JP4988731B2 - フラッシュエラー訂正 - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 138
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 186
- 208000011580 syndromic disease Diseases 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 208000033748 Device issues Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
- H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
- H03M13/13—Linear codes
- H03M13/15—Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes
- H03M13/151—Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes using error location or error correction polynomials
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Description
前記エラー検出動作は、メモリから読み出されたデータを受け取り、エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理して読み出されたデータがエラーを含むか否かを判別する。
1,2,4,8,10,20,40,80,1D,3A,74、E8,CD…
1つのみのエラー、例えばd5のみエラーが存在する場合、4つのシンドロームバイトは以下で与えられる。
シンドロームバイト内には、2つのエラーの値および位置を特定するのに十分な情報が存在する。このアルゴリズムは比較的複雑である。Peterson-Berlekampアルゴリズムを用いて位置多項式と呼ばれる式を見出すことができる。位置多項式の値が求められると、多項式の根を見出すことができる。これはChien検索法を用いて達成してもよい。位置多項式はまた、ユークリッド・アルゴリズムを用いて見出すこともできる。このアルゴリズムは通常、Peterson-Berlekampアルゴリズムよりも効率は低いが、ハードウェアでの解決法にはより適している。
上述のとおり、消失は、エラーの位置が既知であるがエラーの値が未知である場合のフレーム内のエラーに付けられている名称である。これが発生するのは、データの列がC1ステージにおいて不具合のフラグを立てるときであって、その後、そのデータがC2ステージで処理されるとき、単一バイトのみが不具合とマークされる。フラグを立てられた列はエラー位置に移る。C2は最大4つの消失を訂正できるので、4つの隣接する列にエラーがあってもよい。別々の4つの列から連続行データが生じるように、データをずらす(スキューする)ことによって、この能力はさらに4倍に向上する。このようにして、16の連続するエラーのあるフレームを訂正できる。
103 コーディングユニット
104 エラー訂正ユニット
Claims (26)
- データ記憶装置であって、
書き換え可能メモリと、前記書き換え可能メモリにエラー訂正を行うエラー訂正手段とを含む集積回路と、
前記書き換え可能メモリへの書き込みデータおよび前記書き換え可能メモリからの読み出しデータに拡張エラー訂正アルゴリズムを適用する拡張エラー訂正手段であって、
ハードウェアに実装されたコーディングユニットであって、コーディング動作を実行でき、このコーディング動作において、前記書き換え可能メモリへの書込み対象である第1データセットを受け取り、前記拡張エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理して第2データセットを生成し、前記書き換え可能メモリへの書込み用にこの第2データセットを出力し、さらにエラー検出動作を実行でき、このエラー検出動作では、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータを受け取り、前記拡張エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理して読み出されたデータがエラーを含むか否かを判別する、コーディングユニットと、
ソフトウェアに実装されたエラー訂正ユニットであって、エラーを含む読み出されたデータを受け取り、前記拡張エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理して前記エラーを訂正し、これにより訂正されたデータを生成し、この訂正されたデータを出力する、エラー訂正ユニットとを含む拡張エラー訂正手段とを備え、
前記拡張エラー訂正手段は、前記エラー訂正手段により既に前記書き換え可能メモリで行われたエラー訂正に加えて、さらにエラーを検出し訂正することを特徴とするデータ記憶装置。 - 請求項1において、前記コーディングユニットは、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータがエラーを含まないと判別すると、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータを出力する、データ記憶装置。
- 請求項1または2において、前記コーディングユニットは、前記コーディング動作中に第1データセットに実行する処理と同一の処理を、前記エラー検出動作中に前記書き換え可能メモリから読み出されたデータのエラー検出処理に実行する、データ記憶装置。
- 請求項3において、前記コーディングユニットは、エラー検出動作中に、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータをコーディング動作に合わせて第1データセットとみなし、このデータを前記エラー訂正アルゴリズムに従って処理して第2データセットを生成する、データ記憶装置。
- 請求項1から4のいずれか一項において、前記コーディングユニットは、第1データセットが既に書き込まれた前記書き換え可能メモリ内の第1位置から読み出される情報データと、第2データセットが既に書き込まれた前記書き換え可能メモリ内の第2位置から読み出される情報データについてのパリティデータとを受け取るように構成されており、前記第2データセットはコーディング動作中に前記第1データセットから既に生成されたものである、データ記憶装置。
- 請求項4において、前記コーディングユニットは、第1データセットが既に書き込まれた前記書き換え可能メモリ内の第1位置から読み出される情報データと、第2データセットが既に書き込まれた前記書き換え可能メモリ内の第2位置から読み出される情報データについてのパリティデータとを受け取るように構成されており、前記第2データセットはコーディング動作中に前記第1データセットから既に生成されたものであり、
前記コーディングユニットは、前記エラー訂正アルゴリズムに従って前記情報データを処理して第2データセットを生成し、この第2データセットを前記パリティデータと比較して、前記第2データセットが前記パリティデータと一致しない場合にその情報データがエラーを含むと判別することによって、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータがエラーを含むか否かを判別する、データ記憶装置。 - 請求項1から6のいずれか一項において、前記コーディングユニットは、第1データセ
ットを受け取り、このデータに生成多項式を乗算し、この乗算の結果を第2データセット
として出力する符号語生成器を備えた、データ記憶装置。 - 請求項5から7のいずれか一項において、前記コーディングユニットは、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータを受け取り、この読み出されたデータに含まれる前記情報データに生成多項式を乗算し、この乗算の結果を、読み出されたデータに含まれる前記パリティデータと比較する符号語生成器を備えた、データ記憶装置。
- 請求項5から8のいずれか一項において、前記コーディングユニットは、前記書き換え可能メモリから読み出された前記データを受け取り、この読み出されたデータに含まれる前記情報データとパリティデータとを連結し、前記生成多項式の根を前記連結されたデータに代入し、その結果の値を加算するシンドローム生成器を備えた、データ記憶装置。
- 請求項9において、前記コーディングユニットは、前記結果の値の総和がゼロでない場合、前記情報データがエラーを含むと判別する、データ記憶装置。
- 請求項10において、前記シンドローム生成器は、前記生成多項式の複数の根を前記連結されたデータにそれぞれ代入し、各代入から得た値を加算するように構成されており、加算の結果は、情報データ内のエラーの場所を表すものである、データ記憶装置。
- 請求項1から11のいずれか一項において、前記コーディングユニットは、前記書き換え可能メモリから読み出された前記データがエラーを含むと判別すると、その情報データを前記エラー訂正ユニットに出力する、データ記憶装置。
- 請求項1から12のいずれか一項において、前記エラー訂正ユニットは、前記書き換え可能メモリに書き込まれるデータをインターリーブし、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータをデインターリーブする、データ記憶装置。
- 請求項1から13のいずれか一項において、前記コーディングユニットは、前記書き換え可能メモリから読み出される256バイトごとに2つ以上のビットエラーを検出できる、データ記憶装置。
- 請求項1から14のいずれか一項において、前記エラー訂正ユニットは、前記書き換え可能メモリから読み出される512バイトごとに2つ以上のビットエラーを訂正できる、データ記憶装置。
- 請求項の1から15いずれか一項において、前記エラー訂正アルゴリズムはリードソロモン・コードである、データ記憶装置。
- 請求項1から16のいずれか一項において、前記エラー訂正アルゴリズムはクロスインターリーブ・リードソロモン・コードである、データ記憶装置。
- 請求項1から17のいずれか一項において、前記エラー訂正ユニットはデジタルプロセ
ッサである、データ記憶装置。 - 請求項1から18のいずれか一項において、前記書き換え可能メモリは、単一の集積回路に実装されている、データ記憶装置。
- 請求項19において、前記書き換え可能メモリと前記拡張エラー訂正手段とは、同一の集積回路に実装されていない、データ記憶装置。
- 請求項19または20において、前記書き換え可能メモリはリサイクルされた集積メモリである、データ記憶装置。
- 請求項19または20において、前記書き換え可能メモリは従来の許容できる製造標準を超えるエラー率を有する、データ記憶装置。
- 請求項19から22のいずれか一項において、前記書き換え可能メモリはフラッシュメモリである、データ記憶装置。
- 請求項19から23のいずれか一項において、前記書き換え可能メモリはNANDフラッシュメモリである、データ記憶装置。
- 請求項19から24のいずれか一項において、前記書き換え可能メモリは、そのビットが単独でアクセスされないものである、データ記憶装置。
- 書き換え可能メモリにエラー訂正を行うエラー訂正手段を有する集積回路において、前記書き換え可能メモリに書き込まれるデータおよび前記書き換え可能メモリから読み出されるデータを処理する方法であって、
ハードウェアでコーディング動作を実行する工程であって、このコーディング動作は、前記書き換え可能メモリへの書込み対象である第1データセットを受け取り、拡張エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理して第2データセットを生成し、前記書き換え可能メモリへの書込み用に第2データセットを出力する工程と、
ハードウェアでエラー検出動作を実行する工程であって、このエラー検出動作は、前記書き換え可能メモリから読み出されたデータを受け取り、前記拡張エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理して読み出されたデータがエラーを含むか否かを判別する工程と、
ソフトウェアでエラー訂正動作を実行する工程であって、このエラー訂正動作は、エラーを含む読み出されたデータを受け取り、前記拡張エラー訂正アルゴリズムに従ってそのデータを処理してエラーを訂正し、この訂正されたデータを出力する工程とを備え、
前記拡張エラー訂正アルゴリズムは、前記エラー訂正手段により既に前記書き換え可能メモリで行われたエラー訂正に加えて、さらにエラーを検出し訂正する、データ処理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0514610.5 | 2005-07-15 | ||
GB0514610A GB2428496A (en) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Error correction for flash memory |
PCT/GB2006/002507 WO2007010189A2 (en) | 2005-07-15 | 2006-07-06 | Flash memory error correction |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009501380A JP2009501380A (ja) | 2009-01-15 |
JP4988731B2 true JP4988731B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=34897323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008520940A Active JP4988731B2 (ja) | 2005-07-15 | 2006-07-06 | フラッシュエラー訂正 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8140939B2 (ja) |
EP (1) | EP1907933B1 (ja) |
JP (1) | JP4988731B2 (ja) |
KR (1) | KR100989532B1 (ja) |
CN (1) | CN101258471A (ja) |
DE (1) | DE602006009273D1 (ja) |
GB (1) | GB2428496A (ja) |
WO (1) | WO2007010189A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2005
- 2005-07-15 GB GB0514610A patent/GB2428496A/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-07-06 CN CNA200680025877XA patent/CN101258471A/zh active Pending
- 2006-07-06 WO PCT/GB2006/002507 patent/WO2007010189A2/en active Application Filing
- 2006-07-06 KR KR1020087002819A patent/KR100989532B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-06 EP EP06755725A patent/EP1907933B1/en active Active
- 2006-07-06 US US11/913,259 patent/US8140939B2/en active Active
- 2006-07-06 DE DE602006009273T patent/DE602006009273D1/de active Active
- 2006-07-06 JP JP2008520940A patent/JP4988731B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1907933B1 (en) | 2009-09-16 |
EP1907933A2 (en) | 2008-04-09 |
CN101258471A (zh) | 2008-09-03 |
JP2009501380A (ja) | 2009-01-15 |
US8140939B2 (en) | 2012-03-20 |
WO2007010189A3 (en) | 2007-07-12 |
GB2428496A (en) | 2007-01-31 |
DE602006009273D1 (de) | 2009-10-29 |
WO2007010189A2 (en) | 2007-01-25 |
KR20080045676A (ko) | 2008-05-23 |
GB0514610D0 (en) | 2005-08-24 |
KR100989532B1 (ko) | 2010-10-25 |
US20080235560A1 (en) | 2008-09-25 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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