JP4986138B2 - 反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)本発明に係る光学素子用成形型は、大面積で且つ複雑な形状の構造体から成る光学素子の表面に、均一に安定してナノ構造体を有しより広い波長帯域で反射防止効果をもち、且つ入射角度依存性の小さい反射防止構造を有する光学素子を製造することができるものである。
(2)本発明に係る光学素子用成形型の製造方法は、少ない行程で、且つ生産性の高いドライプロセスのみで製造することができる方法である。
(3)本発明に係る光学素子は、基板表面に微細な凹凸面のナノ構造を有し、ランダムに配置されて成るナノパターンを備え、好ましくは、このナノパターンは、光源の波長以下の間隔を保たれている構成であるナノパターンを備えた光学素子である。
(1)本発明に係る光学素子用成形型は、大面積で且つ複雑な自由曲面を持つ光学素子の表面に、均一に安定してナノ構造体を有しより広い波長帯域で反射防止効果をもち、且つ入射角度依存性の小さい反射防止構造を有する光学素子を製造することができる。
(2)本発明に係る光学素子用成形型の製造方法は、少ない行程で、且つ生産性の高いドライプロセスのみで製造することができる。
(3)本発明に係る光学素子は、基板表面に微細な凹凸面のナノ構造を有し、ランダムに配置されて成るナノパターンを備え、好ましくは、このナノパターンは、光源の波長以下の間隔を保たれている構成であるナノパターンを備えた光学素子である。
(1)基板上への薄膜の形成工程
基板上に複数のエッチング転写層を形成し、さらに、一括に薄膜を形成する。これらの形成工程は、真空ドライプロセスで行う。
熱反応、光反応、ガス反応のいずれか、またはこれらの反応を2以上組み合わせた複合反応を用いて、上記薄膜に、薄膜物質の凝集作用、分解作用、または核形成を生じさせて、ナノメータオーダの微細な半球状の島状微粒子が、反射防止の対象とする光の波長以下の間隔でランダムに存在するナノパターンを形成する。
次に、図6に示す模式図を用いて、上記説明した反射防止構造を有する光学素子用成形型1から射出成形用型の製造方法を説明するとともに、この射出成型用型を用いる反射防止構造を有する光学素子量産方法の一例を説明する。
2 基板
3 エッチング転写層
4 島状微粒子作製の為の薄膜
5 島状微粒子
6 光学素子用成形型
7 基板
8 射出成形型
9 光学素子
10 射出成形型
11 光学素子
Claims (6)
- 基板表面に微細な凹凸面の反射防止構造を有する光学素子を成形するための光学素子用成形型の製造方法であって、
基板上に1層以上のエッチング転写層を形成し、該エッチング転写層上に島状微粒子生成用の薄膜を形成し、
前記薄膜に、熱反応、光反応、化学反応のいずれか、またはそれらの複合反応を用いて、薄膜物質の凝集作用、分解作用、または核形成作用を生じさせて、島状微粒子を複数、形成し、
前記複数の島状微粒子を保護マスクとしてエッチング転写層及び前記基板を順次エッチングして、基板表面に微細な凸状のパターンを形成することを特徴とする反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法。 - 前記複数の島状微粒子は、それぞれの大きさはナノメータオーダであって、互いに対象とする光の波長以下の間隔を保ちながらランダムに配置されて成るナノパターンを形成する事を特徴とする請求項1記載の反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法。
- 前記薄膜の材料は、銀、金、白金、若しくはパラジウムを主成分とする物質、又は、銀、金、白金、パラジウム、タングステン、ビスマス、テルルのいずれかの成分を主成分とする酸化物若しく窒化物であることを特徴とする請求項1又は2記載の反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法。
- 前記島状微粒子は、その平均粒径は5nm〜1000nmであり、複数の島状微粒子の平均間隔は、10nm〜2000nmであることを特徴とする請求項1又は2記載の反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法。
- 前記基板は、石英ガラス、樹脂、シリコン、窒化ガリウム、砒化ガリウム、インジウム燐、ニッケル、鉄、チタン、炭素、サファイヤ、又は窒化カーボンを主成分とする金属または非金属であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法。
- 前記エッチング転写層は、酸化物、窒化物若しくは炭化物の1層、又は酸化物、窒化物及び炭化物のいずれかから成る多層で構成される事を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007110068A JP4986138B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-04-19 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法 |
| US12/515,188 US8226837B2 (en) | 2006-11-15 | 2007-10-02 | Mold for optical device with anti-reflection structure, method for producing the same, and optical device |
| PCT/JP2007/069279 WO2008059671A1 (fr) | 2006-11-15 | 2007-10-02 | Matrice de moulage pour dispositif optique avec structure antiréfléchissante, son procédé de fabrication et dispositif optique |
| US13/540,364 US20120300305A1 (en) | 2006-11-15 | 2012-07-02 | Mold for optical device with anti-reflection structure, method for producing the same, and optical device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006308842 | 2006-11-15 | ||
| JP2006308842 | 2006-11-15 | ||
| JP2007110068A JP4986138B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-04-19 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011203094A Division JP5392793B2 (ja) | 2006-11-15 | 2011-09-16 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008143162A JP2008143162A (ja) | 2008-06-26 |
| JP4986138B2 true JP4986138B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=39603841
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007110068A Active JP4986138B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-04-19 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法 |
| JP2011203094A Active JP5392793B2 (ja) | 2006-11-15 | 2011-09-16 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011203094A Active JP5392793B2 (ja) | 2006-11-15 | 2011-09-16 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8226837B2 (ja) |
| JP (2) | JP4986138B2 (ja) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2007
- 2007-04-19 JP JP2007110068A patent/JP4986138B2/ja active Active
- 2007-10-02 US US12/515,188 patent/US8226837B2/en active Active
-
2011
- 2011-09-16 JP JP2011203094A patent/JP5392793B2/ja active Active
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