従来の市販の半導体発光装置(30)を
用い、本発明として図１の実施の形態に示す半導体発光
装置(20)を用いる。
【００３８】従来例と本発明との室温連続通電試験結果
における光度の推移を図４及び図５のグラフにそれぞれ
示す。図４に示すように従来例では３０００時間程度で
寿命（光度が初期値の半分に低下する時間）に達するの
に対し、図５に示すように本発明では７０００時間経過
してもほとんど劣化せず、寿命が長く信頼性が高いこと
が分かる。また、図６に示すように従来例では発光スペ
クトルが波長６００nm以上の赤色領域で発光成分が減少
するのに対し、図７に示すように本発明では共附活剤で
あるPr（プラセオジム）の発光作用によって赤色領域の
約６１０nm及び約６４０nmに発光ピークが生じ、赤色領
域の発光成分が補強されているのが分かる。更に、図８
に従来例（試料１）と本発明（試料２）との演色性を比
較した表を示す。演色性の評価をＪＩＳ−Ｚ８７２６
「光源の演色性評価方法」に準拠して行った結果、平均
演色評価数（Ｒａ）は、従来例が７２.０に対し本発明
が７２.７であった。また、赤色の特殊演色評価数（Ｒ
９）は従来例が２に対し本発明が１３であった。従っ
て、従来例に比べ本発明による半導体発光装置(20)では
演色性を改善できることが判明した。
における光度の推移を図４及び図５のグラフにそれぞれ
示す。図４に示すように従来例では３０００時間程度で
寿命（光度が初期値の半分に低下する時間）に達するの
に対し、図５に示すように本発明では７０００時間経過
してもほとんど劣化せず、寿命が長く信頼性が高いこと
が分かる。また、図６に示すように従来例では発光スペ
クトルが波長６００nm以上の赤色領域で発光成分が減少
するのに対し、図７に示すように本発明では共附活剤で
あるPr（プラセオジム）の発光作用によって赤色領域の
約６１０nm及び約６４０nmに発光ピークが生じ、赤色領
域の発光成分が補強されているのが分かる。更に、図８
に従来例（試料１）と本発明（試料２）との演色性を比
較した表を示す。演色性の評価をＪＩＳ−Ｚ８７２６
「光源の演色性評価方法」に準拠して行った結果、平均
演色評価数（Ｒａ）は、従来例が７２.０に対し本発明
が７２.７であった。また、赤色の特殊演色評価数（Ｒ
９）は従来例が２に対し本発明が１３であった。従っ
て、従来例に比べ本発明による半導体発光装置(20)では
演色性を改善できることが判明した。
【００３９】
【発明の効果】前記のように本発明では、窒化ガリウム
系半導体発光素子及び蛍光体を丈夫で短波長光照射下で
も安定なメタロキサンゲル層で包囲するので、半導体発
光装置の耐環境性を向上できる。また、母体をガーネッ
ト構造のYAGとしてCeを附括剤、Prを共附括剤とするこ
とにより、半導体発光装置の演色性を向上できる。
系半導体発光素子及び蛍光体を丈夫で短波長光照射下で
も安定なメタロキサンゲル層で包囲するので、半導体発
光装置の耐環境性を向上できる。また、母体をガーネッ
ト構造のYAGとしてCeを附括剤、Prを共附括剤とするこ
とにより、半導体発光装置の演色性を向上できる。
【図１】 本発明による半導体発光装置の実施の形態を
示す断面図
示す断面図
【図２】 本発明による半導体発光装置の他の実施の形
態を示す断面図
態を示す断面図
【図３】 本発明による半導体発光装置の更に他の実施
の形態を示す拡大断面図
の形態を示す拡大断面図
【図４】 従来の半導体発光装置の通電試験結果を示す
グラフ
グラフ
【図５】 本発明による半導体発光装置の通電試験結果
を示すグラフ
を示すグラフ
【図６】 従来の半導体発光装置の発光スペクトル分布
を示すグラフ
を示すグラフ
【図７】 本発明による半導体発光装置の発光スペクト
ル分布を示すグラフ
ル分布を示すグラフ
【図８】 本発明による半導体発光装置と従来の半導体
発光装置との演色性を比較した表
発光装置との演色性を比較した表
【図９】 従来の半導体発光装置を示す断面図
(2)・・半導体発光素子、 (2a, 2b)・・電極、 (3,
4)・・配線導体、 (3a)・・カップ部、 (3b)・・底
部、 (3c)・・傾斜面、 (5, 6)・・ボンディングワイ
ヤ、 (8)・・封止樹脂、 (8a)・・レンズ部、 (9a,
9b)・・上端部、(10)・・メタロキサンゲル層、 (10a)
・・蛍光体、 (11)・・絶縁性基板、(11a)・・カップ
部、 (11b)・・底部、 (11c)・・傾斜面、 (12)・・
接着剤、 (20)・・半導体発光装置、
4)・・配線導体、 (3a)・・カップ部、 (3b)・・底
部、 (3c)・・傾斜面、 (5, 6)・・ボンディングワイ
ヤ、 (8)・・封止樹脂、 (8a)・・レンズ部、 (9a,
9b)・・上端部、(10)・・メタロキサンゲル層、 (10a)
・・蛍光体、 (11)・・絶縁性基板、(11a)・・カップ
部、 (11b)・・底部、 (11c)・・傾斜面、 (12)・・
接着剤、 (20)・・半導体発光装置、
Claims (16)
- 【請求項１】 一対の配線導体と、該一対の配線導体の
一方の端部に固着された半導体発光素子と、前記半導体
発光素子を被覆する光透過性のメタロキサンゲル層とを
備えた半導体発光装置において、 前記メタロキサンゲル層は、前記半導体発光素子から照
射される青色光に対して光透過性を有し、且つ前記半導
体発光素子から照射される青色光を吸収して黄色光に変
換する蛍光体を含み、且つ金属アルコキシドの加水分解
重合により得られたメタロキサンゾル又は金属アルコキ
シドと有機樹脂との無機・有機複合体の加水分解重合に
より得られたメタロキサンゾル又はセラミック前駆体ポ
リマーから成るメタロキサンゾルによって形成されると
共に、前記半導体発光素子と前記配線導体とを強固に密
着し、 前記蛍光体は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：
Cez,Prwで表され、０≦ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.
００１≦ｚ≦０.５及び０.００１≦ｗ≦０.５であるこ
とを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 金属アルコキシドは、Si(OCH3)4、Si(OC
2H5)4、Si(i-OC3H7)4、Si(t-OC4H9)4、Ti(OCH3)4、Ti(O
C2H5)4、Ti(iso-OC3H7)4、Ti(OC4H9)4、Zr(OCH3) 4、Zr
(OC2H5)4、Zr(OC3H7)4、Zr(OC4H9)4、Al(OCH3)3、Al(OC
2H5)3、Al(iso-OC3H7)3、Al(OC4H9)3から選択された１
種又は２種以上である請求項１に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項３】 セラミック前駆体ポリマーはポリシラザ
ンである請求項１に記載の半導体発光装置。 - 【請求項４】 前記メタロキサンゲル層は、前記メタロ
キサンゾルを前記半導体発光素子の融点よりも低い温度
で乾燥・加熱硬化して形成された請求項１〜３の何れか
１項に記載の半導体発光装置。 - 【請求項５】 前記メタロキサンゲル層は、メタロキサ
ン（metaloxane）結合を主体とする透明な固形の金属酸
化物又は金属酸化物と有機樹脂とのハイブリッド体であ
る請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体発光装置。 - 【請求項６】 半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合
物半導体より成る発光波長ピーク約４３０nm〜約４８０
nmの青色ＬＥＤチップである請求項１に記載の半導体発
光装置。 - 【請求項７】 前記半導体発光素子の上面に形成された
電極と前記一対の配線導体とをボンディングワイヤによ
り電気的に接続し、前記半導体発光素子、前記電極及び
前記電極に接続された前記ボンディングワイヤの端部を
前記メタロキサンゲル層により被覆する請求項１〜６の
何れか１項に記載の半導体発光装置。 - 【請求項８】 前記一対の配線導体の一方の端部にカッ
プ部を形成し、前記半導体発光素子を前記カップ部の底
部に固着した請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体
発光装置。 - 【請求項９】 一方の主面にカップ部が形成された絶縁
性基板を備え、該絶縁性基板の一方の主面に沿って互い
に反対方向に延びる前記一対の配線導体を形成し、前記
カップ部の底部にて前記一対の配線導体の一方に前記半
導体発光素子を固着した請求項１〜７の何れか１項に記
載の半導体発光装置。 - 【請求項１０】 前記配線導体は前記絶縁性基板の一方
の主面から側面に沿って他方の主面に延びる請求項９に
記載の半導体発光装置。 - 【請求項１１】 前記メタロキサンゲル層は更に封止樹
脂により封止され、前記半導体発光素子から照射される
光は、前記メタロキサンゲル層内を通過した後、前記封
止樹脂の外部に放出される請求項１〜１０の何れか１項
に記載の半導体発光装置。 - 【請求項１２】 前記半導体発光素子から放射された光
成分の一部が前記メタロキサンゲル層に達して前記メタ
ロキサンゲル層内で異なる波長に波長変換された光と、
波長変換されない前記半導体発光素子からの光とが混合
して前記封止樹脂を通して外部に放出される請求項１１
に記載の半導体発光装置。 - 【請求項１３】 特定の発光波長を吸収する光吸収物
質、前記半導体発光素子の発光を散乱する光散乱物質又
はメタロキサンゲル層のクラックを防止する結合材を前
記メタロキサンゲル層内に配合した請求項１〜１２の何
れか１項に記載の半導体発光装置。 - 【請求項１４】 一対の配線導体の一方の端部にカップ
部を形成する工程と、 前記カップ部の底部に半導体発光素子を固着する工程
と、 前記半導体発光素子の上面に形成された電極と前記一対
の配線導体とをボンディングワイヤにより電気的に接続
する工程と、 一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prw（０≦
ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び
０.００１≦ｗ≦０.５）で表され且つ前記半導体発光素
子から照射される光を吸収して他の発光波長に変換する
蛍光体と、金属アルコキシド又はセラミック前駆体ポリ
マーから成るメタロキサンゾルとを前記カップ部内に注
入して、前記半導体発光素子、前記電極及び前記電極に
接続された前記ボンディングワイヤの端部を被覆する工
程と、 前記メタロキサンゾルを乾燥・加熱硬化してメタロキサ
ンゲル層を形成する工程と、 前記メタロキサンゲル層を更に封止樹脂により封止する
工程とを含み、 前記メタロキサンゲル層は、前記半導体発光素子及び前
記配線導体と強固に密着することを特徴とする半導体発
光装置の製法。 - 【請求項１５】 絶縁性基板の一方の主面にカップ部を
形成する工程と、 前記絶縁性基板の一方の主面に沿って互いに反対方向に
延びる一対の配線導体を形成する工程と、 前記カップ部の底部にて前記一対の配線導体の一方に半
導体発光素子を固着する工程と、 前記半導体発光素子の上面に形成された電極と前記一対
の配線導体とをボンディングワイヤにより電気的に接続
する工程と、 一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12：Cez,Prw（０≦
ｘ≦０.５、０≦ｙ≦０.５、０.００１≦ｚ≦０.５及び
０.００１≦ｗ≦０.５）で表され且つ前記半導体発光素
子から照射される光を吸収して他の発光波長に変換する
蛍光体と、金属アルコキシド又はセラミック前駆体ポリ
マーから成るメタロキサンゾルとを前記カップ部内に注
入して、前記半導体発光素子、前記電極及び前記電極に
接続された前記ボンディングワイヤの端部を被覆する工
程と、 前記メタロキサンゾルを乾燥・加熱硬化してメタロキサ
ンゲル層を形成する工程と、 前記メタロキサンゲル層を更に封止樹脂により封止する
工程とを含み、 前記メタロキサンゲル層は、前記半導体発光素子及び前
記配線導体と強固に密着することを特徴とする半導体発
光装置の製法。 - 【請求項１６】 前記メタロキサンゲル層は、前記メタ
ロキサンゾルを前記半導体発光素子の融点よりも低い温
度で乾燥・加熱硬化して形成される請求項１４又は１５
に記載の半導体発光装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323179A JP2002134790A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 半導体発光装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323179A JP2002134790A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 半導体発光装置及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134790A true JP2002134790A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18800914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000323179A Pending JP2002134790A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 半導体発光装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134790A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004083653A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法 |
| JP2004311822A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Solidlite Corp | 赤紫色発光ダイオード |
| KR100622824B1 (ko) | 2004-05-18 | 2006-09-14 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드의 패키지 및 그의 패키징 방법 |
| US7282853B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LED lamp |
| KR101078467B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 엘지전자 주식회사 | 발광장치 |
| JP2013035953A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Nihon Ceratec Co Ltd | 蛍光体成形材料、蛍光体成形材料の製造方法、および発光装置 |
| CN103261369A (zh) * | 2010-12-13 | 2013-08-21 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造辐射转换元件的方法、辐射转换元件和包含辐射转换元件的光电子器件 |
| JP2014086520A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Sharp Corp | 発光装置 |
| CN107935581A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-04-20 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 两相均匀分布的复合石榴石闪烁陶瓷及其制备方法 |
| WO2020189290A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | コニカミノルタ株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
-
2000
- 2000-10-23 JP JP2000323179A patent/JP2002134790A/ja active Pending
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| WO2020189290A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | コニカミノルタ株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
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