JP5424730B2 - 光学フィルタの製造方法 - Google Patents
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積層体の第1主面側に位置する半導体材料にエッチングを施して、半導体材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する第1微細構造体を形成する工程と、
積層体の第2主面側に位置する半導体材料にエッチングを施して、半導体材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する第2微細構造体を形成する工程とを含むことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1による光学フィルタの構造を示す斜視図である。図2は、図1に示す光学フィルタの平面図である。図3は、図2中のIII−III線に沿った断面図である。
図4は、本発明の実施の形態2による光学フィルタの構造を示す斜視図である。図5は、図4に示す光学フィルタの平面図である。図6は、図5中のVI−VI線に沿った断面図である。
図14〜図19は、本発明の実施の形態3による光学フィルタの製造方法を示す説明図である。本実施形態では、実施の形態1の光学フィルタにおいて基板の両面に三次元構造体を形成している。
図20は、本発明の実施の形態4による光学フィルタの構造を示す斜視図であり、図21は、その断面図である。本実施形態では、基板2の上に、酸化絶縁層43、SOI層53、酸化絶縁層42、SOI層52、酸化絶縁層41、SOI層51がこの順に積層された多層SOI基板を用いて、深さが3段階で異なる多数の微細孔、即ち、SOI層51の表面から酸化絶縁層41に到達する第1微細孔12、SOI層51の表面から酸化絶縁層42に到達する第2微細孔22、SOI層51の表面から酸化絶縁層43に到達する第3微細孔32を形成することによって、複数のサブ波長構造体からなる積層構造を実現している。隣り合う微細構造体は、面積比率fの制御によって互いに異なる実効屈折率を有することにより、従来の多層膜フィルタと同等な光学特性を実現できる。
図22は、本発明の実施の形態5による光学フィルタの製造方法を示す説明図である。
図23は、本発明の実施の形態6による光学フィルタの製造方法を示す説明図である。
10 上層構造体、 11 上層小角柱、 12 第1微細孔、
20 中層構造体、 21 大角柱、 22 第2微細孔、
30 下層構造体、 31 下層小角柱、 32 第3微細孔、
41,42,43 酸化絶縁層、 51,52,53 SOI層、
MA,MB エッチングマスク、 RA,RB,RC,RD レジスト。
Claims (5)
- 2つ以上の電気絶縁層および3つ以上の半導体材料が交互に積層された積層体を用意する工程と、
積層体の第1主面側に位置する半導体材料にエッチングを施して、半導体材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する第1微細構造体を形成する工程と、
積層体の第2主面側に位置する半導体材料にエッチングを施して、半導体材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する第2微細構造体を形成する工程とを含むことを特徴とする光学フィルタの製造方法。 - 個々の半導体材料にエッチングを施す際、個々の電気絶縁層をエッチング停止層として利用することによってエッチング深さを制御することを特徴とする請求項1記載の光学フィルタの製造方法。
- 半導体材料にエッチングを施す際、アルミ陽極酸化による自己整合的な微細パターンをマスクとして使用することを特徴とする請求項1または2記載の光学フィルタの製造方法。
- 半導体材料にエッチングを施す際、金属ナノ粒子を表面に分散させたものをマスクとして使用することを特徴とする請求項1または2記載の光学フィルタの製造方法。
- 積層体は、SOI基板である請求項1記載の光学フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009141031A JP5424730B2 (ja) | 2009-06-12 | 2009-06-12 | 光学フィルタの製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010286706A JP2010286706A (ja) | 2010-12-24 |
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ID=43542440
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009141031A Active JP5424730B2 (ja) | 2009-06-12 | 2009-06-12 | 光学フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5424730B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110346313A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-10-18 | 清华大学 | 一种光调制微纳结构、微集成光谱仪及光谱调制方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03201530A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Casio Comput Co Ltd | 微細孔の形成方法 |
DE19746089A1 (de) * | 1997-10-20 | 1999-04-29 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Eine Filterstruktur aufweisendes Bauelement |
JP2004328102A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Hitachi Ltd | 光学素子およびそれを用いた光学装置 |
US6897469B2 (en) * | 2003-05-02 | 2005-05-24 | Athanasios J. Syllaios | Sub-wavelength structures for reduction of reflective properties |
WO2005101112A2 (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Nanoopto Corporation | Optical films and methods of making the same |
JP4986138B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2012-07-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法 |
WO2008123461A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. | 波長分波光学素子 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010286706A (ja) | 2010-12-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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