JPH06242300A - 単色陽電子発生用減速材およびその処理方法 - Google Patents
単色陽電子発生用減速材およびその処理方法Info
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- JPH06242300A JPH06242300A JP2828593A JP2828593A JPH06242300A JP H06242300 A JPH06242300 A JP H06242300A JP 2828593 A JP2828593 A JP 2828593A JP 2828593 A JP2828593 A JP 2828593A JP H06242300 A JPH06242300 A JP H06242300A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単色陽電子発生効率の高い減速材Ｗの処理方
法を提供する。 【構成】 Ｗの処理方法として再結晶化処理の他に、１
０-5Torr以下の酸素雰囲気中で加熱処理することにより
Ｗ中に含有されている炭素を代表とする軽元素不純物を
除去する。これにより単色陽電子発生効率は一桁上昇す
る。 【効果】 単色陽電子の発生効率の一桁の向上は画期的
であり、元の線源の放射能にも限界があるので発生効率
の向上は実用上非常に有利である。その処理の実施が、
真空室で再結晶化処理と炭素除去処理とを連続的に行う
ことが可能であるため、時間的に損失が少なく、一般的
に安価な酸素を用いることから価格的にも有利に有効な
処理ができる。
法を提供する。 【構成】 Ｗの処理方法として再結晶化処理の他に、１
０-5Torr以下の酸素雰囲気中で加熱処理することにより
Ｗ中に含有されている炭素を代表とする軽元素不純物を
除去する。これにより単色陽電子発生効率は一桁上昇す
る。 【効果】 単色陽電子の発生効率の一桁の向上は画期的
であり、元の線源の放射能にも限界があるので発生効率
の向上は実用上非常に有利である。その処理の実施が、
真空室で再結晶化処理と炭素除去処理とを連続的に行う
ことが可能であるため、時間的に損失が少なく、一般的
に安価な酸素を用いることから価格的にも有利に有効な
処理ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、材料表面の性状を知
るプローブとなる単色陽電子発生に用いるタングステ
ン、およびその処理方法に関するものである。この発明
において、「減速材」とは、連続エネルギーをもった陽
電子を単色化するためのものであり、「効率」とは、そ
の連続エネルギーの陽電子の全個数に対する単色化され
た陽電子の発生個数の比をいうものとする。
るプローブとなる単色陽電子発生に用いるタングステ
ン、およびその処理方法に関するものである。この発明
において、「減速材」とは、連続エネルギーをもった陽
電子を単色化するためのものであり、「効率」とは、そ
の連続エネルギーの陽電子の全個数に対する単色化され
た陽電子の発生個数の比をいうものとする。
【０００２】
【従来の技術】陽電子は格子欠陥検出のプローブとし
て、幅広く用いられている。通常、陽電子の発生には、
β+ 崩壊する放射性同位元素や各種加速器を用いて発生
する制動放射線が使われている。これから発生した陽電
子は連続のエネルギー分布をもっているので、これまで
の手法においては、バルク分析に適用されてきた。一
方、この陽電子を単色化できれば、表面近傍の格子欠陥
を検出したり、電子線を用いてなされてきた回折実験や
分光実験が可能となり、新しい知見が数多く得られるこ
とが期待される。
て、幅広く用いられている。通常、陽電子の発生には、
β+ 崩壊する放射性同位元素や各種加速器を用いて発生
する制動放射線が使われている。これから発生した陽電
子は連続のエネルギー分布をもっているので、これまで
の手法においては、バルク分析に適用されてきた。一
方、この陽電子を単色化できれば、表面近傍の格子欠陥
を検出したり、電子線を用いてなされてきた回折実験や
分光実験が可能となり、新しい知見が数多く得られるこ
とが期待される。
【０００３】従来から、連続エネルギーをもった陽電子
を単色化することを目的として、様々な種類および幾何
学的配置をとる減速材が報告されている（P.J.Schultz
andK.G. Lynn,“Interaction of positron beams with
surfaces, thin films, andinterfaces ”,Reviews of
Modern Physics, vol.60. No.3, p.701-779,(1988)）。
優れた減速材は、単色陽電子のエネルギー分布が狭く、
その発生効率が高い物質である。効率が高いということ
は、得られる単色陽電子ビーム強度が強いことを意味
し、各種実験の測定時間短縮や感度の向上をもたらすと
いった利点がある。以下に優れた減速材の条件を示す。
を単色化することを目的として、様々な種類および幾何
学的配置をとる減速材が報告されている（P.J.Schultz
andK.G. Lynn,“Interaction of positron beams with
surfaces, thin films, andinterfaces ”,Reviews of
Modern Physics, vol.60. No.3, p.701-779,(1988)）。
優れた減速材は、単色陽電子のエネルギー分布が狭く、
その発生効率が高い物質である。効率が高いということ
は、得られる単色陽電子ビーム強度が強いことを意味
し、各種実験の測定時間短縮や感度の向上をもたらすと
いった利点がある。以下に優れた減速材の条件を示す。
【０００４】（１）陽電子仕事関数が負である。 （２）密度、原子番号が大きい。 （３）陽電子の拡散定数が大きい。 （４）表面に拡散した陽電子の再放出確率が高い。 （５）完全結晶で格子欠陥や不純物などの陽電子捕獲サ
イトがない。
イトがない。
【０００５】以上のような条件から金属タングステン
が、最も多く減速材として使用されている。ただし、内
在する格子欠陥を減らしたり、結晶粒界を減らすため
に、１０-7Torr以下の真空中かつ１８００℃から２３０
０℃の高温で、再結晶化処理を施す必要があった。それ
によってえられる効率は１０-4である。タングステンリ
ボンを減速材として用いて単色陽電子発生装置に装着
し、効率を見積ることができる。
が、最も多く減速材として使用されている。ただし、内
在する格子欠陥を減らしたり、結晶粒界を減らすため
に、１０-7Torr以下の真空中かつ１８００℃から２３０
０℃の高温で、再結晶化処理を施す必要があった。それ
によってえられる効率は１０-4である。タングステンリ
ボンを減速材として用いて単色陽電子発生装置に装着
し、効率を見積ることができる。
【０００６】図１は単色陽電子発生装置の概略図であ
る。線源１の放射性同位元素は22Ｎａを用いる。タング
ステンリボンは放射性同位元素の直前にブラインド状に
配置した（減速材２）。放射性同位元素（22Ｎａ）１か
ら放出された連続エネルギーをもった陽電子は、減速材
２であるタングステンリボンに入射し再放出し、単色化
される。減速材には１００Ｖ印加され、単色陽電子発生
装置は平均１００ガウスの静磁場中にあるため、減速材
から再放出された単色陽電子は約１００eVのエネルギー
をもって、らせん運動しながら矢印方向に進行する。こ
のとき、減速材２を透過した高エネルギーの陽電子が含
まれているため、それらを取り除くための偏向器３を取
付け、単色化した陽電子のみが検出器４に到達できる仕
組みとなっている。
る。線源１の放射性同位元素は22Ｎａを用いる。タング
ステンリボンは放射性同位元素の直前にブラインド状に
配置した（減速材２）。放射性同位元素（22Ｎａ）１か
ら放出された連続エネルギーをもった陽電子は、減速材
２であるタングステンリボンに入射し再放出し、単色化
される。減速材には１００Ｖ印加され、単色陽電子発生
装置は平均１００ガウスの静磁場中にあるため、減速材
から再放出された単色陽電子は約１００eVのエネルギー
をもって、らせん運動しながら矢印方向に進行する。こ
のとき、減速材２を透過した高エネルギーの陽電子が含
まれているため、それらを取り除くための偏向器３を取
付け、単色化した陽電子のみが検出器４に到達できる仕
組みとなっている。
【０００７】減速材のタングステンの処理として、再結
晶化処理だけでは、陽電子捕獲サイトとなる不純物の除
去は困難である。通常、純タングステンといわれるもの
でも、平均純度９９．９５％程度であり、種々の不純物
（例えば炭素の平均含有量は１５ppm 、リンは５０ppm
、硫黄５ppm など）が含まれている。他の金属元素の
不純物は単色陽電子の発生効率に影響しないが、特に炭
素や硫黄が効率向上の妨げになると認識された。炭素、
硫黄および炭化物、硫化物は再結晶化処理中に表面に拡
散し表面を覆い、かつ陽電子の捕獲サイトとなり、単色
陽電子の発生を妨げるという欠点がある。
晶化処理だけでは、陽電子捕獲サイトとなる不純物の除
去は困難である。通常、純タングステンといわれるもの
でも、平均純度９９．９５％程度であり、種々の不純物
（例えば炭素の平均含有量は１５ppm 、リンは５０ppm
、硫黄５ppm など）が含まれている。他の金属元素の
不純物は単色陽電子の発生効率に影響しないが、特に炭
素や硫黄が効率向上の妨げになると認識された。炭素、
硫黄および炭化物、硫化物は再結晶化処理中に表面に拡
散し表面を覆い、かつ陽電子の捕獲サイトとなり、単色
陽電子の発生を妨げるという欠点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたもので単色陽電子の発生効率を高めること
を目的として、タングステン減速材とその処理方法を提
供するものである。
鑑みなされたもので単色陽電子の発生効率を高めること
を目的として、タングステン減速材とその処理方法を提
供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】この発明によ
るタングステン減速材は、不純物炭素、硫黄濃度をそれ
ぞれ１ppm 以下にしたものであり、それらの不純物を除
去するための処理方法を特徴とした単色陽電子発生効率
向上を目的としたものである。
るタングステン減速材は、不純物炭素、硫黄濃度をそれ
ぞれ１ppm 以下にしたものであり、それらの不純物を除
去するための処理方法を特徴とした単色陽電子発生効率
向上を目的としたものである。
【００１０】純タングステンは一般に市販されている公
称純度９９．９５％程度のものを用いることができる。
純タングステンを、１×１０-5Torr以下の酸素雰囲気下
で８００℃から１４００℃の温度範囲で加熱する。この
操作により次第にタングステン中の炭素、硫黄は表面に
拡散しほぼ完全に除去される。本作用の理由は、加熱に
よりバルク中の炭素が表面に偏析し、ガス中の酸素と炭
素が反応しＣＯあるいはＣＯ2 といった気体となり除去
されると考えられる。炭素が表面偏析する温度や酸素と
反応する温度を考慮すると上記の温度範囲が本作用には
最適である。硫黄に関しても同様である。表面の炭素、
硫黄を除去することにより、バルク中の炭素、硫黄は表
面に拡散し続け、その結果として表面炭素、硫黄濃度が
減少することは、バルク中の炭素、硫黄濃度の減少を示
すことになる。また、真空度が１×１０-5Torr以上にな
ると逆に酸化反応が支配的になり表面に酸化タングステ
ン層が生成し、単色陽電子の発生効率は低下する。
称純度９９．９５％程度のものを用いることができる。
純タングステンを、１×１０-5Torr以下の酸素雰囲気下
で８００℃から１４００℃の温度範囲で加熱する。この
操作により次第にタングステン中の炭素、硫黄は表面に
拡散しほぼ完全に除去される。本作用の理由は、加熱に
よりバルク中の炭素が表面に偏析し、ガス中の酸素と炭
素が反応しＣＯあるいはＣＯ2 といった気体となり除去
されると考えられる。炭素が表面偏析する温度や酸素と
反応する温度を考慮すると上記の温度範囲が本作用には
最適である。硫黄に関しても同様である。表面の炭素、
硫黄を除去することにより、バルク中の炭素、硫黄は表
面に拡散し続け、その結果として表面炭素、硫黄濃度が
減少することは、バルク中の炭素、硫黄濃度の減少を示
すことになる。また、真空度が１×１０-5Torr以上にな
ると逆に酸化反応が支配的になり表面に酸化タングステ
ン層が生成し、単色陽電子の発生効率は低下する。
【００１１】１×１０-7Torr以下の真空中、１８００℃
から２３００℃の温度範囲での加熱処理する再結晶化操
作に、前記の不純物炭素、硫黄除去操作を加えることに
より、高い単色陽電子発生効率をもつタングステンが得
られる。なお、再結晶化操作と不純物炭素、硫黄除去操
作は連続して行なうことが好ましく、順序はどちらが先
でも差はほとんどなく同様の効果を示す。再結晶化処理
においてはタングステン中の格子欠陥や粒界を減少させ
る効果があり、不純物炭素、硫黄除去操作はタングステ
ン中に内在する不純物炭素や硫黄を減少させるわけであ
るから、どちらの処理を先に行なってもよいことにな
る。上記の処理により得られたタングステンの不純物炭
素または不純物硫黄の濃度は、１ppm 以下になり、単色
陽電子の発生を阻害する偏析炭素、硫黄や炭化物、硫化
物を十分に減少させることができる。また１×１０-5To
rr以下の酸素雰囲気下で、１８００℃から２３００℃の
温度範囲での加熱処理するという再結晶化処理と不純物
除去処理を同時に行なわせても、ほぼ同様の結果が得ら
れる。
から２３００℃の温度範囲での加熱処理する再結晶化操
作に、前記の不純物炭素、硫黄除去操作を加えることに
より、高い単色陽電子発生効率をもつタングステンが得
られる。なお、再結晶化操作と不純物炭素、硫黄除去操
作は連続して行なうことが好ましく、順序はどちらが先
でも差はほとんどなく同様の効果を示す。再結晶化処理
においてはタングステン中の格子欠陥や粒界を減少させ
る効果があり、不純物炭素、硫黄除去操作はタングステ
ン中に内在する不純物炭素や硫黄を減少させるわけであ
るから、どちらの処理を先に行なってもよいことにな
る。上記の処理により得られたタングステンの不純物炭
素または不純物硫黄の濃度は、１ppm 以下になり、単色
陽電子の発生を阻害する偏析炭素、硫黄や炭化物、硫化
物を十分に減少させることができる。また１×１０-5To
rr以下の酸素雰囲気下で、１８００℃から２３００℃の
温度範囲での加熱処理するという再結晶化処理と不純物
除去処理を同時に行なわせても、ほぼ同様の結果が得ら
れる。
【００１２】
実施例１ 公称純度９９．９５％の純タングステンリボン（１．５
mm幅、２５．４μm 厚）を原材料として用いた。ベース
真空度１×１０-9Torrの処理室において、通電加熱法に
よりタングステンリボンを２２００℃で２時間加熱とい
う再結晶化処理の後、加熱温度を１２００℃まで下げ、
酸素を１×１０-7Torr導入し、１０時間加熱という不純
物炭素除去処理を施し、その後通電を止めそのままの状
態で放冷した。図２（ｂ）にタングステンリボンの表面
のオージェ電子スペクトルを示した。炭素の表面濃度は
３原子％であった。硫黄は、検出できなかった。バルク
の炭素濃度は、０．５ppm 、硫黄濃度は０．２ppm であ
った。比較例と同様に見積もられた減速材の効率は１×
１０-3となり、再結晶化処理のみの場合と比較して一桁
の向上が認められた。なお、表面には酸素が存在してい
るが、その影響はほとんど認められない。不純物炭素、
硫黄除去処理の後、再結晶化処理した減速材でも効率
は、ほぼ同じ値を示した。
mm幅、２５．４μm 厚）を原材料として用いた。ベース
真空度１×１０-9Torrの処理室において、通電加熱法に
よりタングステンリボンを２２００℃で２時間加熱とい
う再結晶化処理の後、加熱温度を１２００℃まで下げ、
酸素を１×１０-7Torr導入し、１０時間加熱という不純
物炭素除去処理を施し、その後通電を止めそのままの状
態で放冷した。図２（ｂ）にタングステンリボンの表面
のオージェ電子スペクトルを示した。炭素の表面濃度は
３原子％であった。硫黄は、検出できなかった。バルク
の炭素濃度は、０．５ppm 、硫黄濃度は０．２ppm であ
った。比較例と同様に見積もられた減速材の効率は１×
１０-3となり、再結晶化処理のみの場合と比較して一桁
の向上が認められた。なお、表面には酸素が存在してい
るが、その影響はほとんど認められない。不純物炭素、
硫黄除去処理の後、再結晶化処理した減速材でも効率
は、ほぼ同じ値を示した。
【００１３】実施例２ 公称純度９９．９５％の純タングステンリボン（１．５
mm幅、２５．４μm 厚）を用いた。ベース真空度１×１
０-9Torrの処理室において、通電加熱法によりタングス
テンリボンを２２００℃で２時間加熱という再結晶化処
理の後、加熱温度を１２００℃まで下げ、酸素を５×１
０-7Torr導入し、１０時間加熱という不純物炭素除去処
理を施し、その後通電を止めそのままの状態で放冷し
た。試料の分析の結果、バルクの炭素濃度は、０．５pp
m 、硫黄濃度は３．４ppm であった。見積もられた減速
材の効率は９．５×１０-4であった。
mm幅、２５．４μm 厚）を用いた。ベース真空度１×１
０-9Torrの処理室において、通電加熱法によりタングス
テンリボンを２２００℃で２時間加熱という再結晶化処
理の後、加熱温度を１２００℃まで下げ、酸素を５×１
０-7Torr導入し、１０時間加熱という不純物炭素除去処
理を施し、その後通電を止めそのままの状態で放冷し
た。試料の分析の結果、バルクの炭素濃度は、０．５pp
m 、硫黄濃度は３．４ppm であった。見積もられた減速
材の効率は９．５×１０-4であった。
【００１４】実施例３ 公称純度９９．９５％の純タングステンリボン（１．５
mm幅、２５．４μm 厚）を用いた。ベース真空度１×１
０-9Torrの処理室において、通電加熱法によりタングス
テンリボンを２２００℃で２時間加熱という再結晶化処
理の後、加熱温度を１０００℃まで下げ、酸素を１×１
０-7Torr導入し、５時間加熱という不純物炭素除去処理
を施し、その後通電を止めそのままの状態で放冷した。
試料の分析の結果、バルクの炭素濃度は、２．５ppm 、
硫黄濃度は０．５ppm であった。見積もられた減速材の
効率は９．５×１０-4であった。
mm幅、２５．４μm 厚）を用いた。ベース真空度１×１
０-9Torrの処理室において、通電加熱法によりタングス
テンリボンを２２００℃で２時間加熱という再結晶化処
理の後、加熱温度を１０００℃まで下げ、酸素を１×１
０-7Torr導入し、５時間加熱という不純物炭素除去処理
を施し、その後通電を止めそのままの状態で放冷した。
試料の分析の結果、バルクの炭素濃度は、２．５ppm 、
硫黄濃度は０．５ppm であった。見積もられた減速材の
効率は９．５×１０-4であった。
【００１５】実施例４ 公称純度９９．９５％の純タングステンリボン（１．５
mm幅、２５．４μm 厚）を原材料として用いて、１×１
０-7Torr酸素雰囲気下で通電加熱法により２２００℃で
２時間加熱という再結晶化処理と不純物炭素、硫黄除去
処理を同時に行なった。バルクの炭素濃度は、０．８pp
m 、硫黄濃度は０．７ppm まで減少し、単色陽電子の発
生効率は６×１０-4と向上がみられた。
mm幅、２５．４μm 厚）を原材料として用いて、１×１
０-7Torr酸素雰囲気下で通電加熱法により２２００℃で
２時間加熱という再結晶化処理と不純物炭素、硫黄除去
処理を同時に行なった。バルクの炭素濃度は、０．８pp
m 、硫黄濃度は０．７ppm まで減少し、単色陽電子の発
生効率は６×１０-4と向上がみられた。
【００１６】比較例 公称純度９９．９５％の純タングステンリボン（１．５
mm幅、２５．４μm 厚）を原材料として用いた。ベース
真空度１×１０-9Torrの処理室において、通電加熱法に
よりタングステンリボンを２２００℃で２時間加熱とい
う再結晶化処理をした。図２（ａ）に再結晶化処理のみ
を施したタングステンリボンの表面のオージェ電子スペ
クトルを示した。炭素の表面濃度は３０原子％であっ
た。図１の装置により、この減速材の効率を見積もる
と、再結晶化処理のみの減速材では効率は１×１０-4で
あった。また、バルクの炭素濃度は、１５ppm 、硫黄濃
度は５ppm であった。
mm幅、２５．４μm 厚）を原材料として用いた。ベース
真空度１×１０-9Torrの処理室において、通電加熱法に
よりタングステンリボンを２２００℃で２時間加熱とい
う再結晶化処理をした。図２（ａ）に再結晶化処理のみ
を施したタングステンリボンの表面のオージェ電子スペ
クトルを示した。炭素の表面濃度は３０原子％であっ
た。図１の装置により、この減速材の効率を見積もる
と、再結晶化処理のみの減速材では効率は１×１０-4で
あった。また、バルクの炭素濃度は、１５ppm 、硫黄濃
度は５ppm であった。
【００１７】
【発明の効果】この発明による減速材発生効率向上法
は、上記のように構成されているので、以下のような効
果を奏する。単色陽電子の発生効率が一桁以上向上する
ということが、大きな効果である。もともとの線源の放
射能にも限界があるので、発生効率の向上は実用上非常
に有利である。またその実施が、真空室で不純物炭素、
硫黄除去処理と再結晶化処理とを連続することが可能で
あるため、時間的損失が少なく、一般的に安価な酸素を
用いることから価格的にも有利に有効な処理ができる。
さらに制御しなければならない因子は、温度、圧力、時
間のみであり、極めて容易に制御できるという利点があ
る。
は、上記のように構成されているので、以下のような効
果を奏する。単色陽電子の発生効率が一桁以上向上する
ということが、大きな効果である。もともとの線源の放
射能にも限界があるので、発生効率の向上は実用上非常
に有利である。またその実施が、真空室で不純物炭素、
硫黄除去処理と再結晶化処理とを連続することが可能で
あるため、時間的損失が少なく、一般的に安価な酸素を
用いることから価格的にも有利に有効な処理ができる。
さらに制御しなければならない因子は、温度、圧力、時
間のみであり、極めて容易に制御できるという利点があ
る。
【図１】単色陽電子の発生割合を決定するために使用し
た装置の概略図である。装置全体には１００ガウスの磁
場が印加されている。
た装置の概略図である。装置全体には１００ガウスの磁
場が印加されている。
【図２】（ａ）はタングステンを、１×１０-9Torrの真
空中、２２００℃で２時間の加熱処理した後の表面のオ
ージェ電子はスペクトル。（ｂ）はタングステンを、１
×１０-9Torrの真空中、２２００℃で２時間の加熱処理
した後、１×１０-7Torrの酸素雰囲気下で１２００℃で
１０時間加熱処理した後の、タングステン表面のオージ
ェ電子スペクトル。
空中、２２００℃で２時間の加熱処理した後の表面のオ
ージェ電子はスペクトル。（ｂ）はタングステンを、１
×１０-9Torrの真空中、２２００℃で２時間の加熱処理
した後、１×１０-7Torrの酸素雰囲気下で１２００℃で
１０時間加熱処理した後の、タングステン表面のオージ
ェ電子スペクトル。
１ 線源（グラウンド電位） ２ 減速材（１００Ｖ） ３ 偏向器 ４ 陽電子検出器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】純タングステンは一般に市販されている公
称純度９９．９５％程度のものを用いることができる。
純タングステンを、１×１０-5Torr以下の酸素雰囲気下
で８００℃から１４００℃の温度範囲で加熱する。この
操作により次第にタングステン中の炭素、硫黄は表面に
拡散しほぼ完全に除去される。本作用の理由は、加熱に
よりバルク中の炭素が表面に偏析し、ガス中の酸素と炭
素が反応しＣＯあるいはＣＯ2 といった気体となり除去
されると考えられる。炭素が表面偏析する温度や酸素と
反応する温度を考慮すると上記の温度範囲が本作用には
最適である。硫黄に関しても同様である。表面の炭素、
硫黄を除去することにより、バルク中の炭素、硫黄は表
面に拡散し続け、その結果として表面炭素、硫黄濃度が
減少することは、バルク中の炭素、硫黄濃度の減少を示
すことになる。また、酸素分圧が１×１０-5Torr以上に
なると逆に酸化反応が支配的になり表面に酸化タングス
テン層が生成し、単色陽電子の発生効率は低下する。
称純度９９．９５％程度のものを用いることができる。
純タングステンを、１×１０-5Torr以下の酸素雰囲気下
で８００℃から１４００℃の温度範囲で加熱する。この
操作により次第にタングステン中の炭素、硫黄は表面に
拡散しほぼ完全に除去される。本作用の理由は、加熱に
よりバルク中の炭素が表面に偏析し、ガス中の酸素と炭
素が反応しＣＯあるいはＣＯ2 といった気体となり除去
されると考えられる。炭素が表面偏析する温度や酸素と
反応する温度を考慮すると上記の温度範囲が本作用には
最適である。硫黄に関しても同様である。表面の炭素、
硫黄を除去することにより、バルク中の炭素、硫黄は表
面に拡散し続け、その結果として表面炭素、硫黄濃度が
減少することは、バルク中の炭素、硫黄濃度の減少を示
すことになる。また、酸素分圧が１×１０-5Torr以上に
なると逆に酸化反応が支配的になり表面に酸化タングス
テン層が生成し、単色陽電子の発生効率は低下する。
Claims (4)
- 【請求項１】 炭素、または硫黄の濃度が１ppm 以下
で、残余が実質的にはタングステンからなる単色陽電子
の発生効率の優れた単色陽電子発生用減速材。 - 【請求項２】 純タングステンを、真空中で１８００か
ら２３００℃の温度範囲で加熱処理して再結晶化処理し
た後、１０-5Torr以下の酸素雰囲気中で８００から１４
００℃の温度範囲で加熱処理することを特徴とする単色
陽電子発生用減速材の処理方法。 - 【請求項３】 純タングステンを、１０-5Torr以下の酸
素雰囲気中で８００から１４００℃の温度範囲で加熱処
理した後、真空中で１８００から２３００℃の温度範囲
で加熱処理して再結晶化処理をすることを特徴とする単
色陽電子発生用減速材の処理方法。 - 【請求項４】 純タングステンを、１０-5Torr以下の酸
素雰囲気中で１８００から２３００℃の温度範囲で加熱
処理することを特徴とする単色陽電子発生用減速材の処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2828593A JPH06242300A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 単色陽電子発生用減速材およびその処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2828593A JPH06242300A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 単色陽電子発生用減速材およびその処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242300A true JPH06242300A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12244340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2828593A Withdrawn JPH06242300A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 単色陽電子発生用減速材およびその処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304276A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Chiba Univ | 低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法、低速陽電子輝度増強用透過型減速材、低速陽電子ビームの輝度増強方法、高輝度低速陽電子ビーム発生装置および陽電子顕微鏡 |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP2828593A patent/JPH06242300A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304276A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Chiba Univ | 低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法、低速陽電子輝度増強用透過型減速材、低速陽電子ビームの輝度増強方法、高輝度低速陽電子ビーム発生装置および陽電子顕微鏡 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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