JP5001863B2 - イオン発生素子 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の第1実施形態として、イオン発生素子と電源の全体を示す正面図(A)と、(A)に示すイオン発生素子を右方向から見たときの側面図(B)である。
図2は、この発明の第2実施形態として、イオン発生素子と電源の全体を示す正面図(A)と、(A)に示すイオン発生素子を右方向から見たときの側面図(B)である。
Claims (3)
- 基板と、
膜状の導電体によって前記基板上に形成される二つの誘導電極と、
膜状の導電体によって前記基板上に形成され、高電圧を印加してイオンを発生させるためのイオン発生電極とを備え、
前記イオン発生電極は、尖端を有する放電部を含み、
前記放電部の尖端は、前記基板上において前記基板の端面からの距離が0.6mm以下の位置に配置され、
前記二つの誘導電極は、前記放電部の尖端の左右方向の一方側と他方側に互いに間隔を開けて、尖端が指す方向に離れて配置されている、イオン発生素子。 - 前記イオン発生電極は、金属酸化物を含む、請求項1に記載のイオン発生素子。
- 前記イオン発生電極の前記放電部は、酸化ルテニウムを含む金属酸化物によって形成されている、請求項1に記載のイオン発生素子。
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