JP5007763B2

JP5007763B2 - 積層セラミックコンデンサ

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Publication number: JP5007763B2
Application number: JP2010161266A
Authority: JP
Inventors: 英高福留
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-07-16
Filing date: 2010-07-16
Publication date: 2012-08-22
Anticipated expiration: 2028-07-22
Also published as: JP2010232695A

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、セラミック素体の内部に内部導体およびビア導体が設けられている積層セラミックコンデンサに関するものである。

電源回路においては、電源ラインやグランドに存在するインピーダンスによって、電源ラインの電圧変動が大きくなると、駆動する回路の動作が不安定になったり、電源回路を経由して回路間の干渉が起こったり、発振を起こしたりする。そこで、通常、電源ラインとグランドの間には、デカップリングコンデンサが接続されている。デカップリングコンデンサは、電源ラインとグランド間のインピーダンスを低減し、電源電圧の変動や回路間の干渉を抑える役割を果たしている。

さて、近年、携帯電話などの通信機器やパーソナルコンピュータなどの情報処理機器では、大量の情報を処理するために信号の高速化が進んでおり、使用されるＩＣのクロック周波数も高周波化が進んでいる。このため、高調波成分を多く含むノイズが発生しやすくなり、ＩＣ電源回路においては、より強力なデカップリングを施す必要がある。

デカップリング効果を高めるためには、インピーダンス周波数特性の優れたデカップリングコンデンサを用いることが有効であり、このようなデカップリングコンデンサとしては、積層セラミックコンデンサが挙げられる。積層セラミックコンデンサは、ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）が小さいため、電解コンデンサに比べて、より広い周波数帯域にわたってノイズ吸収効果に優れている。

また、デカップリング効果を高めるためには、ＩＣの電源ピンのなるべく近くにデカップリングコンデンサを配置することも有効である。ＩＣの電源ピンとデカップリングコンデンサとの距離が短くなれば、その間のラインに寄生するインダクタンスが小さくなり、電源ラインのインピーダンスが小さくなるためである。

図１６ないし図１８は、この発明にとって興味ある従来の積層セラミックコンデンサ１を示すものである。より詳細には、図１６は、積層セラミックコンデンサ１を断面で示す正面図であり、図１７は、図１６の線Ａ−Ａに沿う断面で示す平面図であり、図１８は、図１６の線Ｂ−Ｂに沿う断面で示す平面図である。

この積層セラミックコンデンサ１は、複数のセラミック層２が積層されてなるセラミック素体３を有する。セラミック素体３の内部には、セラミック層２間の界面に沿って延びるように内部導体４および５が配置されている。第１の内部導体４と第２の内部導体５とは、特定のセラミック層２を介して互いに対向するように複数組設けられている。

セラミック素体３の一方主面上には、第１の外部端子電極６および第２の外部端子電極７がマトリクス状に交互に配列されて形成され、同様に、セラミック素体３の他方主面上にも、第１の外部端子電極６および第２の外部端子電極７がマトリクス状に交互に配列されて形成されている。

セラミック素体３の内部において、セラミック層２の積層方向に延びるようにして、第１のビア導体８および第２のビア導体９が形成されている。第１のビア導体８は、第１の内部導体４および第１の外部端子電極６と電気的に接続され、第２の内部導体５とは電気的に隔離されている。第２のビア導体９は、第２の内部導体５および第２の外部端子電極７と電気的に接続され、第１の内部導体４とは電気的に隔離されている。

この積層セラミックコンデンサ１においては、電位の互いに異なる第１および第２のビア導体８および９が交互に配置されることにより、第１および第２のビア導体８および９のまわりにそれぞれ発生する磁界が相殺されるため、ＥＳＬが低減される。また、端子となる外部端子電極６および７がセラミック素体３の上下面に形成されているため、ＩＣ（図示せず。）の下方に実装しやすく、ＩＣとの距離を近づけることが可能である。

ところで、この積層セラミックコンデンサ１においては、前述したように、ビア導体８および９のうち、内部導体４および５の各々とは異電位のものについては、これと電気的に隔離されている。そのため、第１の内部導体４には、これとは異電位の第２のビア導体９を通過させるための開口部１０が形成され、他方、第２の内部導体５には、これとは異電位の第１のビア導体８を通過させるための開口部１１が形成されている。そして、第１および第２のビア導体８および９は、それぞれ、開口部１１および１０の各中心を通るように配置されている。

また、内部導体４および５は、セラミック層２となるべきセラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷などの印刷手段で導電性ペーストを印刷することにより形成されている。ところが、図１９に示すように、導電性ペースト１２を印刷する際、内部導体４および５の各々の開口部１０および１１における、印刷手段の印刷方向１３の開始側に印刷にじみ１４が発生することがある。そして、印刷にじみ１４が大きくなった場合、内部導体４および５と異電位のビア導体９および８とが接触してしまい、ショートするおそれがある。

なお、印刷にじみが生じ得る印刷方法として、上述の説明では、スクリーン印刷法を例示したが、導電性ペーストを用いた印刷方法であれば、たとえばグラビア印刷法など、他の印刷方法であっても、同様の問題に遭遇し得る。

特開２００１-２０３１２５号公報

そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。

この発明は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック素体と、セラミック素体の内部において、互いに異なるセラミック層間の界面に沿って延びるようにそれぞれ配置される、少なくとも１組の第１および第２の内部導体と、セラミック素体の内部において、セラミック層の積層方向に沿って延びるように配置される第１および第２のビア導体とを備え、上記第１の内部導体は、第１のビア導体と電気的に接続されるとともに、第２のビア導体を通過させる第１の開口部を有し、当該第１の開口部によって、第１の内部導体と第２のビア導体とは互いに電気的に隔離され、上記第２の内部導体は、第２のビア導体と電気的に接続されるとともに、第１のビア導体を通過させる第２の開口部を有し、当該第２の開口部によって、第２の内部導体と第１のビア導体とは互いに電気的に隔離されている、積層セラミックコンデンサに向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、すべての第１のビア導体の各々の中心は、第２の開口部の中心に対して、互いに同じ方向にずれて位置されており、すべての第２のビア導体の各々の中心は、第１の開口部の中心に対して、互いに同じ方向にずれて位置されており、第１および第２の開口部の各々は、長径および短径を有する長円形状を有し、第１および第２の開口部の各々の中心に対して第１および第２のビア導体の各々の中心がずれる方向と長径の方向とが互いに平行であり、互いに隣接する第１および第２のビア導体について、それぞれを通過させる第２および第１の開口部は、セラミック層の積層方向で互いに重なり合わないように形成されており、第１のビア導体は、第２の開口部の中心に掛かるように形成されており、第２のビア導体は、第１の開口部の中心に掛かるように形成されていることを特徴としている。

この発明に係る積層セラミックコンデンサにおいて、第１および第２の開口部が印刷にじみを有し、印刷にじみを有する第１および第２の開口部が、複数個存在しているとき、好ましくは、印刷にじみによって第１および第２の内部導体と第２および第１のビア導体とがそれぞれ接触しないように、第１および第２のビア導体が印刷にじみとは反対方向に、開口部の長径方向に沿って退避されるように位置するようにされる。

この発明によれば、ビア導体の中心が、内部導体の開口部の中心に対して、所定方向にずれて位置されるので、導電性ペーストを印刷する際、開口部における、印刷方向の開始側に印刷にじみが発生しても、印刷にじみとは反対方向にビア導体が位置するように開口部が形成されているため、内部導体とビア導体とが接触して、ショートするおそれを低減することができる。

この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１を断面で示す正面図である。図１に示した積層セラミックコンデンサ２１の外観を示す平面図である。図１に示した積層セラミックコンデンサ２１を図１の線Ａ−Ａに沿う断面で示す平面図である。図１に示した積層セラミックコンデンサ２１を図１の線Ｂ−Ｂに沿う断面で示す平面図である。図３に示す第１の内部導体３２の一部であって、第１の開口部３４が形成された部分を拡大して示した図である。図５に対応する図であって、印刷にじみ４０が生じた場合を示している。図５に対応する図であって、この発明の範囲外のものであるが、第１の開口部３４の形状についての第１の変形例を示している。図５に対応する図であって、この発明の範囲外のものであるが、第１の開口部３４の形状についての第２の変形例を示している。図５に対応する図であって、この発明の範囲外のものであるが、第１の開口部３４の形状についての第３の変形例を示している。図５に対応する図であって、この発明の範囲外のものであるが、第１の開口部３４の形状についての第４の変形例を示している。この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１ａを示す、図１に対応する図である。この発明の第３の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１ｂを示す、図１に対応する図である。この発明の第４の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１ｃを示す、図１に対応する図である。第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１を用いて構成された回路基板５１を図解的に示す断面図である。図１４に示した回路基板５１にＭＰＵ６１を実装することにより得られた回路モジュール６２を図解的に示す断面図である。この発明にとって興味ある従来の積層セラミックコンデンサ１を断面で示す正面図である。図１６に示した積層セラミックコンデンサ１を図１６の線Ａ−Ａに沿う断面で示す平面図である。図１６に示した積層セラミックコンデンサ１を図１６の線Ｂ−Ｂに沿う断面で示す平面図である。この発明が解決しようとする課題を説明するためのもので、導電性ペースト１２を印刷する際、内部導体４および５の各々の開口部１０および１１に印刷にじみ１４が発生した状態を拡大して示す図である。

図１ないし図６は、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１を示している。ここで、図１は、積層セラミックコンデンサ２１を断面で示す正面図であり、図２は、積層セラミックコンデンサ２１の外観を示す平面図であり、図３は、積層セラミックコンデンサ２１を図１の線Ａ−Ａに沿う断面で示す平面図であり、図４は、積層セラミックコンデンサ２１を図１の線Ｂ−Ｂに沿う断面で示す平面図である。

積層セラミックコンデンサ２１は、複数のセラミック層２２が積層されてなるもので、互いに対向する第１の主面２３および第２の主面２４と、それらを接続する第１ないし第４の側面２５〜２８とを有するセラミック素体２９を備える。第１の側面２５および第２の側面２６は互いに対向し、第３の側面２７および第４の側面２８は互いに対向している。

第１の主面２３上には、複数の第１の外部端子電極３０および複数の第２の外部端子電極３１がマトリクス状に交互配置され、第２の主面２４上においても、同様に配置されている。

セラミック素体２９の内部には、互いに異なるセラミック層２２間の界面に沿って延びるように少なくとも１組の第１および第２の内部導体３２および３３がそれぞれ配置されている。第１の内部導体３２と第２の内部導体３３とは、特定のセラミック層２２を介して互いに対向して静電容量を形成するように複数組設けられている。第１の内部導体３２は複数の第１の開口部３４を有し、第２の内部導体３３は複数の第２の開口部３５を有している。

セラミック素体２９の内部には、また、セラミック層２２の積層方向に沿って延びるようにして、第１および第２のビア導体３６および３７が配置されている。第１および第２のビア導体３６および３７はマトリクス状に交互配置される。隣接した第１および第２のビア導体３６および３７の間では、そこに流れる電流の方向が互いに逆向きとなるため、ビア導体３６および３７の各周囲に発生する磁界の向きも逆向きとなり、それぞれの磁界が互いに打ち消し合う。このため、この積層セラミックコンデンサ２１では、ＥＳＬを低く抑えることができる。

第１のビア導体３６は、第１の内部導体３２と電気的に接続されるが、第２の開口部３５を通過することにより、第２の内部導体３３からは電気的に隔離されている。第２のビア導体３７は、第２の内部導体３３と電気的に接続されるが、第１の開口部３４を通過することにより、第１の内部導体３２からは電気的に隔離されている。また、図１から、あるいは図３と図４とを対比すればわかるように、互いに隣接する第１および第２のビア導体３６および３７について、それぞれを通過させる第２および第１の開口部３５および３４は、セラミック層２２の積層方向で互いに重なり合わないように形成されている。

第１の開口部３４の中心に対して、その内部を通過する第２のビア導体３７の中心は所定方向にずれて形成され、同様に、第２の開口部３５の中心に対して、その内部を通過する第１のビア導体３６の中心は所定方向にずれて形成されている。また、第１および第２の開口部３４および３５はたとえば長円形状をなしている。このように、開口部３４および３５が長径および短径を有する幾何学的形態を有している場合、開口部３４および３５の各々の中心に対してビア導体３６および３７の各々の中心がずれる方向と長径方向とが平行になっていることが好ましい。また、図３および図４に示されるように、すべての第１のビア導体３６の各々の中心が、第２の開口部３５の中心に対して、互いに同じ方向にずれて位置されており、すべての第２のビア導体３７の各々の中心が、第１の開口部３４の中心に対して、互いに同じ方向にずれて位置されていることが好ましい。

図５は、第１の開口部３４を拡大して示した図である。開口部３４の長径の長さをＬ、第２のビア導体３７の中心と開口部３４の中心との距離をＤとしたとき、Ｌ／Ｄの値は１４以下であることが好ましい。また、ずらしたビア導体３７と内部導体３２とが接触しないように、ビア導体３７の直径をＲとしたとき、（Ｒ／２＋Ｄ）＜Ｌ／２となるように設定される。なお、図５からわかるように、ビア導体３７は、開口部３４の中心に掛かるように形成されている。

図示および説明は省略するが、第２の開口部３５と第１のビア導体３６とについても同様の関係に選ばれる。また、以下においても、第１の開口部３４と第２のビア導体３７とについて図示および説明をし、第２の開口部３５と第１のビア導体３６とについては図示および説明を省略する。

図６は、この発明による効果を示す模式図である。スクリーン印刷などの印刷手段で導電性ペースト３８を印刷することにより内部電極３２を印刷したとき、印刷方向３９の開始側に、図６に示すように、仮に、内部導体３２に印刷にじみ４０が生じ、予定されていた開口部３４の領域に印刷にじみ４０が侵入した状態で、内部導体３２が形成されたとしても、ビア導体３７が反対方向に退避されるように位置されているため、内部導体３２とビア導体３７との接触を生じさせにくくすることができる。なお、このような印刷にじみ４０が生じた場合であっても、この発明に言う「開口部の中心」とは、予定されていた（印刷にじみがなかった場合の）開口部の中心を指すものとする。

図７ないし図１０は、図５に対応する図であって、この発明の範囲外のものであるが、開口部３４の形状についての変形例を示している。図７ないし図１０において、図５に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

開口部３４の形状は、図７ないし図１０にそれぞれ示すように、種々の変形が可能である。開口部３４は、図７では真円、図８では長方形、図９では正方形、図１０では長手の八角形となっている。なお、たとえば長円のように、長径および短径を有する幾何学的形態の場合、長径方向でビア導体３７を退避させるために確保した開口部３４におけるマージンにより、内部導体３２の面積が減少するが、短径方向でその分を補うことが可能となるため、容量を維持したい場合には、長径および短径を有する幾何学的形態の方が有利である。

再び図１ないし図４を参照して、セラミック層２２を構成する材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などを主成分とする誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。セラミック層２２の焼成後の厚みは、０．１〜１０μｍであることが好ましい。

内部導体３２および３３やビア導体３６および３７は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＡｕからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金からなることが好ましい。内部導体３２および３３とビア導体３６および３７とは互いに同じ金属からなることが好ましい。内部導体３２および３３の焼成後の厚みは、０．１〜２．０μｍであることが好ましい。ビア導体３６および３７の焼成後の直径は、５０〜１５０μｍであることが好ましい。内部導体３２および３３やビア導体３６および３７には、セラミック層２２を構成するセラミックと同種のセラミックが添加されていてもよい。

外部端子電極３０および３１は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＡｕからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金からなることが好ましい。外部端子電極３０および３１は、下地層とその上のめっき層とを有する積層構造で構成され得る。めっき層は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金からなることが好ましい。積層セラミックコンデンサ２１がはんだ実装される場合には、下地層の上にＮｉめっき層およびＳｎめっき層をこの順に形成することが好ましい。導電性接着剤による実装やワイヤボンディングが適用される場合には、最外層にＡｕめっき層を形成することが好ましい。樹脂基板に埋め込んで実装する場合には、最外層にＣｕめっき層を形成することが好ましい。外部端子電極３０および３１の厚みは、２０〜６０μｍであることが好ましい。また、めっき層１層あたりの厚みは、１〜１５μmであることが好ましい。

以下、積層セラミックコンデンサ２１の製造方法の一例について説明する。

（１）セラミックグリーンシート、内部導体用導電性ペースト、ビア導体用導電性ペースト、および外部端子電極用導電性ペーストをそれぞれ準備する。セラミックグリーンシートや導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

（２）セラミックグリーンシート上に、たとえば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで導電性ペーストを印刷し、開口部を有する内部導体パターンを形成する。このときの印刷方向を考慮して、後述するビアホールの形成位置を設定する。

（３）セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、マザー積層体を作製する。マザー積層体は、必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着される。

（４）レーザーやＮＣパンチなどの手段により、マザー積層体を積層方向に貫通するビアホールを、所定位置に所定本数形成する。このとき、ビアホールの中心が、内部導体パターンの開口部の中心からずれるようにして位置決めを行なう。

（５）スクリーン印刷などの手段により、ビアホール内部にビア導体用導電性ペーストを充填する。ビアホール以外に導電性ペーストが付着しないように、マザー積層体の主面上にマスクを被せるのが好ましい。

（６）マザー積層体をカットし、個々の未焼成のセラミック素体を取り出す。

（７）未焼成のセラミック素体を焼成する。焼成温度は、セラミックや電極の材料にもよるが、９００〜１３００℃であることが好ましい。焼成雰囲気は、大気、Ｎ_２、水蒸気＋Ｎ_２などの雰囲気を使い分けることができる。

（８）焼成後のセラミック素体の両主面上に所定パターンで導電性ペーストを印刷し、外部端子電極パターンを形成する。なお、外部端子電極パターン形成前に、ビア導体の頭出しを行なうため、セラミック素体の両主面を研磨してもよい。

（９）外部端子電極パターンを焼き付けて外部端子電極を形成する。焼付け温度は、７００〜９００℃であることが好ましい。

（１０）必要に応じて、外部端子電極表面にめっきを施す。なお、めっきの前処理として、外部端子電極表面を研磨してもよい。

図１１ないし図１３は、それぞれ、この発明の第２ないし第４の実施形態を説明するための図１に対応する図である。第２ないし第４の実施形態は、外部端子電極の配置に関する変形例を与えるものである。図１１ないし図１３において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１１に示す第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１ａでは、第１および第２の外部端子電極３０および３１がいずれも第２の主面２４上にのみ形成されている。

図１２に示す第３の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１ｂでは、第１の主面２３上に第１の外部端子電極３０のみが、第２の主面２４上に第２の外部端子電極３１のみが形成されている。

図１３に示す第４の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１ｃでは、第１の主面２３上に第１および第２の外部端子電極３０および３１の双方が、第２の主面２４上に第２の外部端子電極３１のみが形成されている。

図１４は、たとえば第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１を用いて構成された回路基板５１を図解的に断面図で示している。

図１４に示すように、回路基板５１は、複数の積層された絶縁層５２をもって構成された基板本体５３と、基板本体５３の上方主面上および下方主面上にそれぞれ形成されたランド電極５４および５５と、基板本体５３の内部に形成された配線導体５６とを備えている。図１４では、基板本体５３を構成する複数の積層された絶縁層５２間の界面は図示されないが、配線導体５６は、絶縁層５２間の界面に沿って延びるように形成される面内導体５７と絶縁層５２を厚み方向に貫通するように形成されるビア導体５８とがある。上述の絶縁層５２は、たとえば樹脂から構成される。

基板本体５３の内部には、積層セラミックコンデンサ２１が実装されている。

積層セラミックコンデンサ２１を基板本体５３の内部に埋め込む際には、たとえば、リジッドな樹脂基板５９（図１４における点線より下側）上に積層セラミックコンデンサ２１を実装し、積層セラミックコンデンサ２１の上から、未硬化の熱硬化性樹脂を含むプリプレグシート６０（図１４における点線より上側）を被せてプレスすることにより、プリプレグシート６０中に積層セラミックコンデンサ２１を埋め込み、その後、プリプレグシート６０を熱硬化させるといった方法を採用することができる。

ランド電極５４および５５は、たとえば、Ｃｕなどの金属箔をエッチングすることにより形成される。ビア導体５８の直上にＡｕバンプや導電性樹脂のバンプを形成して、これをランド電極５４および５５としてもよい。

面内導体５７は、たとえば、Ｃｕなどの金属箔をエッチングすることにより形成される。

ビア導体５８は、たとえば、Ｃｕなどの金属粉末およびエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を、ビアホールに充填することにより形成される。めっきによりビアホール内部に金属を充填する、いわゆるビアフィリングにより形成してもよい。

積層セラミックコンデンサ２１と基板本体５３の上方主面上のランド電極５４とをビア導体５８でつなぐ際には、積層セラミックコンデンサ２１を埋め込んだ後、レーザーにより基板本体５３の上方主面からビアホールを形成し、ビアフィリングによりビア導体５８を形成し、その後、ランド電極５４を形成するようにしてもよい。

図１４に示した回路基板５１には、図１５に示すように、ＭＰＵ６１が実装されることにより、回路モジュール６２が得られる。

図示したビア導体は断面円形であったが、この発明が適用され得る範囲は、ビア導体の断面形状に影響されるものではない。

２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ積層セラミックコンデンサ
２２セラミック層
２９セラミック素体
３０，３１外部端子電極
３２，３３内部導体
３４，３５開口部
３６，３７ビア導体
３８導電性ペースト
３９印刷方向
４０印刷にじみ

Claims

複数のセラミック層が積層されてなるセラミック素体と、
前記セラミック素体の内部において、互いに異なる前記セラミック層間の界面に沿って延びるようにそれぞれ配置される、少なくとも１組の第１および第２の内部導体と、
前記セラミック素体の内部において、前記セラミック層の積層方向に沿って延びるように配置される第１および第２のビア導体と
を備え、
前記第１の内部導体は、前記第１のビア導体と電気的に接続されるとともに、前記第２のビア導体を通過させる第１の開口部を有し、当該第１の開口部によって、前記第１の内部導体と前記第２のビア導体とは互いに電気的に隔離され、
前記第２の内部導体は、前記第２のビア導体と電気的に接続されるとともに、前記第１のビア導体を通過させる第２の開口部を有し、当該第２の開口部によって、前記第２の内部導体と前記第１のビア導体とは互いに電気的に隔離され、
すべての前記第１のビア導体の各々の中心は、前記第２の開口部の中心に対して、互いに同じ方向にずれて位置されており、
すべての前記第２のビア導体の各々の中心は、前記第１の開口部の中心に対して、互いに同じ方向にずれて位置されており、
いる、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１および第２の開口部の各々は、長径および短径を有する長円形状を有し、前記第１および第２の開口部の各々の中心に対して前記第１および第２のビア導体の各々の中心がずれる方向と前記長径の方向とが互いに平行であり、
互いに隣接する前記第１および第２のビア導体について、それぞれを通過させる前記第２および第１の開口部は、前記セラミック層の積層方向で互いに重なり合わないように形成されており、
前記第１のビア導体は、前記第２の開口部の中心に掛かるように形成されており、
前記第２のビア導体は、前記第１の開口部の中心に掛かるように形成されている、
積層セラミックコンデンサ。
前記第１および第２の開口部は印刷にじみを有し、前記印刷にじみを有する前記第１および第２の開口部は、複数個存在しており、前記印刷にじみによって前記第１および第２の内部導体と前記第２および第１のビア導体とがそれぞれ接触しないように、前記第１および第２のビア導体が印刷にじみとは反対方向に、前記開口部の長径方向に沿って退避されるように位置している、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。