JP2008165808A - 誤り訂正確率を減らすエラー訂正回路、その方法及び前記回路を備える半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるエラー訂正回路は、ECCエンコーダ及びECCデコーダを備える。ECCエンコーダは、情報データ及び生成多項式に基づいて、h(2以上の整数)ビットエラー訂正が可能なシンドロームデータを発生させる。ECCデコーダは、情報データとシンドロームデータを含む符号データとに基づいて、情報データから最大(h−j)ビットのエラー位置を算出する単一モードで動作できる。ECCデコーダは、情報データとシンドロームデータを含む符号データとに基づいて、情報データから最大hビットのエラー位置を算出する第1動作モードまたは情報データから最大(h−j)ビットのエラー位置を算出する第2動作モードで動作できる。
【選択図】図7
Description
リダンダンシメモリセル方式のエラー訂正回路を有する半導体メモリ装置は、ノーマル(正常)メモリセル及びリダンダンシ(予備)メモリセルを有する。この方式を使う半導体メモリ装置は、欠陷(エラー)が存在するメモリセルをリダンダンシメモリセルに取り替えてデータを書込み/読出す。この方式は、DRAM(Dynamic Random Access Memory)によく使われる。
ECC方式のエラー訂正回路は、読み取り専用メモリ(ROM)方式の半導体メモリ装置によく使われる。特に、電気的に消去及びプログラムが可能なメモリセル(EEPROM cells)を有するフラッシュメモリ装置に多く使われる。
図1は、通常のエンコーダの機能ブロック図である。図1を参照すれば、従来技術によるエンコーダは、情報データのエンコーディングのためにCRCエンコーダ12及びECCエンコーダ14を備える。
CRCエンコーダ12は、本来のECCの対象となるデータ、すなわち、メモリ(図示せず)に保存するためにホストから受信されるデータ(host write data)のCRCデータ(CRC parity)を求めて、これを情報データに追加する。CRCデータ(CRC parity)は、図2に図示されたように、16ビットデータであり得る。
これを参照すれば、従来技術による半導体メモリ装置は、データのデコーディングのためにECCデコーダ22、CRCデコーダ24及び選択器26を備える。
従来技術による半導体メモリ装置は、エンコーディング過程の逆順、すなわち、メモリから読出されたデータに対してECCデコーディングをした後、CRCデコーディングを実行する。
したがって、ハードウェアの追加及びエラー訂正時間の増加を最小化しながら、効果的にECCの誤り訂正確率を減少させうる方策が要求される。
したがって、本発明の実施形態によるエラー訂正回路は、従来のCRCコーデックを利用したエラー訂正回路に比べてハードウェアを減少させることができ、エラー訂正時間を短縮させうる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳しく説明する。各図面に付された同一の参照符号は、同一の部材を表わす。
これを参照すれば、本発明の一実施形態による半導体メモリ装置300は、ECC回路420、430及びECC回路420、430に接続されたメモリコア310を備える。ECC回路420、430は、ECCエンコーダ420及びECCデコーダ430を含む。
したがって、情報データ及びシンドロームデータを含むエンコーディングされたデータがメモリコア310に保存される。
これを参照すれば、本発明の他の一実施形態による半導体メモリ装置500は、ECC回路420、530及びECC回路420、530に接続されたメモリコア310を備える。ECC回路420、530は、ECCエンコーダ420及びECCデコーダ530を含む。
メモリコア310及びECCエンコーダ420は、図4を参照して前述したところと同一なので、これについての詳細な説明は省略する。
半導体メモリ装置500は、直列に接続されたメモリコア310、ECC回路520、ホストインターフェース及びロジック部330とを備える。
ホストインターフェース及びロジック部330は、ホスト200(例えば、モバイル機器のコントローラ、コンピュータ装置のコントローラなど)とメモリコア310との間のインターフェースのための制御及びバッファリング役割を実行する。
ホストインターフェース及びロジック部330は、ホスト200とd(2以上の整数)ビットの並列データを送受信できる。
ECCラッパ(ECC wrapper)410は、ホストインターフェース及びロジック部330を介して受信されるk(2以上の整数、例えば、4096)ビット情報データに各ビットが所定ロジック値(例えば、“0”を有するn−k(1以上の整数、例えば、66)ビットのダミーデータを追加して、合計n(例えば、4096+66=4162)ビットデータを直列または並列に出力する。
nビットデータは、ECCエンコーダ420に入力される。
図9を参照すれば、ECCエンコーダ420は、シンドローム生成器421及びXOR(exclusive−OR)演算器423を含む。シンドローム生成器421の入力端はXOR演算器423の第1入力端と連結され、シンドローム生成器421の出力端はXOR演算器423の第2入力端と連結される。
S(x)=xn−kI(x)% G(x)、
C(x)=xn−kI(x)+S(x)=Q(x)G(x)
ここで、xn−kI(x)は、kビットの情報データI(x)を(n−k)ビットだけMSB(most significant bit)方向にシフトさせた値であり、% G(x)は、モジュロ(modulo)−G(x)演算を意味し、Q(x)は、C(x)をG(x)で割った商である。
メモリコア310から出力されたnビット符号データをR(x)とし、各部分シンドローム生成器431、433、435、437、439の特定データ、すなわち、部分生成多項式をそれぞれm1(x)、m3(x)、m5(x)、m7(x)、m9(x)とすれば、これらデータ間の関係は、次の数式2の通りである。
S1(x)= R(x)% m1(x)、
S3(x)= f{R(x)% m3(x)}、
S5(x)= f{R(x)% m5(x)}、
S7(x)= f{R(x)% m7(x)}、
S9(x)= f{R(x)% m9(x)}、
G(x)=m1(x)* m3(x)* m5(x)* m7(x)* m9(x)
ここで、*は、ガロア体乗算を意味する。
設定された動作モードが第2動作モードである場合、係数計算器541は、第1ないし第4部分シンドローム S1、S3、S5、S7を用いて第2エラー位置方程式の係数を算出する。
エラー位置方程式の係数σ1、σ2、σ3、σ4 、σ5と部分シンドローム S1、S3、S5、S7、S9との関係は、多様なアルゴリズムを通じて求めることができ、次の数式4ないし数式5は、その求められた関係式の一例を表わしたものである。
先ず、1ビットエラー訂正のためのエラー位置方程式の一例は、次の数式4の通りである。
σ1x+1=0
ここで、σ1=S1であり、数式4の1次方程式を満足する根の逆数が1ビットエラー位置を表わす。
2ビットエラー訂正のためのエラー位置方程式の一例は、次の数式5の通りである。
σ2x2+σ1x+1=0
ここで、σ1=S1、σ2=(S1 3+S3)/S1であり、数式5の2次方程式を満足する根の逆数が2ビットエラー位置を表わす。
3ビット以上のエラー訂正の場合にも、前述したところと同様にエラー位置方程式の係数を算出することができる。
エラー訂正器443によってエラー訂正されたデータは、ホストインターフェース及びロジック部330を介してホスト200に提供される。
半導体メモリ装置300は、メモリコア310、メモリコア310に接続されたECC回路320、ホストインターフェース及びロジック部330とを備える。
ECC回路320は、ECCラッパ410、ECCエンコーダ420及びECCデコーダ430とを備える。メモリコア310、ホストインターフェース及びロジック部330、ECCラッパ410及びECCエンコーダ420は、図7を参照して前述したところと同一なので、これについての詳細な説明は省略する。
第2動作モードでのECCデコーダ430の動作は、ECCデコーダ530の動作と類似しているので、これについての詳細な説明は省略する。
300、500:半導体メモリ装置
310:メモリコア
320、420、430、520:ECC回路
330:ホストインターフェース及びロジック部
410:ECCラッパ
420:ECCエンコーダ
421:シンドローム生成器
423:XOR演算器
430、530:ECCデコーダ
431、433、435、437、439:第1ないし第5部分シンドローム生成器
441、541:係数計算器
443:エラー訂正器
444:パリティチェッカ
452、552:エラー位置検出器
452:マルチビットエラー位置検出器
551:モード設定部
Claims (20)
- 情報データ及び生成多項式に基づいて、h(2以上の整数)ビットエラー訂正が可能なシンドロームデータを発生させ、前記情報データと前記シンドロームデータを含む符号データとを出力するECC(Error Check and Correction)エンコーダと、
前記符号データを受信するように接続され、第1動作モードで前記符号データに基づいて前記情報データから最大(h−j)ビットのエラー位置を算出するECCデコーダと、を備え、
前記jは、1以上の整数であることを特徴とするメモリ装置。 - 前記jは、1であることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記ECCデコーダは、
前記符号データを用いて二つ以上の部分シンドローム(partial syndroms)を算出する部分シンドローム生成器と、
前記二つ以上の部分シンドロームを用いてエラー位置方程式の係数を算出する係数算出器と、
前記係数に基づいて前記エラー位置を検出するエラー位置検出器と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記ECCデコーダは、
前記検出されたエラー位置に基づいて、前記符号データを訂正するエラー訂正器をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。 - 前記ECCエンコーダは、
前記符号データに対する第1パリティビットを生成させるパリティビット生成器をさらに備え、
前記ECCデコーダは、
前記符号データを用いて第2パリティビットを生成させ、前記第1パリティビットと比べるパリティチェッカをさらに備え、
前記第1及び第2パリティビットは、それぞれ偶数パリティビットまたは奇数パリティビットであることを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、
前記ECCエンコーダと前記ECCデコーダとに連結され、前記符号データを保存するメモリコアをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。 - 前記メモリコアは、
電気的に消去及びプログラムが可能なメモリセル(EEPROM cells)を含むことを特徴とする請求項6に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、
前記ECCデコーダに連結され、前記メモリコアから読出された前記符号データ及び前記エラー位置に対するデータをホストに伝送するホストインターフェース及びロジック部をさらに備え、
前記ホストは、前記算出されたエラー位置に基づいて前記符号データを訂正することを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。 - 前記ECCデコーダは、
第2動作モードで前記符号データに基づいて、前記情報データから最大hビットのエラー位置を算出し、ホストからの動作モード信号に応答して前記第1動作モードまたは前記第2動作モードで動作することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記ECCデコーダは、
前記動作モード信号に応答して動作モードを設定して制御信号を発生させるモード設定部と、
前記符号データを用いて二つ以上の部分シンドロームを算出する部分シンドローム生成器と、
前記制御信号に基づいて、前記二つ以上の部分シンドロームを用いて第1エラー位置方程式の係数を算出するかまたは第2エラー位置方程式の係数を算出する係数算出器と、
前記係数算出器から出力される係数に基づいて前記エラー位置を検出するエラー位置検出器と、を備えることを特徴とする請求項9に記載のメモリ装置。 - 前記ECCデコーダは、
前記検出されたエラー位置に基づいて、前記符号データを訂正するエラー訂正器をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、
前記ECCエンコーダと前記ECCデコーダとに連結され、前記符号データを保存するメモリコアをさらに備えることを特徴とする請求項9に記載のメモリ装置。 - 前記メモリコアは、
電気的に消去及びプログラムが可能なメモリセル(EEPROM cells)を含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。 - 情報データ及び生成多項式に基づいて、h(2以上の整数)ビットエラー訂正が可能なシンドロームデータを発生させる段階と、
前記情報データと前記シンドロームデータを含む符号データとをメモリに保存する段階と、
前記符号データを前記メモリから読出す段階と、
前記符号データに基づいて、前記情報データから最大(h−j)ビットのエラー位置を検出する段階と、
前記検出されたエラー位置に基づいて前記符号データを訂正する段階と、を備え、
前記jは、1以上の整数であることを特徴とするエラー訂正方法。 - 前記エラー位置を算出する段階は、
前記符号データを用いて二つ以上の部分シンドロームを算出する段階と、
前記二つ以上の部分シンドロームを用いてエラー位置方程式の係数を算出する段階と、
前記係数に基づいて前記エラー位置を検出する段階と、を備えることを特徴とする請求項14に記載のエラー訂正方法。 - 前記エラー訂正方法は、
前記符号データを前記メモリに保存する前に、少なくとも一つの前記情報データと前記符号データとに基づいて第1パリティビットを発生させる段階と、
前記符号データを前記メモリから読出した後に、前記少なくとも一つの情報データと符号データとに基づいて第2パリティビットを発生させる段階と、をさらに備え、
前記エラー位置を検出する段階は、
前記第1パリティビットと前記第2パリティビットとを比べる段階を備えることを特徴とする請求項15に記載のエラー訂正方法。 - 情報データ及び生成多項式に基づいて、h(2以上の整数)ビットエラー訂正が可能なシンドロームデータを発生させる段階と、
前記情報データと前記シンドロームデータを含む符号データとをメモリに保存する段階と、
前記符号データを前記メモリから読出す段階と、
第1動作モードまたは第2動作モードで進行するか否かを決定する段階と、
前記第1動作モードでは、前記符号データを用いて前記情報データから最大(h−j)ビットの第1エラー位置を算出する段階と、
前記第2動作モードでは、前記符号データを用いて前記情報データから最大hビットの第2エラー位置を算出するエラー位置算出段階と、
算出された前記第1エラー位置または前記第2エラー位置に基づいて前記符号データを訂正する段階と、を備え、
前記jは、1以上の整数であることを特徴とするエラー訂正方法。 - 前記第1エラー位置算出段階は、
前記符号データを用いて二つ以上の部分シンドロームを算出する段階と、
制御信号に基づいて、前記二つ以上の部分シンドロームを用いて第1エラー位置方程式の係数を算出する段階と、
前記第1エラー位置方程式の係数を用いて前記第1エラー位置を算出する段階と、を備えることを特徴とする請求項17に記載のエラー訂正方法。 - 前記第1動作モードまたは前記第2動作モードで進行するか否かを決定する段階は、
ホストから受信される動作モード信号に基づいて決定されることを特徴とする請求項17に記載のエラー訂正方法。 - 前記第1動作モードは、
正常動作状態に比べて前記情報データでマルチビットエラーが増加することができるモードであることを特徴とする請求項17に記載のエラー訂正方法。
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