JP2002148229A - Ｘ線電子分光分析器 - Google Patents
Ｘ線電子分光分析器Info
- Publication number
- JP2002148229A JP2002148229A JP2001290673A JP2001290673A JP2002148229A JP 2002148229 A JP2002148229 A JP 2002148229A JP 2001290673 A JP2001290673 A JP 2001290673A JP 2001290673 A JP2001290673 A JP 2001290673A JP 2002148229 A JP2002148229 A JP 2002148229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- ray generator
- optical system
- electron spectrometer
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定時のＸ線の利用効率を高めると共に、こ
のＸ線が照射された結果として放出される分析対象物か
らの電子信号のＳ／Ｎ比を向上させることにより、測定
結果の信頼性を一段と高めたＸ線電子分光分析器を提供
する。 【解決手段】 Ｘ線を発生させるＸ線発生装置４０と、
前記Ｘ線が照射される分析対象物から放出される荷電粒
子の検出を通して前記分析対象物を構成する物質に関す
る分析が行われる光学系５０と、Ｘ線発生装置４０と光
学系５０との間に備えられ、内部が真空度の高い低圧力
に保持される真空用ベローズ６０と、Ｘ線発生装置４０
と光学系５０との間に備えられ、Ｘ線発生装置４０から
放出されたＸ線以外の他の放出エレメントが光学系５０
へ流入するのを防ぐべく、真空用ベローズ６０の内部に
遮蔽手段９０ａ、９０ｂのみを備えるか、あるいは必要
に応じて遮蔽手段９０ａ、９０ｂとの間の底面部に磁石
１００を備えて構成する。
のＸ線が照射された結果として放出される分析対象物か
らの電子信号のＳ／Ｎ比を向上させることにより、測定
結果の信頼性を一段と高めたＸ線電子分光分析器を提供
する。 【解決手段】 Ｘ線を発生させるＸ線発生装置４０と、
前記Ｘ線が照射される分析対象物から放出される荷電粒
子の検出を通して前記分析対象物を構成する物質に関す
る分析が行われる光学系５０と、Ｘ線発生装置４０と光
学系５０との間に備えられ、内部が真空度の高い低圧力
に保持される真空用ベローズ６０と、Ｘ線発生装置４０
と光学系５０との間に備えられ、Ｘ線発生装置４０から
放出されたＸ線以外の他の放出エレメントが光学系５０
へ流入するのを防ぐべく、真空用ベローズ６０の内部に
遮蔽手段９０ａ、９０ｂのみを備えるか、あるいは必要
に応じて遮蔽手段９０ａ、９０ｂとの間の底面部に磁石
１００を備えて構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線（Ｘ−ｒａ
ｙ）電子分光分析器に係り、特に、Ｘ線の利用効率を高
めると同時に電子信号対雑音比（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ
Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ、以下「Ｓ／Ｎ比」と称する）
を高めたＸ線電子分光分析器に関する。
ｙ）電子分光分析器に係り、特に、Ｘ線の利用効率を高
めると同時に電子信号対雑音比（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ
Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ、以下「Ｓ／Ｎ比」と称する）
を高めたＸ線電子分光分析器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｘ線電子分光分析器は、様々な産
業分野で用いられ、特に半導体、触媒、非晶質材料等
の、材料の表面特性が大きな鍵を握る材料分野におい
て、材料表面の原子組成、原子構造、及び原子の電子配
列状態等の特性を詳細に調査するための手段として好適
に用いられてきた。
業分野で用いられ、特に半導体、触媒、非晶質材料等
の、材料の表面特性が大きな鍵を握る材料分野におい
て、材料表面の原子組成、原子構造、及び原子の電子配
列状態等の特性を詳細に調査するための手段として好適
に用いられてきた。
【０００３】現在用いられているＸ線電子分光分析器
は、一般に、Ｘ線を発生させるＸ線発生装置と、このＸ
線発生装置からのＸ線を分析対象物に照射して分析対象
物から放出される電子信号を測定し、この分析対象物の
表面分析を行なう光学系とを含んで構成されている。し
かしながら、前記Ｘ線電子分光分析器において、Ｘ線が
照射される分析対象物が置かれた光学系が大気中に露出
した状態にある場合、Ｘ線発生装置で発生したＸ線の一
部が分析対象物まで到達する過程で大気中の種々の原
子、分子や粒子等によって吸収される。特に、前記Ｘ線
電子分光分析器で、比較的長波長で透過力の弱いＸ線で
ある軟Ｘ線を用いる場合、前記大気中の原子、分子や粒
子等によって吸収される割合が比較的高いことにより、
分析対象物の分析自体が極めて困難となる。
は、一般に、Ｘ線を発生させるＸ線発生装置と、このＸ
線発生装置からのＸ線を分析対象物に照射して分析対象
物から放出される電子信号を測定し、この分析対象物の
表面分析を行なう光学系とを含んで構成されている。し
かしながら、前記Ｘ線電子分光分析器において、Ｘ線が
照射される分析対象物が置かれた光学系が大気中に露出
した状態にある場合、Ｘ線発生装置で発生したＸ線の一
部が分析対象物まで到達する過程で大気中の種々の原
子、分子や粒子等によって吸収される。特に、前記Ｘ線
電子分光分析器で、比較的長波長で透過力の弱いＸ線で
ある軟Ｘ線を用いる場合、前記大気中の原子、分子や粒
子等によって吸収される割合が比較的高いことにより、
分析対象物の分析自体が極めて困難となる。
【０００４】このため、Ｘ線電子分光分析器にあって
は、前記Ｘ線発生装置と光学系との間を、その内部が比
較的真空度の高い低圧力に保持されるように、真空用ベ
ローズで連結し、Ｘ線発生装置で発生した軟Ｘ線が前記
大気中の原子、分子や粒子等によって吸収される割合を
減少させることが必要となる。一方、前記Ｘ線発生装置
は、Ｘ線源としての材料に加速電子を衝突させてＸ線を
発生させるものであるが、このＸ線が発生する過程にお
いては測定に用いるＸ線以外に、測定に不必要な余分な
電子が発生する。そして、前記Ｘ線発生装置で余分に発
生した電子はＸ線と共に光学系に入射し易く、その結果
光学系の電子信号に雑音が生じ易くなる。
は、前記Ｘ線発生装置と光学系との間を、その内部が比
較的真空度の高い低圧力に保持されるように、真空用ベ
ローズで連結し、Ｘ線発生装置で発生した軟Ｘ線が前記
大気中の原子、分子や粒子等によって吸収される割合を
減少させることが必要となる。一方、前記Ｘ線発生装置
は、Ｘ線源としての材料に加速電子を衝突させてＸ線を
発生させるものであるが、このＸ線が発生する過程にお
いては測定に用いるＸ線以外に、測定に不必要な余分な
電子が発生する。そして、前記Ｘ線発生装置で余分に発
生した電子はＸ線と共に光学系に入射し易く、その結果
光学系の電子信号に雑音が生じ易くなる。
【０００５】このように、光学系の電子信号における雑
音には、前記分析対象物にＸ線が照射されたことによっ
て得られる本来の電子信号に、Ｘ線発生装置より余分に
放出された電子に由来する信号が混入された結果生じる
雑音が含まれ、このような雑音が増大すると前記分析対
象物の測定結果に悪影響を及ぼす。すなわち、前記分析
対象物の測定結果を表わす電子信号に対する雑音の割合
が増加して、いわゆる「Ｓ／Ｎ比が低下する」という問
題が発生することとなる。
音には、前記分析対象物にＸ線が照射されたことによっ
て得られる本来の電子信号に、Ｘ線発生装置より余分に
放出された電子に由来する信号が混入された結果生じる
雑音が含まれ、このような雑音が増大すると前記分析対
象物の測定結果に悪影響を及ぼす。すなわち、前記分析
対象物の測定結果を表わす電子信号に対する雑音の割合
が増加して、いわゆる「Ｓ／Ｎ比が低下する」という問
題が発生することとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
解決する技術的課題は、測定時のＸ線の利用効率を高め
ると共に、このＸ線が照射された結果として放出される
分析対象物からの電子信号のＳ／Ｎ比を向上させること
により、測定結果の信頼性を一段と高めたＸ線電子分光
分析器を提供することにある。
解決する技術的課題は、測定時のＸ線の利用効率を高め
ると共に、このＸ線が照射された結果として放出される
分析対象物からの電子信号のＳ／Ｎ比を向上させること
により、測定結果の信頼性を一段と高めたＸ線電子分光
分析器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るための本発明に係る請求項１は、Ｘ線を発生させるＸ
線発生装置と、前記Ｘ線が照射された分析対象物から放
出される荷電粒子の検出を通して前記分析対象物を構成
する物質に関する分析が行われる光学系と、前記Ｘ線発
生装置と前記光学系との間に、その内部が真空度の高い
低圧力に保持される真空用ベローズと、前記Ｘ線発生装
置と前記光学系との間に備えられ、かつ前記Ｘ線発生装
置から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントが、前
記光学系に流入するのを抑えるための遮蔽手段とを具備
したことを特徴とするＸ線電子分光分析器を提供する。
るための本発明に係る請求項１は、Ｘ線を発生させるＸ
線発生装置と、前記Ｘ線が照射された分析対象物から放
出される荷電粒子の検出を通して前記分析対象物を構成
する物質に関する分析が行われる光学系と、前記Ｘ線発
生装置と前記光学系との間に、その内部が真空度の高い
低圧力に保持される真空用ベローズと、前記Ｘ線発生装
置と前記光学系との間に備えられ、かつ前記Ｘ線発生装
置から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントが、前
記光学系に流入するのを抑えるための遮蔽手段とを具備
したことを特徴とするＸ線電子分光分析器を提供する。
【０００８】また、本発明に係る請求項２は、前記請求
項１において、遮蔽手段がベローズの内部または外部に
備えられて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分
析器を提供する。本発明に係る請求項３は、前記請求項
２において、遮蔽手段がベローズの外面部に備えられた
磁石で構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析器
を提供する。
項１において、遮蔽手段がベローズの内部または外部に
備えられて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分
析器を提供する。本発明に係る請求項３は、前記請求項
２において、遮蔽手段がベローズの外面部に備えられた
磁石で構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析器
を提供する。
【０００９】さらに、本発明に係る請求項４は、前記請
求項２において、遮蔽手段がＸ線発生装置と接するベロ
ーズの内側部、または光学系と接するベローズの内側部
に備えられて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光
分析器を提供する。本発明に係る請求項５は、前記請求
項４において、Ｘ線発生装置と接するベローズの内側部
に備えられる遮蔽手段、及び光学系と接するベローズの
内側部に備えられる遮蔽手段のうちの少なくとも１つ
が、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線に対して透過性を
有し、かつＸ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の
放出エレメントに対して非透過性を有する平板で構成さ
れたことを特徴とするＸ線電子分光分析器を提供する。
本発明に係る請求項６は、前記請求項５において、Ｘ線
発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エレメント
によって形成される電場と略同一の特性を有する電場が
形成されるように、光学系と接するベローズの内側部に
備えられる平板に対して電力が投入される電源が備えら
れて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析器を
提供する。
求項２において、遮蔽手段がＸ線発生装置と接するベロ
ーズの内側部、または光学系と接するベローズの内側部
に備えられて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光
分析器を提供する。本発明に係る請求項５は、前記請求
項４において、Ｘ線発生装置と接するベローズの内側部
に備えられる遮蔽手段、及び光学系と接するベローズの
内側部に備えられる遮蔽手段のうちの少なくとも１つ
が、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線に対して透過性を
有し、かつＸ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の
放出エレメントに対して非透過性を有する平板で構成さ
れたことを特徴とするＸ線電子分光分析器を提供する。
本発明に係る請求項６は、前記請求項５において、Ｘ線
発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エレメント
によって形成される電場と略同一の特性を有する電場が
形成されるように、光学系と接するベローズの内側部に
備えられる平板に対して電力が投入される電源が備えら
れて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析器を
提供する。
【００１０】また、本発明に係る請求項７は、前記請求
項４において、光学系と接するベローズの内側部に備え
られる遮蔽手段は、その中央部にホールが形成され、こ
のホールの周辺部にＸ線発生装置から放出されたＸ線及
びこのＸ線以外の他の放出エレメントに対して非透過性
を有するシールドが備えられて構成されたことを特徴と
するＸ線電子分光分析器を提供する。本発明に係る請求
項８は、前記請求項７において、Ｘ線発生装置から放出
されたＸ線以外の他の放出エレメントによって形成され
る電場と略同一の特性を有する電場が形成されるよう
に、シールドに対して電力が投入される電源が備えられ
て構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析器を提
供する。
項４において、光学系と接するベローズの内側部に備え
られる遮蔽手段は、その中央部にホールが形成され、こ
のホールの周辺部にＸ線発生装置から放出されたＸ線及
びこのＸ線以外の他の放出エレメントに対して非透過性
を有するシールドが備えられて構成されたことを特徴と
するＸ線電子分光分析器を提供する。本発明に係る請求
項８は、前記請求項７において、Ｘ線発生装置から放出
されたＸ線以外の他の放出エレメントによって形成され
る電場と略同一の特性を有する電場が形成されるよう
に、シールドに対して電力が投入される電源が備えられ
て構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析器を提
供する。
【００１１】また、本発明に係る請求項９は、前記請求
項４において、光学系と接するベローズの内側部に備え
られる遮蔽手段が、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線に
対して透過性を有し、かつＸ線発生装置から放出された
Ｘ線以外の他の放出エレメントに対して非透過性を有す
る平板で構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析
器を提供する。本発明に係る請求項１０は、前記請求項
３において、磁石が電磁石で構成され、少なくとも２つ
の独立した電磁石で構成されたことを特徴とするＸ線電
子分光分析器を提供する。
項４において、光学系と接するベローズの内側部に備え
られる遮蔽手段が、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線に
対して透過性を有し、かつＸ線発生装置から放出された
Ｘ線以外の他の放出エレメントに対して非透過性を有す
る平板で構成されたことを特徴とするＸ線電子分光分析
器を提供する。本発明に係る請求項１０は、前記請求項
３において、磁石が電磁石で構成され、少なくとも２つ
の独立した電磁石で構成されたことを特徴とするＸ線電
子分光分析器を提供する。
【００１２】本発明に係る請求項１１は、前記請求項３
において、磁石と光学系との間に、ベローズと一体化さ
れ、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エ
レメントのうちで磁石によって偏向されたエレメントを
集めるためのコレクタが備えられて構成されたことを特
徴とするＸ線電子分光分析器を提供する。本発明に係る
請求項１２は、前記請求項７において、Ｘ線発生装置と
接するベローズの内側部に備えられる遮蔽手段、及び光
学系と接するベローズの内側部に備えられる遮蔽手段の
いずれか一方の遮蔽手段は、Ｘ線発生装置から放出され
たＸ線に対して透過性を有すると共に、Ｘ線発生装置か
ら放出されたＸ線以外の他の放出エレメントに対して部
分的に透過性を有する平板で構成され、さらに他方の遮
蔽手段は、シールドで構成されたことを特徴とするＸ線
電子分光分析器を提供する。そして、本発明に係る請求
項１３は、前記請求項１において、ベローズの略中間部
に、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エ
レメントが光学系に流入するのを抑えるためのくびれ部
が備えられて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光
分析器を提供する。
において、磁石と光学系との間に、ベローズと一体化さ
れ、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エ
レメントのうちで磁石によって偏向されたエレメントを
集めるためのコレクタが備えられて構成されたことを特
徴とするＸ線電子分光分析器を提供する。本発明に係る
請求項１２は、前記請求項７において、Ｘ線発生装置と
接するベローズの内側部に備えられる遮蔽手段、及び光
学系と接するベローズの内側部に備えられる遮蔽手段の
いずれか一方の遮蔽手段は、Ｘ線発生装置から放出され
たＸ線に対して透過性を有すると共に、Ｘ線発生装置か
ら放出されたＸ線以外の他の放出エレメントに対して部
分的に透過性を有する平板で構成され、さらに他方の遮
蔽手段は、シールドで構成されたことを特徴とするＸ線
電子分光分析器を提供する。そして、本発明に係る請求
項１３は、前記請求項１において、ベローズの略中間部
に、Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エ
レメントが光学系に流入するのを抑えるためのくびれ部
が備えられて構成されたことを特徴とするＸ線電子分光
分析器を提供する。
【００１３】このように構成すれば、Ｘ線発生装置と光
学系との間に、内部の真空度が高い低圧力に保持された
ベローズが備えられているので、ベローズの内部で大気
によるＸ線の吸収損失が極力抑えられ、Ｘ線の利用効率
が高められたＸ線電子分光分析器を具現化することがで
きる。また、前記ベローズの内部または外部に、Ｘ線発
生装置から発生するＸ線以外の他の放出エレメント、特
に荷電粒子の光学系への流入を制限したり、ひいては遮
断したりすることが可能な遮蔽手段が備えられたＸ線電
子分光分析器を具現化することができる。
学系との間に、内部の真空度が高い低圧力に保持された
ベローズが備えられているので、ベローズの内部で大気
によるＸ線の吸収損失が極力抑えられ、Ｘ線の利用効率
が高められたＸ線電子分光分析器を具現化することがで
きる。また、前記ベローズの内部または外部に、Ｘ線発
生装置から発生するＸ線以外の他の放出エレメント、特
に荷電粒子の光学系への流入を制限したり、ひいては遮
断したりすることが可能な遮蔽手段が備えられたＸ線電
子分光分析器を具現化することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態に
ついて、添付した図面に基づいて詳細に説明する。な
お、本発明を明確に説明するために、図面に示す各層や
領域の厚さを、ここでは、誇張して示している。
ついて、添付した図面に基づいて詳細に説明する。な
お、本発明を明確に説明するために、図面に示す各層や
領域の厚さを、ここでは、誇張して示している。
【００１５】<第１実施形態>本発明に係る第１実施形態
の構成を図１に示す。図１の部材番号４０は、分析対象
物の分析に使用するＸ線を発生させるＸ線発生装置であ
る。そして、部材番号５０は、Ｘ線発生装置４０と対向
して配置されている光学系である。光学系５０は、Ｘ線
発生装置４０で発生したＸ線が照射された分析対象物か
ら放出される荷電粒子、すなわち電子に対応した電子信
号の測定を通して前記分析対象物を分析するものであ
る。
の構成を図１に示す。図１の部材番号４０は、分析対象
物の分析に使用するＸ線を発生させるＸ線発生装置であ
る。そして、部材番号５０は、Ｘ線発生装置４０と対向
して配置されている光学系である。光学系５０は、Ｘ線
発生装置４０で発生したＸ線が照射された分析対象物か
ら放出される荷電粒子、すなわち電子に対応した電子信
号の測定を通して前記分析対象物を分析するものであ
る。
【００１６】Ｘ線発生装置４０と光学系５０との間に
は、前記両者と結合された真空用ベローズ（ｂｅｌｌｏ
ｗｓ）６０が備えられている。真空用ベローズ６０は、
Ｘ線発生装置４０との接触部に、Ｘ線流入口（図示せ
ず）を有し、光学系５０との接触部にＸ線放出口（図示
せず）を有する。真空用ベローズ６０の内部は、真空度
の高い低圧力状態に保持されており、Ｘ線発生装置４０
で発生し、そこから放出されたＸ線を吸収する因子の１
つである空気（酸素、窒素、水等）が存在する割合（分
圧）が極めて低いものとなっている。したがって、Ｘ線
発生装置４０から発生するＸ線、特に軟Ｘ線領域のＸ線
が光学系５０に到達する過程で、軟Ｘ線が空気によって
吸収される割合が極めて低いものとなっている。
は、前記両者と結合された真空用ベローズ（ｂｅｌｌｏ
ｗｓ）６０が備えられている。真空用ベローズ６０は、
Ｘ線発生装置４０との接触部に、Ｘ線流入口（図示せ
ず）を有し、光学系５０との接触部にＸ線放出口（図示
せず）を有する。真空用ベローズ６０の内部は、真空度
の高い低圧力状態に保持されており、Ｘ線発生装置４０
で発生し、そこから放出されたＸ線を吸収する因子の１
つである空気（酸素、窒素、水等）が存在する割合（分
圧）が極めて低いものとなっている。したがって、Ｘ線
発生装置４０から発生するＸ線、特に軟Ｘ線領域のＸ線
が光学系５０に到達する過程で、軟Ｘ線が空気によって
吸収される割合が極めて低いものとなっている。
【００１７】また、真空用ベローズ６０とＸ線発生装置
４０との接触部の内側部に第１シールド９０ａが備えら
れている。第１シールド９０ａは、Ｘ線発生装置４０か
らＸ線が放出する際に用いられる、比較的高いエネルギ
ーを有する熱電子がＸ線発生装置４０の外部に放出され
るのを極力抑えるように設定される遮蔽手段の１つであ
る。第１シールド９０ａは、導電性（ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｖｉｔｙ）の優れた金属で構成されることが望ましい。
４０との接触部の内側部に第１シールド９０ａが備えら
れている。第１シールド９０ａは、Ｘ線発生装置４０か
らＸ線が放出する際に用いられる、比較的高いエネルギ
ーを有する熱電子がＸ線発生装置４０の外部に放出され
るのを極力抑えるように設定される遮蔽手段の１つであ
る。第１シールド９０ａは、導電性（ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｖｉｔｙ）の優れた金属で構成されることが望ましい。
【００１８】図２は、図１の２−２'断面図である。図
２を参照すると、真空用ベローズ６０に備えられる第１
シールド９０ａは、Ｘ線流入口に対応する部位にホール
ｈが形成されている。Ｘ線発生装置４０からは、Ｘ線以
外に前記熱電子が放出され得るため、ホールｈの直径は
Ｘ線の放出を阻害しない範囲内で、なるべく狭くなるよ
うに構成するのが望ましい。第１シールド９０ａにおい
て、ホールｈを除く他の部位は、Ｘ線発生装置４０から
放出された全ての放出エレメントを遮断するように構成
される。
２を参照すると、真空用ベローズ６０に備えられる第１
シールド９０ａは、Ｘ線流入口に対応する部位にホール
ｈが形成されている。Ｘ線発生装置４０からは、Ｘ線以
外に前記熱電子が放出され得るため、ホールｈの直径は
Ｘ線の放出を阻害しない範囲内で、なるべく狭くなるよ
うに構成するのが望ましい。第１シールド９０ａにおい
て、ホールｈを除く他の部位は、Ｘ線発生装置４０から
放出された全ての放出エレメントを遮断するように構成
される。
【００１９】真空用ベローズ６０と光学系５０との接触
部の内側部には、第２シールド９０ｂが備えられてい
る。この第２シールド９０ｂは、Ｘ線発生装置４０か
ら、Ｘ線以外の他の放出エレメントが放出された場合、
このＸ線以外の他の放出エレメントが光学系５０へ流入
するのを極力抑えるように設定される遮蔽手段の１つで
ある。第２シールド９０ｂは、前記の第１シールド９０
ａとは材質が異なり、絶縁体で構成されている。第２シ
ールド９０ｂの中央部にも、第１シールド９０ａのホー
ルｈに対応したホールｈ１が形成されている。
部の内側部には、第２シールド９０ｂが備えられてい
る。この第２シールド９０ｂは、Ｘ線発生装置４０か
ら、Ｘ線以外の他の放出エレメントが放出された場合、
このＸ線以外の他の放出エレメントが光学系５０へ流入
するのを極力抑えるように設定される遮蔽手段の１つで
ある。第２シールド９０ｂは、前記の第１シールド９０
ａとは材質が異なり、絶縁体で構成されている。第２シ
ールド９０ｂの中央部にも、第１シールド９０ａのホー
ルｈに対応したホールｈ１が形成されている。
【００２０】第１シールド９０ａ及び第２シールド９０
ｂの組み合わせのみでも、本発明の所期の目的は達成さ
れるが、Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ線以外の他
の放出エレメント、特に熱電子に対する遮蔽効果を高め
て、分析の信頼性をさらに向上させて分析対象物を評価
するべく明確な分析結果を得るために、Ｘ線発生装置４
０と光学系５０との間に、第１シールド９０ａ及び２シ
ールド９０ｂ以外の第３の遮蔽手段を具備することがで
きる。この第３の遮蔽手段は、真空用ベローズ６０にお
ける第１シールド９０ａと第２シールド９０ｂとの間の
底面部に備えられた磁石１００で構成される。
ｂの組み合わせのみでも、本発明の所期の目的は達成さ
れるが、Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ線以外の他
の放出エレメント、特に熱電子に対する遮蔽効果を高め
て、分析の信頼性をさらに向上させて分析対象物を評価
するべく明確な分析結果を得るために、Ｘ線発生装置４
０と光学系５０との間に、第１シールド９０ａ及び２シ
ールド９０ｂ以外の第３の遮蔽手段を具備することがで
きる。この第３の遮蔽手段は、真空用ベローズ６０にお
ける第１シールド９０ａと第２シールド９０ｂとの間の
底面部に備えられた磁石１００で構成される。
【００２１】この磁石１００は、真空用ベローズ６０の
内部で光学系５０に向かう荷電粒子、特に熱電子の進行
方向を光学系５０以外の他の方向に変化させる磁場を形
成できるものであれば、特に限定されるものではなく、
各種の形態や種類の磁石を使用することが可能である。
したがって、磁石１００はこのような条件を満たすもの
であれば、従来公知の永久磁石、または電磁石で構成す
ることができる。
内部で光学系５０に向かう荷電粒子、特に熱電子の進行
方向を光学系５０以外の他の方向に変化させる磁場を形
成できるものであれば、特に限定されるものではなく、
各種の形態や種類の磁石を使用することが可能である。
したがって、磁石１００はこのような条件を満たすもの
であれば、従来公知の永久磁石、または電磁石で構成す
ることができる。
【００２２】真空用ベローズ６０の内部において、磁場
と前記Ｘ線以外の他の放出エレメントとの間に可及的に
大きな相互作用を生起させるように、前記磁場の方向
は、前記Ｘ線以外の他の放出エレメントの進行方向と直
交するように構成されることが望ましい。ここで、第１
シールド９０ａを通過した、Ｘ線発生装置４０から放出
されたＸ線、及びこのＸ線以外の他の放出エレメント
は、真空用ベローズ６０の軸線方向（図示省略）に略平
行に光学系５０に進行すると見積もられるので、真空用
ベローズ６０の内部において、前記磁場の方向がＸ線以
外の他の放出エレメントの進行方向と直交するように構
成することは、すなわち、前記磁場の方向が真空用ベロ
ーズ６０の軸線方向（図示省略）に対して直交するよう
に構成することを意味する。この場合、磁石１００は真
空用ベローズ６０の底面部以外に、側面部及び上面部の
いずれか一方、または前記両者に備えてもよい。
と前記Ｘ線以外の他の放出エレメントとの間に可及的に
大きな相互作用を生起させるように、前記磁場の方向
は、前記Ｘ線以外の他の放出エレメントの進行方向と直
交するように構成されることが望ましい。ここで、第１
シールド９０ａを通過した、Ｘ線発生装置４０から放出
されたＸ線、及びこのＸ線以外の他の放出エレメント
は、真空用ベローズ６０の軸線方向（図示省略）に略平
行に光学系５０に進行すると見積もられるので、真空用
ベローズ６０の内部において、前記磁場の方向がＸ線以
外の他の放出エレメントの進行方向と直交するように構
成することは、すなわち、前記磁場の方向が真空用ベロ
ーズ６０の軸線方向（図示省略）に対して直交するよう
に構成することを意味する。この場合、磁石１００は真
空用ベローズ６０の底面部以外に、側面部及び上面部の
いずれか一方、または前記両者に備えてもよい。
【００２３】一方、第２シールド９０ｂは絶縁体で構成
されるので、Ｘ線発生装置４０から放出された他の放出
エレメント、特に荷電粒子が第２シールド９０ｂに衝突
しながら第２シールド９０ｂにおける荷電粒子の衝突部
位に電荷が蓄積されるという、いわゆる「チャージアッ
プ（ｃｈａｒｇｅ−ｕｐ）」現象が現れる。このチャー
ジアップ現象により、前記荷電粒子がＸ線発生装置４０
におけるＸ線の発生に用いられた熱電子である場合、第
２シールド９０ｂに前記熱電子と同一極性の負電荷が蓄
積されるため、その結果、第２シールド９０ｂの周囲に
は電場（以下、便宜上、「負の電場」と称する）が形成
される。したがって、第２シールド９０ｂは負の電場の
発生源となる。
されるので、Ｘ線発生装置４０から放出された他の放出
エレメント、特に荷電粒子が第２シールド９０ｂに衝突
しながら第２シールド９０ｂにおける荷電粒子の衝突部
位に電荷が蓄積されるという、いわゆる「チャージアッ
プ（ｃｈａｒｇｅ−ｕｐ）」現象が現れる。このチャー
ジアップ現象により、前記荷電粒子がＸ線発生装置４０
におけるＸ線の発生に用いられた熱電子である場合、第
２シールド９０ｂに前記熱電子と同一極性の負電荷が蓄
積されるため、その結果、第２シールド９０ｂの周囲に
は電場（以下、便宜上、「負の電場」と称する）が形成
される。したがって、第２シールド９０ｂは負の電場の
発生源となる。
【００２４】このようにして、前記荷電粒子と第２シー
ルド９０ｂとの衝突によって、第２シールド９０ｂの周
囲に負の電場が形成されると、Ｘ線発生装置４０で発生
した電子のうち、光学系５０に向かって進行する電子
は、前記負の電場に反発して、光学系５０へ入射するの
が困難となる。このようにして、本発明にあっては、Ｘ
線発生装置４０で発生した電子（Ｘ線以外の他の放出エ
レメント）が、光学系５０に入射するのを極力抑えるこ
とができる。
ルド９０ｂとの衝突によって、第２シールド９０ｂの周
囲に負の電場が形成されると、Ｘ線発生装置４０で発生
した電子のうち、光学系５０に向かって進行する電子
は、前記負の電場に反発して、光学系５０へ入射するの
が困難となる。このようにして、本発明にあっては、Ｘ
線発生装置４０で発生した電子（Ｘ線以外の他の放出エ
レメント）が、光学系５０に入射するのを極力抑えるこ
とができる。
【００２５】<第２実施形態>本発明に係る第２実施形態
は、図３に示すように、真空用ベローズ６０の軸線（図
示省略）と直交した上向きの磁場Ｂを有する真空用ベロ
ーズ６０の内部に、Ｘ線発生装置４０（図１参照）で発
生し、真空用ベローズ６０の軸線と平行に進行するＸ線
Ｘ、及び前記Ｘ線以外の他の放出エレメントＸ１、Ｘ２
（電子）が入射する場合、Ｘ線Ｘは入射したときと略同
一の方向に磁場領域Ｒから離れるが、前記Ｘ線以外の他
の放出エレメントＸ１、Ｘ２は、磁場領域Ｒの内部で、
入射したときの進行方向（真空用ベローズ６０の軸線
（図示省略）と平行な方向）と直交する方向に磁場の作
用を受け、前記Ｘ線以外の他の放出エレメントＸ１、Ｘ
２が入射したときの速度、及び磁場Ｂの磁場強度に依存
して、磁場領域Ｒの内部における真空用ベローズ６０の
内側部と衝突する、または磁場領域Ｒから離れた位置で
真空用ベローズ６０の内側部と衝突するように構成され
る。
は、図３に示すように、真空用ベローズ６０の軸線（図
示省略）と直交した上向きの磁場Ｂを有する真空用ベロ
ーズ６０の内部に、Ｘ線発生装置４０（図１参照）で発
生し、真空用ベローズ６０の軸線と平行に進行するＸ線
Ｘ、及び前記Ｘ線以外の他の放出エレメントＸ１、Ｘ２
（電子）が入射する場合、Ｘ線Ｘは入射したときと略同
一の方向に磁場領域Ｒから離れるが、前記Ｘ線以外の他
の放出エレメントＸ１、Ｘ２は、磁場領域Ｒの内部で、
入射したときの進行方向（真空用ベローズ６０の軸線
（図示省略）と平行な方向）と直交する方向に磁場の作
用を受け、前記Ｘ線以外の他の放出エレメントＸ１、Ｘ
２が入射したときの速度、及び磁場Ｂの磁場強度に依存
して、磁場領域Ｒの内部における真空用ベローズ６０の
内側部と衝突する、または磁場領域Ｒから離れた位置で
真空用ベローズ６０の内側部と衝突するように構成され
る。
【００２６】このような所定の磁場を用いることで、真
空用ベローズ６０の内部を通過して光学系５０に入射さ
れる荷電粒子等の、前記Ｘ線以外の他の放出エレメント
を効果的に遮断することができる。しかしながら、比較
的高いエネルギーを有する荷電粒子が真空用ベローズ６
０の内側部と衝突する場合には、真空用ベローズ６０の
内側部が損傷を受ける可能性もある。
空用ベローズ６０の内部を通過して光学系５０に入射さ
れる荷電粒子等の、前記Ｘ線以外の他の放出エレメント
を効果的に遮断することができる。しかしながら、比較
的高いエネルギーを有する荷電粒子が真空用ベローズ６
０の内側部と衝突する場合には、真空用ベローズ６０の
内側部が損傷を受ける可能性もある。
【００２７】このような問題を回避するために、本発明
に係る第２実施形態のＸ線電子分光分析器にあっては、
図４及び図５に示すように（図４では、便宜上、磁石は
図示せず）、磁場領域Ｒを通過した前記Ｘ線以外の他の
放出エレメントＸ１、Ｘ２が真空用ベローズ６０の内壁
部で比較的衝突し易い部位に、前記Ｘ線以外の他の放出
エレメントＸ１、Ｘ２を集めるためのコレクタ１１０を
具備している。前記Ｘ線以外の他の放出エレメントＸ
１、Ｘ２のエネルギーが比較的低く、磁場領域Ｒの内部
で真空用ベローズ６０の内壁部と衝突する場合には、磁
場Ｂの強度を適宜小さくするか、または磁場領域Ｒの幅
を適宜狭くすることにより、前記Ｘ線以外の他の放出エ
レメントＸ１、Ｘ２をコレクタ１１０に向けて偏向させ
ることができる。したがって、このような磁場の制御性
の観点から、磁石１００は、永久磁石で構成するより
も、電磁石で構成する方が望ましい。
に係る第２実施形態のＸ線電子分光分析器にあっては、
図４及び図５に示すように（図４では、便宜上、磁石は
図示せず）、磁場領域Ｒを通過した前記Ｘ線以外の他の
放出エレメントＸ１、Ｘ２が真空用ベローズ６０の内壁
部で比較的衝突し易い部位に、前記Ｘ線以外の他の放出
エレメントＸ１、Ｘ２を集めるためのコレクタ１１０を
具備している。前記Ｘ線以外の他の放出エレメントＸ
１、Ｘ２のエネルギーが比較的低く、磁場領域Ｒの内部
で真空用ベローズ６０の内壁部と衝突する場合には、磁
場Ｂの強度を適宜小さくするか、または磁場領域Ｒの幅
を適宜狭くすることにより、前記Ｘ線以外の他の放出エ
レメントＸ１、Ｘ２をコレクタ１１０に向けて偏向させ
ることができる。したがって、このような磁場の制御性
の観点から、磁石１００は、永久磁石で構成するより
も、電磁石で構成する方が望ましい。
【００２８】このように、Ｘ線発生装置４０から放出さ
れたＸ線以外の他の放出エレメントＸ１、Ｘ２のエネル
ギーの大きさに対応させて変化させる磁場領域Ｒの幅
は、磁石を複数の独立した要素で構成し、独立した各要
素を選択的に使用することによって具現化できる。
れたＸ線以外の他の放出エレメントＸ１、Ｘ２のエネル
ギーの大きさに対応させて変化させる磁場領域Ｒの幅
は、磁石を複数の独立した要素で構成し、独立した各要
素を選択的に使用することによって具現化できる。
【００２９】たとえば、図６に示すように磁石１１２
を、前記独立した要素である、第１〜第３の電磁石１１
２ａ、１１２ｂ、１１２ｃで構成し、これらの各電磁石
をＸ線発生装置４０から発生するＸ線以外の他の放出エ
レメントＸ１、Ｘ２のエネルギーに対応させて適宜選択
して利用できるように構成すれば、磁石１１２によって
形成される磁場領域Ｒの大きさを適宜増減させることが
できる。つまり、第１〜第３の電磁石１１２ａ、１１２
ｂ、１１２ｃの全てに電源を印加する場合には、磁場領
域Ｒの大きさは最大となり、前記第１〜第３の電磁石１
１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃのうちのいずれか１つの磁
石（たとえば、第１の電磁石１１２ａ）にのみ電源を印
加する場合には、磁場領域Ｒの大きさは最小となる。
を、前記独立した要素である、第１〜第３の電磁石１１
２ａ、１１２ｂ、１１２ｃで構成し、これらの各電磁石
をＸ線発生装置４０から発生するＸ線以外の他の放出エ
レメントＸ１、Ｘ２のエネルギーに対応させて適宜選択
して利用できるように構成すれば、磁石１１２によって
形成される磁場領域Ｒの大きさを適宜増減させることが
できる。つまり、第１〜第３の電磁石１１２ａ、１１２
ｂ、１１２ｃの全てに電源を印加する場合には、磁場領
域Ｒの大きさは最大となり、前記第１〜第３の電磁石１
１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃのうちのいずれか１つの磁
石（たとえば、第１の電磁石１１２ａ）にのみ電源を印
加する場合には、磁場領域Ｒの大きさは最小となる。
【００３０】<第３実施形態>本発明に係る第３実施形態
は、真空用ベローズ６０の内部に所望の電場を意図的に
形成することを特徴とする。図７は、Ｘ線発生装置４０
から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントである荷
電粒子が光学系５０に入射するのを遮蔽するための手段
として、第１シールド９０ａ及び第２シールド９０ｂが
真空用ベローズ６０の内側部に備えられ、電源１２０が
第２シールド９０ｂに連結されて構成される本発明に係
るＸ線電子分光分析器の模式図である。この電源１２０
は、真空用ベローズ６０の内部に負の電場を形成するよ
うに設けられたものである。
は、真空用ベローズ６０の内部に所望の電場を意図的に
形成することを特徴とする。図７は、Ｘ線発生装置４０
から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントである荷
電粒子が光学系５０に入射するのを遮蔽するための手段
として、第１シールド９０ａ及び第２シールド９０ｂが
真空用ベローズ６０の内側部に備えられ、電源１２０が
第２シールド９０ｂに連結されて構成される本発明に係
るＸ線電子分光分析器の模式図である。この電源１２０
は、真空用ベローズ６０の内部に負の電場を形成するよ
うに設けられたものである。
【００３１】このように、第２シールド９０ｂに外部電
源を連結することによって、前記Ｘ線以外の他の放出エ
レメントである荷電粒子が衝突して第２シールド９０ｂ
が損傷を受けるのを抑止すると共に、前記荷電粒子が光
学系５０へ流入するのを防止する。
源を連結することによって、前記Ｘ線以外の他の放出エ
レメントである荷電粒子が衝突して第２シールド９０ｂ
が損傷を受けるのを抑止すると共に、前記荷電粒子が光
学系５０へ流入するのを防止する。
【００３２】図８は、前記遮蔽手段として、真空用ベロ
ーズ６０の内側部に、第１シールド９０ａ及び第２シー
ルド９０ｂが備えられ、真空用ベローズ６０の外側部に
前記荷電粒子を偏向させるための磁石１００、１１２が
備えられ、第２シールド９０ｂに電源１２０が連結され
て構成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模式図
である。
ーズ６０の内側部に、第１シールド９０ａ及び第２シー
ルド９０ｂが備えられ、真空用ベローズ６０の外側部に
前記荷電粒子を偏向させるための磁石１００、１１２が
備えられ、第２シールド９０ｂに電源１２０が連結され
て構成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模式図
である。
【００３３】図９は、前記遮蔽手段として、真空用ベロ
ーズ６０の外側部に、前記Ｘ線以外の他の放出エレメン
トである荷電粒子を偏向させるための磁石１００、１１
２が備えられ、真空用ベローズ６０の内側部に第２シー
ルド９０ｂのみが備えられ、第２シールド９０ｂに電源
１２０が連結されて構成される本発明に係るＸ線電子分
光分析器の模式図である。
ーズ６０の外側部に、前記Ｘ線以外の他の放出エレメン
トである荷電粒子を偏向させるための磁石１００、１１
２が備えられ、真空用ベローズ６０の内側部に第２シー
ルド９０ｂのみが備えられ、第２シールド９０ｂに電源
１２０が連結されて構成される本発明に係るＸ線電子分
光分析器の模式図である。
【００３４】<第４実施形態>本発明に係る第４実施形態
は、Ｘ線発生装置４０から発生するＸ線の透過率と、前
記Ｘ線以外の他の放出エレメントの透過率が異なる材料
を用いて構成されたものであって、前記の第１シールド
９０ａ及び第２シールド９０ｂの代わりに前記Ｘ線発生
装置から放出されたＸ線に対して所定の透過性を有し、
かつ前記Ｘ線以外の他の放出エレメントに対して非透過
性を有する平板を使用することを大きな特徴とする。
は、Ｘ線発生装置４０から発生するＸ線の透過率と、前
記Ｘ線以外の他の放出エレメントの透過率が異なる材料
を用いて構成されたものであって、前記の第１シールド
９０ａ及び第２シールド９０ｂの代わりに前記Ｘ線発生
装置から放出されたＸ線に対して所定の透過性を有し、
かつ前記Ｘ線以外の他の放出エレメントに対して非透過
性を有する平板を使用することを大きな特徴とする。
【００３５】図１０は、Ｘ線発生装置４０と接する真空
用ベローズ６０の内側部に第１平板１５０ａ、光学系５
０と接する真空用ベローズ６０の内側部に第２平板１５
０ｂが各々備えられて構成されたＸ線発生装置の模式図
である。これらの第１平板１５０ａまたは第２平板１５
０ｂは、Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ線、及びこ
のＸ線以外の他の放出エレメントのいずれに対しても所
定の透過性を有している。しかしながら、これらの第１
平板１５０ａまたは第２平板１５０ｂは、第１平板１５
０ａ及び第２平板１５０ｂを組み合わせた場合、前記Ｘ
線のみを透過させる特性を有している。
用ベローズ６０の内側部に第１平板１５０ａ、光学系５
０と接する真空用ベローズ６０の内側部に第２平板１５
０ｂが各々備えられて構成されたＸ線発生装置の模式図
である。これらの第１平板１５０ａまたは第２平板１５
０ｂは、Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ線、及びこ
のＸ線以外の他の放出エレメントのいずれに対しても所
定の透過性を有している。しかしながら、これらの第１
平板１５０ａまたは第２平板１５０ｂは、第１平板１５
０ａ及び第２平板１５０ｂを組み合わせた場合、前記Ｘ
線のみを透過させる特性を有している。
【００３６】すなわち、前記Ｘ線は第１平板１５０ａを
通過し、かつ第２平板１５０ｂを通過することができ
る。一方、前記Ｘ線以外の他の放出エレメント、特に荷
電粒子は第１平板１５０ａを通過する過程で、第１平板
１５０ａを構成する粒子との相互作用によって多くのエ
ネルギーを消費し、第１平板１５０ａを通過した荷電粒
子は第２平板１５０ａを通過できるための充分なエネル
ギーを有していないため、たとえ前記荷電粒子が第１平
板１５０ａを通過したとしても第２平板１５０ｂによっ
て遮断される。
通過し、かつ第２平板１５０ｂを通過することができ
る。一方、前記Ｘ線以外の他の放出エレメント、特に荷
電粒子は第１平板１５０ａを通過する過程で、第１平板
１５０ａを構成する粒子との相互作用によって多くのエ
ネルギーを消費し、第１平板１５０ａを通過した荷電粒
子は第２平板１５０ａを通過できるための充分なエネル
ギーを有していないため、たとえ前記荷電粒子が第１平
板１５０ａを通過したとしても第２平板１５０ｂによっ
て遮断される。
【００３７】第１平板１５０ａ及び第２平板１５０ｂの
組み合わせによる、このような選択的特性は、第１平板
１５０ａ及び第２平板１５０ｂの材質及び厚さによって
適宜決定される。たとえば、第１平板１５０ａ及び第２
平板１５０ｂの材質が同一である場合、Ｘ線のみを透過
させ、かつ前記Ｘ線以外の他の放出エレメントである荷
電粒子を遮断するために必要な平板の厚さがＴminであ
る場合、第１平板１５０ａ及び第２平板１５０ｂの厚さ
は各々Ｔmin／２であることが望ましい。
組み合わせによる、このような選択的特性は、第１平板
１５０ａ及び第２平板１５０ｂの材質及び厚さによって
適宜決定される。たとえば、第１平板１５０ａ及び第２
平板１５０ｂの材質が同一である場合、Ｘ線のみを透過
させ、かつ前記Ｘ線以外の他の放出エレメントである荷
電粒子を遮断するために必要な平板の厚さがＴminであ
る場合、第１平板１５０ａ及び第２平板１５０ｂの厚さ
は各々Ｔmin／２であることが望ましい。
【００３８】しかしながら、第１平板１５０ａ及び第２
平板１５０ｂを組み合わせたときの全体の厚さがＴmin
であれば、第１平板１５０ａの厚さをＴmin／２よりも
薄くし、第２平板１５０ｂの厚さをＴmin／２よりも厚
くするか、あるいはその逆とする、すなわち第１平板１
５０ａの厚さをＴmin／２よりも厚くし、第２平板１５
０ｂの厚さをＴmin／２よりも薄くして構成してもよ
い。
平板１５０ｂを組み合わせたときの全体の厚さがＴmin
であれば、第１平板１５０ａの厚さをＴmin／２よりも
薄くし、第２平板１５０ｂの厚さをＴmin／２よりも厚
くするか、あるいはその逆とする、すなわち第１平板１
５０ａの厚さをＴmin／２よりも厚くし、第２平板１５
０ｂの厚さをＴmin／２よりも薄くして構成してもよ
い。
【００３９】第１平板１５０ａ及び第２平板５０ｂの材
質が互いに異なる場合、たとえば、第２平板１５０ｂの
密度が第１平板１５０ａの密度より高い場合、第１平板
１５０ａの厚さを第２平板１５０ｂの厚さより厚くする
ことが望ましい。
質が互いに異なる場合、たとえば、第２平板１５０ｂの
密度が第１平板１５０ａの密度より高い場合、第１平板
１５０ａの厚さを第２平板１５０ｂの厚さより厚くする
ことが望ましい。
【００４０】一方、第１平板１５０ａ及び第２平板１５
０ｂを組み合わせて使用する代わりに、第１平板１５０
ａ及び第２平板１５０ｂの各々の厚さを足し合わせた厚
さを有する一枚の平板（以下、この平板を「第３平板」
という）を使用することも可能である。この具体例を、
図１１、図１２に示す。すなわち、図１１及び図１２に
示すように、第３平板１６０は、Ｘ線発生装置４０と真
空用ベローズ６０との接触部の内側部に備えるか、ある
いは光学系５０と真空用ベローズ６０との接触部の内側
部に備えることができる。
０ｂを組み合わせて使用する代わりに、第１平板１５０
ａ及び第２平板１５０ｂの各々の厚さを足し合わせた厚
さを有する一枚の平板（以下、この平板を「第３平板」
という）を使用することも可能である。この具体例を、
図１１、図１２に示す。すなわち、図１１及び図１２に
示すように、第３平板１６０は、Ｘ線発生装置４０と真
空用ベローズ６０との接触部の内側部に備えるか、ある
いは光学系５０と真空用ベローズ６０との接触部の内側
部に備えることができる。
【００４１】図１３は、真空用ベローズ６０の第１平板
１５０ａと第２平板１５０ｂとの間の外側部に、第１平
板１５０ａを通過した前記荷電粒子が光学系５０に入射
するのを防止するように、この荷電粒子を偏向させるた
めの磁石１００、１１２が備えられて構成される本発明
に係るＸ線電子分光分析器の模式図である。また、図１
４は、真空用ベローズ６０の外側部に前記荷電粒子を偏
向させる磁石１００、１１２が備えられ、磁石１００、
１１２と光学系５０との間の真空用ベローズ６０の内側
部に光学系５０と接する第３平板１６０が備えられて構
成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模式図であ
る。
１５０ａと第２平板１５０ｂとの間の外側部に、第１平
板１５０ａを通過した前記荷電粒子が光学系５０に入射
するのを防止するように、この荷電粒子を偏向させるた
めの磁石１００、１１２が備えられて構成される本発明
に係るＸ線電子分光分析器の模式図である。また、図１
４は、真空用ベローズ６０の外側部に前記荷電粒子を偏
向させる磁石１００、１１２が備えられ、磁石１００、
１１２と光学系５０との間の真空用ベローズ６０の内側
部に光学系５０と接する第３平板１６０が備えられて構
成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模式図であ
る。
【００４２】図１３及び図１４に示すように、第１平板
１５０ａと第２平板１５０ｂ、または第３平板１６０と
磁石１１２とを共に具備することによって、前記荷電粒
子に対する遮蔽効果をさらに高めることができる。
１５０ａと第２平板１５０ｂ、または第３平板１６０と
磁石１１２とを共に具備することによって、前記荷電粒
子に対する遮蔽効果をさらに高めることができる。
【００４３】<第５実施形態>図１５は、本発明に係る第
５実施形態のＸ線電子分光分析器であって、平板１７０
に電源１２０を連結して電力を投入することを可能と
し、真空用ベローズ６０の内部に電場を形成する場合を
示す模式図である。この場合、平板１７０は、第４実施
例の第２平板１５０ｂまたは第３平板１６０で構成され
る。また、真空用ベローズ６０に、図示しない第１平板
１５０ａ、または第１シールド９０ａを備えることが可
能であり、荷電粒子を偏向させるための手段として、た
とえば磁石１１２をさらに備えてもよい。
５実施形態のＸ線電子分光分析器であって、平板１７０
に電源１２０を連結して電力を投入することを可能と
し、真空用ベローズ６０の内部に電場を形成する場合を
示す模式図である。この場合、平板１７０は、第４実施
例の第２平板１５０ｂまたは第３平板１６０で構成され
る。また、真空用ベローズ６０に、図示しない第１平板
１５０ａ、または第１シールド９０ａを備えることが可
能であり、荷電粒子を偏向させるための手段として、た
とえば磁石１１２をさらに備えてもよい。
【００４４】<第６実施形態>本発明に係る第６実施形態
のＸ線電子分光分析器は、第１シールド９０ａ及び第２
シールド９０ｂのうちのいずれか１つと、第１平板１５
０ａ及び第２平板１５０ｂのうちのいずれか１つに磁石
を選択的に具備した電子分光分析器に関するものであ
る。具体的には、図１６に示すように、Ｘ線発生装置４
０と真空用ベローズ６０との接触部の内側部に平板１８
０が備えられている。平板１８０はＸ線発生装置４０か
ら放出されたＸ線に対して透過性を有する一方、前記Ｘ
線以外の他の放出エレメント、特に荷電粒子に対しては
部分的に透過性を有するか、または非透過性を有するも
のであり、第４実施形態で説明した第１平板１５０ａ及
び第２平板１５０ｂのうちのいずれか１つで構成され
る。そして、光学系５０と真空用ベローズ６０との接触
部の内側部にシールド１９０が備えられて構成される。
シールド１９０は平板１８０を通過した前記荷電粒子の
光学系５０への入射を防止するためのものであり、第１
実施形態で説明した第２シールド９０ｂで構成される。
のＸ線電子分光分析器は、第１シールド９０ａ及び第２
シールド９０ｂのうちのいずれか１つと、第１平板１５
０ａ及び第２平板１５０ｂのうちのいずれか１つに磁石
を選択的に具備した電子分光分析器に関するものであ
る。具体的には、図１６に示すように、Ｘ線発生装置４
０と真空用ベローズ６０との接触部の内側部に平板１８
０が備えられている。平板１８０はＸ線発生装置４０か
ら放出されたＸ線に対して透過性を有する一方、前記Ｘ
線以外の他の放出エレメント、特に荷電粒子に対しては
部分的に透過性を有するか、または非透過性を有するも
のであり、第４実施形態で説明した第１平板１５０ａ及
び第２平板１５０ｂのうちのいずれか１つで構成され
る。そして、光学系５０と真空用ベローズ６０との接触
部の内側部にシールド１９０が備えられて構成される。
シールド１９０は平板１８０を通過した前記荷電粒子の
光学系５０への入射を防止するためのものであり、第１
実施形態で説明した第２シールド９０ｂで構成される。
【００４５】また、図１７は、平板１８０とシールド１
９０との間の真空用ベローズ６０の外側部に平板１８０
を通過した前記荷電粒子を偏向させる磁石２００が備え
られて構成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模
式図である。この磁石２００は、使用条件に応じて永久
磁石を使用することができるが、望ましくは電磁石であ
る。
９０との間の真空用ベローズ６０の外側部に平板１８０
を通過した前記荷電粒子を偏向させる磁石２００が備え
られて構成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模
式図である。この磁石２００は、使用条件に応じて永久
磁石を使用することができるが、望ましくは電磁石であ
る。
【００４６】また、図１８は、Ｘ線発生装置４０と真空
用ベローズ６０との接触部の内側部に平板１８０が備え
られ、平板１８０と光学系５０との間の真空用ベローズ
６０の外側部に真空用ベローズ６０の軸線に対して直交
した磁場を形成するための磁石２１０が備えられ、磁石
２１０と光学系５０との間に磁石２１０によって偏向さ
せる荷電粒子を集めるためのコレクタ２２０が備えられ
て構成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模式図
である。このコレクタ２２０は、真空用ベローズ６０と
一体化して構成される。ここで、部材参照符号Ｂは、磁
石２１０によって生起される上向きの磁場であり、Ｘ及
びｅは、各々Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ線、及
び電子を示す。図１８に示すように、Ｘ線Ｘは電荷を含
まないので、磁場Ｂの影響を受けることなくそのまま光
学系５０に入射され、電子ｅは、磁場Ｂとの相互作用に
よって、コレクタ２２０に向けて偏向される。
用ベローズ６０との接触部の内側部に平板１８０が備え
られ、平板１８０と光学系５０との間の真空用ベローズ
６０の外側部に真空用ベローズ６０の軸線に対して直交
した磁場を形成するための磁石２１０が備えられ、磁石
２１０と光学系５０との間に磁石２１０によって偏向さ
せる荷電粒子を集めるためのコレクタ２２０が備えられ
て構成される本発明に係るＸ線電子分光分析器の模式図
である。このコレクタ２２０は、真空用ベローズ６０と
一体化して構成される。ここで、部材参照符号Ｂは、磁
石２１０によって生起される上向きの磁場であり、Ｘ及
びｅは、各々Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ線、及
び電子を示す。図１８に示すように、Ｘ線Ｘは電荷を含
まないので、磁場Ｂの影響を受けることなくそのまま光
学系５０に入射され、電子ｅは、磁場Ｂとの相互作用に
よって、コレクタ２２０に向けて偏向される。
【００４７】一方、前記本発明に係る第３実施形態で説
明したように、図１６及び図１７に示す本発明に係るＸ
線電子分光分析器のシールド１９０に電源を連結して電
力を投入可能とし、真空用ベローズ６０の内側部に電場
を形成することによって、Ｘ線発生装置４０から放出さ
れたＸ線以外の他の放出エレメントである荷電粒子に対
する遮蔽効果を高めることも可能である。
明したように、図１６及び図１７に示す本発明に係るＸ
線電子分光分析器のシールド１９０に電源を連結して電
力を投入可能とし、真空用ベローズ６０の内側部に電場
を形成することによって、Ｘ線発生装置４０から放出さ
れたＸ線以外の他の放出エレメントである荷電粒子に対
する遮蔽効果を高めることも可能である。
【００４８】
【実施例】つぎに、本発明に係る実施例について詳細に
説明する。本発明に係るＸ線電子分光分析器の分析対象
物としてＣｕ（銅）の試験片を用い、１.５ｋＷ（３０
ｋＶ、５０ｍＡ）の出力を備えたＸ線発生装置を具備す
る従来のＸ線電子分光分析器、及び７.５ｋＷ（３０ｋ
Ｖ、２５０ｍＡ）の出力を備えたＸ線発生装置を具備し
た本発明に係る第１実施形態のＸ線電子分光分析器を各
々使用して測定を行ない、前記両者を比較した。
説明する。本発明に係るＸ線電子分光分析器の分析対象
物としてＣｕ（銅）の試験片を用い、１.５ｋＷ（３０
ｋＶ、５０ｍＡ）の出力を備えたＸ線発生装置を具備す
る従来のＸ線電子分光分析器、及び７.５ｋＷ（３０ｋ
Ｖ、２５０ｍＡ）の出力を備えたＸ線発生装置を具備し
た本発明に係る第１実施形態のＸ線電子分光分析器を各
々使用して測定を行ない、前記両者を比較した。
【００４９】図１９は、第１のグラフＧ１が前記従来の
Ｘ線電子分光分析器から得られた測定結果を示し、第２
のグラフＧ２が本発明に係る第１実施形態のＸ線電子分
光分析器から得られた測定結果を各々示す。図１９にお
いて、横軸は分析対象物に照射したＸ線のエネルギーの
大きさを示し、縦軸は前記Ｘ線の照射によって分析対象
物から放出された電子信号の単位時間当りカウント数を
示し、左側の縦軸は前記第２のグラフＧ２を、右側の縦
軸は前記第１のグラフＧ１を各々示す。
Ｘ線電子分光分析器から得られた測定結果を示し、第２
のグラフＧ２が本発明に係る第１実施形態のＸ線電子分
光分析器から得られた測定結果を各々示す。図１９にお
いて、横軸は分析対象物に照射したＸ線のエネルギーの
大きさを示し、縦軸は前記Ｘ線の照射によって分析対象
物から放出された電子信号の単位時間当りカウント数を
示し、左側の縦軸は前記第２のグラフＧ２を、右側の縦
軸は前記第１のグラフＧ１を各々示す。
【００５０】第１のグラフＧ１及び第２のグラフＧ２を
比較しながら参照すると、従来のＸ線電子分光分析器に
備えられたＸ線発生装置の出力は、本発明に係るＸ線電
子分光分析器に備えられたＸ線発生装置の出力の１／５
程度と小さいにもかかわらず、従来のＸ線電子分光分析
器の光学系において前記分析対象物（Ｃｕ）から放出さ
れた電子信号の測定結果では、従来のＸ線電子分光分析
器よりも各元素のピークを含むプロファイルのバックグ
ラウンドが、より大きく表示されていることがわかる。
比較しながら参照すると、従来のＸ線電子分光分析器に
備えられたＸ線発生装置の出力は、本発明に係るＸ線電
子分光分析器に備えられたＸ線発生装置の出力の１／５
程度と小さいにもかかわらず、従来のＸ線電子分光分析
器の光学系において前記分析対象物（Ｃｕ）から放出さ
れた電子信号の測定結果では、従来のＸ線電子分光分析
器よりも各元素のピークを含むプロファイルのバックグ
ラウンドが、より大きく表示されていることがわかる。
【００５１】この結果は、本発明に係るＸ線電子分光分
析器の場合では、測定された電子信号が、前記Ｘ線発生
装置から放出されたＸ線の照射によりＣｕから放出され
た電子に由来する電子信号のみであるのに対し、従来の
技術のＸ線電子分光分析器の場合には、Ｃｕから放出さ
れた電子に由来する電子信号に、前記Ｘ線以外の他の放
出エレメントである荷電粒子（主に熱電子）が光学系に
流入してこの荷電粒子の雑音が混入することにより、測
定結果のプロファイルのバックグラウンドが、より増大
したものと考えられる。
析器の場合では、測定された電子信号が、前記Ｘ線発生
装置から放出されたＸ線の照射によりＣｕから放出され
た電子に由来する電子信号のみであるのに対し、従来の
技術のＸ線電子分光分析器の場合には、Ｃｕから放出さ
れた電子に由来する電子信号に、前記Ｘ線以外の他の放
出エレメントである荷電粒子（主に熱電子）が光学系に
流入してこの荷電粒子の雑音が混入することにより、測
定結果のプロファイルのバックグラウンドが、より増大
したものと考えられる。
【００５２】また、この分析対象物たるＣｕは、８.９
８１ｋｅＶのＫ吸収端（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ−ｅｄｇ
ｅ）を有するので、Ｃｕに対してこのエネルギーを有す
るＸ線が照射された場合には、Ｘ線の吸収が増加してＣ
ｕから前記Ｋ吸収端の値を有する電子の放出が増加し、
それに伴って光学系で測定される単位時間当りのカウン
ト数も大きく増加する。このため、図１９に示すグラフ
において、照射されたＸ線のエネルギーの８.９８１ｋ
ｅＶ付近で、このような結果が本来呈示されるべきであ
る。
８１ｋｅＶのＫ吸収端（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ−ｅｄｇ
ｅ）を有するので、Ｃｕに対してこのエネルギーを有す
るＸ線が照射された場合には、Ｘ線の吸収が増加してＣ
ｕから前記Ｋ吸収端の値を有する電子の放出が増加し、
それに伴って光学系で測定される単位時間当りのカウン
ト数も大きく増加する。このため、図１９に示すグラフ
において、照射されたＸ線のエネルギーの８.９８１ｋ
ｅＶ付近で、このような結果が本来呈示されるべきであ
る。
【００５３】ところが、従来のＸ線電子分光分析器から
得られた測定結果を示す第１のグラフＧ１では、照射さ
れたＸ線のエネルギーの８.９８１ｋｅＶ付近で、この
ような徴候が特に見られない。一方、本発明に係るＸ線
電子分光分析器から得られた測定結果を示す第２のグラ
フＧ２では、照射されたＸ線のエネルギーの８.９８ｋ
ｅＶ付近で、単位時間当りのカウント数である電子信号
が、明らかに大幅に増加している結果が見られる。
得られた測定結果を示す第１のグラフＧ１では、照射さ
れたＸ線のエネルギーの８.９８１ｋｅＶ付近で、この
ような徴候が特に見られない。一方、本発明に係るＸ線
電子分光分析器から得られた測定結果を示す第２のグラ
フＧ２では、照射されたＸ線のエネルギーの８.９８ｋ
ｅＶ付近で、単位時間当りのカウント数である電子信号
が、明らかに大幅に増加している結果が見られる。
【００５４】このように、従来のＸ線電子分光分析器か
ら得られた測定結果を示す第１のグラフＧ１で、前記の
徴候が特に見られないのは、Ｘ線のエネルギーが８.９
８ｋｅＶのときに放出された電子に対する電子信号が、
Ｘ線発生装置から光学系に入射し続ける高エネルギーの
電子（前記Ｘ線以外の他の放出エレメント；主に熱電子
等の荷電粒子）の信号と混合してしまうことによるもの
と考えられる。したがって、測定された信号全体にわた
って、Ｃｕから放出された電子信号のみを選択的に区別
して測定値を得ることが極めて困難となる。
ら得られた測定結果を示す第１のグラフＧ１で、前記の
徴候が特に見られないのは、Ｘ線のエネルギーが８.９
８ｋｅＶのときに放出された電子に対する電子信号が、
Ｘ線発生装置から光学系に入射し続ける高エネルギーの
電子（前記Ｘ線以外の他の放出エレメント；主に熱電子
等の荷電粒子）の信号と混合してしまうことによるもの
と考えられる。したがって、測定された信号全体にわた
って、Ｃｕから放出された電子信号のみを選択的に区別
して測定値を得ることが極めて困難となる。
【００５５】以上、種々の例を用いて本発明を具体的に
説明したが、これらの例は本発明の範囲を限定するもの
ではなく、望ましい実施形態の例として解釈されるべき
である。たとえば、本発明の技術分野に属する当業者で
あればＸ線発生装置と光学系との間に、前記真空用ベロ
ーズと略同一の機能を有するが、前記真空用ベローズと
は異なる形態の各種部材から構成されるものを備えるこ
とが可能である。たとえば、図２０に示すように真空用
ベローズ６０ａの略中間部に、くびれ部２５０を有し、
かつくびれ部２５０の周囲を磁石２６０が取り囲むよう
に構成されるＸ線電子分析分光器に、本発明を変形する
ことが可能である。
説明したが、これらの例は本発明の範囲を限定するもの
ではなく、望ましい実施形態の例として解釈されるべき
である。たとえば、本発明の技術分野に属する当業者で
あればＸ線発生装置と光学系との間に、前記真空用ベロ
ーズと略同一の機能を有するが、前記真空用ベローズと
は異なる形態の各種部材から構成されるものを備えるこ
とが可能である。たとえば、図２０に示すように真空用
ベローズ６０ａの略中間部に、くびれ部２５０を有し、
かつくびれ部２５０の周囲を磁石２６０が取り囲むよう
に構成されるＸ線電子分析分光器に、本発明を変形する
ことが可能である。
【００５６】また、磁石２６０としては永久磁石を使用
することが可能であるが、電磁石を使用する方が望まし
い。さらに、くびれ部２５０によって、Ｘ線発生装置４
０から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントを遮断
することができ、前記Ｘ線以外の他の放出エレメント、
たとえば電子がくびれ部２５０の間を通過する際に、磁
石２６０によって形成された、くびれ部２５０の間の磁
場が、この電子の進行方向を光学系５０以外の方向に偏
向するように構成することができる。
することが可能であるが、電磁石を使用する方が望まし
い。さらに、くびれ部２５０によって、Ｘ線発生装置４
０から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントを遮断
することができ、前記Ｘ線以外の他の放出エレメント、
たとえば電子がくびれ部２５０の間を通過する際に、磁
石２６０によって形成された、くびれ部２５０の間の磁
場が、この電子の進行方向を光学系５０以外の方向に偏
向するように構成することができる。
【００５７】一方、Ｘ線発生装置４０から放出されたＸ
線以外の他の放出エレメントである荷電粒子が、くびれ
部２５０と衝突することによって、くびれ部２５０が加
熱されるため、このくびれ部２５０を所定温度に冷却す
るように、電磁石２６０と、くびれ部２５０との間に冷
却手段を適宜具備することができる。この他にも、前記
本発明に係る第１から第６実施形態のＸ線電子分光分析
器の構成を適宜組み合わせた、さらに多様なＸ線電子分
光分析器を構成することも可能である。
線以外の他の放出エレメントである荷電粒子が、くびれ
部２５０と衝突することによって、くびれ部２５０が加
熱されるため、このくびれ部２５０を所定温度に冷却す
るように、電磁石２６０と、くびれ部２５０との間に冷
却手段を適宜具備することができる。この他にも、前記
本発明に係る第１から第６実施形態のＸ線電子分光分析
器の構成を適宜組み合わせた、さらに多様なＸ線電子分
光分析器を構成することも可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したとおりに構成される本発明
によれば、以下の効果を奏する。すなわち、Ｘ線発生装
置と光学系との間に、その内部が真空度の高い低圧力に
保持された真空用ベローズが備えられているため、真空
用ベローズの内部で大気によるＸ線の吸収損失が極力抑
えられ、Ｘ線の利用効率が高められたＸ線電子分光分析
器を提供することができる。
によれば、以下の効果を奏する。すなわち、Ｘ線発生装
置と光学系との間に、その内部が真空度の高い低圧力に
保持された真空用ベローズが備えられているため、真空
用ベローズの内部で大気によるＸ線の吸収損失が極力抑
えられ、Ｘ線の利用効率が高められたＸ線電子分光分析
器を提供することができる。
【００５９】また、前記真空用ベローズの内部または外
部に、Ｘ線発生装置から発生するＸ線以外の他の放出エ
レメント、特に荷電粒子の光学系への流入を制限した
り、ひいては遮断したりすることが可能な遮蔽手段が備
えられたＸ線電子分光分析器を提供することができる。
したがって、本発明に係るＸ線電子分光分析器によれ
ば、光学系内で測定される電子信号のＳ／Ｎ比を向上さ
せて、分析対象物に対する測定結果の信頼性を顕著に高
めることができる。
部に、Ｘ線発生装置から発生するＸ線以外の他の放出エ
レメント、特に荷電粒子の光学系への流入を制限した
り、ひいては遮断したりすることが可能な遮蔽手段が備
えられたＸ線電子分光分析器を提供することができる。
したがって、本発明に係るＸ線電子分光分析器によれ
ば、光学系内で測定される電子信号のＳ／Ｎ比を向上さ
せて、分析対象物に対する測定結果の信頼性を顕著に高
めることができる。
【図１】本発明に係る第１実施形態のＸ線電子分光分析
器の平面図である。
器の平面図である。
【図２】図１の２−２'断面図である。
【図３】本発明に係る第２実施形態のＸ線電子分光分析
器で、Ｘ線発生装置から放出された放出エレメントと磁
場との相互作用を示す平面図である。
器で、Ｘ線発生装置から放出された放出エレメントと磁
場との相互作用を示す平面図である。
【図４】本発明に係る第２実施形態のＸ線電子分光分析
器の平面図である。
器の平面図である。
【図５】図４の５-５'断面図である。
【図６】本発明に係る第２実施形態のＸ線電子分光分析
器に備えられた磁石の構成を示す断面図である。
器に備えられた磁石の構成を示す断面図である。
【図７】本発明に係る第３実施形態に含まれるＸ線電子
分光分析器の断面図である。
分光分析器の断面図である。
【図８】本発明に係る第３実施形態に含まれる他の例の
Ｘ線電子分光分析器の断面図である。
Ｘ線電子分光分析器の断面図である。
【図９】本発明に係る第３実施形態に含まれる他の例の
Ｘ線電子分光分析器の断面図である。
Ｘ線電子分光分析器の断面図である。
【図１０】本発明に係る第４実施形態に含まれるＸ線電
子分光分析器の断面図である。
子分光分析器の断面図である。
【図１１】本発明に係る第４実施形態に含まれる他の例
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
【図１２】本発明に係る第４実施形態に含まれる他の例
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
【図１３】本発明に係る第４実施形態に含まれる他の例
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
【図１４】本発明に係る第４実施形態に含まれる他の例
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
【図１５】本発明に係る第５実施形態に含まれるＸ線電
子分光分析器の断面図である。
子分光分析器の断面図である。
【図１６】本発明に係る第６実施形態に含まれるＸ線電
子分光分析器の断面図である。
子分光分析器の断面図である。
【図１７】本発明に係る第６実施形態に含まれる他の例
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
のＸ線電子分光分析器の断面図である。
【図１８】本発明に係る第６実施形態に含まれる他の例
のＸ線電子分光分析器の断面図または平面図である。
のＸ線電子分光分析器の断面図または平面図である。
【図１９】本発明に係る実施例のＸ線電子分光分析器、
及び従来のＸ線電子分光分析器の性能を比較した実験結
果を示すグラフである。
及び従来のＸ線電子分光分析器の性能を比較した実験結
果を示すグラフである。
【図２０】本発明に係るさらに他の実施形態のＸ線電子
分光分析器の断面図である。
分光分析器の断面図である。
４０ Ｘ線発生装置 ５０ 光学系 ６０、６０ａ 真空用ベローズ ９０ａ 第１シールド ９０ｂ 第２シールド １００、１１２、２００、２１０、２６０ 磁石 １２０ 電源 １５０ａ 第１平板 １５０ｂ 第２平板 １６０ 第３平板 １７０、１８０ 平板 １９０ シールド ２２０ コレクタ ２５０ くびれ部 Ｂ 磁場 ｅ Ｘ線発生装置４０から放出された電子 ｈ、ｈ１ ホール Ｒ 磁場領域 Ｘ Ｘ線発生装置から放出されたＸ線 Ｘ１、Ｘ２ Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他
の放出エレメント（電子）
の放出エレメント（電子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 任 昶 彬 大韓民国 ソウル特別市 瑞草区 瑞草洞 1687番地 有元アパート 102棟 1202 号 Ｆターム(参考） 2G001 AA01 CA03 EA00 FA12 GA01 KA08 SA04
Claims (13)
- 【請求項１】 Ｘ線を発生させるＸ線発生装置と、 前記Ｘ線が照射された分析対象物から放出される荷電粒
子の検出を通して前記分析対象物を構成する物質に関す
る分析が行われる光学系と、 前記Ｘ線発生装置と前記光学系との間に、その内部が真
空度の高い低圧力に保持される真空用ベローズと、 前記Ｘ線発生装置と前記光学系との間に備えられ、かつ
前記Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エ
レメントが、前記光学系に流入するのを抑えるための遮
蔽手段と、を具備することを特徴とするＸ線電子分光分
析器。 - 【請求項２】 前記遮蔽手段は、前記真空用ベローズの
内部または外部に備えられて構成されることを特徴とす
る請求項１に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項３】 前記遮蔽手段は、前記真空用ベローズの
外面部に備えられた磁石で構成されることを特徴とする
請求項２に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項４】 前記遮蔽手段は、前記Ｘ線発生装置と接
する真空用ベローズの内側部、または前記光学系と接す
る真空用ベローズの内側部に備えられて構成されること
を特徴とする請求項２に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項５】 前記Ｘ線発生装置と接する真空用ベロー
ズの内側部に備えられる遮蔽手段、及び前記光学系と接
する真空用ベローズの内側部に備えられる遮蔽手段のう
ちの少なくとも１つは、前記Ｘ線発生装置から放出され
たＸ線に対して透過性を有し、かつ前記Ｘ線発生装置か
ら放出されたＸ線以外の他の放出エレメントに対して非
透過性を有する平板で構成されることを特徴とする請求
項４に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項６】 前記Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以
外の他の放出エレメントによって形成される電場と略同
一の特性を有する電場が形成されるように、前記光学系
と接する真空用ベローズの内側部に備えられた平板に対
して電力が投入される電源が備えられて構成されること
を特徴とする請求項５に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項７】 前記光学系と接する真空用ベローズの内
側部に備えられる遮蔽手段は、その中央部にホールが形
成され、このホールの周辺部に前記Ｘ線発生装置から放
出されたＸ線及びこのＸ線以外の他の放出エレメントに
対して非透過性を有するシールドが備えられて構成され
ることを特徴とする請求項４に記載のＸ線電子分光分析
器。 - 【請求項８】 前記Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以
外の他の放出エレメントによって形成される電場と略同
一の特性を有する電場が形成されるように、前記シール
ドに対して電力が投入される電源が備えられて構成され
ることを特徴とする請求項７に記載のＸ線電子分光分析
器。 - 【請求項９】 前記光学系と接する真空用ベローズの内
側部に備えられた遮蔽手段は、前記Ｘ線発生装置から放
出されたＸ線に対して透過性を有し、かつ前記Ｘ線発生
装置から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントに対
して非透過性を有する平板で構成されることを特徴とす
る請求項４に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項１０】 前記磁石は、電磁石で構成され、少な
くとも２つの独立した電磁石で構成されることを特徴と
する請求項３に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項１１】 前記磁石と前記光学系との間に、前記
真空用ベローズと一体化され、前記Ｘ線発生装置から放
出されたＸ線以外の他の放出エレメントのうちで前記磁
石によって偏向されたエレメントを集めるためのコレク
タが備えられて構成されることを特徴とする請求項３に
記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項１２】 前記Ｘ線発生装置と接する真空用ベロ
ーズの内側部に備えられた遮蔽手段、及び前記光学系と
接する真空用ベローズの内側部に備えられた遮蔽手段の
いずれか一方の遮蔽手段は、前記Ｘ線発生装置から放出
されたＸ線に対して透過性を有すると共に、前記Ｘ線発
生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エレメントに
対して部分的に透過性を有する平板で構成され、さらに
他方の遮蔽手段は、前記シールドで構成されることを特
徴とする請求項７に記載のＸ線電子分光分析器。 - 【請求項１３】 前記真空用ベローズの略中間部に、前
記Ｘ線発生装置から放出されたＸ線以外の他の放出エレ
メントが光学系に流入するのを抑えるためのくびれ部が
備えられて構成されることを特徴とする請求項１に記載
のＸ線電子分光分析器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0056152A KR100382760B1 (ko) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 엑스선 전자 분광 분석기 |
| KR2000-56152 | 2000-09-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002148229A true JP2002148229A (ja) | 2002-05-22 |
Family
ID=19690244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001290673A Pending JP2002148229A (ja) | 2000-09-25 | 2001-09-25 | Ｘ線電子分光分析器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6653628B2 (ja) |
| EP (1) | EP1191329A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002148229A (ja) |
| KR (1) | KR100382760B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7485996B1 (ja) | 2023-02-27 | 2024-05-17 | 株式会社Ｎｈｖコーポレーション | 電子線照射装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956928B2 (en) * | 2003-05-05 | 2005-10-18 | Bruker Axs, Inc. | Vertical small angle x-ray scattering system |
| KR20050043257A (ko) * | 2003-11-05 | 2005-05-11 | 삼성전자주식회사 | 3차원 표면 분석 방법 |
| DE102004039763B4 (de) * | 2004-08-17 | 2007-07-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer Schicht |
| GB2442485B (en) * | 2006-10-03 | 2008-12-10 | Thermo Electron Corp | X-ray photoelectron spectroscopy analysis system for surface analysis and method therefor |
| US8217577B2 (en) * | 2009-08-31 | 2012-07-10 | L-3 Communications Corporation | Hybrid modulation in an emission-gated electron gun |
| US8999765B2 (en) * | 2013-06-25 | 2015-04-07 | Intel Corporation | Methods to prevent filler entrapment in microelectronic device to microelectronic substrate interconnection structures |
| CN110235219B (zh) * | 2017-02-03 | 2021-10-29 | 加坦公司 | 用于电子能量损失光谱仪的谐波线路噪声校正 |
| CN108593688B (zh) * | 2018-07-10 | 2024-03-29 | 中国科学技术大学 | 用于同步辐射软x射线吸收谱学的部分电子产额探测装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3822382A (en) * | 1971-08-17 | 1974-07-02 | Jeol Ltd | Apparatus for analyzing electron energy |
| US3969629A (en) * | 1975-03-14 | 1976-07-13 | Varian Associates | X-ray treatment machine having means for reducing secondary electron skin dose |
| US4109154A (en) * | 1977-03-18 | 1978-08-22 | Applied Radiation | X-ray beam compensation |
| JPS5981546A (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-11 | Shimadzu Corp | Ｘ線光電子分析装置 |
| US4837794A (en) * | 1984-10-12 | 1989-06-06 | Maxwell Laboratories Inc. | Filter apparatus for use with an x-ray source |
| FR2600422B1 (fr) * | 1986-05-29 | 1989-10-13 | Instruments Sa | Appareil et procede d'analyses chimiques locales a la surface de materiaux solides par spectroscopie de photo-electrons x |
| JPH0766774B2 (ja) * | 1989-04-27 | 1995-07-19 | 株式会社島津製作所 | 試料表面分析装置 |
| US5650616A (en) * | 1992-04-14 | 1997-07-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus and method for analyzing surface |
| US5444242A (en) * | 1992-09-29 | 1995-08-22 | Physical Electronics Inc. | Scanning and high resolution electron spectroscopy and imaging |
| US5329569A (en) * | 1993-02-18 | 1994-07-12 | Sandia Corporation | X-ray transmissive debris shield |
| US6326617B1 (en) * | 1997-09-04 | 2001-12-04 | Synaptic Pharmaceutical Corporation | Photoelectron spectroscopy apparatus |
-
2000
- 2000-09-25 KR KR10-2000-0056152A patent/KR100382760B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-09-25 EP EP01308123A patent/EP1191329A3/en not_active Withdrawn
- 2001-09-25 US US09/960,963 patent/US6653628B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-25 JP JP2001290673A patent/JP2002148229A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7485996B1 (ja) | 2023-02-27 | 2024-05-17 | 株式会社Ｎｈｖコーポレーション | 電子線照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020040970A1 (en) | 2002-04-11 |
| KR20020024413A (ko) | 2002-03-30 |
| EP1191329A3 (en) | 2003-10-22 |
| EP1191329A2 (en) | 2002-03-27 |
| KR100382760B1 (ko) | 2003-05-01 |
| US6653628B2 (en) | 2003-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100700207B1 (ko) | 전자 발생원을 내장한 이온화 챔버 | |
| Kharchenko et al. | Variability of cometary X-ray emission induced by solar wind ions | |
| JP2014527690A (ja) | 密接に結合したシンチレータ−光電子増倍管の１又は複数の組合体を含む電子検出器及びそれを使用した電子顕微鏡 | |
| KR20020077423A (ko) | 이온화 방사선의 검출을 위한 검출기 및 방법 | |
| JP2014132598A (ja) | チャンバ内電子検出器 | |
| Pianetta et al. | Total reflection x‐ray fluorescence spectroscopy using synchrotron radiation for wafer surface trace impurity analysis | |
| JP2002148229A (ja) | Ｘ線電子分光分析器 | |
| AU2012203317B2 (en) | X-Ray tube and x-ray fluorescence analyser utilizing selective excitation radiation | |
| Harkay et al. | Properties of the electron cloud in a high-energy positron and electron storage ring | |
| WO2011092757A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| GB2442485A (en) | Spectroscopic analysis system for surface analysis and method therefor | |
| US3471694A (en) | Charge particle barrier consisting of magnetic means for removing electrons from an x-ray beam | |
| JPH1167129A (ja) | 偏向励起放射線を利用するｘ線蛍光測定システムおよびｘ線管 | |
| Tserruya et al. | Hadron blind Cherenkov counters | |
| JP2008128660A (ja) | イオンビーム計測装置 | |
| JP4984063B2 (ja) | 低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法、低速陽電子輝度増強用透過型減速材、低速陽電子ビームの輝度増強方法、高輝度低速陽電子ビーム発生装置および陽電子顕微鏡 | |
| Procop et al. | Improvements of the low‐energy performance of a micro‐focus x‐ray source for XRF analysis with the SEM | |
| JPH0696712A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP4390815B2 (ja) | 低速陽電子ビーム発生装置 | |
| Gauvin et al. | Materials characterization using high-resolution scanning-electron microscopy and X-ray microanalysis | |
| Roussel et al. | Contamination of a beam of metastable helium atoms by fast neutral atoms: Characteristics of the secondary emission of these atoms at low energy (100 eV) in interaction with the surface of a solid | |
| Ghosh et al. | New Analytical Methods in Nanotechnology-A Review | |
| Manninen et al. | Resonant Raman scattering with gamma rays | |
| KR20100134981A (ko) | 투과형 또는 반사형 모드의 선택이 가능한 듀얼 ｘ-선 발생장치 | |
| Kimura et al. | High-density excitation by heavy ions: Techniques of fast measurements of emission decay of BaF2 single crystal |