JP4984063B2 - 低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法、低速陽電子輝度増強用透過型減速材、低速陽電子ビームの輝度増強方法、高輝度低速陽電子ビーム発生装置および陽電子顕微鏡 - Google Patents
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反射型の減速材では、数keVの低エネルギーで陽電子を注入すれば表面に拡散する陽電子の数も増加し、効率の向上が容易であり、これまで20%以上の効率が得られているが、数keVに加速された陽電子の入射面と数eVの再放出陽電子の出射面が同じであるため、静電レンズや電磁レンズ等の電子光学系が複雑になるという問題がある。
したがって、その目的は、
(1)20%以上の効率を有する陽電子輝度増強用透過型のニッケル薄膜製の減速材の製造方法、
(2)20%以上の効率を有する陽電子輝度増強用透過型のニッケル薄膜製の減速材、
(3)減速材から生成される単位面積当たりの低速陽電子密度を上昇させ、陽電子ビーム径を減速材中で絞ることにより、低速陽電子ビームの輝度を増強する方法、
(4)減速材から生成される単位面積当たりの低速陽電子密度を上昇させ、陽電子ビーム径を減速材中で絞ることにより高輝度低速陽電子ビームを高効率で発生させることができる小型で電子光学系が簡素な高輝度低速陽電子ビーム発生装置、および、
(5)減速材から生成される単位面積当たりの低速陽電子密度を上昇させ、陽電子ビーム径を減速材中で絞ることにより高輝度低速陽電子ビームを高効率で発生させることができる小型で電子光学系が簡素な陽電子顕微鏡。
を提供することにある。
「[1](1)厚さが100nm〜200nmであるニッケル薄膜を、水素ガス雰囲気中で700℃〜800℃の温度範囲で熱処理し、次いで(2)水素ガス圧が0.001333 Pa(10-5Torr)以上、0.013332 Pa(10-4 Torr)未満である水素ガス雰囲気中で、該水素ガスを電子衝撃することにより生成した水素原子および/または水素イオンで、前記熱処理をしたニッケル薄膜を衝撃して、該ニッケル薄膜の表面を清浄にすることを特徴とする低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法。
[2]ニッケル薄膜の厚さが、150±10nmであることを特徴とする[1]記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法。
[3][1]または[2]記載の製造方法で製造された低速陽電子輝度増強用透過型減速材。
[4]低速陽電子ビームを磁場輸送し、磁場から切り離し、電磁レンズによって集束して、[3]記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材に入射することにより、低速陽電子ビームを高輝度化した状態で出射することを特徴とする低速陽電子ビームの輝度増強方法。
[5]低速陽電子ビーム発生手段と、ソレノイドコイルまたはヘルムホルツコイルと、電磁レンズと、[3]記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材とが直列に配置された真空チャンバー(A)と、水素ガス導入機構と、水素ガスを電子衝撃励起することができる熱電子源とを具備した真空容器(B)からなり、真空チャンバー(A)は前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材存在位置で、真空容器(B)と連通しており、該連通部を通して前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材を真空チャンバー(A)内と真空容器(B)内とを往復させる移動手段を具備することを特徴とする高輝度低速陽電子ビーム発生装置。
[6]低速陽電子ビーム発生手段と、ソレノイドコイルまたはヘルムホルツコイルと、電磁レンズと、[3]記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材と、静電レンズと、中間レンズと、対物レンズとが直列に配置された真空チャンバー(C)と、水素ガス導入機構と、水素ガスを電子衝撃励起することができる熱電子源とを具備した真空容器(B)からなり、真空チャンバー(C)は前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材存在位置で、真空容器(B)と連通しており、該連通部を通して前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材を真空チャンバー(C)内と真空容器(B)内とを往復させる移動手段を具備することを特徴とする陽電子顕微鏡。」
に関する。
本発明の陽電子輝度増強透過型減速材によると、20%以上の高い効率で再放出陽電子を発生させることが可能となり、透過型配置において陽電子ビームの輝度増強が可能となる。
本発明の低速陽電子ビームの輝度増強方法によると、20%以上の高い効率で再放出陽電子を発生させることが可能となり、透過型配置において陽電子ビームの輝度増強が可能となり、高輝度低速陽電子ビーム発生装置の小型化、電子光学系の簡素化が可能となる。
本発明の高輝度低速陽電子ビーム発生装置によると、20%以上の高い効率で再放出陽電子を発生させることが可能となり、透過型配置において陽電子ビームの輝度増強が可能となり、高輝度低速陽電子ビーム発生装置の小型化、電子光学系の簡素化が可能となる。
本発明の陽電子顕微鏡によると、20%以上の高い効率で再放出陽電子を発生させることが可能となり、透過型配置において陽電子ビームの輝度増強が可能となり、陽電子顕微鏡の小型化、電子光学系の簡素化が可能となる。
電子衝撃は、熱電子源(フィラメント、例えばタングステンフィラメント、六硼化ランタンチップ)により行うことが好ましく、ニッケル薄膜が低速陽電子輝度増強用透過型減速材として使用されるときに陽電子の再放出面となるニッケル薄膜の一方の面の表面を水素原子や水素イオンの衝撃により清浄化することが好ましい。表面から再放出される陽電子の割合を増加させる観点から、ニッケル薄膜の厚さは100nm〜200nmであり、好ましくは150±10nmである。ニッケル薄膜は、単結晶、多結晶のいずれでもよい。なお、ニッケル薄膜は、ニッケル箔とも称される。
真空チャンバー(A)内と真空容器(B)内とを往復させる移動手段により、真空容器(B)内で処理され表面が清浄化されたニッケル薄膜からなる低速陽電子輝度増強用透過型減速材6を空気に触れることなく、真空チャンバー(A)内に配置することができる。
また、真空チャンバー(A)には、高輝度低速陽電子ビームを透過させて出射するための高輝度低速陽電子ビーム出射口17があることが好ましい。高輝度低速陽電子ビーム出射口17は、電磁レンズ5から低速陽電子輝度増強用透過型減速材6’へ向かう方向の延長線上の真空チャンバー(A)の壁面にあることが好ましい。
真空チャンバー(C)内と真空容器(B)内とを往復させる移動手段により、真空容器(B)内で処理され表面が清浄化された低速陽電子輝度増強用透過型減速材6を空気に触れることなく、真空チャンバー(C)内に配置することができる。
表面が清浄になったニッケル薄膜101aを大気中に取り出さずに、移動ステージ106によって効率測定用の真空容器107に移動させ、再放出の効率を評価した。なお、図3の通り、真空容器102と効率測定用の真空容器107は連通している。
陽電子を発散せずに輸送させるため、効率測定用の真空容器107全体において、ヘルムホルツコイル108により陽電子の進行方向に対して平行に100ガウス程度の磁場を発生させた。
低速(単色)陽電子ビーム110が入射した面と異なるニッケル薄膜101a'の面から再放出された再放出陽電子ビーム112は、4枚のグリッド電極113を通過して、マイクロチャンネルプレート(以下、MCP)114に入射され、陽電子強度が測定された。なお、4枚のグリッド電極は両端の2枚の電極はグラウンド電位とし、中間の2枚の電極に同一の電位を印加できるように構成されている。
低速(単色)陽電子ビーム(入射陽電子エネルギー)110のエネルギーを高くするにつれて入射面と反対側の面に拡散する陽電子の割合が増加し、効率が向上した結果、入射陽電子エネルギーが5.5keVで21.6%の効率が得られた。
それ以上の入射陽電子エネルギーでは、減速前に高いエネルギーを持った状態で透過する陽電子の割合が増加するため効率は次第に減少している。
最適な入射陽電子エネルギーはニッケル薄膜の厚さに依存し、今回の150nm厚さで5.5keVが最も高い効率を示した。
この状態でふたたび水素衝撃による表面清浄化をすると、効率は入射陽電子エネルギーが5.5 keVで21%まで回復した。
さらにいったん大気に暴露し、ふたたび真空中に導入した場合、入射陽電子エネルギーが5.5 keVでの効率は3%まで低下したが、水素衝撃による表面清浄化を施すことにより21%まで回復した。
B 真空容器
C 真空チャンバー
P 高輝度低速陽電子ビーム発生装置
Q 陽電子顕微鏡
1 陽電子源
2 陽電子減速材
3 低速陽電子ビーム
4 ソレノイドコイルまたはヘルムホルツコイル
5 電磁レンズ
6 低速陽電子輝度増強用透過型減速材
6’ 低速陽電子輝度増強用透過型減速材
7 高輝度低速陽電子ビーム
8 真空チャンバー(A)と真空容器(B)との連通部
9 水素ガス導入機構
9a 水素ボンベ
9b 水素ガス導入バルブ
10 熱電子源
11 移動ステージ
12 静電レンズ
13 中間レンズ
14 対物レンズ
15 試料
16 試料ステージ
17 高輝度低速陽電子ビーム出射口
101 ニッケル薄膜固定用リング(ニッケル製)
101a ニッケル薄膜
102 真空容器
103 水素ボンベ
104 水素ガス導入バルブ
105 タングステンフィラメント
106 移動ステージ
107 効率測定用の真空容器
108 ヘルムホルツコイル
109 低速(単色)陽電子源
110 低速(単色)陽電子ビーム
111 アパーチャー
101a' ニッケル薄膜
112 再放出陽電子ビーム
113 グリッド
114 マイクロチャンネルプレート
Claims (6)
- (1)厚さが100nm〜200nmであるニッケル薄膜を、水素ガス雰囲気中で700℃〜800℃の温度範囲で熱処理し、次いで(2)水素ガス圧が0.001333 Pa(10-5Torr)以上、0.013332 Pa(10-4 Torr)未満である水素ガス雰囲気中で、該水素ガスを電子衝撃することにより生成した水素原子および/または水素イオンで、前記熱処理をしたニッケル薄膜を衝撃して、該ニッケル薄膜の表面を清浄にすることを特徴とする低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法。
- ニッケル薄膜の厚さが、150±10nmであることを特徴とする請求項1記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法。
- 請求項1または請求項2記載の製造方法で製造された低速陽電子輝度増強用透過型減速材。
- 低速陽電子ビームを磁場輸送し、磁場から切り離し、電磁レンズによって集束して、請求項3記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材に入射することにより、低速陽電子ビームを高輝度化した状態で出射することを特徴とする低速陽電子ビームの輝度増強方法。
- 低速陽電子ビーム発生手段と、ソレノイドコイルまたはヘルムホルツコイルと、電磁レンズと、請求項3記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材とが直列に配置された真空チャンバー(A)と、水素ガス導入機構と、水素ガスを電子衝撃励起することができる熱電子源とを具備した真空容器(B)からなり、真空チャンバー(A)は前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材存在位置で、真空容器(B)と連通しており、該連通部を通して前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材を真空チャンバー(A)内と真空容器(B)内とを往復させる移動手段を具備することを特徴とする高輝度低速陽電子ビーム発生装置。
- 低速陽電子ビーム発生手段と、ソレノイドコイルまたはヘルムホルツコイルと、電磁レンズと、請求項3記載の低速陽電子輝度増強用透過型減速材と、静電レンズと、中間レンズと、対物レンズとが直列に配置された真空チャンバー(C)と、水素ガス導入機構と、水素ガスを電子衝撃励起することができる熱電子源とを具備した真空容器(B)からなり、真空チャンバー(C)は前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材存在位置で、真空容器(B)と連通しており、該連通部を通して前記低速陽電子輝度増強用透過型減速材を真空チャンバー(C)内と真空容器(B)内とを往復させる移動手段を具備することを特徴とする陽電子顕微鏡。
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