JP4972360B2 - 光子感知エレメント及びこれを用いたデバイス - Google Patents
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Description
本発明は仮出願番号第60/030,415で開示されたものであり、ここに参考資料として挙げるが、本出願は、1996年11月1日出願のこの仮出願の恩典を請求するものである。
ここで「基板」とは光子感知シリコンを意味し、回路層を含まない。
ここで「基板厚さ」とは、回路がその表面に蒸着してある平面に対し垂直な方向の基板の厚さを意味する。
図2Bは、図2Aに示すような、高抵抗率シリコン基板上の一つのCCDのピクセルの2次元シミュレーションを示す。等電位線を0.5ボルト間隔で示している。集電ゲートには−5Vのバイアスが掛けられており、バリアフェーズは5Vにある。
図2Cは、3層15μmピクセルに関する2次元電位分布のシミュレーションを示す。この図は、2次元ではなく3次元である点を除き、基本的には図2に示すのと同じデータを示す。1.5×1012cm-2のチャネルインプラントが使われている。基板のドーピングは(約7000Ω−cmの抵抗率に対応し)6×1011cm-3と想定されている。5μm幅の集電電極は−5Vに保持され、バリアフェーズは5Vであった。裏面バイアス電圧は、裏面電気接点まで伸びるドリフトフィールドを生成している(図2Cのy寸法)。
十分な電圧を掛ければ基板は完全に電荷キャリヤの空乏化ができるので、基板の厚さは、従来の裏面入射CCDsの場合よりもかなり厚くできる。厚い基板には、機械的強度、長波長光子の吸収、製作経済性をはじめ幾つもの利点がある。
本発明による電気伝導性光子透過性裏面層の厚さは、部分的には、検出器で感知される放射の形式の関数である。短波長光子に対しては、裏面層は非常に薄くなければならない。長波長光子に対しては、裏面層は厚くてもよい。裏面層の厚さに関する機能的な制限は、検出の対象である入射光子に対して透過性でなければならないということである。裏面層が漸進的に厚くされるにつれ、短波長光子に対しては不透過性となる。
光電検出器では、暗電流を低く維持するのが重要である。暗電流を低く保つ一つの方法は、暗電流を増加させない原位置ドープCVD裏面層を使用することである。
ポリシリコンをドープするにはいろいろな方法がある。CVDを用いれば、裏薄上にn+層を確保でき、これは良好な短波長光吸収に必要である。ドーピングのもう一つの方法はドーパントのイオン注入であるが、現存の注入器では、このように薄い(100A)層に容易に注入することはできない。更に、イオン注入は暗電流を増加させることになりかねない熱サイクルを必要とする。更に又他のドーピング技法は熱拡散法を用いたドーピングであるが、今述べたのと同じ問題を有する。
薄い裏面層をドーピングするのに使えるもう一つの方法は、分子線エキタピシ法であるが、非常に費用がかかる。費用が問題でない場合、この方法で行うのは幾らか利点がある。
薄い裏面ポリシリコン層は、基板を空乏化するためにバイアス電圧を掛けることを考慮した透過性電気接点としても働く。シリコンは屈折率(3.7)が高いので、層の反射率はかなり高い。例えば、反射率は長波長では33%であり、短波長ではもっと大きい。裏面ウィンドウ層の反射率を下げる伝導コーティングを施せば、本発明による組み合わせの量子効率が上がる。
ITO層は反応スパッタリングによって蒸着された。イオン化したアルゴン原子がバイアスを掛けられたITOターゲットに引きつけられて、ITO分子を昇華させた。分子は基板の裏面層上に、それを直接ITOターゲットから直接対抗する側に配置することにより蒸着される。
・厚いデバイスは薄いデバイスほどにはひずみの影響を受けにくい。
・裏面層に電圧を掛け、裏面接点付近に実質的に零電界領域のない、完全に荷電空乏化されたデバイスを作り出すことができる(このような零電界領域は望ましくない重大な電荷拡散を起こす)。
・薄いデバイスで問題となる、赤の縞が取り除かれる。
・本発明による組み合わせを使う検出デバイスは、薄くする必要無しに対応する良好な青の応答を備えて裏面入射することができる。
・活性容積は長波長光子に対し透過性ではない。
もしこれらの領域がCCD内で電気的に浮動していれば、高い電界がCCDチャネルとチャネルストップインプラントとの間に形成され、降伏につながりかねない。CCDチャネルは空乏化されているので、チャネル内の電位は通常、掛けられたゲート電圧より5−10V以上低い。チャネルストップインプラントは、n型基板に対しては正である、掛けられた基板バイアスの幾らか分浮上する傾向にある。
降伏を避けるために、インプラントされていないシリコンのわずかなギャップがチャネルとチャネルストップインプラントとの間に残される。この領域は軽くドープされるので、電界は低くなっており降伏が避けられる。
バイアス電圧VBは、光子感知シリコン容量の抵抗を始めとする幾つかの因子に基づいて選定される。
空乏化電圧VDは、
VD=(0.5qN(xD)2)/εS
で与えられ、ここに、Nは空乏化領域内のcm3当たりのドーパント原子の数、xDは空乏化領域の長さ、qは電子の電荷(1.602 10-19C)、εSはシリコンの誘電率(1.0 10-12F/cm)である。Nは抵抗率と、
ρ=(qμN)-1
の関係にあり、ここに、ρは抵抗率、μはキャリア移動度である(軽くドープされた材料に関しては、電子移動度は正孔移動度の3倍であることに留意のこと。このため、同一抵抗率に対して、n型シリコンの場合のNは、p型シリコンと比較して3倍少ない)。
表Iは種々の高抵抗率CCDsについて、ρ及びNを比較したものである(正孔移動度を約500cm2/V−sec、電子移動度を1500cm2/V−secと仮定している)。
低いNを使う利点は基板が比較的低い電圧(約20−25V)で空乏化できることにある。これによって降伏の問題は起こりにくくなり、CCDピクセルと出力増幅器の一方若しくは両方についての問題に関わる懸念が少なくなる。両方の懸念共に、極端に低いNに対する強固に2次元的な特性によるものである。トランジスタ及びCCDの特性は、電圧が降伏電圧以下にとどまる限り、裏面電圧の増加と共に改善される。電界及び裏面電圧の強い2次元特性は2次元電界を幾らか平坦にする。裏面電圧のCCD出力トランジスタ特性に与える影響は、S.ホランド他の「高抵抗率シリコン上に作られた、200×200CCD画像センサー」(国際電子デバイス会議(IEDM)技術ダイジェスト、911−14頁、1996年、カリフォルニア州サンフランシスコ)で議論されている。
十分に低いNの高抵抗率シリコンを得るために、ドイツのバッカーケムトロニック社が注文仕様を準備している。このドイツの会社に渡す仕様を以下の例に示す。WフォンアモンとHヘルツァは、低N高抵抗率基板の製作について、彼らの論文「検出器に使うための高抵抗率シリコンの製造と入手性」(物理研究における核計測及び方法、A226、94−102頁、1984年)で論議している。
反射防止コーティングを用いれば反射ロスは低減できる。2酸化シリコン(屈折率1.45の絶縁材)及びインジウム錫酸化物(透過性で屈折率1.8−2.2の導体)は共に成功裏に使用されてきた。使用できるものは他にもたくさんある。
陽電子放射断層撮影法(PET)で用いられるフォトダイオードに関しては、ITO厚さは、シンチレーションしている水晶が特定の波長の光子を放射する所望の波長に調整された(S.ホランド他「低ノイズ、裏面入射シリコンフォトダイオードアレイの開発」核科学に関するIEEE会報、44(3)、443−7,1997年6月)。約4分の1波長厚のITOが蒸着された。もう一つのアプローチは反射防止特性のための2つのコーティング、即ち、ITOの下層及び2酸化シリコンの上層、を用いることである。反射防止コーティングの技術は良く開発されており、本発明による組み合わせの裏面ウィンドウに適用できる。そのような材料と議論の2つのソースはブルックとM.D.ネルソンの論文「電荷結合素子のための安定した紫外部反射防止コーティング」(SPIE1900、228−240、1993年)及びM.レッサーの論文「シリコン電荷結合素子のための反射防止コーティング」(光学技術、26(9)、911−915、1987年)である。
インジウム錫酸化物は以下の多くの利点を有している。
1)導電性であり、薄い裏面層の抵抗を低減する(フォトダイオードの場合ノイズを配慮すると、そしてCCD用に裏面上に等電位を作り出すためには重要である)。
2)屈折率は空気/ITO/シリコンのインタフェースに適している(中間フィルムが空気とシリコンの幾何学的中間である屈折率を有する場合、4分の1波長板に対応する波長で理論的にはゼロの屈折率となる)。これは先に引用したIEEE核科学論文に詳しく議論されている。
3)室温で蒸着され、漏洩電流を低下させない。
4)導電性なので、物理的裏面接点が容易に作れる。
高抵抗率シリコン基板を光子感知容積として使って作られたCCDは本発明の一つの態様である。このような高抵抗率シリコンで作られたCCDが、裏面に電気伝導性の層をつけて、或いはそれ無しで、有効に作動するのは驚くべきことである。高抵抗率容量は電位を強く2次元化し、多くの人は、そのような高抵抗率材中にはポテンシャルウェルは機能的に形成されないであろうと思っている。
ピクセルは本発明によるデバイスでは15×15μm2と小さく作られている。高抵抗率材上にそのように小さなピクセルを作ることができるとは思われていなかった。低抵抗率シリコン上の商業ベースのデバイスのピクセルのサイズは27×27μm2か18×24μm2かの何れかである。
表面ピニング。CCDの暗電流はバルク成分と表面成分の両方を持っている。リンでドーピングされたポリシリコン層から効果的にゲッタリングすれば、表面成分を暗電流の主要ソースとして残しながら、バルク成分を大きく低減することができる。
完全に空乏化されたCCDに対しては、裏面ウィンドウに掛けられたバイアスとCCDそれ自身の外のチャネルストップ接点との間にオーミックパスがあってもよく、その結果は裏面とチャネルストップの間に大電流が流れることになる。適切なジオメトリ(即ち、前面上のn+接点がp+で取り巻かれていなければならないか、又はCCDピクセルが両側になければならない)を有する単純なダイオード構造を使えばチャネルストップ電流は低減される。このジオメトリ設計は近くのp−n接合部を経由してチャネルストップに逆バイアスを掛ける。
裏面上の正しい方向を指すように電界を保つためのUV充電のような信頼性のない技法は、本発明の裏面層に掛けられる電圧がこの問題を取り除くので、本発明を用いれば回避できる(「高抵抗率シリコン上に作られた、200×200CCD画像センサー」国際電子デバイス会議(IEDM)技術ダイジェスト、911−14頁、1996年、カリフォルニア州サンフランシスコ)。
この問題を解決するためのもう一つの試みでは、RCAの研究者が、正電荷が働くn型シリコン上の従来型低抵抗率CCDで、ホールをポテンシャルウェルに向けて反射させている。本発明を使用すれば、裏面電圧を掛けるとこの問題は解消する。CCDがp型基板で作られている場合でも、本発明を使用すれば、電荷の基板を空乏化するだけの十分大きな裏面電圧は、正電荷を償う以上となる。
・裏面層は約0.0001ないし10原子パーセントドーピングの間に、リンでドーピングされる。約0.001ないし3原子パーセントの間に、リンでドーピングされるのがより望ましい。約0.1ないし3原子パーセントの間に、リンでドーピングされるのが最も望ましい。作動モデルは、約1原子パーセントのリンのドーピングを使い、アニーリングなしで作り上げられた。
・n型基板に関しては、光子感知容積に対して用いられる基板の抵抗率は、約100Ω−cmと約20KΩ−cmの間にあってもよい。約6KΩ−cmと約12KΩ−cmの間にあるのがより望ましい。
・p型基板に関しては、光子感知容積に対して用いられるシリコン基板の抵抗率は、約100KΩ−cmと約20KΩ−cmの間にあってもよい。約6KΩ−cmと15KΩ−cmの間にあるのがより望ましい。
・(光子感知容積に用いられるシリコン基板の)抵抗率が低くなるにつれ、完全空乏化に必要な電圧は減少する。感光容積シリコンの抵抗が低くなりすぎると、バイアス電圧が降伏を引き起こすか、或いは状態が空乏化する前に過度のノイズを生じる。
・本発明による電気伝導性裏面層の厚さは部分的には、検出器によって感知される放射の形式の関数である。短波長光子に対しては、裏面層は非常に薄くなければならない。長波長光子に対しては裏面層は厚くてもよい。裏面層の厚さに関する機能的制限は、それが検出対象の入射光子に対して透過性でなければならないということである。裏面層が漸進的に厚くされるにつれ、短波長光子に対しては不透過性となる。裏面層は、検出器の用途により、約10nmと約1000μmとの間の厚さを有するように成功裏に作られてきた。より好ましくは、漏洩電流を最小化するために裏面層を約10nmと約100μmの間にするのがよい。
本発明による裏面ウィンドウは、ホスフィン(PH3)が存在する中で、高抵抗率シリコン基板上に、シラン(SiH4)の低圧化学蒸着(CVD)により蒸着される。この処理は低温、即ち約650℃で、極度にクリーンな環境下で行われ、不純物は10億分の1以下に保たれる。これは低温の工程なので、多結晶シリコン(ポリシリコン)層の蒸着は、高温の処理が全て完了した後、プロセスの終わり近くで行われる。以下のプロセスプロトコルはウィンドウを適用するための一つの順序を示す。バキュームチャンバーの側壁はチャンバー壁上に蒸着したポリシリコンで覆われている。使用されるガスの純度は99.999%である。シリコンウェハは、もし一般的に受け入れられているとすれば、必要なプロトコルによって予洗浄される。基板は、裏面ウィンドウが蒸着される前に、ゲッタリング処理に掛けられる。厚い、リンでドーピングされたポリシリコンがゲッタリングに用いられ、次に、裏面ウィンドウが蒸着される前にエッチングされる。ゲッタリングの工程は、S.ホランドが「高抵抗率シリコン上への検出器とトランジスタの製作」と題する1989年の物理研究における核計測及び方法、A275、537−541頁、で公にしている方法に従って行われる。このプロセスは実質的に金属汚染物を含まない基板を提供する。
基本的に、薄い裏面ポリシリコンウィンドウの蒸着は以下の工程で行われる。
a.最終希釈HFエッチングとそれに続くDIリンスの追加による標準予拡散洗浄
b.サームコレシピDPOLYを用いたウェハ裏面上のドーピングされたポリシリコンのLPCVD
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さの計測
処理は温度約650℃、圧力400ミリトールで、SiH4中1%PH3のガスフローを使って行う。
所望の高抵抗率、低Nシリコンウェハを入手するため、幾つかの候補ウェハメーカーから入札が得られた。ここに記載する実験の大部分に使われたウェハは、ワッカーシルトロニック社、地区販売室(カリフォルニア州95117、サンジョゼ、#114、モールパーク通り4010、408/554−9728)からの注文生産品である。ウェハは以下の仕様に従って製作された。
2.結晶体方位:<100>
3.抵抗率:6000Ω−cm以上、好ましくは10,000Ω−cm近く
4.小数キャリア寿命:1ミリ秒以上
5.直径:100mm
6.呼び厚:300μm
7.平坦度:SEMI標準による
8.エッジ:エッジには、取り扱いの間にウェハの破壊につながる恐れのあるエッジ亀裂が生じるのを最小化するために、丸みを付けること。
9.ウェハ仕上げ:片側研磨、反対側は損傷無きこと、即ち、裏面には故意の損傷又はゲッタリングなし。
10.厚み許容差:+/−15μm max.
11.テーパ:<5μm max.
12.曲がり:<30μm max.
13.数量:500ウェハ
以下のプロセスフローは、裏面に電気伝導性、光子透過性ポリシリコン層を有する裏面入射フォトダイオードをn型基板上に製作するために使われた。更新されたプロトコルが、カリフォルニア州バークレイのローレンスバークレイ国立研究所、電話510/486−4000の発明者より入手可能である。
開始材料:抵抗率4kΩ−cm以上、厚さ300μm、<100>n型シリコン(ワッカーからの注文仕様品)の基板用シリコンウェハ。
a.標準予拡散洗浄
110℃で5分間ピラーニャ(WPS2)
DI水リンス(WPS2)
希釈HFエッチング(WPS2)
DI水リンス(WPS2)
40℃で5分間メガソニックRCA I洗浄(WPS2)
DI水リンス(WPS2)
希釈HFエッチング(WPS2)
DI水リンス(WPS1)
40℃で5分間メガソニックRCA II洗浄(WPS1)
DI水リンス(WPS1)
b.5000AのSiO2のLPCVD、サームコレシピUDLTOを使用し、425℃で、30分間の蒸着
c.モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.ウェハを、裏面酸化物が完全に除去されるまで、6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)でエッチング
e.ピラーニャでレジスト剥ぎ取り(WSP5)
(3)1μm原位置ドープポリシリコン蒸着
a.最終希釈HFエッチングとそれに続くDIリンスの追加による標準予拡散洗浄
b.ウェハ裏面上のドーピングされたポリシリコンのLPCVD、サームコレシピDPOLYを用いた約6時間の蒸着
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さ計測
a.予拡散洗浄、但し、ウェハがドーピングされたポリシリコンの蒸着に続いて直ぐに窒化物のチューブにローディングされた場合は不要
b.ウェハ裏面に1000Aの窒化シリコンのLPCVD、サームコレシピNITRIDEを使用し、47分間の蒸着
(5)表面窒化物/ポリ除去
a.技法cエッチャーオンキャンパスを用いて表面窒化物/ポリをプラズマエッチング。100W、280ミリトール、13sccmSF6、21sccmHe
(6)表面LTO除去
a.BOEで表面LTOをエッチング
(7)4000Aフィールド酸化
a.標準予拡散洗浄
b.4000Aのフィールド酸化物を成長させるための蒸気酸化、サームコレシピWET4000A、チューブ2−1を使用し、900℃で4時間45分、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.モニターウェハ上の酸化物厚さを計測
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク1を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(9)酸化物エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.1000A熱酸化物テストウェハを用いて6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)速度のエッチング速度を決定
c.BOEエッチング速度と計測厚さに基づき、必要なエッチング時間を算出。湿潤化に必要な全ての時間に加えて、この時間に20%を加え、ウェハをエッチング
d.DI水リンスの後、大きなエッチング面上で疎水性表面挙動を検査。完全な酸化物除去を確認するため、残留酸化物厚さをナノ仕様で計測
e.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り(WPS5)
a.B+、2 1015cm-2のドーズ、30keVのエネルギー、7度のチルト角
(11)1000A熱酸化/インプラントアニール
a.標準予拡散洗浄:
b.1000Aのフィールド酸化物を成長させるための蒸気酸化(900℃で37分)し、続いて2時間の窒化物アニール、サームコレシピW1000DET、チューブ2−1、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.モニターウェハ上の酸化物厚さを計測
(12)裏面の酸窒化物/窒化物の除去
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.ウェハを、裏面酸化物を除去するため、6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)で3分間エッチング
e.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り(WPS5)
f.裏面窒化物をリン酸中にて190℃で除去
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.ウェハを、裏面ポリシリコン及び拡散n+層が除去されるまで、シリコンエッチングでエッチング。裏面ポリ蒸着からのモニターウェハを使用して適切なエッチング時間を定め、裏面ウェハ上で4点探針計測により除去を確認
(14)薄い裏面ポリシリコン蒸着
a.最終希釈HFエッチングとそれに続くDIリンスの追加による標準予拡散洗浄
b.サームコレシピDPOLYを用い、ウェハ裏面上のドーピングされたポリシリコンのLPCVD、
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さ計測
(15)表面ポリシリコン除去
a.技法cエッチャーオンキャンパスを用いて表面ポリシリコンをプラズマエッチング。100W、280ミリトール、13sccmSF6、21sccmHe。酸化物に対するこのエッチングの比較的劣った感度によるオーバーエッチングの最小化
b.ピラーニャでウェハを洗浄(WPS5)
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク4を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(17)接点エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.低温酸化物モニターウェハを用いて6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)速度のエッチング速度を決定
c.BOEエッチング速度と計測厚さに基づき、必要なエッチング時間を算出。湿潤化に必要な全ての時間に加えて、この時間に20%を加え、ウェハをエッチング
d.DI水リンスの後、大きなエッチング面上で疎水性表面挙動を検査。完全な酸化物除去を確認するため、残留酸化物厚さをナノ仕様で計測
e.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り(WPS5)
(18)0.5μmアルミニウム蒸着
a.希釈HFバスのエッチング速度を決定
b.エッチング速度計測に基づき、60Aの酸化物を除去するためにエッチング
c.ウェハをMRC603にロード
d.6kW、15cm/秒、10ミリトールでアルミニウムをスパッタリング
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク5を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(20)メタルエッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.ウェハをアルミニウムエッチング液中にて30℃でエッチング
c.キャンパス技法cプラズマエッチャーでシリコン残留物を除去
d.PRS−2000でレジストを剥ぎ取り(WPS5)
(21)焼結
a.サームコレシピSINT400,チューブ1−2を使い、成形ガス中にて400℃で焼結
(22)裏面ITO蒸着/アニール
実施例5参照
以下のプロセスフローは、裏面に電気伝導性、光子透過性ポリシリコン層を有する裏面入射電荷結合素子をn型基板上に製作するために使われた。
開始材料:抵抗率4kΩ−cm以上、厚さ300μm、<100>n型シリコン(ワッカーからの注文仕様品)の基板用シリコンウェハ。
a.標準予拡散洗浄
100℃で5分間ピラーニャ(WPS2)
DI水リンス(WPS2)
希釈HFエッチング(WPS2)
DI水リンス(WPS2)
40℃で5分間メガソニックRCA I洗浄(WPS2)
DI水リンス(WPS2)
希釈HFエッチング(WPS2)
DI水リンス(WPS1)
45℃で5分間メガソニックRCA II洗浄(WPS1)
DI水リンス(WPS1)
b.5000AのSiO2のLPCVD、サームコレシピUDLTOを使用し、425℃で、30分間の蒸着
c.モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.OCG825フォトレジストで再コート(MTIレシピ#1)
e.ウェハを30分間120℃でハードベーク
f.ウェハを、裏面酸化物が完全に除去されるまで、6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)でエッチング
g.ピラーニャでレジスト剥ぎ取り(WSP5)
(3)1μm原位置ドープポリシリコン蒸着
a.最終希釈HFエッチングとそれに続くDIリンスの追加による標準予拡散洗浄
b.ウェハ裏面上のドーピングされたポリシリコンのLPCVD、サームコレシピDPOLYを用いた約6時間の蒸着
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さ計測
a.予拡散洗浄、但し、ウェハがドーピングされたポリシリコンの蒸着に続いて直ぐに窒化物のチューブにローディングされた場合は不要
b.ウェハ裏面に1000Aの窒化シリコンのLPCVD、サームコレシピNITRIDEを使用し、47分間の蒸着
(5)表面窒化物/ポリ除去
a.技法cエッチャーオンキャンパスを用いて表面窒化物/ポリをプラズマエッチング。100W、280ミリトール、13sccmSF6、21sccmHe
(6)表面LTO除去
a.BOEで表面LTOをエッチング
(7)500Aゲート酸化
a.標準予拡散洗浄
b.500Aのゲート酸化物を成長させるためTCAで酸化物を乾燥、サームコレシピD200GATW、チューブ2−2を使用し、900℃で3時間45分間、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
d.ウェハを速やかに窒化炉にロード
(8)500A窒化物蒸着
a.ウェハはゲート酸化炉から直接ロードされているので洗浄不要
b.500Aの窒化物蒸着、サームコレシピNITCCD、チューブ2−4を使って20.5分の蒸着
c.モニターウェハ上の窒化物厚さ計測
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク4を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(10)窒化物エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.技法cプラズマエッチャーオンキャンパスを用いて窒化物エッチング。適切なエッチング時間を定め、その半分の時間エッチングし、ウェハを180度回転し、残り半分をエッチング(エッチングの均一性改善)
c.レジストを除去しないこと
a.1・1012cm-2のドーズ、30keVのエネルギー(照射範囲約0.15μm)、7度のチルト角(目標:酸化物厚さ0.5μmで250Vのフィールドスレッショルド電圧)
(12)レジスト/酸化物除去
a.ピラーニャでレジストの剥ぎ取り
b.プラズマエッチングの後6:1BHFで残余酸化物をエッチング
(13)4500Aフィールド酸化
a.標準予拡散洗浄:
b.4500Aのフィールド酸化物を成長させるための蒸気酸化、サームコレシピWET4500A、チューブ2−1を使用して450℃で5時間、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.モニターウェハ上の酸化物厚さを計測
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク2を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(15)チャネルインプラント(ボロン)
a.1.0、1.5、及び2.0・1012cm-2のドーズ、150keVのエネルギー(照射範囲約0.4μm)、7度のチルト角
(16)レジスト除去
a.ピラーニャでレジストを除去
(17)ポリシリコン−1蒸着
a.標準予拡散洗浄
b.ドーピングされていないポリシリコンのLPCVD、4500A。レシピPOLY4500、615/620/630℃で53.5分の蒸着、40sccmシラン前/後フロー、200ミリトール圧
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さ計測
(18)ポリシリコン−1インプラント(ボロン)
a.2.0・1015cm-2のドーズ、150keVのエネルギー(照射範囲約0.2μm)、7度のチルト角
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク3を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(20)ポリシリコン−1エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.ラム4プラズマエッチャーオンキャンパスを用いてポリをエッチング
c.酸素プラズマでレジストを剥ぎ取り、その後ピラーニャ洗浄
(21)裏面ポリシリコン−1の除去
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.OCG825フォトレジストで再コート(MTIレシピ#1)
e.ウェハを30分間120℃でハードベーク
f.ポリをシリコンエッチング液中でエッチング
g.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り
(22)ポリシリコン−1酸化
a.最終HFエッチングにより標準予拡散洗浄
b.1700Aのポリ間酸化物を成長させるためTCAで湿潤酸化、サームコレシピPOLY2K、チューブ2−1を使用し、950℃で30分、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.キャンパスnanoduvを使い、モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
a.ウェハが酸化チュ−ブより直接ロードされている場合は洗浄不要
b.ドーピングされていないポリシリコンのLPCVD、4500A。レシピPOLY4500、615/620/630℃で53.5分の蒸着、40sccmシラン前/後フロー、200ミリトール圧
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さ計測
(24)ポリシリコン−2インプラント(ボロン)
a.2.0・1015cm-2のドーズ、80keVのエネルギー(照射範囲約0.2μm)、7度のチルト角
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク4を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.ラム4プラズマエッチャーオンキャンパスを用いてポリをエッチング
c.酸素プラズマでレジストを剥ぎ取り、その後ピラーニャ洗浄
(27)裏面ポリシリコン−2の除去
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.OCG825フォトレジストで再コート(MTIレシピ#1)
e.ウェハを30分間120℃でハードベーク
f.ポリをシリコンエッチング液中でエッチング
g.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り
(28)ポリシリコン−2酸化
a.最終HFエッチングにより標準予拡散洗浄
b.1700Aのポリ間酸化物を成長させるためTCAで湿潤酸化、サームコレシピPOLY2K、チューブ2−1を使用し、950℃で30分、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.キャンパスnanoduvを使い、モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
a.ウェハが酸化チュ−ブより直接ロードされている場合は洗浄不要
b.ドーピングされていないポリシリコンのLPCVD、4500A。レシピPOLY4500、615/620/630℃で53.5分の蒸着、40sccmシラン前/後フロー、200ミリトール圧
c.モニターウェハ上のポリシリコン厚さ計測
(30)ポリシリコン−3インプラント(ボロン)
a.2.0・1015cm-2のドーズ、80keVのエネルギー(照射範囲約0.2μm)、7度のチルト角
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク5を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(32)ポリシリコン−3エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.ラム4プラズマエッチャーオンキャンパスを用いてポリをエッチング
c.酸素プラズマでレジストを剥ぎ取り、その後ピラーニャ洗浄
(33)裏面ポリシリコン−3の除去
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.OCG825フォトレジストで再コート(MTIレシピ#1)
e.ウェハを30分間120℃でハードベーク
f.ポリをシリコンエッチング液中でエッチング
g.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り
(34)ポリシリコン−3酸化
a.最終HFエッチングにより標準予拡散洗浄
b.1700Aのポリ間酸化物を成長させるためTCAで湿潤酸化、サームコレシピPOLY1K、チューブ2−1を使用し、900℃で30分、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク6を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(36)酸化物エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.1000A熱酸化テストウェハを用いて6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)速度のエッチング速度を決定
c.BOEエッチング速度と計測厚さに基づき、必要なエッチング時間を算出。湿潤化に必要な全ての時間に加えて、この時間に20%を加え、ウェハをエッチング
d.DI水リンスの後、大きなエッチング面上で疎水性表面挙動を検査。完全な酸化物除去を確認するため、残留酸化物厚さをナノ仕様で計測
e.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り(WPS5)
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク7を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(38)基板接点インプラント
a.リン、P+、2.0・1015cm-2のドーズ、100keVのエネルギー、7度のチルト角、基板加熱を制限するためハイブリッドモードに植え込み
b.酸素プラズマでレジストを剥ぎ取り、続いてピラーニャ洗浄
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク8を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(40)窒化物エッチング
a.技法cエッチャーオンキャンパスを使用して窒化物をプラズマエッチング
b.レジストを剥がさないこと
(41)浮動電極、ソース/ドレーンインプラント
a.B+、2・1015cm-2のドーズ、50keVのエネルギー、7度のチルト角、基板加熱を制限するためハイブリッドモードに植え込み
b.酸素プラズマでレジストを剥ぎ取り、続いてピラーニャ洗浄
(42)5000A酸化物蒸着(LTO/BPSG)
a.標準予拡散洗浄
b.SiO2の500AのLPCVD、サームコレシピUDLTOを使用して425℃で30分の蒸着
c.モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
a.標準予拡散洗浄
b.1時間、サームコレシピFGANNEAL、チューブ1−1を使用し、形成ガス中で950℃アニール、酸化前にサームコレシピ1TCACLNを使用し炉チューブのTCA洗浄
c.モニターウェハ上の酸化物厚さ計測
(44)裏面酸窒化物/窒化物の除去
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.OCG825フォトレジストで再コート(MTIレシピ#1)
e.ウェハを30分間120℃でハードベーク
f.裏面LTO/酸窒化物を除去するために、ウェハを、6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)中で5分間エッチング
g.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り(WPS5)
f.リン酸中にて190℃で裏面窒化物を除去。キャップ及びゲート窒化物間の酸窒化物を除去するためには中間希釈HFエッチングを行う必要があるかもしれないことに注意
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.ウェハを30分間120℃でハードベーク
d.OCG825フォトレジストで再コート(MTIレシピ#1)
e.ウェハを30分間120℃でハードベーク
f.ウェハを、シリコンエッチング中で、裏面ポリシリコンと拡散されたn+層が除去されるまでエッチング。適切なエッチング時間を決めるため裏面ポリ蒸着からのモニターウェハを使用し、ウェハ裏面上の4点探針計測により除去を確認
(46)薄い裏面ポリシリコン蒸着
a.標準予拡散洗浄に最終希釈HFエッチングとその後のDIリンスを追加
b.サームコレシピDPOLYを使用して、ウェハ裏面上のドーピングされたポリシリコンのLPCVD
c.モニターウェハ上のポリシリコンの厚さ計測
(47)表面ポリシリコン除去
a.技法cエッチャーオンキャンパスを使用して表面ポリをプラズマエッチング。100W、280ミリトール、13sccmSF6、21sccmHe。酸化物に対するこのエッチングの比較的劣った感度によるオーバーエッチングの最小化
b.ピラーニャでウェハを洗浄(WPS5)
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク9を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(49)接点エッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.低温酸化物モニターウェハを用いて6:1緩衝酸化物エッチング(BOE)速度のエッチング速度を決定
c.BOEエッチング速度と計測厚さに基づき、必要なエッチング時間を算出。湿潤化に必要な全ての時間に加えて、この時間に20%を加え、ウェハをエッチング
d.DI水リンスの後、大きなエッチング面上で疎水性表面挙動を検査。完全な酸化物除去を確認するため、残留酸化物厚さをナノ仕様で計測
e.ピラーニャでレジストを剥ぎ取り(WPS5)
(50)0.5μmアルミニウム蒸着
a.希釈HFバスのエッチング速度を決定
b.エッチング速度計測に基づき、60Aの酸化物を除去するためにエッチング
c.ウェハをMRC603にロード
d.6kW、15cm/秒、10ミリトールでアルミニウムをスパッタリング
a.LP3にウェハを準備(HMDSアプリケーション)
b.OCG825フォトレジストをスピン(MTIレシピ#1)
c.マスク10を使用して露出(0.6秒露出)
d.3:1DI水:OCG809で現像(WPS3)
e.検査
(52)メタルエッチング
a.ウェハを30分間120℃でハードベーク
b.ウェハをアルミニウムエッチング液中にて30℃でエッチング
c.キャンパス技法cプラズマエッチャーでシリコン残留物を除去
d.PRS−2000でレジストを剥ぎ取り
(53)焼結
a.サームコレシピSINT400,チューブ1−2を使い、成形ガス中にて400℃で焼結
(54)裏面ITO蒸着/アニール
次の実施例5を参照
ITO層は、室温で、90重量%のIn2O3と1重量%のSnO2で構成されるターゲット(ターゲット面は12cm×38cm)からのマグネトロンスパッタリングによって蒸着された。全蒸着に使用された電力は500Wであった。ITO内の伝導は酸素空位によるものであり、それ故、フィルムにおける酸素濃度は上手に制御されねばならない。リー他の論文「室温スパッタリング蒸着されたインジウム錫酸化物の電子的光学的特性」(J.Vac.化学と技術、A−11、5、2742−6、1993年9/10月)に報告されている蒸着パラメータを用いて、フィルムはO2とArの混合気内で反応的にスパッタリングされた。フィルムに低抵抗率と高光学透過率とをもたらす蒸着条件を求めるために、合計スパッタ圧は2−8ミリトールに変えられ、O2濃度は0−5%に変えられた。
フィルムの品質を評価する際に抵抗率と透過率を共に考慮するため、厚さに依存しない量R□In(1/t)が性能係数として使われているが、ここにR□はシート抵抗、tは所与の波長における光学透過率である。フィルムのシート抵抗は4点探針を使って計測され、光学透過率はタングステンハロゲンランプ付きのデュアルビーム分光光度計を使って計測された。フィルム蒸着の間、O2の分圧の関数としてプロットしたところ、R□In(1/t)は顕著な最小値を示し、最良のフィルムは、O2の分圧0.04−0.08ミリトールで得られた。
CCDsは20nmの裏面ポリシリコン層付きで製作された。更に、ポリシリコン上に、ITOの約50nmの反射防止コーティングがスパッター蒸着された(S.ホランド他「低ノイズ、裏面入射シリコンフォトダイオードアレイ」(核科学に関するIEEE会報、44(3)、443−7,1997年6月))。この層は電気伝導性があり、反射防止コーティングとして働くことに加えて、裏面接点の抵抗を低減した。
図4は、種々の厚さの裏面ポリシリコン層を有する裏面入射フォトダイオードについての、波長に対する量子効率の計測結果を示す。予想通り、短波長の応答はポリシリコンの厚さが薄くなるほど良くなる。更に、空乏化領域が比較的厚い(300μm)ために、赤外部付近の応答が波長約1μmまで伸びている。
ITO反射防止コーティングの厚さは、それが対象となる波長の4分の1波長板として働くことにより反射を最小化するように選定された。即ち、
XITO=λ/4n
但し、XITOは波長λにおいて反射を最小にするフィルム厚さであり、nはITOの屈折率である。図5は、57nmのITOがコートされた10nmの裏面層を有する、裏面入射で厚さ300μmのp−i−nフォトダイオードについて、量子効率を波長の関数として示したものである(実線)。本発明によるフォトダイオードは室温で作動させた(同じくIEEE核科学)。厚さは、ルテチウム・オルトシリケート(LSO)から放射された光子の415nm波長で量子効率が最大となるように選定された。反射防止コーティングによる量子効率の改善は、100nm波長域に亘って60%を越え、λ〜450nmでピークとなり、目標値近くである。図5に示すように、薄いポリシリコン接点と4分の1波ITO層を組み合わせれば、LSO波長で約75%のQEが得られる。ビスマスゲルマニウム酸塩(BGO)に関しては、量子効率は一層高く、480nmで約90%であった。ITO厚さをBGO波長に対して最適化すれば、更に改善できるであろう。
比較のため、薄い、低抵抗率シリコン基板上に作られた、標準的反射防止コーティングを有する従来型裏面入射CCDで採ったデータを破線で示す(M.ブルック、M.D.ネルソン「電荷結合素子のための安定した紫外線反射防止コーティング」SPIE1900、228−240、1993年)。
300μmの基板上に組み立てられ、厚さ50nmのITOでコートされた20nmのポリシリコンの裏面層を有するCCDを使って、幾つかの特性を計測した。その結果を下の表IIに整理して示すが、全体的には1997年2月の国際光学エンジニアリング協会会合の会報にR.J.ストーバー他の「高抵抗率シリコン上の完全空乏化CCDの特性」と題する論文(SPIEv3019、183−8頁)中で論議されており、ここに参考資料として挙げる。
・本発明によるCCD基板は表Iに示すように、Nが極端に低くなるように注文生産されており、
・基板を空乏化するために用いられる基板バイアスは、出力増幅特性と、恐らくはCCDウェルをも改善し、
・裏面ウィンドウは透過性で、電気伝導性で、要求される基板バイアスに適合でき、
・厚い光子感知容積の故にIR近傍の検出に優れ、
・現在の技術が青領域の感度を達成する場合に必要とするように薄くする必要なしに良好な青への応答性を有し、
・薄くされたCCDsと比べ曲がりが少なく、
・裏面ウィンドウを通して良好な短波長、長波長伝達を行い、
・薄くされたCCDsでは問題となる赤の縞が排除できる。
本発明に関わる上記説明の実施例及び最適の形態の記述は、本発明の範囲を限定する意図で行ったものではない。様々な修正、変更及びそれと同等なことが、添付する請求の範囲の精神と範囲から逸脱することなく行えるであろう。
4 p+インプラント領域
6 n――型シリコン基板
10 反射防止層
Claims (17)
- 裏面照明型の完全に空乏化された電磁放射検出用の荷電結合素子(CCD)であって、 表面と裏面とを有する実質的な厚さの高抵抗率の光子感知シリコン基板と、
前記基板の表面上の複数のCCD埋設チャネル領域であって、該チャネルは前記基板とは逆の導電型である、電磁放射の入射により前記基板内で生成された信号電荷を集電するための前記複数のCCD埋設チャネル領域と、
集電された信号電荷を移動させるための、前記基板の表面上にパターン付けされたCCDゲート電極回路と、
前記ゲート電極回路により移動させられた集電された信号電荷を検出するための、CCD増幅回路と、
前記基板の裏面上の、電気伝導性の電気接点裏面層であって、該裏面層と前記基板の表面上のCCDゲート電極回路との間にバイアス電圧を掛けることを可能にする、前記電気接点裏面層と、
少なくとも電荷キャリヤの前記基板をその全光子感知容積を通して完全に空乏化するための、前記基板に結合された裏面バイアス電圧源と、
を備え、前記基板の厚さが、100μmと5mmとの間にあることを特徴とする、前記CCD。 - 前記裏面バイアス電圧源が前記電気接点裏面層に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記裏面バイアス電圧源が前記基板の表面に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板がn型基板であることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板がp型基板であることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板の抵抗率が、0.1kΩ−cmと20kΩ−cmとの間にあることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板の抵抗率が、6kΩ−cmと12kΩ−cmとの間にあることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板の厚さが、250μmと1mmとの間にあることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板の厚さが、50μmと550μmとの間にあることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板の厚さが、検出対象である光子のシリコンにおける吸収長の3倍未満であることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記基板の厚さが、検出対象である光子のシリコンにおける吸収長の2倍未満であることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記電気伝導性の電気接点裏面層が、厚さが10nmと1μmとの間にあるリンでドープされた多結晶シリコンから形成されることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記電気伝導性の電気接点裏面層が、検出対象である入射光子に対して透過性である程度に十分に薄いことを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記電気伝導性の電気接点裏面層に適用される反射防止(AR)コーティングを更に備えることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 前記ARコーティングが絶縁コーティングを含むことを特徴とする、請求項14に記載のCCD。
- 高抵抗率のインプラントされていない領域を、前記複数のCCD埋設チャネル領域における各チャネルの各側に更に備えることを特徴とする、請求項1に記載のCCD。
- 電気的に浮動しているチャネルストップを、前記高抵抗率のインプラントされていない領域の各側に更に備えることを特徴とする、請求項16に記載のCCD。
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