JPH07321461A - 印刷配線板の製造方法 - Google Patents
印刷配線板の製造方法Info
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- JPH07321461A JPH07321461A JP11064394A JP11064394A JPH07321461A JP H07321461 A JPH07321461 A JP H07321461A JP 11064394 A JP11064394 A JP 11064394A JP 11064394 A JP11064394 A JP 11064394A JP H07321461 A JPH07321461 A JP H07321461A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】作業が安全で歩留が高く安価な高密度配線パタ
ーンを有する印刷配線板の製造方法を提供する。 【構成】銅なし絶縁基板１の両面に接着剤フィルム２を
ラミネーとし、所定の位置に穴開けを行った後接着剤フ
ィルム２表面を粗化する。次に、全面に二酸化マンガン
を形成した後、ピロール溶液に浸漬しポリピロール誘導
体からなる導電性皮膜３ａを形成する。さらに、銅なし
絶縁基板１両面にアルカリ現像型耐めっき性ドライフィ
ルム４をラミネートし、めっきレジスト形成用マスクフ
ィルムを介して露光，現像しめっきレジストパターンを
形成する。その後、電解銅めっきを施し銅めっき層を形
成した後、めっきレジストを除去し、さらに、露出した
導電性皮膜３ａを溶解除去し、所定の高密度配線パター
を有するスルーホール印刷配線板を得る。
ーンを有する印刷配線板の製造方法を提供する。 【構成】銅なし絶縁基板１の両面に接着剤フィルム２を
ラミネーとし、所定の位置に穴開けを行った後接着剤フ
ィルム２表面を粗化する。次に、全面に二酸化マンガン
を形成した後、ピロール溶液に浸漬しポリピロール誘導
体からなる導電性皮膜３ａを形成する。さらに、銅なし
絶縁基板１両面にアルカリ現像型耐めっき性ドライフィ
ルム４をラミネートし、めっきレジスト形成用マスクフ
ィルムを介して露光，現像しめっきレジストパターンを
形成する。その後、電解銅めっきを施し銅めっき層を形
成した後、めっきレジストを除去し、さらに、露出した
導電性皮膜３ａを溶解除去し、所定の高密度配線パター
を有するスルーホール印刷配線板を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は印刷配線板の製造方法に
関し、特に高密度配線パターンを形成する印刷配線板の
製造方法に関する。
関し、特に高密度配線パターンを形成する印刷配線板の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、スルーホールを形成する印刷配
線板（以下，Ｔ／Ｈ ＰＷＢと記す）の製造方法には、
テンティング工程，パターンめっき工程及びアディティ
ブ工法がある。その中で導電性皮膜形成を経てスルーホ
ールを形成する印刷配線板の製造方法には、テンティン
グ工法とパターンめっき工法がある。
線板（以下，Ｔ／Ｈ ＰＷＢと記す）の製造方法には、
テンティング工程，パターンめっき工程及びアディティ
ブ工法がある。その中で導電性皮膜形成を経てスルーホ
ールを形成する印刷配線板の製造方法には、テンティン
グ工法とパターンめっき工法がある。
【０００３】テンティング工法は、まず、図４（ａ）に
示す様に、銅張り積層絶縁基板１１の所定の位置に穴開
けを行う。次に、図４（ｂ）に示す様に、ポリピロール
誘導体等の導電性皮膜３ａを形成した後、図４（ｃ）に
示す様に、電解銅めっきにより銅めっき層１０を被覆し
導体層１２とスルーホール７を形成する。
示す様に、銅張り積層絶縁基板１１の所定の位置に穴開
けを行う。次に、図４（ｂ）に示す様に、ポリピロール
誘導体等の導電性皮膜３ａを形成した後、図４（ｃ）に
示す様に、電解銅めっきにより銅めっき層１０を被覆し
導体層１２とスルーホール７を形成する。
【０００４】次に、図４（ｄ）に示す様に、両面に感光
性ドライフィルム１３をラミネートし、図４（ｅ）に示
す様に、この上から配線回路エッチングレジスト形成用
マスクフィルム１４を介して所定の配線回路パターンを
紫外線で焼き付けた後、図５（ａ）に示す様に、現像液
で未露光部分の感光性ドライフィルム１３を除去し配線
回路エッチングレジスト１５を形成する。更に、図５
（ｂ）に示す様に、露出した導体層１２をエッチング除
去した後、最後に図５（ｃ）に示す様に、配線回路エッ
チングレジスト１５を剥離除去して配線回路６とスルー
ホール７を形成しＴ／Ｈ ＰＷＢを得る。
性ドライフィルム１３をラミネートし、図４（ｅ）に示
す様に、この上から配線回路エッチングレジスト形成用
マスクフィルム１４を介して所定の配線回路パターンを
紫外線で焼き付けた後、図５（ａ）に示す様に、現像液
で未露光部分の感光性ドライフィルム１３を除去し配線
回路エッチングレジスト１５を形成する。更に、図５
（ｂ）に示す様に、露出した導体層１２をエッチング除
去した後、最後に図５（ｃ）に示す様に、配線回路エッ
チングレジスト１５を剥離除去して配線回路６とスルー
ホール７を形成しＴ／Ｈ ＰＷＢを得る。
【０００５】一方、パターンめっき工法は、まず、図６
（ａ）示す様に、銅張り積層絶縁基板１１の所定の位置
に穴開けを行う。次に、図６（ｂ）に示す様に、アルカ
リ現像型耐めっき性ドライフィルム４をラミネートした
後、図６（ｃ）に示す様に、この上からめっきレジスト
形成用マスクフィルム５を介して所定のめっきレジスト
パターンを紫外線で焼き付け、図６（ｄ）に示す様に、
現像液で未露光部分のアルカリ現像型耐めっき性ドライ
フィルム４を除去しめっきレジスト９を形成する。
（ａ）示す様に、銅張り積層絶縁基板１１の所定の位置
に穴開けを行う。次に、図６（ｂ）に示す様に、アルカ
リ現像型耐めっき性ドライフィルム４をラミネートした
後、図６（ｃ）に示す様に、この上からめっきレジスト
形成用マスクフィルム５を介して所定のめっきレジスト
パターンを紫外線で焼き付け、図６（ｄ）に示す様に、
現像液で未露光部分のアルカリ現像型耐めっき性ドライ
フィルム４を除去しめっきレジスト９を形成する。
【０００６】次に、図６（ｅ）に示す様に、ポリピロー
ル誘導体等の導電性皮膜３ａを形成した後、更に図７
（ａ）に示す様に、銅張り積層絶縁基板１１上の所定の
配線回路部及び穴内に電解銅めっきにより銅めっき層１
０を被覆しスルーホール７を形成する。続いて、図７
（ｂ）に示す様に、半田めっきによりエッチングレジス
トとなる半田めっき層１６を形成する。その後、図７
（ｃ）に示す様に、めっきレジスト９を剥離除去した
後、図７（ｄ）に示す様に、露出した銅箔１７をエッチ
ング除去し、最後に、図７（ｅ）に示す様に、半田めっ
き層１６を溶解除去して配線回路６を形成し、Ｔ／Ｈ
ＰＷＢを得る。
ル誘導体等の導電性皮膜３ａを形成した後、更に図７
（ａ）に示す様に、銅張り積層絶縁基板１１上の所定の
配線回路部及び穴内に電解銅めっきにより銅めっき層１
０を被覆しスルーホール７を形成する。続いて、図７
（ｂ）に示す様に、半田めっきによりエッチングレジス
トとなる半田めっき層１６を形成する。その後、図７
（ｃ）に示す様に、めっきレジスト９を剥離除去した
後、図７（ｄ）に示す様に、露出した銅箔１７をエッチ
ング除去し、最後に、図７（ｅ）に示す様に、半田めっ
き層１６を溶解除去して配線回路６を形成し、Ｔ／Ｈ
ＰＷＢを得る。
【０００７】更に、アディティブ工法は、まず、図８
（ａ）に示す様に銅なし絶縁基板１を所定の形状に成形
し、図８（ｂ）に示す様に、銅なし絶縁基板１の両面に
めっき皮膜との密着性を向上させるための紫外線硬化型
接着剤フィルム２をラミネートする。続いて、図８
（ｃ）に示す様に、この銅なし絶縁基板１の所定の位置
に穴開けを行った後、図８（ｄ）に示す様に、酸性エッ
チング液で接着剤フィルム２表面を粗化し、パラジウム
錫触媒を銅なし絶縁基板１表面及び穴壁に付着させる。
（ａ）に示す様に銅なし絶縁基板１を所定の形状に成形
し、図８（ｂ）に示す様に、銅なし絶縁基板１の両面に
めっき皮膜との密着性を向上させるための紫外線硬化型
接着剤フィルム２をラミネートする。続いて、図８
（ｃ）に示す様に、この銅なし絶縁基板１の所定の位置
に穴開けを行った後、図８（ｄ）に示す様に、酸性エッ
チング液で接着剤フィルム２表面を粗化し、パラジウム
錫触媒を銅なし絶縁基板１表面及び穴壁に付着させる。
【０００８】次に、図８（ｅ）に示す様に、溶剤現像型
感光性ドライフィルム１８をラミネートし、図８（ｆ）
に示す様に、この上からめっきレジスト形成用マスクフ
ィルム５を介して所定のめっきレジストパターンを紫外
線で焼き付ける。続いて、図９（ａ）に示す様に、塩素
系有機溶剤現像液で未露光部分の溶剤現像型感光性ドラ
イフィルム１８を除去しパーマネントめっきレジスト１
９を形成する。最後に、図９（ｂ）に示す様に、無電解
銅めっきにて無電解銅めっき層２０を被覆して所定の配
線回路６，スルーホール７とそのランド部及び表面実装
用パッド８を形成し、Ｔ／Ｈ ＰＷＢを得る。
感光性ドライフィルム１８をラミネートし、図８（ｆ）
に示す様に、この上からめっきレジスト形成用マスクフ
ィルム５を介して所定のめっきレジストパターンを紫外
線で焼き付ける。続いて、図９（ａ）に示す様に、塩素
系有機溶剤現像液で未露光部分の溶剤現像型感光性ドラ
イフィルム１８を除去しパーマネントめっきレジスト１
９を形成する。最後に、図９（ｂ）に示す様に、無電解
銅めっきにて無電解銅めっき層２０を被覆して所定の配
線回路６，スルーホール７とそのランド部及び表面実装
用パッド８を形成し、Ｔ／Ｈ ＰＷＢを得る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この従来のティンティ
ング工法では、銅張り積層絶縁基板全面にスルーホール
信頼性に必要なパネル銅めっきを行うため基板内の銅め
っき層の厚みの標準偏差は５μｍ以上であり、且つ下地
銅箔を含む平均導体層厚は４０〜５５μｍ程度となり、
回路形成時におけるパターン間隔，仕上り回路幅寸法の
ばらつきは設計値に対して±３０％と大きくなるという
問題がある。
ング工法では、銅張り積層絶縁基板全面にスルーホール
信頼性に必要なパネル銅めっきを行うため基板内の銅め
っき層の厚みの標準偏差は５μｍ以上であり、且つ下地
銅箔を含む平均導体層厚は４０〜５５μｍ程度となり、
回路形成時におけるパターン間隔，仕上り回路幅寸法の
ばらつきは設計値に対して±３０％と大きくなるという
問題がある。
【００１０】一方、パターンめっき工法においても銅め
っき時に所定の配線回路部のみの電解銅めっきを行うた
め個々の配線回路パターンの配置の粗密の影響により銅
張り積層絶縁基板内のめっき層の標準偏差は５μｍ以上
であり、下地銅箔エッチング後のパターン間隔，仕上り
回路幅寸法のばらつきはテンティグ工法と同様設計値に
対して±３０％と大きく所定の回路幅／間隔を得ること
が困難であるという問題がある。
っき時に所定の配線回路部のみの電解銅めっきを行うた
め個々の配線回路パターンの配置の粗密の影響により銅
張り積層絶縁基板内のめっき層の標準偏差は５μｍ以上
であり、下地銅箔エッチング後のパターン間隔，仕上り
回路幅寸法のばらつきはテンティグ工法と同様設計値に
対して±３０％と大きく所定の回路幅／間隔を得ること
が困難であるという問題がある。
【００１１】更に、アディティブ工法では回路幅／間隔
＝５０μｍ／５０μｍの高密度回路形成が可能であるが
回路部，穴壁部，スルーホールランド部等のめっきに無
電解めっき法を用いている為、回路間ショート及び欠損
等の不良発生率が高く最終歩留は７０％程度しか得られ
ない。また、前記のテンティング工法及びパターンめっ
き工法に比べ１．５〜２倍のコストがかかる上、めっき
レジストが塩素系有機溶剤可溶型のものしか用いること
ができないという作業の安全性上の問題もあった。
＝５０μｍ／５０μｍの高密度回路形成が可能であるが
回路部，穴壁部，スルーホールランド部等のめっきに無
電解めっき法を用いている為、回路間ショート及び欠損
等の不良発生率が高く最終歩留は７０％程度しか得られ
ない。また、前記のテンティング工法及びパターンめっ
き工法に比べ１．５〜２倍のコストがかかる上、めっき
レジストが塩素系有機溶剤可溶型のものしか用いること
ができないという作業の安全性上の問題もあった。
【００１２】本発明の目的は作業が安全で歩留が高く安
価な高密度配線パターンを有する印刷配線板の製造方法
を提供することにある。
価な高密度配線パターンを有する印刷配線板の製造方法
を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の印刷配線板の製
造方法は、銅箔なし絶縁基板の表面に接着剤層を形成す
る工程と、この銅箔なし絶縁基板の所定の位置に穴開け
する工程と、前記接着剤層の表面を粗化する工程と、こ
の接着剤層の表面及び全穴内壁にポリピロール誘導体ま
たはカーボングラファイトの導電性皮膜を施す工程と、
前記銅箔なし絶縁基板の両面に耐めっき性感光性ドライ
フイルムをラミネートし露光，現像を経て配線パターン
部，スルーホール及びこのスルーホールのランド部，表
面実装部品用パッド部以外の領域にめっきレジストを形
成する工程と、前記配線パターン部，スルーホール及び
このランド部，表面実装部品用パッド部に電解めっきを
施し所定の厚みの導体層を形成する工程と、前記めっき
レジストを溶解除去する工程と、露出した前記接着剤層
表面上の前記導電性皮膜を酸性エッチング液で除去する
工程とを有する。
造方法は、銅箔なし絶縁基板の表面に接着剤層を形成す
る工程と、この銅箔なし絶縁基板の所定の位置に穴開け
する工程と、前記接着剤層の表面を粗化する工程と、こ
の接着剤層の表面及び全穴内壁にポリピロール誘導体ま
たはカーボングラファイトの導電性皮膜を施す工程と、
前記銅箔なし絶縁基板の両面に耐めっき性感光性ドライ
フイルムをラミネートし露光，現像を経て配線パターン
部，スルーホール及びこのスルーホールのランド部，表
面実装部品用パッド部以外の領域にめっきレジストを形
成する工程と、前記配線パターン部，スルーホール及び
このランド部，表面実装部品用パッド部に電解めっきを
施し所定の厚みの導体層を形成する工程と、前記めっき
レジストを溶解除去する工程と、露出した前記接着剤層
表面上の前記導電性皮膜を酸性エッチング液で除去する
工程とを有する。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１（ａ）〜（ｆ），図２（ａ）〜（ｅ）
は本発明の第１の実施例を説明する工程順に示した断面
図である。本発明の第１の実施例は、まず、図１（ａ）
に示す様に、０．６〜３．２ｍｍの銅なし絶縁基板１を
所定の形状に成形し、図１（ｂ）に示す様に、めっき皮
膜との密着性を向上させるために２０〜３５μｍ厚の紫
外線硬化型接着剤フィルム２をラミネトする。続いて、
図１（ｃ）に示す様に、銅なし絶縁基板１の所定の位置
に表裏導通を得るためのスルーホール形成用の穴開けを
行った後、図１（ｄ）に示す様に、クロム酸一硫酸混液
からなる酸性エッチング液で接着剤フィルム２表面を粗
化しめっき被膜からなる導体層との密着性を向上させる
為の処理を行う。
は本発明の第１の実施例を説明する工程順に示した断面
図である。本発明の第１の実施例は、まず、図１（ａ）
に示す様に、０．６〜３．２ｍｍの銅なし絶縁基板１を
所定の形状に成形し、図１（ｂ）に示す様に、めっき皮
膜との密着性を向上させるために２０〜３５μｍ厚の紫
外線硬化型接着剤フィルム２をラミネトする。続いて、
図１（ｃ）に示す様に、銅なし絶縁基板１の所定の位置
に表裏導通を得るためのスルーホール形成用の穴開けを
行った後、図１（ｄ）に示す様に、クロム酸一硫酸混液
からなる酸性エッチング液で接着剤フィルム２表面を粗
化しめっき被膜からなる導体層との密着性を向上させる
為の処理を行う。
【００１６】次に、図１（ｅ）に示す様に、１０〜３０
ｇ／Ｌの過マンガン酸カリウム及び１０〜２０ｇ／Ｌの
水酸化ナトリウムからなる溶液で７０〜９０℃で３〜５
分処理し穴内に二酸化マンガンを形成した後、３０〜５
０ｍｏｌ％のピロール溶液に浸漬し、二酸化マンガンの
酸化力を用いピロールをポリマー化させポリピロール誘
導体からなる０．０５〜０．５μｍの導電性皮膜３ａを
形成する。
ｇ／Ｌの過マンガン酸カリウム及び１０〜２０ｇ／Ｌの
水酸化ナトリウムからなる溶液で７０〜９０℃で３〜５
分処理し穴内に二酸化マンガンを形成した後、３０〜５
０ｍｏｌ％のピロール溶液に浸漬し、二酸化マンガンの
酸化力を用いピロールをポリマー化させポリピロール誘
導体からなる０．０５〜０．５μｍの導電性皮膜３ａを
形成する。
【００１７】次に、図１（ｆ）に示す様に、銅なし絶縁
基板１両面全体に３５〜５０μｍ厚のめっきレジスト形
成用のアルカリ現像型耐めっき性ドライフィルム４をラ
ミネートし、図２（ａ）に示す様に、めっきレジスト形
成様マスクフィルム５を介して紫外線にて露光し、図２
（ｂ）に示す様に、めっきレジストとなる部分を硬化さ
せ、未露光部分を１〜３ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３等の現像
液で除去し、配線回路部，スルーホールとそのランド部
及び表面実装用パッド部以外の全ての部分にめっきレジ
スト９を形成する。
基板１両面全体に３５〜５０μｍ厚のめっきレジスト形
成用のアルカリ現像型耐めっき性ドライフィルム４をラ
ミネートし、図２（ａ）に示す様に、めっきレジスト形
成様マスクフィルム５を介して紫外線にて露光し、図２
（ｂ）に示す様に、めっきレジストとなる部分を硬化さ
せ、未露光部分を１〜３ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３等の現像
液で除去し、配線回路部，スルーホールとそのランド部
及び表面実装用パッド部以外の全ての部分にめっきレジ
スト９を形成する。
【００１８】次に、図２（ｃ）に示す様に、硫酸銅６５
〜８５ｇ／Ｌ，硫酸１５０〜２００ｇ／Ｌ，塩素３０〜
５０ｐｐｍからなる電解銅めっき液で銅めっきを施し１
５〜３５μｍ厚の銅めっき層１０を形成した後、図２
（ｄ）に示す様に、配線回路６間の絶縁を得る為にめっ
きレジスト９を２〜５％のＮａＯＨ等の溶液で除去し、
更に、図２（ｅ）に示す様に、露出した表面の導電性皮
膜３ａをクロム酸一硫酸混液で溶解除去し、所定の配線
回路６を有する第１のの実施例によるＴ／Ｈ ＰＷＢを
得る。
〜８５ｇ／Ｌ，硫酸１５０〜２００ｇ／Ｌ，塩素３０〜
５０ｐｐｍからなる電解銅めっき液で銅めっきを施し１
５〜３５μｍ厚の銅めっき層１０を形成した後、図２
（ｄ）に示す様に、配線回路６間の絶縁を得る為にめっ
きレジスト９を２〜５％のＮａＯＨ等の溶液で除去し、
更に、図２（ｅ）に示す様に、露出した表面の導電性皮
膜３ａをクロム酸一硫酸混液で溶解除去し、所定の配線
回路６を有する第１のの実施例によるＴ／Ｈ ＰＷＢを
得る。
【００１９】図３は本発明の第２の実施例の導電性皮膜
の形成方法を説明する断面図である。本発明の第２の実
施は、図３に示す導電性皮膜の形成工程が異るのみでそ
の他の工程は第１の実施例と同じである。第２の実施例
は、第１の実施例と同じ工程順で図１（ｄ）に示す様
に、クロム酸一硫酸混液からなる酸性エッチング液で接
着剤フィルム２表面を粗化しめっき皮膜からなる導体層
との密着性を向上させる為の処理を行った後、図３に示
す様に、０．００５〜０．０１ｇ／Ｌの水酸化ナトリウ
ムと３〜５％のカーボンクラファイトからなるアルカリ
溶液で２５〜３０℃，１〜２分浸漬処理を行いカーボン
グラファイトの導電性皮膜３ｂを形成する。その後、第
１の実施例と同様図１（ｆ）以降の工程を経て第２の実
施によるＴ／Ｈ ＰＷＢを得る。第２の実施例はカーボ
ングラファイトの導電性皮膜を採用することにより第１
の実施例と比べ２０〜３０％のコスト低減が可能とな
る。
の形成方法を説明する断面図である。本発明の第２の実
施は、図３に示す導電性皮膜の形成工程が異るのみでそ
の他の工程は第１の実施例と同じである。第２の実施例
は、第１の実施例と同じ工程順で図１（ｄ）に示す様
に、クロム酸一硫酸混液からなる酸性エッチング液で接
着剤フィルム２表面を粗化しめっき皮膜からなる導体層
との密着性を向上させる為の処理を行った後、図３に示
す様に、０．００５〜０．０１ｇ／Ｌの水酸化ナトリウ
ムと３〜５％のカーボンクラファイトからなるアルカリ
溶液で２５〜３０℃，１〜２分浸漬処理を行いカーボン
グラファイトの導電性皮膜３ｂを形成する。その後、第
１の実施例と同様図１（ｆ）以降の工程を経て第２の実
施によるＴ／Ｈ ＰＷＢを得る。第２の実施例はカーボ
ングラファイトの導電性皮膜を採用することにより第１
の実施例と比べ２０〜３０％のコスト低減が可能とな
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、従来のテン
ティング工法及びパターンめっき工法に対して下記に列
挙する効果がある。
ティング工法及びパターンめっき工法に対して下記に列
挙する効果がある。
【００２１】（１）銅なし絶縁基板を使用する為、めっ
きレジスト下の銅エッチング工程が削除でき従来形成困
難であった回路幅／間隔＝５０μｍ／５０μｍの高密度
回路が容易に得られる。また、テンティング工法では形
成困難であった微小ランドスルーホールが容易に形成で
きる。
きレジスト下の銅エッチング工程が削除でき従来形成困
難であった回路幅／間隔＝５０μｍ／５０μｍの高密度
回路が容易に得られる。また、テンティング工法では形
成困難であった微小ランドスルーホールが容易に形成で
きる。
【００２２】（２）高密度回路の製造が容易となる為、
回路幅／間隔＝５０μｍ／５０μｍの高密度回路におい
ても設計値に対し±１０％以内の精度に抑えることがで
きる。
回路幅／間隔＝５０μｍ／５０μｍの高密度回路におい
ても設計値に対し±１０％以内の精度に抑えることがで
きる。
【００２３】（３）非スルーホールとなる穴にはめっき
を行わない為、従来回路形成後行ていた非スルーホール
穴開け工程が削除できる。
を行わない為、従来回路形成後行ていた非スルーホール
穴開け工程が削除できる。
【００２４】一方、従来のアディティブ工法に対しては
下記に列挙する効果がある。
下記に列挙する効果がある。
【００２５】（１）導体形成を全て電解めっきで行う
為、めっき時間を１０時間から１時間に短縮できると共
にめっき液のレジストへの影響を最小限に抑えることが
できるので回路ショート，欠損等の不良率を１％に低減
することができる。
為、めっき時間を１０時間から１時間に短縮できると共
にめっき液のレジストへの影響を最小限に抑えることが
できるので回路ショート，欠損等の不良率を１％に低減
することができる。
【００２６】（２）めっきレジストとしてアルカリ可溶
型のドライフィルムが使用できるので従来のめっきレジ
スト形成の現像処理に使用していた塩素系有機溶剤の削
減ができ、作業の安全性が確保できる。
型のドライフィルムが使用できるので従来のめっきレジ
スト形成の現像処理に使用していた塩素系有機溶剤の削
減ができ、作業の安全性が確保できる。
【００２７】（３）めっき処理を電解めっき工法で実施
するため、従来の無電解めっき工法よりもコストが３０
〜５０％低減できる。
するため、従来の無電解めっき工法よりもコストが３０
〜５０％低減できる。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の導電性皮膜の形成方法
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は従来のテンティング工法によ
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は従来のテンティング工法によ
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は従来のパターンめっき工法に
よる印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示
した断面図である。
よる印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示
した断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は従来のパターンめっき工法に
よる印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示
した断面図である。
よる印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示
した断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｆ）は従来のアディティブ工法によ
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は従来のアディティブ工法によ
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
る印刷配線板の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た断面図である。
１ 銅なし積層絶縁基板 ２ 接着剤フィルム ３ａ 導電性皮膜（ポリピロール誘導体） ３ｂ 導電性皮膜（カーボングラファイト） ４ アルカリ現像型耐めっき性ドライフィルム ５ めっきレジスト形成用マスクフィルム ６ 配線回路 ７ スルーホール ８ 表面実装用パッド ９ めっきレジスト １０ 銅めっき層 １１ 銅張り積層絶縁基板 １２ 導体層 １３ 感光性ドライフィルム １４ 配線回路エッチングレッジスト形成用マスクフ
ィルム １５ 配線回路エッチングレジスト １６ 半田めっき層 １７ 銅箔 １８ 溶剤現像型感光性ドライフィルム １９ パーマネントめっきレジスト ２０ 無電解銅めっき層
ィルム １５ 配線回路エッチングレジスト １６ 半田めっき層 １７ 銅箔 １８ 溶剤現像型感光性ドライフィルム １９ パーマネントめっきレジスト ２０ 無電解銅めっき層
Claims (3)
- 【請求項１】 銅箔なし絶縁基板の表面に接着剤層を形
成する工程と、この銅箔なし絶縁基板の所定の位置に穴
開けする工程と、前記接着剤層の表面を粗化する工程
と、この接着剤層の表面及び全穴内壁に導電性皮膜を施
す工程と、前記銅箔なし絶縁基板の両面に耐めっき性感
光性ドライフイルムをラミネートし露光，現像を経て配
線パターン部，スルーホール及びこのスルーホールのラ
ンド部，表面実装部品用パッド部以外の領域にめっきレ
ジストを形成する工程と、前記配線パターン部，スルー
ホール及びこのランド部，表面実装部品用パッド部に電
解めっきを施し所定の厚みの導体層を形成する工程と、
前記めっきレジストを溶解除去する工程と、露出した前
記接着剤層表面上の前記導電性皮膜を酸性エッチング液
で除去する工程とを有することを特徴とする印刷配線板
の製造方法。 - 【請求項２】 前記導電性皮膜がポリピロール誘導体で
あることを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製造
方法。 - 【請求項３】 前記導電性皮膜がカーボングラファイト
であることを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064394A JPH07321461A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 印刷配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064394A JPH07321461A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 印刷配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321461A true JPH07321461A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14540908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064394A Pending JPH07321461A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 印刷配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016774A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP2013512562A (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | プリント回路基板及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383395A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 印刷回路基板の製造方法 |
| JPH03214792A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フレキシブル両面印刷配線板の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP11064394A patent/JPH07321461A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383395A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 印刷回路基板の製造方法 |
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| US9532462B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-12-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printed circuit board and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960521 |