JP4976766B2

JP4976766B2 - 回路基板の製造方法

Info

Publication number: JP4976766B2
Application number: JP2006189271A
Authority: JP
Inventors: 宗利入沢; 裕二豊田; 安生金田
Original assignee: Mitsubishi Paper Mills Ltd
Current assignee: Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date: 2006-07-10
Filing date: 2006-07-10
Publication date: 2012-07-18
Anticipated expiration: 2026-07-10
Also published as: JP2008016774A

Description

本発明は、回路基板の製造方法に関し、スルーホールまたはバイアホールと呼ばれる孔を有する回路基板の製造方法に関する。

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板も高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段としては、回路基板の多層化が挙げられる。図１９で示したように、複数の配線層を積層して形成した回路基板は、一般にスルーホール９、バイアホール１０、インタースティシャルバイアホール１１と呼ばれる、内壁を導電層１２で被覆したあるいは充填した貫通孔、非貫通孔（以下、孔）といった細孔を通じて各層間の導通が行われている。

図２０は、孔を上部から見た概略図である。孔１３の周囲にランド１４と呼ばれる導電層が形成されている。ランドは角形、円形、楕円形、異形等、種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形を用いることが多い。また、高密度化に対応するためには、ランドレスもしくは狭小ランド幅の孔が必要とされている。

回路基板を製造する方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等がある。サブトラクティブ法は、表面に導電層を設けた絶縁性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して回路を形成する方法である。アディティブ法は、絶縁性基板の表面の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に無電解めっき処理等で導電層を形成する方法である。セミアディティブ法は、薄い導電層を表面に有する絶縁性基板の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に電解めっき処理で導電層を形成し、非回路部のめっきレジスト層を除去した後、フラッシュエッチング処理によって、非回路部の薄い導電層を除去して回路を形成する方法である。

エッチングレジスト層およびめっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成される。ランドレスや狭小ランド幅の孔を製造しようとする場合、孔の穴開け加工やスクリーン印刷法、露光工程、インクジェット法等の工程における位置合わせが重要であり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。ランドは、図２０のように、孔の全方向に均一な幅を有する形、つまり孔とランドが同心円である場合が最も望ましいが、位置合わせが不正確であると、図２１のように、孔とランドは同心円とならなくなるという問題があった。

図２１は（ａ）狭小ランド幅、（ｂ）広大ランド幅の孔において、距離Ｘの位置ずれが発生した場合の孔とランドの位置ずれを表した平面概略図である。図２１（ｂ）広大ランド幅の孔では、孔の周囲にランドが形成された状態となるが、図２１（ａ）狭小ランド幅の孔では、ランドが孔部分から切れてしまい、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することができないという問題が発生している。穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される孔の径は多種類で、孔数も極めて多いため、全ての孔に対して精確に位置合わせを行うことは非常に困難である。したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の孔が求められているにもかかわらず、ランド幅を大きく設計しなくてはならないという問題が発生している（例えば、特許文献１）。

このような位置合わせが原因となっていたランドと孔の位置ずれの問題を解決し、回路基板の高密度化のために要求されている狭小ランドを有する回路基板を製造する方法として、絶縁性基板の両面に金属導電層を設けた回路形成用基板に貫通孔を形成し、次に、熱可塑性樹脂層とキャリアフィルムから成るドライフィルムをラミネートした後、キャリアフィルムと貫通孔の開口部の熱可塑性樹脂層と同時に除去し、開口部を除く回路形成用基板の両面に熱可塑性樹脂層を形成し、樹脂付開口基板を作製する方法が提案されている。しかしながら、この方法では、孔上の熱可塑性樹脂を物理的に剥ぎ取る手段であるため、開口部の熱可塑性樹脂のエッジにがたつきが発生し問題となった（例えば、特許文献２）。

また、ランドと孔の位置ずれの問題を解決し、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔を有する回路基板を製造する方法として、貫通孔または／および非貫通孔を有し、少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板の表面に第一樹脂層を貼り付け、次いで表面導電層上の第一樹脂層上に第一樹脂層用現像液に不溶性または難溶性の第二樹脂層を形成し、次いで第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する工程を含む回路基板の製造方法を提案している。該製造方法では、孔上と表面導電層上とで、第一樹脂層の静電容量が異なることを利用して、表面導電層上の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する（例えば、特許文献３〜９）。

しかしながら、上記の樹脂付開口基板および回路基板の製造方法においては、第一樹脂層を形成する工程、第二樹脂層を形成する工程、孔上の第一樹脂層を除去する工程、第二樹脂層を除去する工程、第一樹脂層表面を一様に帯電させる工程等、非常に多くの工程を有するために、コスト高および歩留まりが悪化するという問題があった。
特開平７−７２６５号公報特開２００４−３０３８５６号公報特開２００５−２８６２９４号公報特開２００５−２８６２９５号公報特開２００５−２８６２９６号公報特開２００５−２８６２９７号公報特開２００５−２８６２９８号公報特開２００５−２８６２９９号公報特開２００５−２８６３０１号公報

本発明の課題は、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等のいずれの回路基板の製造方法においても、エッチングレジスト層およびめっきレジスト層を形成する際の位置合わせが原因となり発生していたランドと孔の位置ずれの問題を解決し、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔に対応した回路基板の製造方法を提供することである。

本発明者らは、この課題を解決するため研究を行った結果、
（１）孔を有する回路形成用基板の少なくとも片面に樹脂フィルム層を形成し、次に孔上の樹脂フィルム層の厚みを表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも薄くし、次に樹脂フィルム除去液によって表面上の樹脂フィルム薄膜化処理を行うと同時に孔上の樹脂フィルム層を除去する工程を含む回路基板の製造方法、
（２）孔内の気体を膨張又は収縮させることで孔上の樹脂フィルム層を引き伸ばして、孔上の樹脂フィルム層の厚みを表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも薄くすることを特徴とする（１）の回路基板の製造方法、
（３）表面及び孔の内壁に第１導電層を有する絶縁性基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する工程、孔上の光架橋性樹脂層の厚みを表面上の光架橋性樹脂層の厚みよりも薄くする工程、光架橋性樹脂層除去液によって表面上の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行うと同時に孔上の光架橋性樹脂層を除去する工程、光架橋性樹脂層に対してパターン露光する工程、未硬化の光架橋性樹脂層を除去する工程、露出している第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、硬化部を除去する工程、露出した第１導電層をフラッシュエッチングする工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法、
（４）孔内の気体を膨張又は収縮させることで孔上の樹脂フィルム層を引き伸ばして、孔上の光架橋性樹脂層の厚みを表面上の光架橋性樹脂層の厚みよりも薄くすることを特徴とする（３）の回路基板の製造方法を見出した。

図４または図１３は、本発明の回路基板の製造方法（１）に含まれる一連の工程によって製造された樹脂付開口基板８の一例を示した断面概略図である。孔を除いた表面に、樹脂フィルム層が設けられた形状となっている。物理的な孔上の除去方法と比較して、樹脂フィルム層の溶解処理でランドが形成されるため、樹脂付開口基板の開口部のエッジ形状にがたつきが発生しない。また、工程が非常に簡易であり、コスト的に有利である。また、一旦樹脂フィルム層を孔上に形成してから、孔内に閉じこめられた気体の体積変化を利用して、孔上の樹脂フィルム層の厚みを薄くすることにより、薄くなった孔上の樹脂フィルム層の形状を、孔中央部を中心として点対称でかつ、孔毎にばらつき少なく形成することができる。この形状を、樹脂フィルム除去液によって、除去量を制御して、適正量除去を行うことで、開口幅が均一で、かつエッジ形状にがたつきのない良好な形状の樹脂付開口基板を簡易な工程で得ることができる。

本発明の回路基板の製造方法（１）で得られた樹脂付開口基板に対して、穴埋めインク工程、導電性インク充填工程、電着工程、金属めっき工程、レジスト形成工程、エッチング工程を、適宜組み合わせた一連の工程を行うことで、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等によって、回路基板を製造することができる。これら回路基板の製造方法に含まれる一連の工程は、位置合わせを必要としない。したがって、回路基板に存在する孔の大きさ、形状、数、位置がどのような場合であっても、精確かつ選択的に孔部分に処理を施すことができる。

以下、本発明の回路基板の製造方法について詳細に説明する。

まず、本発明の回路基板の製造方法における例を、図１〜４を用いて説明する。また、本発明のセミアディティブ法を応用した例を図１〜図１８を用いて説明する。

本発明の回路基板の製造方法では、図１に示した孔３を有する回路形成用基板４に、孔３を塞いで、テンティングとなるように、樹脂フィルム層５を貼り付ける（図２）。次に、孔３上の樹脂フィルム層の厚みを表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも薄くする（図３）。次に、樹脂フィルム除去液によって表面上の樹脂フィルム薄膜化処理を行うと同時に、孔３上の樹脂フィルム層５を除去して、樹脂付開口基板８を製造する（図４）。

また、本発明の貫通孔でのセミアディティブ法を応用した例を図１〜図９に説明する。まず、表面及び孔３の内壁に第１導電層２を有する絶縁性基板１に樹脂フィルム層５を貼り付ける（図２）。この際、樹脂フィルム層には、光架橋性樹脂層を使用する。次に、孔３上の光架橋性樹脂層の厚みを表面上の光架橋性樹脂層の厚みよりも薄くする（図３）。次に、光架橋性樹脂層除去液によって表面上の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行うと同時に孔３上の光架橋性樹脂層を除去する（図４）。ここで、光架橋性樹脂層からなる樹脂付開口基板８ができあがる。次に、光架橋性樹脂層に対してパターン露光し硬化部６を形成する（図５）。次に、未硬化の光架橋性樹脂層を除去する（図６）。次に露出している第１導電層２上に電解めっき処理により第２導電層７を形成する（図７）。次に、硬化部６を除去する（図８）。次に、露出した第１導電層２をフラッシュエッチングすることによって回路基板が製造される（図９）。

また、本発明の非貫通孔でのセミアディティブ方を応用した例を図１０〜図１８に説明する。本発明の回路基板の製造方法では、図１０に示した孔３を有する回路形成用基板４に、孔３を塞いで、テンティングとなるように樹脂フィルム層５を貼り付ける（図１１）。この際、樹脂フィルム層には、光架橋性樹脂層を使用する。次に、孔３上の光架橋性樹脂層の厚みを表面上の光架橋性樹脂層の厚みよりも薄くする（図１２）。次に、光架橋性樹脂層除去液によって表面上の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行うと同時に孔３上の光架橋性樹脂層を除去する（図１３）。ここで、光架橋性樹脂層からなる樹脂付開口基板８ができあがる。次に、光架橋性樹脂層に対してパターン露光し硬化部６を形成する（図１４）。次に、未硬化の光架橋性樹脂層を除去する（図１５）。次に露出している第１導電層２上に電解めっき処理により第２導電層７を形成する（図１６）。次に、硬化部６を除去する（図１７）。次に、露出した第１導電層２をフラッシュエッチングすることによって回路基板が製造される（図１８）。

本発明の回路基板の製造方法に係わる、孔を有する回路形成用基板としては、表面および孔の内壁に導電層の存在の有無に関わらない。例えば、絶縁性基板に孔を設けた基板、絶縁性基板に導電層を貼り合わせた積層板に孔を設けた基板、絶縁性基板に導電層を張り合わせた積層板に孔を設けた後めっき処理により孔内壁を含む積層板表面に導電層を設けた基板、絶縁性基板に孔を設けた後めっき処理により孔内壁を含む表面に導電層を設けた基板、絶縁性基板に孔を設けた後種々のコーティング手段によって孔内壁を含む表面に導電層を設けた基板等を使用することができる。絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、４２アロイ、ニクロム、タングステン、ＩＴＯ、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、１９８７刊行、日刊工業新聞社刊）に記載されている。孔は、貫通孔および非貫通孔、いわゆるスルーホールとバイアホールといわれるものであり、ドリルもしくはレーザーもしくはエッチング法等によって形成できる。

本発明に係わる樹脂フィルム層としては、回路形成用基板へ熱圧着し、孔部に対してテンティングするようにラミネート可能で、かつ樹脂フィルム用除去液に対して溶解性を有し、さらに、本発明の回路基板の製造方法に含まれる一連の工程の後工程で必要とされる特性を有しているものであれば、特に限定されるものではない。具体的に例を挙げれば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、スチレンとマレイン酸エステル共重合体、酢酸ビニル樹脂、安息香酸ビニル樹脂等からなるフィルムやそれら樹脂に酸性基を導入したアルカリ水溶液に溶解するフィルム、ポリエチレングリコールやポリビニルアルコール等の水溶性フィルム等の非感光性フィルムが挙げられる。また、回路基板製造用の光架橋性樹脂層等があげられ、具体的には、ネガドライフィルムフォトレジストなどが使用でき、例えばデュポンＭＲＣドライフィルム株式会社のリストン、日立化成工業株式会社のフォテック、旭化成エレクトロニクス株式会社のサンフォート等を使用することができる。本発明に係わる樹脂フィルム層は、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレート等）と保護フィルム（ポリエチレン等）の間にはさまれている３層の構成であれば、保存や貼り付けの際に好適である。ブロッキングが問題にならなければ保護フィルムを使用しない２層構造のものでもよい。また、特許３２８１４７６号公報、同３２８１４８６号公報、特開２００２−１５８４２２号公報、特開２００２−２３４７０号公報等記載の光導電層を利用した有機光半導体レジストを使用することもできる。

樹脂フィルム用除去液を供給する前の表面上の樹脂フィルム層の厚みは５〜２００μｍの範囲が好ましく、孔上の樹脂フィルム層の厚みは、この表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも１〜２０μｍ以上薄くする。比率で示すと表面上の樹脂フィルム層の厚みに対して１０％以上薄くする。樹脂フィルム用除去液を供給して、樹脂付開口基板を作製してからの後工程において問題を生じない膜厚であれば、いずれの膜厚でも可能である。ただ、より良好に樹脂付開口基板を作製するためには、樹脂フィルム用除去液供給前の表面上と孔上の樹脂フィルム等の厚みの差が大きい方が好ましいが、薄くしすぎると、孔毎のばらつきが大きくなる可能性が増す。好ましくは、表面上の樹脂フィルム層の厚みの３０〜９５％薄くすることが好ましく、より好ましくは、４０〜９０％薄くする。更により好ましくは５０〜８０％薄くすることが好ましい。孔上の樹脂フィルム層の厚みを表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも薄くする方法は、孔内の気体の体積変化を利用する方法が好適に用いられる。これらの方法は全て、樹脂フィルムを孔上に形成し、孔内の空気を樹脂フィルムによって遮蔽した後に、孔内の気体の体積変化を行うことによって行う。例えば、孔上に樹脂フィルムを形成して、孔内の気体を孔内に密閉した後に、孔内の気体を加熱し体積膨張させることで、孔上の樹脂フィルム層を引き伸ばす方法が挙げられる。特に、あらかじめ、樹脂フィルム層の上に一層、キャリアフィルム層をもうけ、孔上に樹脂フィルム層、キャリアフィルム層をこの順で形成し、キャリアフィルム層を貼り付けたまま、樹脂フィルム層及び孔内の気体の加熱を行うことで、孔上の樹脂フィルム層を良好に薄膜化することができ、より好ましい。樹脂フィルム層は加熱によって軟化するとともに、孔内の空気の熱膨張によって、キャリアフィルム層を持ち上げる方向に押される。この場合、キャリアフィルム層のガラス転移点よりも低い温度で加熱するような構成を取ることが好ましく、そのような構成を取ることにより、キャリアフィルム層の変形は抑えられ、孔内の空気の膨張によって、キャリアフィルム層を持ち上げる方向に押された樹脂フィルム層は、変形し、孔の外側の方向へ向かって変形し、その結果、孔上の樹脂フィルム層の膜厚は薄くなる。３０℃以下まで冷却した後、キャリアフィルム層を除去することで、安定に孔上の樹脂フィルム層の膜厚を薄くすることができ好ましい。加熱の温度、時間をコントロールすることで、孔上の膜厚及び、形状をコントロールすることができる。また、樹脂フィルム層を形成後、キャリアフィルム層を除去した後に、以下のような減圧の方法によって孔上の樹脂フィルム層の膜厚を薄くすることもできる。すなわち、孔外の気体を減圧にすることで孔内の気体が膨張し、樹脂フィルム層を引き伸ばす方法、また、孔内の気体を加熱しかつ孔外の気体を減圧にすることで孔内の気体が膨張し、樹脂フィルム層を引き伸ばす方法も使用することができる。加熱条件は、回路形成用基板の厚みや面積に適した温度範囲で加熱条件を選定し、好ましくは、樹脂フィルムを形成した後、室温（２５℃）に戻した後に、６０〜１２０℃の条件下、より好ましくは８０〜１００℃で加熱を行う。加熱温度は樹脂フィルム層のガラス転移点温度以上の温度を設定するのが好ましい。加熱時間は、採用する加熱温度の値によって適正な値は異なるが、１秒〜１時間の範囲、より好ましくは、１０秒〜１０分の範囲、さらにより好ましくは、１分から５分の範囲である。減圧条件は、好ましくは１〜９５０ｈＰａの雰囲気下、より好ましくは１０〜８００ｈＰａの雰囲気下で行うことが好ましい。また、別の方法として、７００ｈＰａ以下の減圧状態で樹脂フィルム層をラミネートし、ラミネート後の孔内外の圧力の違いで孔内の気体を収縮させることで樹脂フィルム層を引き伸ばす方法も挙げられる。また、孔内の気体を６０℃以上に加熱した状態で樹脂フィルム層をラミネートし、後に３０℃以下に回路形成用基板を冷却し孔内の気体を収縮させることで樹脂フィルム層を引き伸ばす方法も挙げられる。

樹脂フィルム除去液によって表面上の樹脂フィルム薄膜化処理を行うと同時に孔上の樹脂フィルム層を除去する処理装置としては、ブラッシング、高圧スプレー、浸漬、超音波装置等、何れであって効果がある。

本発明に係わる樹脂フィルム用除去液とは、樹脂フィルム層を溶解する溶液であり、使用する樹脂フィルム層の組成に見合った除去液を用いる。除去液によって表面上の樹脂フィルム薄膜化処理を行うと同時に孔上の樹脂フィルム層を除去する。樹脂フィルム層にアルカリ可溶性の樹脂を用いた場合には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えば、ケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸および炭酸アルカリ金属塩、リン酸および炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン類、エチレンジアミン、プロパンジアミン類、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物等を用いることができる。また、樹脂フィルム層に光架橋性樹脂層を使用した場合は、光架橋性樹脂層除去液が使用され、炭酸ナトリウム水溶液が好適に使用できる。現像液によって開口した後には、水洗や酸処理によって現像の進行を停止する。樹脂フィルム除去液の温度は０〜７０℃が好ましく、さらには２０〜５０℃の条件下で処理することがより好ましい。

樹脂フィルム用除去液による表面上の樹脂フィルム薄膜化処理は、孔上の樹脂フィルム層を完全に除去する量までは、少なくとも薄膜化する。本発明の回路基板の製造方法（３）を行う場合は、めっきレジストとして使用するため、樹脂フィルム層の膜厚をめっき厚よりも厚く残存させる必要がある。そのためには、初期の膜厚を十分に厚くするか、孔上の樹脂フィルム層を極めて薄くする処理がなされる。本発明に係わる樹脂フィルム層の厚みは、５〜２００μｍが好ましく、孔上の樹脂フィルム層の厚みを薄くした後、表面上の樹脂フィルム層の厚みは、孔上の最も薄くなった部分が表面上の厚みの平均の半分以下となることが好ましい。また、樹脂フィルム除去液によって薄膜化処理を行った後の表面上の樹脂フィルムの厚みは、１〜１００μｍの範囲が好ましい。樹脂フィルムの除去量を適正にコントロールすることで、樹脂開口部の壁面の形状もコントロールすることができる。特に、前述のキャリアフィルム層を貼り付けた状態で加熱して、樹脂フィルム層を薄膜化する方法を採用すると、より垂直にたった良好な壁面形状を得ることが可能となり、好ましい。すなわち、キャリアフィルム層を貼り付けた状態で加熱して樹脂フィルム層を薄膜化する方法では、図３に示すようなドーム形状の空洞が孔上に形成される（キャリアフィルム層は図示せず）。これを樹脂フィルム用除去液で除去すると、孔上の膜の最も薄い部分が一旦除去され、樹脂フィルム用除去液は、孔内に侵入し、樹脂フィルム層は、孔の内側からも除去されていく。このようにして樹脂フィルム層の除去を行うと、孔上に覆っていた樹脂フィルム層の部分は孔の内外から除去が進行するため、基板表面に貼り付けてある部分よりも早く除去が進行し、その結果、適正量除去を行うことで、ちょうど、開口部の樹脂の壁面が垂直にたった、良好な矩形形状のエッジを持った樹脂付開口基板を得ることが可能となる。

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、アルカリ可溶性樹脂からなる樹脂フィルム層（乾燥後のフィルム厚さ２０μｍ）を製造した。

回路形成用基板として、２００×２００×０．４ｍｍの銅箔２μｍ厚の銅張積層板を用い、ドリルで０．１５ｍｍの径の貫通孔を複数形成した。次に、上記樹脂フィルム層を両面に貼り付け、孔内の空気を樹脂フィルム層によって密閉させた。

次に、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）をつけたまま、室温の状態から加熱を行い、孔上の樹脂フィルム層を３μｍになるまで薄くした。膜厚は、キーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて測定した。

次に、室温にまで冷却後、キャリアフィルムの除去を行い、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、表面上の樹脂フィルム層の厚みを１０μｍまで薄くすると同時に、孔上の樹脂フィルム層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の樹脂フィルム層が完全に除去できており、開口部の樹脂フィルム層のエッジにがたつきがなく、良好な樹脂付開口基板が作製できた。

回路形成用基板として、２００×２００×０．４ｍｍの銅箔２μｍ厚の銅張り積層板を用い、ドリルで０．１５ｍｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理を実施し、基板表面および貫通孔内壁に１μｍ厚の無電解めっき層を形成した。光架橋性樹脂層として、３６μｍ厚の回路形成用ドライフィルムを用い、ドライフィルム用ラミネーターを用いて、回路基板の両面に貼り付け、孔内の空気を樹脂フィルム層によって密閉させた。

次に、キャリアフィルムをつけたまま加熱を行い、孔上の光架橋性樹脂層を１０μｍになるまで薄くした。膜厚は、キーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて測定した。

次に、室温にまで冷却後、キャリアフィルムの除去を行い、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、表面上の光架橋性樹脂層の厚みを２５μｍまで薄くすると同時に、孔上の光架橋性樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の樹脂フィルム層が完全に除去できており、開口部の樹脂フィルム層のエッジにがたつきがなく、良好な樹脂付開口基板が作製できた。

次に、回路パターンを描画したフォトマスクを樹脂付開口基板上に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線パターン露光を行った。

次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で３０秒間処理し、未硬化の光架橋性樹脂層を除去した。次に露出している無電解めっき層上に、電解めっきを行って厚さ１５μｍの電解銅めっき層を形成した。次に、水酸化ナトリウム水溶液（４０℃、スプレー圧０．３ＭＰａ）で処理し、光架橋性樹脂層の硬化部を除去した。

次に、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で処理し、露出している無電解めっき層と銅箔を除去した。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、孔とランドが同心円状に形成されており、配線部の断線欠陥がなく、良好な回路基板が作製できた。

次に、キャリアフィルムを除去した後、減圧乾燥機に入れて、５０℃に加熱した後に、減圧を行い、７００ｈＰａの状態で３０分間放置した。その後、減圧状態を維持したまま、２５℃まで冷却した。その後、減圧状態を解除し、大気圧の状態に戻した。孔上の光架橋性樹脂層は１０μｍになるまで薄くなっていた。膜厚は、キーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて測定した。

次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、表面上の光架橋性樹脂層の厚みを２５μｍまで薄くすると同時に、孔上の光架橋性樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の樹脂フィルム層が完全に除去できており、開口部の樹脂フィルム層のエッジにがたつきがなく、良好な樹脂付開口基板が作製できた。

（比較例１）
２−エチルヘキシルアクリレート６０質量部、メチルメタクリレート２５質量部、及びフェノキシエチルメタクリレート１５質量部から成る共重合樹脂を酢酸エチル中に溶解し、固形分２５質量％としたものを調液した。片面にコロナ処理を施した厚み１６μｍのポリエチレンテレフタラートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム（株）製、Ｈ５００）のコロナ処理面上に、カーテンコート法を用いて、乾燥後の膜厚が１２μｍとなるように樹脂フィルムを作製した。また、回路形成用基板として、２００×２００×０．４ｍｍの銅箔２μｍ厚の銅張り積層板を用い、ドリルで０．１５ｍｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理を実施し、基板表面および貫通孔内壁に１μｍ厚の無電解めっき層を形成した。次に、上記樹脂フィルムを１００℃の条件でラミネートした。その後、常温下でキャリアフィルムを剥離したところ、貫通孔の開口部の樹脂フィルムがキャリアフィルムに密着したまま剥離されており樹脂付開口基板が作製できた。しかしながら、開口部の樹脂フィルムのエッジにはがたつきが発生していた。

（比較例２）
表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、アルカリ可溶性樹脂からなる樹脂フィルム（乾燥後のフィルム厚さ１５μｍ）を製造した。

回路形成用基板として、２００×２００×０．４ｍｍの銅箔２μｍ厚の銅張り積層板を用い、ドリルで０．１５ｍｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理を実施し、基板表面および貫通孔内壁に１μｍ厚の無電解めっき層を形成した。次に、上記樹脂フィルムを１００℃の条件でラミネートした。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した。

次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」）を用いて、バイアス電圧＋２００Ｖを印加して電着塗布を行い、トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、良好なトナー層を得た。

トナー層が設けられていない孔上の樹脂フィルム層のみを、アルカリ水溶液を用いて、溶出除去することにより、樹脂付開口基板を形成した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の樹脂フィルム層が完全に除去できており、開口部の樹脂フィルム層のエッジにがたつきがなく、良好な樹脂付開口基板が作製できた。しかしながら、トナー層を形成する工程が多く、コストアップ、生産性の悪化および歩留まりの低下の原因となった。また、トナー層が樹脂付開口基板に残存したままで、後の工程によってはトナー層の除去が必要になり問題となった。

本発明は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造方法に利用することができる。本発明の回路基板の製造方法に含まれる一連の工程で得られた樹脂付開口基板に対して、穴埋めインク工程、導電性インク充填工程、電着工程、金属めっき工程、レジスト形成工程、エッチング工程を、適宜組み合わせた一連の工程を行うことで、孔とランドの位置ずれの発生のない回路基板を製造することができる。

本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図および本発明の回路基板の製造方法で得られた樹脂付開口基板の一例を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図および本発明の回路基板の製造方法で得られた樹脂付開口基板の一例を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。貫通孔および／または非貫通孔を有する回路基板の一例を表す断面図。孔とランドを表す概略図。孔とランドの位置ずれを表す概略図。

符号の説明

１絶縁性基板
２第１導電層
３孔
４回路形成用基板
５樹脂フィルム層
６硬化部
７第２導電層
８樹脂付開口基板
９スルーホール
１０バイアホール
１１インタースティシャルバイアホール
１２導電層
１３孔
１４ランド

Claims

孔を有する回路形成用基板の少なくとも片面に樹脂フィルム層を形成し、次に孔上の樹脂フィルム層の厚みを表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも薄くし、次に樹脂フィルム除去液によって表面上の樹脂フィルム薄膜化処理を行うと同時に孔上の樹脂フィルム層を除去する工程を含む回路基板の製造方法。
孔内の気体を膨張又は収縮させることで孔上の樹脂フィルム層を引き伸ばして、孔上の樹脂フィルム層の厚みを表面上の樹脂フィルム層の厚みよりも薄くすることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
表面及び孔の内壁に第１導電層を有する絶縁性基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する工程、孔上の光架橋性樹脂層の厚みを表面上の光架橋性樹脂層の厚みよりも薄くする工程、光架橋性樹脂層除去液によって表面上の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行うと同時に孔上の光架橋性樹脂層を除去する工程、光架橋性樹脂層に対してパターン露光する工程、未硬化の光架橋性樹脂層を除去する工程、露出している第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、硬化部を除去する工程、露出した第１導電層をフラッシュエッチングする工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
孔内の気体を膨張又は収縮させることで孔上の樹脂フィルム層を引き伸ばして、孔上の光架橋性樹脂層の厚みを表面上の光架橋性樹脂層の厚みよりも薄くすることを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。