JP4969043B2 - アクティブマトリクス型の表示装置およびその走査側駆動回路 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜トランジスタ等のスイッチ素子を用いた液晶表示装置等のようなアクティブマトリクス型の表示装置およびその走査側駆動回路に関する。

従来から、テレビジョン放送の受信機やコンピュータ装置のディスプレイには、陰極線管（ＣＲＴ）や液晶表示装置（ＬＣＤ）が用いられている。画像表示を行う液晶表示装置では、マトリクス状に配列した画素電極を選択駆動することによって、表示画面上に表示パターンが形成される。すなわち、選択された画素電極と、これに対向する対向電極との間に電圧が印加されると、これらの電極の間に介在する液晶の光学的変調が行われ、これが表示パターンとして認識される。画素電極の駆動方式としては、個々の独立した画素電極をマトリクス状に配列して、各画素電極にスイッチ素子を接続し、選択的に導通させたスイッチ素子を介してデータ信号を画素電極を与えることにより画素電極を駆動するアクティブマトリクス駆動方式が知られている。画素電極を選択駆動するためのスイッチ素子としては、ＴＦＴと略称される薄膜トランジスタや、ＭＩＭと略称される金属と絶縁膜とを組み合わせたスイッチ素子等が一般に知られている。

上記のような液晶表示装置の最大の利点は、薄型・軽量という点である。この利点を生かして液晶表示装置は、ノートブック型パソコンのような携帯情報処理装置のディスプレイデバイスとして搭載されるようになってきた。

ノートブック型パソコンなどの携帯型情報処理装置は、携帯可能でなければならないので、一般にバッテリー駆動方式が採用されており、従って、現状では１回の充電で続行可能な使用時間はバッテリーの電力容量に依存して限界がある。そこで、１回の充電で続行可能な使用時間を、より長くするための方策が種々試みられているが、バッテリー自体の電力容量の増大を図ることは言うまでもなく、その一方で液晶表示装置の低消費電力化が重要な課題となっている。特に近年ではバッテリー自体の電力容量については、携帯可能であることが必須条件となっているので、バッテリーの重量を増やすこと無くその電力容量を増大しなければならない。

しかし、バッテリーの電力容量密度（容量／重量）の向上は、一般的に用いられるバッテリーの分野においてはすでに技術的な向上の限界に近づいており、これ以上の大幅な向上は実際上ほとんど望めないのが現状である。従ってもう一方の、液晶表示装置の低消費電力化が、更に重要な課題となっている。

液晶表示装置の低消費電力化を図るためには、主として２つの方策が考えられる。第１は、液晶表示装置が非発光素子であることにより必要とされている照明光を供給するための電力の削減である。しかしながら、従来のいわゆるバックライトを用いた液晶表示装置においてはそのバックライトの発光効率及び利用効率の向上も、ほとんど限界に近づいているのが現状である。しかも、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置における更なる画面の高精細化及び多画素化にしたがって、更に画素部開口率が低下する傾向にある。したがって、バックライトに供給される電力の削減による液晶表示装置の低消費電力化は困難である。

液晶表示装置の低消費電力化を図る第２の方策は、液晶表示装置を駆動してその液晶パネルに画像を表示するために必要な、いわゆる駆動電力の削減である。これまでも低消費電力駆動の研究開発が精力的に行われており、例えば、対向電極電位を１水平走査期間毎に変化させる駆動方法が提案されている。ここでは、これを対向ＡＣ駆動法と略称して説明する。

対向ＡＣ駆動法では、対向電極にも所定波形の電圧を印加し、その電圧と画素電極へ与えられるデータ信号の電圧との差の電圧が液晶に加わるようにすることにより、データ信号の振幅が低減されて消費電力が削減される。以下、図を用いてその動作原理を説明する。なお以下では、液晶表示装置は、図８（ａ）に示すように構成されているものとする。

すなわち、液晶表示装置は、マトリクス状に配置された多数の画素形成部としての画素回路からなる表示部１５０と、走査信号線駆動回路２５０と、データ信号線駆動回路３５０と、対向電極駆動回路４５０と、外部の信号源から与えられる画像信号および制御信号に基づき走査信号線駆動回路２５０、データ信号線駆動回路３５０および対向電極駆動回路４５０を動作させるための制御信号および画像信号を生成する表示制御回路５５０とを備えている。表示部１５０には、複数のデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）と複数の走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）が互いに交差するように格子状に形成され、さらに、複数の走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）とほぼ平行にそれぞれ延在する複数の補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）が配設されている。走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）は走査信号線駆動回路２５０により、データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）はデータ信号線駆動回路３５０により、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）および後述の対向電極Ｅｃｏｍは対向電極駆動回路４５０により、それぞれ駆動される。上記複数の画素回路は、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）とデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）との交差点にそれぞれ対応して設けられている。各画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）は、図８（ｂ）に示すように、スイッチ素子としてのＴＦＴ１０と、画素電極Ｅｐｉｘと、全画素回路に共通的に設けられた対向電極Ｅｃｏｍと、全画素回路に共通的に設けられ各画素電極Ｅｐｉｘと対向電極Ｅｃｏｍとに挟持された液晶層とを備えており、画素電極Ｅｐｉｘと対向電極Ｅｃｏｍとそれらに挟持される液晶層とによって液晶容量Ｃｃｌが形成され、画素電極Ｅｐｉｘと補助容量線ＣｓＬ（ｎ）との間に補助容量Ｃｃｓが形成されている。スイッチ素子（ＴＦＴ）１０のゲート端子は対応する走査信号線ＧＬ（ｎ）に、ソース端子は対応するデータ信号線ＳＬ（ｍ）に、ドレイン端子は画素電極Ｅｐｉｘにそれぞれ接続されている。

図９は、上記のように構成された液晶表示装置の各信号線及び画素電極電位の概要を示すタイミングチャートである。ここでは、各データ信号線に順次データを書き込んでいく点順次駆動を例に挙げて説明する。図９（ａ）（ｂ）は、各走査信号線に加えられる走査信号のうちの２つを示したもので、同（ａ）は、走査信号線ＧＬ（ｎ）の走査信号を示し、同（ｂ）は、その後続の走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）の走査信号を示している。同（ｃ）は、対向電極Ｅｃｏｍに印加される対向電極信号で、１水平走査期間毎に反転する波形となっている。同（ｄ）は、全補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）に印加される補助容量信号で、同（ｃ）に示す対向電極信号と同位相で１水平走査期間毎に反転する波形となっている。ここで、「反転する波形」とは、電圧信号の波形であって、当該信号の電位が２つの電位の間で切り替わるかまたは当該信号の極性が切り替わる波形をいう（以下においても同様）。同（ｅ）は、データ信号線ＳＬ（ｍ）に印加されるデータ信号Ｓ（ｍ）を示したもので、１水平走査期間毎に反転する波形となっている。同（ｆ）は、同（ｅ）のデータ信号Ｓ（ｍ）を任意のタイミングでデータ信号線ＳＬ（ｍ）に供給するためのサンプリング信号のうちの１つＳＡＭ（ｍ）を示したものである。同（ｇ）は、同（ｆ）のサンプリング信号のタイミングによってデータ信号の与えられるデータ信号線ＳＬ（ｍ）の電位変化を示している。同（ｈ）は、画素電極Ｅｐｉｘと対向電極Ｅｃｏｍに挟まれた液晶層に印加される電圧と共に画素電極Ｅｐｉｘの電位を示したものである。

再度、走査信号線ＧＬ（ｎ）とデータ信号線ＳＬ（ｍ）との交点に対応する画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）に着目する。まず走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続されたスイッチ素子１０が導通状態のときに、データ信号線ＳＬ（ｍ）へのデータ信号の供給を制御するサンプリング信号が供給されると、データ信号線ＳＬ（ｍ）に接続される容量（配線容量）及び画素電極に接続された容量（液晶容量Ｃｃｌと補助容量Ｃｃｓを含む総容量）への充電が始まり、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続されたスイッチ素子１０が遮断状態（非導通状態）となるまでの期間に、当該総容量が充電され、それによって−ｖの電位が画素電極Ｅｐｉｘに保持される。次に走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続されたスイッチ素子１０が遮断状態になると、画素電極Ｅｐｉｘに接続された総容量に充電された電荷はそのまま保持される。ここで電荷の量が一定であると、画素電極Ｅｐｉｘと対向電極Ｅｃｏｍとの電位差は、対向電極Ｅｃｏｍ及び補助容量線ＣｓＬ（ｎ）の電位がどのように変化しようと常に一定であるから、対向電極Ｅｃｏｍに図９（ｃ）に示す波形の電圧信号を、補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に同（ｄ）に示す波形の電圧信号をそれぞれ与えると、画素電極Ｅｐｉｘの電位は図９（ｈ）に示すように対向電極Ｅｃｏｍと同じ形に変化する。

次にスイッチ素子１０が１垂直走査期間後に導通状態になり、データ信号線ＳＬ（ｍ）の配線容量に電荷が充電されると、同様にして画素電極Ｅｐｉｘに接続される総容量は+ｖの電位まで充電が行われ、スイッチ素子１０が遮断状態となった後は総容量に充電された電荷は保持される。その後は同様に画素電極Ｅｐｉｘの電位は対向電極Ｅｃｏｍと同じ形に変化する。その結果、液晶層には図９（ｈ）において１対の矢印で示す電圧が印加される。すなわち、スイッチ素子１０が導通状態となった時のデータ信号波形と対向電極Ｅｃｏｍの電圧波形との差に対応する電圧が実効値として液晶層に印加されることになり、両者の波形の極性が反対になると液晶層にはデータ信号波形（の振幅）より大きな値の電圧を加えることができる。よって、対向電極Ｅｃｏｍの電位を１水平走査期間毎に反転させることにより、すなわち対向ＡＣ駆動法を採用することにより、データ信号線に与えるべきデータ信号の振幅を小さくすることが可能となる。
特開２００１−２８２２０６号公報 特開２００１−２６５２８７号公報 特開２０００−０８１６０６号公報

しかしながら、対向ＡＣ駆動法ではデータ信号線駆動回路の消費電力は削減できるものの、負荷容量の大きい対向電極及び全補助容量線に所定波形の電圧を印加して、対向電極及び全補助容量線への印加電圧を１水平走査期間毎に変化させる必要があることから、対向電極および補助容量線を駆動するための消費電力が増加してしまい、結局、トータルでの消費電力については削減効果が少なかった。

また、データ信号線は、画素電極と同様に、対向電極及び補助容量線との間に容量を形成しており、更に所定のデータ信号を印加された後は、電気的に切り離された状態（フローティング状態）となっている。よって図９（ｇ）に示すように、対向電極の電位が変化する際に、画素電極と同様にデータ信号線は対向電極間との電位を保つように変化することとなる。これはデータ信号線と画素電極との間に形成される寄生容量の悪影響をキャンセルする働きがあるが、消費電力の削減という観点では問題となる。データ信号線には次の水平走査期間には前の水平走査期間の極性とは逆極性のデータ信号が与えられるため、その際の電位差が大きくなることから、所定の電位を充電することが難しくなる。よって、データ信号線への予備充電が必要となるなど消費電力削減の妨げとなっていた。

また、上記従来例の説明では、説明を簡略化するために、スイッチ素子が遮断状態の時、液晶層に充電された電荷はそのまま保持され電荷量が一定であると、画素電極と対向電極との間の電位差は対向電極の電位がどのように変化しようと常に一定であると説明したが、実際にはそうはならず、画素電極と対向電極間の電位差は１水平走査期間毎に僅かに変化してしまう。これは、前に述べたように画素電極には様々な寄生容量が付随しているためであり、フリッカを発生させる原因となっていた。

これに対し特許文献３には、ゲートライン（走査信号線）毎に設けられた補助容量ライン（補助容量線）に、ゲート電圧ＶＧの立ち下がり後に反転する補助容量電圧を印加するという液晶表示素子の駆動方法が開示されている。この方法によれば、表示信号電圧（画素電極に与えるべき信号電圧）の振幅を小さくすることで、データ信号線を駆動するための消費電力を低減できる。また、コモン電圧（対向電極の電圧）Ｖｃｏｍの振幅も小さくでき直流電圧とすることもできるので、対向電極を駆動するための消費電力も削減できる。しかも、ライン反転駆動が採用される場合であっても、各補助容量ラインは、１フレーム期間（１垂直走査期間）に１回だけ電位を変化させればよいので、補助容量ラインを駆動するための消費電力も低減される。さらに、従来とは異なり、ライン反転駆動が採用された際に画素電極と対向電極との間の電位差が１水平走査期間毎に僅かに変化してしまうということもないので、画素電極に付随する種々の寄生容量に基づくフリッカの発生が抑制される。

しかし、上記特許文献３に開示された駆動方法を使用するには、補助容量線の駆動回路として、当該駆動方法に応じた独自の駆動回路が必要となり、液晶表示装置を駆動するために回路規模やコストの増大を招く。特に、マトリクス状に配置された複数の画素回路からなる表示部とその表示部を駆動するための回路とが同一基板上に一体的に形成されるいわゆるドライバモノリシックタイプの液晶表示装置では、上記駆動方式をそのまま採用するのは、駆動のための回路規模やコストの点で問題となる。

そこで本発明は、補助容量線に対する上記のような駆動により高い表示品位と低消費電力を同時に実現しつつ駆動回路の規模やコストの増大を抑えることのできるアクティブマトリクス型表示装置及びその駆動回路を提供することを目的とする。

第１の発明は、複数のデータ信号線と、当該複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、当該複数のデータ信号線と当該複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素回路と、当該複数の走査信号線にそれぞれ沿って配置された複数の補助容量線とを有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
表示すべき画像を表す複数のデータ信号を前記複数のデータ信号線にそれぞれ印加するデータ側駆動回路と、
前記複数の走査信号線を選択的に駆動するための複数の走査信号を前記複数の走査信号線にそれぞれ印加すると共に、前記複数の補助容量線を駆動するための複数の補助容量信号を前記複数の補助容量線にそれぞれ印加する走査側駆動回路とを備え、
各画素回路は、
対応する交差点を通過する走査信号線の前記走査側駆動回路による選択／非選択に応じて導通状態／遮断状態となるスイッチ素子と、
対応する交差点を通過するデータ信号線に前記スイッチ素子を介して接続された画素電極と、
前記複数の画素回路に共通的に設けられた共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極とによって形成される画素容量と、
前記画素電極と前記対応する交差点を通過する走査信号線に沿って配置された補助容量線との間に形成される補助容量と、
前記画素容量に保持される電圧に応じて画素を表示する電気光学素子とを含み、
前記走査側駆動回路は、
前記走査信号線の数に対応する段数を有し所定の入力パルスを順次転送するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき前記複数の走査信号を生成する走査信号生成回路と、
前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき前記複数の補助容量信号を生成する補助容量信号生成回路とを含み、
前記補助容量信号生成回路は、
前記走査側駆動回路によっていずれかの走査信号線が選択状態から非選択状態へと切り替えられた後に、当該走査信号線の非選択状態への切り替えに応じて遮断状態となったスイッチ素子に接続される画素電極の電位に所定のバイアスが加わるように、当該走査信号線に沿って配置された補助容量線の電位を変化させる信号を、当該補助容量線に印加すべき補助容量信号として生成し、
各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線の走査信号を生成するための前記シフトレジスタの出力信号に基づき、当該後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させ、
生成される前記複数の補助容量信号の電圧値のうちいずれか一つを、前記複数の走査信号線に印加される電圧値のいずれかと同じとすることを特徴とする。

第２の発明は、第１の発明において、
前記シフトレジスタは、前記複数の走査信号線の選択順序が変更されるように前記入力パルスの転送方向を切り替えることができる双方向シフトレジスタであり、
前記補助容量信号生成回路は、前記複数の走査信号線の選択順序の変更による垂直走査方向の切り替えに応じて、各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させることを特徴とする。

第３の発明は、第１または第２の発明において、
前記走査側駆動回路は、各画素回路における前記スイッチ素子の形成材料と同じ材料を用いて、前記複数の画素回路が形成されている基板と同じ基板上に一体的に形成されていることを特徴とする。

第４の発明は、複数のデータ信号線と、当該複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、当該複数のデータ信号線と当該複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素回路と、当該複数の走査信号線にそれぞれ沿って配置された複数の補助容量線とを有するアクティブマトリクス型の表示装置の走査側駆動回路であって、
前記走査信号線の数に対応する段数を有し所定の入力パルスを順次転送するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき、前記複数の走査信号線を選択的に駆動するために前記複数の走査信号線にそれぞれ印加すべき複数の走査信号を生成する走査信号生成回路と、
前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき、前記複数の補助容量線にそれぞれ印加すべき複数の補助容量信号を生成する補助容量信号生成回路とを備え、
各画素回路は、
対応する交差点を通過する走査信号線の前記走査側駆動回路による選択／非選択に応じて導通状態／遮断状態となるスイッチ素子と、
対応する交差点を通過するデータ信号線に前記スイッチ素子を介して接続された画素電極と、
前記複数の画素回路に共通的に設けられた共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極とによって形成される画素容量と、
前記画素電極と前記対応する交差点を通過する走査信号線に沿って配置された補助容量線との間に形成される補助容量と、
前記画素容量に保持される電圧に応じて画素を表示する電気光学素子とを含み、
前記補助容量信号生成回路は、
前記走査側駆動回路によりいずれかの走査信号線が選択状態から非選択状態へと切り替えられた後に、当該走査信号線の非選択状態への切り替えに応じて遮断状態となったスイッチ素子に接続される画素電極の電位に所定のバイアスが加わるように、当該走査信号線に沿って配置された補助容量線の電位を変化させる信号を、当該補助容量線に印加すべき補助容量信号として生成し、
各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線の走査信号を生成するための前記シフトレジスタの出力信号に基づき、当該後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させ、
生成される前記複数の補助容量信号の電圧値のうちいずれか一つを、前記複数の走査信号線に印加される電圧値のいずれかと同じとすることを特徴とする。

第５の発明は、第４の発明において、
前記シフトレジスタは、前記複数の走査信号線の選択順序が変更されるように前記入力パルスの転送方向を切り替えることができる双方向シフトレジスタであり、
前記補助容量信号生成回路は、前記複数の走査信号線の選択順序の変更による垂直走査方向の切り替えに応じて、各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させることを特徴とする。

上記第１の発明によれば、いずれかの走査信号線が選択状態から非選択状態へと切り替えられると、その後、当該走査信号線に沿って配置された補助容量線の電位が変化することにより、当該走査信号線の非選択状態への切り替えに応じて遮断状態となったスイッチ素子に接続される画素電極の電位に所定のバイアスが加わり、そのバイアスの加わった画素電極電位と共通電極電位との差に相当する電圧が画素容量に保持され、その電圧に応じ電気光学素子にて画素が表示される。したがって、そのバイアスに相当する分だけデータ信号の電圧値（絶対値）を小さくすることができるので、データ信号線の駆動のための消費電力を低減することができる。また、各補助容量線は、１フレーム期間（１垂直走査期間）に１回だけ電位を変化させればよいので、補助容量線の駆動電力の低減に加えて、種々の寄生容量に基づくフリッカの発生が抑制されて表示品位も向上する。そして、このような効果を奏するように補助容量線を駆動するための補助容量信号が、走査側駆動回路において、走査信号を生成するためのシフトレジスタの各段の出力信号を用いて生成されるので、少ない消費電力で補助容量線を駆動することができると共に、走査信号線の駆動回路に対して少量の回路を追加するのみで補助容量線を駆動するための機能を実現することができる。このようにして、補助容量線に対する上記のような駆動により高い表示品位と低消費電力を同時に実現しつつ走査側駆動回路の規模やコストの増大を抑えることができる。また、走査側駆動回路の規模増大が抑制されることから、本発明に係る表示装置は、例えばドライバモノリシックタイプの液晶表示装置としても容易に実現することができる。
また、上記第１の発明によれば、補助容量信号生成回路は、各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線の走査信号を生成するためのシフトレジスタの出力信号に基づき、当該後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させるので、当該補助容量信号生成回路の構成を簡素化でき、それに応じて走査側駆動回路も簡素化できる。
また、上記第１の発明によれば、補助容量信号生成回路は、生成される補助容量信号の電圧値のうちいずれか一つを走査信号線に印加される電圧値のいずれかと同じとしているので、当該補助容量信号生成回路の構成を簡素化でき、それに応じて走査側駆動回路も簡素化できる。

上記第２の発明によれば、双方向シフトレジスタによって走査信号線の選択順序を変更することで垂直走査方向の切替が可能であり、垂直走査方向がいずれの方向に設定されても（正方向走査と逆方向走査のいずれであっても）、いずれかの走査信号線が選択状態から非選択状態へと切り替えられると、その後、当該走査信号線に沿って配置された補助容量線の電位が変化することにより、当該走査信号線の非選択状態への切り替えに応じて遮断状態となったスイッチ素子に接続される画素電極の電位に所定のバイアスが加わる。したがって、垂直走査方向の切り替え機能を有する表示装置においても、走査側駆動回路において、上記のように補助容量線を駆動するための機能を少量の回路を追加するのみで実現することができ、このような走査側駆動回路は、例えばドライバモノリシックタイプの液晶表示装置においても容易に実現することができる。

上記第３の発明によれば、走査側駆動回路を各画素回路におけるスイッチ素子の形成材料と同じ材料を用いて同じ基板上に一体的に形成することで、上記効果を奏するドライバモノリシック型の表示パネル（例えばドライバモノリシック型の液晶パネル）が実現される。

以下、本発明に係る表示装置の実施形態について図面を参照して詳述する。
＜１．第１の実施形態＞
＜１.１ 全体構成＞
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を表示部の等価回路と共に示すブロック図である。この液晶表示装置は、マトリクス状に配置された多数の画素形成部としての画素回路からなる表示部１００と、走査側の駆動回路としての走査信号線・補助容量線駆動回路（以下「走査側駆動回路」ともいう）２００と、データ側の駆動回路としてのデータ信号線駆動回路３００と、外部の信号源から与えられる画像信号および制御信号に基づき走査側駆動回路２００およびデータ信号線駆動回路３００を動作させるための制御信号および画像信号を生成する表示制御回路５００とを備えている。

本実施形態に係る液晶表示装置は、いわゆるドライバモノリシック型の液晶表示装置であって、液晶パネルにおいて、上記表示部１００と共に走査側駆動回路２００およびデータ信号線駆動回路３００が、同じ材料のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いて同一の絶縁性基板（ガラス基板等）上に一体的に形成されている。このＴＦＴの材料としては、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon）等を使用することができる。このような本実施形態における液晶パネルは以下のように構成されている。

本実施形態における液晶表示パネルは、電気光学素子としての液晶層を挟持する１対の基板からなり、各基板の外表面には偏光板が貼り付けられている。この１対の基板の一方はＴＦＴ基板と呼ばれ（「スイッチ素子アレイ基板」とも呼ばれる）、ＴＦＴ基板では、ガラス等の絶縁性基板上に、複数のデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）と複数の走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）とが互いに交差するように格子状に形成され、さらに、複数の走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）とほぼ平行に延在し且つそれぞれが独立に駆動可能なように複数の補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）が形成されている。また、複数のデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）と走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）との交差点にそれぞれ対応して複数の画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）がマトリクス状に形成されており（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）（以下、このようにマトリクス状に形成された当該複数の画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）を「画素マトリクス」ともいう）、各画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）は、図２に示すように、画素電極Ｅｐｉｘと、その画素電極Ｅｐｉｘと後述の対向電極Ｅｃｏｍとによって形成される液晶容量（以下「画素容量」ともいう）Ｃｃｌと、その画素電極Ｅｐｉｘとその近傍を通過する１つの補助容量線ＣｓＬ（ｎ）との間に形成される補助容量Ｃｃｓと、スイッチ素子としてのＴＦＴ１０（以下、このスイッチ素子を「画素スイッチ素子」という）とを含んでいる。このＴＦＴ１０のゲート端子およびソース端子は、当該画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）に対応する交差点を通過する走査信号線ＧＬ（ｎ）およびデータ信号線ＳＬ（ｍ）にそれぞれ接続され、このＴＦＴ１０のドレイン端子は画素電極Ｅｐｉｘに接続されている。また、ＴＦＴ基板における表示部１００の周辺部には、データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）を駆動する回路として上記データ信号線駆動回路３００と、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）の駆動回路および補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）の駆動回路を一体化した走査信号線・補助容量線駆動回路である走査側駆動回路２００とが、ＴＦＴを用いて形成されている。

一方、上記１対の基板の他方は対向基板と呼ばれ、ガラス等の透明な絶縁性基板上に、全面にわたって対向電極Ｅｃｏｍ、配向膜が順次積層されている。そして、この対向基板と上記ＴＦＴ基板との間に周囲を封止されて狭持された液晶層が存在し、この液晶層と、それを挟むように配置されている各画素電極Ｅｐｉｘおよび対向電極Ｅｃｏｍとによって上記の液晶容量Ｃｃｌが形成されている。なお、各画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）によって形成すべき画素の値に相当する電圧を保持するための総容量（以下、これを画素容量としての液晶容量Ｃｃｌと区別して「画素総容量」と呼ぶものとする）は、液晶容量Ｃｃｌと補助容量Ｃｃｓとから構成される。

上記のような液晶パネルにおいて、共通電極としての対向電極Ｅｃｏｍは所定の電位（直流電圧）Ｖｃｏｍに設定され（この電位は「対向電極電位」または「共通電極電位」と呼ばれる）、各画素電極Ｅｐｉｘと対向電極Ｅｃｏｍとによって挟持される液晶層には、それらの電極間の電位差に応じた電圧が印加される。これによって液晶層の各部分の光学的変調が行われることで画像表示が実現される。

＜１.２ 動作＞
次に、本実施形態に係る液晶表示装置の動作について説明する。図３は本実施形態に係る液晶表示装置の各信号線及び画素電極電位の概要を示す信号波形図である。ここでは、各データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）に各ライン分のデータに相当する信号を順次印加して、画素マトリクスの各行を構成する各画素回路Ｐ（ｎ，ｍ）の画素容量Ｃｃｌ（および補助容量Ｃｃｓ）に画素データを書き込んでいく点順次駆動方式が採用され、かつ、データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）に印加すべきデータ信号の（対向電極電位Ｖｃｏｍを基準とする）極性を１水平走査期間毎に反転させて駆動する１Ｈ反転駆動方式が採用されている場合を例に挙げて説明する。

図３（ａ）（ｂ）は、各走査信号線に加えられる走査信号のうちの２つを示したもので、同（ａ）は、走査信号線ＧＬ（ｎ）の走査信号を示し、同（ｂ）は垂直方向における後続の走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）の走査信号を示している。同（ｃ）は、補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に加えられる補助容量信号を示し、同（ｄ）は、垂直方向における後続の補助容量線ＣｓＬ（ｎ＋１）に加えられる補助容量信号を示している。これらは、それぞれ１水平走査期間毎に反転しており、かつそれぞれ対応する走査信号線の走査信号が画素スイッチ素子（ＴＦＴ）を遮断状態にさせる電位になった後に極性が反転する波形となっている。同（ｅ）は、データ信号線ＳＬ（ｍ）に加えられるデータ信号を示したもので、１水平走査期間毎に極性が反転する波形になっている。同（ｆ）（ｇ）は、画素電極電位Ｖｐｉｘを対向電極電位Ｖｃｏｍと共に示したものであり、これらによって示される画素電極電位Ｖｐｉｘと対向電極電位Ｖｃｏｍとの電位差が、画素電極と対向電極とに挟まれた液晶層に印加される電圧を示したものとなる。なお以下では、説明の便宜上、対向電極電位Ｖｃｏｍは“０”［Ｖ］であるものとする。

再度、走査信号線ＧＬ（ｎ）とデータ信号線ＳＬ（ｍ）との交点に対応する画素回路にＰ（ｎ，ｍ）に着目する（以下、この画素回路における画素電極を「画素電極Ａ」と呼ぶものとする）。まず、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続された画素スイッチ素子が導通状態になると（図３（ａ））、データ信号線ＳＬ（ｍ）からデータ信号として正電位ＶｄＡが画素電極に与えられ、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態となるまでの期間に、画素電極Ａに接続される画素容量としての液晶容量および補助容量が充電され、それによって画素電極Ａが電位ＶｄＡに保持される（図３（ｆ））。次に、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態になると、その画素容量としての液晶容量および補助容量に蓄積された電荷はそのまま保持される。この間、補助容量線ＣｓＬ（ｎ）は所定の低電位ＶＬとなっている。その後、走査側駆動回路（走査信号線・補助容量線駆動回路）２００は、補助容量線ＣｓＬ（ｎ）の電位を所定の高電位ＶＨに変化させる（図３（ｃ））。これにより、画素電極電位Ｖｐｉｘは、以下のようなＶｐｉｘＡに変化する（図３（ｃ））。
ＶｐｉｘＡ ＝ ＶｄＡ＋｛（Ｃｃｓ／Ｃｐ）・（ＶＨ−ＶＬ）｝ …（１）
ＶｄＡ ：入力データ信号電位
Ｃｃｓ ：画素電極毎の補助容量値
Ｃｐ ：画素電極毎の総容量値（画素総容量値）
ＶＨ ：補助容量線における高電位
ＶＬ ：補助容量線における低電位

その後、次フレームまでの期間、補助容量線ＣｓＬ（ｎ）には上記高電位ＶＨが与えられ、画素電極電位Ｖｐｉｘにバイアスが加わることになる。その結果、液晶層のうち画素電極Ａと対向電極とに狭持された部分である画素液晶には、図３（ｆ）に示す電圧ＶｌｃＰが印加され、画素スイッチ素子が再び導通状態になるまでの期間、電荷は保持される。

次に、走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）とデータ信号線ＳＬ（ｍ）との交点に対応する画素回路Ｐ（ｎ＋１，ｍ）に着目する（以下、この画素回路における画素電極を「画素電極Ｂ」と呼ぶものとする）。まず、走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に接続された画素スイッチ素子が導通状態になると（図３（ｂ））、データ信号線ＳＬ（ｍ）からデータ信号として負電位−ＶｄＢが画素電極に与えられ、走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態となるまでの期間に、画素電極Ｂに接続される画素容量としての液晶容量および補助容量が充電され、それによって画素電極Ｂが負電位−ＶｄＢに保持される（図３（ｇ））。次に、走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態になると、画素容量としての液晶容量および補助容量に蓄積された電荷はそのまま保持される。この間、補助容量線ＣｓＬ（ｎ＋１）は上記高電位ＶＨとなっている。その後、走査側駆動回路２００は、補助容量線ＣｓＬ（ｎ＋１）の電位を上記低電位ＶＬに変化させる（図３（ｄ））。これにより、画素電極電位Ｖｐｉｘは、以下のようなＶｐｉｘＢに変化する。
ＶｐｉｘＢ ＝ −ＶｄＢ−｛（Ｃｃｓ／Ｃｐ）・（ＶＨ−ＶＬ）｝ …（２）
−ＶｄＢ：入力データ信号電位
Ｃｃｓ ：画素電極毎の補助容量値
Ｃｐ ：画素電極毎の総容量値（画素総容量値）
ＶＨ ：補助容量線における高電位
ＶＬ ：補助容量線における低電位

その後、次フレームまでの期間、補助容量線ＣｓＬ（ｎ＋１）には上記低電位ＶＬが与えられ、画素電極電位にバイアスが加わることになる。その結果、液晶層のうち画素電極Ｂと対向電極とに狭持された部分である画素液晶には、図３（ｇ）に示す電圧ＶｌｃＮが印加され、画素スイッチ素子が再び導通状態になるまでの期間、電荷は保持される。

上記のようにして、Ｎ本の走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）に対応して配設されたＮ本の補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）がそれぞれ独立して順次駆動されることで、対向電極電位Ｖｃｏｍが直流（ＤＣ）でありながら、同一の走査信号線にて導通／遮断が制御される画素スイッチ素子に接続される画素電極群毎に画素電極電位Ｖｐｉｘにバイアスが加わり、そのバイアスの加わった画素電極電位Ｖｐｉｘと対向電極電位Ｖｃｏｍとの差に相当する電圧が実効値として液晶層に印加されることとなる。その結果、小さい入力データ信号振幅で液晶層にはより大きな値の電圧を加えることができる。すなわち、画素電極に接続される画素スイッチ素子が導通状態から遮断状態へと変化した後に、その画素スイッチ素子（ＴＦＴ）のゲート電極端子に接続される走査信号線に対応する補助容量線の電位が（ＶＬ→ＶＨまたはＶＬ→ＶＨへと）変化し、この変化による画素電極電位Ｖｐｉｘの変化量（これは、液晶層のうち当該画素電極と対向電極とに挟持された部分である画素液晶への印加電圧の変化量でもある）は、次式で表される変化量ΔＶｏｆｔとなる（以下、この変化量ΔＶｏｆｔを「オフセット電圧ΔＶｏｆｔ」という）。
ｉ）当該画素電極に与えられるデータ信号の電位Ｖｄが正のとき
ΔＶｏｆｔ＝（Ｃｃｓ／Ｃｐ）・（ＶＨ−ＶＬ）
ii）当該画素電極に与えられるデータ信号の電位Ｖｄが負のとき
ΔＶｏｆｔ＝−（Ｃｃｓ／Ｃｐ）・（ＶＨ−ＶＬ）

したがって、上記画素スイッチ素子が導通状態のときの画素電極電位Ｖｐｉｘと対向電極電位Ｖｃｏｍ（固定）との差は、当該画素電極と対向電極に狭持された画素液晶に印加すべき所望の電圧値（絶対値）よりも上記オフセット電圧（絶対値｜ΔＶｏｆｔ｜）だけ小さい値でよいことになる。これにより、対向電極を交流駆動せずに対向電極電位Ｖｃｏｍを固定しても、各データ信号線ＳＬ（ｍ）（ｍ＝１〜Ｍ）を小さい振幅のデータ信号で駆動することが可能となる（図３（ｅ））。

＜１.３ 走査側駆動回路の構成＞
図４は、本実施形態における走査側駆動回路（走査信号線・補助容量線駆動回路）２００の構成を表示部の構成と共に示す回路図であり、図５は、この走査側駆動回路２００で使用されるＴ型フリップフロップ、第１タイプのセレクタ、第２タイプのセレクタ、およびバッファの構成を示す回路図である。以下、図４および図５を参照して、走査側駆動回路２００の構成について説明する。

この走査側駆動回路２００は、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）を駆動する機能と、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動する機能とを併有する駆動回路であって、各補助容量線ＣｓＬ（ｎ）を駆動すべく当該補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に印加する補助容量信号の電圧値を、その補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に対応する走査信号線ＧＬ（ｎ）の垂直走査方向の後続の走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に接続される画素スイッチ素子を導通状態とする走査信号タイミングによって変化させる回路を含んでいる。

この走査側駆動回路２００は、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）の数Ｎに等しい個数のフリップフロップＦＦ（１）〜ＦＦ（Ｎ）からなるＮ段のシフトレジスタ（単方向シフトレジスタ）２０２と、そのシフトレジスタ２０２の各段すなわち各フリップフロップＦＦ（ｉ）に対応して設けられたバッファ２１，２２、Ｔ型フリップフロップ２４、およびセレクタ２５とを備えている（ｉ＝１〜Ｎ）。なお、図４では、図示の簡略化のため、表示部１００については、４本のデータ信号線ＳＬ（ｍ−１）〜ＳＬ（ｍ＋１）と、４本の走査信号線ＧＬ（ｎ−１）〜ＧＬ（ｎ＋２）と、４本の補助容量線ＣｓＬ（ｎ−１）〜ＣｓＬ（ｎ＋２）と、それらのデータ信号線ＳＬ（ｍ−１）〜ＳＬ（ｍ＋１）と走査信号線ＧＬ（ｎ−１）〜ＧＬ（ｎ＋２）との交差点にそれぞれ対応する１６個の画素回路のみが便宜的に示されている。

シフトレジスタ２０２における各フリップフロップＦＦ（ｉ）の出力端子には、そのフリップフロップＦＦ（ｉ）に対応して設けられた２個のバッファ２１，２２が順に接続されている。これらのバッファ２１，２２は走査信号生成回路を構成する。これらのバッファ２１，２２は、例えば図５（ｄ）（ｅ）に示すような構成であって、そのフリップフロップＦＦ（ｉ）の出力信号がハイレベル（Ｈレベル）のとき、対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に接続された画素スイッチ素子１０を導通状態とする所定の高電圧であるゲートオン電圧Ｖｇｈを走査信号として出力し、そのフリップフロップＦＦ（ｉ）の出力信号がローレベル（Ｌレベル）のとき、対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に接続された画素スイッチ素子１０を遮断状態とする所定の低電圧であるゲートオフ電圧Ｖｇｌを走査信号として出力する。

また、シフトレジスタ２０２における各フリップフロップＦＦ（ｉ）の出力端子が、そのフリップフロップＦＦ（ｉ）に対応するＴ型フリップフロップ２４のＴ端子に接続されると共に、そのフリップフロップＦＦ（ｉ）の出力端子に接続されたバッファ２１の出力端子が、当該Ｔ型フリップフロップ２４のＴＢ端子に接続されている。ここで、Ｔ型フリップフロップ２４は、図５（ａ）に示すように構成されている。したがって、フリップフロップＦＦ（ｉ）の出力端子からパルスが１個出力される毎に、対応するＴ型フリップフロップ２４の出力信号の論理レベルが反転する。

各フリップフロップＦＦ（ｉ）に対応する上記のＴ型フリップフロップ２４の出力信号（Ｑ端子の出力信号およびその論理反転信号であるＱＢ端子の出力信号）は、そのフリップフロップＦＦ（ｉ）に対応するセレクタ２５に入力される。本実施形態における走査側駆動回路２００では、このセレクタ２５として、図５（ｂ）に示す構成の第１タイプのセレクタＳＥＬ１と、図５（ｃ）に示す構成の第２タイプのセレクタＳＥＬ２との２種類のセレクタがシフトレジスタ２０２におけるフリップフロップＦＦ（１）〜ＦＦ（Ｎ）に対して交互に使用される。例えば、奇数番目のフリップフロップＦＦ（ｉ１）に対応するセレクタ２５には第１タイプのセレクタＳＥＬ１が使用され（ｉ１は奇数）、偶数番目のフリップフロップＦＦ（ｉ２）に対応するセレクタ２５には第２タイプのセレクタＳＥＬ２が使用される（ｉ２は偶数）。第１および第２タイプのセレクタＳＥＬ１，ＳＥＬ２は共に、入力端子としてＱ入力端子の他にそのＱ入力端子への入力信号の論理反転信号を入力すべきＱＢ入力端子を有している。そして、図５（ｂ）からわかるように、第１タイプのセレクタＳＥＬ１は、Ｑ入力端子にＨレベルの信号がＱＢ入力端子にＬレベルの信号がそれぞれ入力されたときに、補助容量線駆動のための既述の低電圧ＶＬを出力信号として出力し、Ｑ入力端子にＬレベルの信号がＱＢ入力端子にＨレベルの信号がそれぞれ入力されたときに、補助容量線駆動のための既述の高電圧ＶＨを出力信号として出力する。また、図５（ｃ）からわかるように、第２タイプのセレクタＳＥＬ２は、Ｑ入力端子にＨレベルの信号がＱＢ入力端子にＬレベルの信号がそれぞれ入力されたときに、上記高電圧ＶＨを出力信号として出力し、Ｑ入力端子にＬレベルの信号がＱＢ入力端子にＨレベルの信号がそれぞれ入力されたときに、上記低電圧ＶＬを出力信号として出力する。このようにして各フリップフロップＦＦ（ｉ）に対応する第１または第２タイプのセレクタＳＥＬ１，ＳＥＬ２から出力される出力信号は、補助容量信号として補助容量線ＣｓＬ（ｉ−１）に印加される。したがって、各走査信号線ＧＬ（ｉ）に対応する補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に印加される補助容量信号は、垂直走査方向において当該走査信号線ＧＬ（ｉ）の後続の走査信号線ＧＬ（ｉ＋１）の走査信号を生成するためのシフトレジスタの出力信号を用いて生成されることになる。

なお、初期状態（駆動開始前）においては、１Ｈ反転駆動に適合するようにセット状態のＴ型フリップフロップとリセット状態のＴ型フリップフロップとが交互に並ぶように、シフトレジスタ２０２における各フリップフロップＦＦ（ｉ）に対応するＮ個のＴ型フリップフロップが初期化される。例えば、奇数番目のフリップフロップＦＦ（ｉ１）に対応するＴ型フリップフロップ２４がセット状態となり（ｉ１が奇数）、偶数番目のフリップフロップＦＦ（ｉ２）に対応するＴ型フリップフロップ２４がリセット状態となるように（ｉ２は偶数）、初期化のためのパルス信号が表示制御回路５００からＴ型フリップフロップ２４における入力信号ＩＮＩ１およびＩＮＩ２（図５（ａ））として与えられる。

上記のような構成によれば、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（Ｎ）を駆動するための走査信号を生成するためのシフトレジスタ２０２の各段の出力信号に基づき、Ｔ型フリップフロップ２４およびセレクタ２５（第１または第２タイプのセレクタＳＥＬ１，ＳＥＬ２）により、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動するための補助容量信号が生成される。したがって、シフトレジスタ２０２の各段（各フリップフロップＦＦ（ｉ））に対応して設けられたＴ型フリップフロップ２４およびセレクタ２５は、補助容量信号生成回路を構成することになる。このような補助容量信号生成回路によって生成された補助容量信号を用いて、図３に示した既述の動作が行われる。

すなわち、まず、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続された画素スイッチ素子が導通状態になると（図３（ａ））、データ信号線ＳＬ（ｍ）からデータ信号として正電位ＶｄＡが画素電極Ａに与えられ、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態となるまでの期間に、画素電極Ａに接続される画素容量としての液晶容量および補助容量が充電されることによって画素電極Ａが電位ＶｄＡに保持される（図３（ｆ））。次に、走査信号線ＧＬ（ｎ）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態になると、その画素容量としての液晶容量および補助容量に蓄積された電荷はそのまま保持される。この間、補助容量線ＣｓＬ（ｎ）は上記低電位ＶＬとなっている。次に、走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に接続された画素スイッチ素子が導通状態になると（図３（ｂ））、同じくデータ信号線ＳＬ（ｍ）からデータ信号として負電位−ＶｄＢが画素電極Ｂに与えられ、走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に接続された画素スイッチ素子が遮断状態となるまでの期間に、画素電極Ｂに接続される画素容量としての液晶容量および補助容量が充電されることによって画素電極Ｂが負電位−ＶｄＡに保持される（図３（ｇ））。このとき走査側駆動回路２００（図４）は、その走査信号線ＧＬ（ｎ＋１）に印加すべき走査信号を生成するためのシフトレジスタ２０２の出力信号すなわちフリップフロップＦＦ（ｎ＋１）の出力信号を用いて補助容量信号を生成し、当該補助容量信号を補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に印加することにより、前述した画素電極Ａに接続された補助容量を形成する補助容量線ＣｓＬ（ｎ）の電位を上記低電位ＶＬから高電位ＶＨへと変化させる（図３（ｃ））。

次に、走査信号線ＧＬ（ｎ＋２）に接続された画素スイッチ素子が導通状態になると同時に、その走査信号線ＧＬ（ｎ＋２）に印加すべき走査信号を生成するためのシフトレジスタ２０２の出力信号すなわちフリップフロップＦＦ（ｎ＋２）の出力信号を用いて補助容量信号を生成し、当該補助容量信号を補助容量線ＣｓＬ（ｎ＋１）に印加することにより、前述した画素電極Ｂに接続された補助容量を形成する補助容量線ＣｓＬ（ｎ＋１）の電位を上記高電位ＶＨから低電位ＶＬへと変化させる（図３（ｄ））。

上記のようにして、同一の走査信号線にて導通／遮断が制御される画素スイッチ素子に接続される画素電極群毎に画素電極電位Ｖｐｉｘにバイアスが加わり、そのバイアスの加わった画素電極電位Ｖｐｉｘと対向電極電位Ｖｃｏｍとの差に相当する電圧が実効値として液晶層に印加されることとなる。これにより、対向電極を交流駆動せずに対向電極電位Ｖｃｏｍを固定にしつつ、従来よりも振幅の小さいデータ信号でデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）を駆動することができる。

＜１.４ 効果＞
以上のように本実施形態によれば、対向ＡＣ駆動のための対向電極信号発生回路を必要とせず、入力データ信号振幅を小さくできるため、データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）の駆動のための消費電力を低減することができる。また、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）はそれぞれ独立して異なるタイミングで電位が変化するため（図３（ｃ）（ｄ））、データ信号線電位が受ける影響はほとんど無い。よって、次の水平走査期間においてデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）を駆動する際のデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）への充電が容易になることから、データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）への予備充電を必要とせず、さらなる低消費電力化を図ることができる。また、従来例で挙げた対向ＡＣ駆動では、対向電極電位および補助容量線が１水平期間毎に極性が反転していたのに対し、本実施形態では、それぞれの補助容量線ＣｓＬ（ｎ）（ｎ＝１〜Ｎ）は独立して駆動され、１垂直期間毎（１フレーム期間毎）にだけ極性が反転する（図３（ｃ）（ｄ））。したがって本実施形態によれば、画素電極に付随する様々な寄生容量の悪影響を受けることがほとんどないことから、フリッカ等を発生させることなく高い表示品位を実現することができる。

そして本実施形態によれば、上記効果を奏するように補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動するための補助容量信号が、走査側駆動回路２００において、走査信号を生成するためのシフトレジスタの各段の出力信号を用いて生成される。すなわち、走査側駆動回路２００は、シフトレジスタ２０２を共有する走査信号線駆動回路と補助容量線駆動回路とが一体化された回路となっているので、少ない消費電力で補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動することができると共に、比較的少量の回路を追加するのみで補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動するための機能を実現することができる（図４）。したがって、このような走査側駆動回路２００は、ドライバモノリシックタイプの液晶表示装置においても容易に実現することができる。

＜１.５ 変形例等＞
上記実施形態では点順次駆動方式が採用されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、線順次駆動方式が採用された液晶表示装置に対しても本発明の適用が可能であり、同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態では交流駆動の方式として１Ｈ反転駆動方式が採用されているが、２Ｈ反転駆動方式またはフレーム反転駆動方式が採用されている場合であっても本発明の適用が可能であり、同様の効果を得ることができる。

さらに、上記式（１）および（２）からわかるように、画素電極電位ＶｐｉｘＡおよびＶｐｉｘＢは、補助容量線における高電位ＶＨと低電位ＶＬとの差ＶＨ−ＶＬに依存し、これら高電位ＶＨと低電位ＶＬのうち一方は任意に設定することができる。したがって、これら高電位ＶＨと低電位ＶＬのうちいずれか一方を、走査信号線への印加電圧（走査信号線の電圧）であるゲートオン電圧Ｖｇｈとゲートオフ電圧Ｖｇｌのいずれかと等しくなるようにしてもよい。このようにすれば、走査側駆動回路２０２における電源ラインが簡素化され、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動するための機能の実現に必要な回路量をさらに低減することができる。なお、画素電極電位ＶｐｉｘＡおよびＶｐｉｘＢは容量比Ｃｃｓ／Ｃｐにも依存し、この容量比Ｃｃｓ／Ｃｐを大きく設定すると、上記の電位差ＶＨ−ＶＬを小さくできることから、例えばＣｃｓ／ＣＰ＞０．５とするのが好ましい。

＜２．第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成は、上記第１の実施形態における全体構成と基本的に同様であるので説明を省略し、以下では、走査側駆動回路２００の構成および動作を中心に説明する。なお以下では、本実施形態に係る液晶表示装置のうち上記第１の実施形態に係る液晶表示装置と同一または対応する部分には同一の参照符号を付すものとする。

＜２.１ 走査側駆動回路の構成＞
本実施形態に係る液晶表示装置では、表示部における走査信号線の選択される順序（ゲートオン電圧Ｖｇｈが印加される順序）の切り替えが可能にすなわち垂直走査方向の切り替えが可能に構成されており、垂直走査方向を指定する制御信号（以下「走査方向制御信号」という）ＵＤが表示制御回路５００で生成され走査側駆動回路に与えられる。この走査方向制御信号ＵＤは、走査線番号の昇順に走査が行われる場合、すなわち走査信号線がＧＬ（１）→ＧＬ（２）→……→ＧＬ（Ｎ）という順に選択されるようにゲートオン電圧Ｖｇｈが印加される場合にＨレベルとなり、走査線番号の降順に走査が行われる場合、すなわち走査信号線がＧＬ（Ｎ）→ＧＬ（Ｎ−１）→……→ＧＬ（１）という順に選択されるようにゲートオン電圧Ｖｇｈが印加される場合にＬレベルとなる。なお以下では、この走査方向制御信号ＵＤを論理反転信号を記号“ＵＤＢ”で示すものとする。

図６は、本実施形態における走査側駆動回路（走査信号線・補助容量線駆動回路）２００の構成を表示部１００の構成と共に示す回路図である。以下では説明の便宜上、図６に示すように、表示部１００には、４本のデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（４）と、４本の走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（４）と、４本の補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（４）とが配設され、それらのデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（４）と走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（４）との交差点にそれぞれ対応する１６個の画素回路のみが設けられているものとする（Ｎ＝Ｍ＝４として説明する）。

本実施形態における走査側駆動回路２００も、上記第１の実施形態と同様、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（４）を駆動する機能と、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（４）を駆動する機能とを併有する駆動回路であって、各補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に印加する補助容量信号の電圧値を、その補助容量線ＣｓＬ（ｎ）に対応する走査信号線ＧＬ（ｎ）の垂直走査方向の後続の走査信号線に接続される画素スイッチ素子を導通状態とするタイミングによって変化させる回路を含んでいる。しかし、本実施形態は垂直走査方向を切り替える機能を有することから、走査側駆動回路２００は、図６に示すように、走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（４）の数に等しい個数（４個）のフリップフロップＦＦＢ（１）〜ＦＦＢ（４）を含む双方向シフトレジスタ２０４と、これらのフリップフロップＦＦＢ（１）〜ＦＦＢ（４）のそれぞれに対応して設けられた２個のバッファ２１ｂ，２２ｂと、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（４）の数に等しい個数（４個）の補助容量信号生成回路２６とを備えている。ここで、上記４個のフリップフロップＦＦＢ（１）〜ＦＦＢ（４）は走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（４）にそれぞれ対応し、上記４個の補助容量信号生成回路２６は補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（４）にそれぞれ対応する。

双方向シフトレジスタ２０４では、上記の４個のフリップフロップＦＦＢ（１）〜ＦＦＢ（４）が順に直列に接続されていると共に、その先頭にフリップフロップＦＦＤ１が、その後尾にフリップフロップＦＦＤ２が更に設けられており、これらのフリップフロップＦＦＢ（１）〜ＦＦＢ（４），ＦＦＤ１，ＦＦＤ２は、上記走査方向制御信号ＵＤに基づきシフトレジスタ２０４における入力パルスの転送方向を切り替える。すなわち、走査方向制御信号ＵＤがＨレベルのときには、ゲートスタートパルスが表示制御回路５００からフリップフロップＦＦＤ１に与えられ、表示制御回路５００から与えられるゲートクロック（１水平期間をパルス周期とするクロック信号）に基づき、このスタートパルスがＦＦＤ１→ＦＦＢ（１）→ＦＦＢ（２）→ＦＦＢ（３）→ＦＦＢ（４）→ＦＦＤ２という順に各フリップフロップを転送されていく。一方、走査方向制御信号ＵＤがＬレベルのときには、上記ゲートスタートパルスがフリップフロップＦＦＤ２に与えられ、上記ゲートクロックに基づき、このスタートパルスが上記と逆順に各フリップフロップを転送されていく。

双方向シフトレジスタ２０４における上記４個のフリップフロップＦＦＢ（１）〜ＦＦＢ（４）のそれぞれの出力端子には、そのフリップフロップＦＦＢ（ｉ）に対応して設けられた２個のバッファ２１ｂ，２２ｂが順に接続されている（ｉ＝１〜４）。そして、各フリップフロップＦＦＢ（ｉ）に対応して設けられたバッファ２２ｂは、そのフリップフロップＦＦＢ（ｉ）の出力信号がＨレベルのとき、対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に接続された画素スイッチ素子を導通状態とするゲートオン電圧Ｖｇｈを走査信号として出力し、そのフリップフロップＦＦＢ（ｉ）の出力信号がローレベルのとき、対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に接続された画素スイッチ素子を遮断状態とするゲートオフ電圧Ｖｇｌを出力する。

上記４個の補助容量信号生成回路２６としては、図７（ａ）に示す構成のＡタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＡと図７（ｂ）に示す構成のＢタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＢとが、交互に配置されており、奇数番目の補助容量線ＣｓＬ（１），ＣｓＬ（３）にはＡタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＡが接続され、偶数番目の補助容量線ＣｓＬ（２），ＣｓＬ（４）にはＢタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＢが接続されている。

本実施形態では垂直走査方向の切替が可能となっていることから、図６に示すように、各補助容量信号生成回路２６には、それに接続される補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に対応するフリップフロップＦＦＢ（ｉ）の後段のフリップフロップＦＦＢ（ｉ＋１）の出力信号がＴ１入力端子に与えられると共に、当該フリップフロップＦＦＢ（ｉ）の前段のフリップフロップＦＦＢ（ｉ−１）の出力信号がＴ２入力端子に与えられる。ただし、ｉ＝１〜４とし、ＦＦＤ１をＦＦＢ（０）とみなし、ＦＦＤ２をＦＦＢ（５）とみなすものとする（以下においても同様）。

奇数番目の補助容量線ＣｓＬ（１），ＣｓＬ（３）に接続される補助容量信号生成回路２６であるＡタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＡは、図７（ａ）に示すように、Ｔ１入力端子に与えられる信号（以下「入力信号Ｔ１」という）とＴ２入力端子に与えられる信号（以下「入力信号Ｔ２」という）とのうちいずれか一方を走査方向制御信号ＵＤに応じて選択する入力信号切替回路２６１と、この入力信号切替回路２６１によって選択された信号Ｔとしてパルスが１個入力される毎に、出力信号の電圧を既述の高電圧ＶＨと低電圧ＶＬとの間で切り替える出力電圧切替回路２６２とからなる。この出力電圧切替回路２６２では、表示制御回路５００から初期設定のためのパルスが信号ＩＮＩとして与えられることにより上記高電圧ＶＨを出力する状態に初期化されるようになっている。偶数番目の補助容量線ＣｓＬ（２）、ＣｓＬ（４）に接続される補助容量信号生成回路２６であるＢタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＢも、図７（ｂ）に示すように、Ａタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＡと同様、入力信号切替回路２６１と出力電圧切替回路２６３とからなる。しかし、このＢタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＢにおける出力電圧切替回路２６３は、初期化設定のためのパルスが上記ＩＮＩとして与えられることにより上記低電圧ＶＬを出力する状態に初期化されるようになっており、この点でＢタイプの補助容量信号生成回路ＳＥＬＢにおける出力電圧切替回路２６２とは相違する。

上記のように構成された走査側駆動回路２００では、走査方向制御信号ＵＤに応じてシフトレジスタ２０４におけるスタートパルスの転送方向が切り替えられ、走査方向制御信号ＵＤがＨレベルの場合には、走査信号線がＧＬ（１）→ＧＬ（２）→ＧＬ（３）→ＧＬ（４）という順に選択され（以下、このような順序での走査信号線の選択を「正方向走査」という）、走査方向制御信号ＵＤがＬレベルの場合には、走査信号線がＧＬ（４）→ＧＬ（３）→ＧＬ（２）→ＧＬ（１）という順に選択される（以下、このような順序での走査信号線の選択を「逆方向走査」という）。また、各補助容量線ＣｓＬ（ｉ）を駆動する補助容量信号生成回路２６は、走査方向制御信号ＵＤがＨレベルの場合すなわち正方向走査が行われる場合には、当該補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に対応するフリップフロップＦＦＢ（ｉ）の後段のフリップフロップＦＦＢ（ｉ＋１）の出力信号を信号Ｔとして選択し、当該補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に印加すべき補助容量信号の電圧を、その信号Ｔに応じて上記高電圧ＶＨと低電圧ＶＬとの間での切り替える。一方、走査方向制御信号ＵＤがＬレベルの場合すなわち逆方向走査が行われる場合には、各補助容量線ＣｓＬ（ｉ）を駆動する補助容量信号生成回路２６は、当該補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に対応する走査信号線ＧＬ（ｉ）に対応するフリップフロップＦＦＢ（ｉ）の前段のフリップフロップＦＦＢ（ｉ−１）の出力信号を信号Ｔとして選択し、当該補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に印加すべき補助容量信号の電圧を、その信号Ｔに応じて上記高電圧ＶＨと低電圧ＶＬとの間での切り替える。このように本実施形態においても、各走査信号線ＧＬ（ｉ）に対応する補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に印加される補助容量信号は、上記第１の実施形態と同様、垂直走査方向において当該走査信号線ＧＬ（ｉ）の後続の走査信号線である走査信号線ＧＬ（ｉ＋１）またはＧＬ（ｉ−１）の走査信号を生成するためのシフトレジスタの出力信号を用いて生成される。なお本実施形態において、走査信号線ＧＬ（ｉ）の後続の走査信号線とは、走査方向制御信号ＵＤがＨレベルのときは走査信号線ＧＬ（ｉ＋１）であり、走査方向制御信号ＵＤがＬレベルのときは走査信号線ＧＬ（ｉ−１）である。

上記のような走査側駆動回路２００によれば、走査方向制御信号ＵＤによって走査方向が切り替えられる場合であっても、補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（４）は対応する走査信号線ＧＬ（１）〜ＧＬ（４）毎に独立に駆動され、各データ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（４）に印加されたデータ信号の電圧が、選択状態の走査信号線ＧＬ（ｉ）に接続された導通状態の画素スイッチ素子を介して画素容量に書き込まれ、当該走査信号線ＧＬ（ｉ）が選択状態から非選択状態としなって当該画素スイッチ素子が遮断状態となった後に、当該走査信号線ＧＬ（ｉ）に対応する補助容量線ＣｓＬ（ｉ）に印加される補助容量信号の電圧が変化する（ＶＨ→ＶＬまたはＶＬ→ＶＨの変化）。これによって、同一の走査信号線にて導通／遮断が制御される画素スイッチ素子に接続される画素電極群毎に画素電極電位Ｖｐｉｘにバイアスが加わり、そのバイアスの加わった画素電極電位Ｖｐｉｘと対向電極電位Ｖｃｏｍとの差に相当する電圧が実効値として液晶層に印加されることとなる。その結果、対向電極を交流駆動せずに、従来よりも振幅の小さいデータ信号でデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）を駆動することができる。

＜２.４ 効果＞
以上のように本実施形態によれば、上記構成の走査側駆動回路２００（図６および図７）により、走査方向が切り替えられる場合であっても、同一の走査信号線にて導通／遮断が制御される画素スイッチ素子に接続される画素電極群毎に画素電極電位Ｖｐｉｘにバイアスが加えられ、これにより、対向ＡＣ駆動を行うことなく、従来よりも振幅の小さいデータ信号でデータ信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（Ｍ）を駆動することができる。したがって、走査方向の切り替え機能を有する液晶表示装置において上記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。そして、そのような効果を奏するように補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動するための補助容量信号が、走査側駆動回路２００において、走査信号を生成するための双方向シフトレジスタ２０４の各段の出力信号を用いて生成されるので、少ない消費電力により補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動することができ、また、比較的少量の回路を追加するのみで補助容量線ＣｓＬ（１）〜ＣｓＬ（Ｎ）を駆動するための機能を実現することができる。また、各補助容量線は、１フレーム期間（１垂直走査期間）に１回だけ電位を変化させればよいので、補助容量線の駆動電力の低減に加えて、種々の寄生容量に基づくフリッカの発生が抑制されて表示品位も向上する。

本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を表示部の等価回路と共に示すブロック図である。 上記第１の実施形態における画素回路の構成を示す回路図である。 上記第１の実施形態に係る液晶表示装置の動作を説明するための信号波形図である。 上記第１の実施形態における走査側駆動回路（走査信号線・補助容量線駆動回路）の構成を表示部の構成と共に示す回路図である。 上記第１の実施形態における走査側駆動回路で使用されるＴ型フリップフロップ、第１および第２タイプのセレクタ、ならびにバッファの構成を示す回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置における走査側駆動回路（走査信号線・補助容量線駆動回路）の構成を表示部の構成と共に示す回路図である。 上記第２の実施形態における走査側駆動回路で使用されるＡタイプおよびＢタイプの補助容量信号生成回路の構成を示す回路図である。 従来の液晶表示装置の概略構成を表示部の等価回路と共に示すブロック図である。 上記従来の液晶表示装置の動作を説明するための信号波形図である。

符号の説明

１０ …画素スイッチ素子（ＴＦＴ）
２１，２２ …バッファ
２１ｂ，２２ｂ …バッファ
２４ …Ｔ型フリップフロップ
２５ …セレクタ
２６ …補助容量信号生成回路
１００ …表示部
２００ …データ信号線駆動回路（データ側駆動回路）
２０２ …シフトレジスタ（単方向シフトレジスタ）
２０４ …シフトレジスタ（双方向シフトレジスタ）
２００ …走査信号線・補助容量線駆動回路（走査側駆動回路）
３００ …データ信号線駆動回路（データ側駆動回路）
５００ …表示制御回路
Ｃｃｌ …液晶容量（画素容量）
Ｃｃｓ …補助容量
Ｅｃｏｍ …対向電極（共通電極）
Ｅｐｉｘ …画素電極
ＦＦ（ｉ） …フリップフロップ（ｉ＝１〜Ｎ）
ＦＦＢ（ｉ） …フリップフロップ（ｉ＝１〜Ｎ）
ＦＦＤ１，ＦＦＤ２…フリップフロップ
ＣｓＬ（ｎ） …補助容量線（ｎ＝１〜Ｎ）
ＧＬ（ｎ） …走査信号線（ｎ＝１〜Ｎ）
ＳＬ（ｍ） …データ号線（ｍ＝１〜Ｍ）
Ｐ（ｎ，ｍ） …画素回路（ｎ＝１〜Ｎ、ｍ＝１〜Ｍ）

Claims (5)

1. 複数のデータ信号線と、当該複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、当該複数のデータ信号線と当該複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素回路と、当該複数の走査信号線にそれぞれ沿って配置された複数の補助容量線とを有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
   表示すべき画像を表す複数のデータ信号を前記複数のデータ信号線にそれぞれ印加するデータ側駆動回路と、
   前記複数の走査信号線を選択的に駆動するための複数の走査信号を前記複数の走査信号線にそれぞれ印加すると共に、前記複数の補助容量線を駆動するための複数の補助容量信号を前記複数の補助容量線にそれぞれ印加する走査側駆動回路とを備え、
   各画素回路は、
   対応する交差点を通過する走査信号線の前記走査側駆動回路による選択／非選択に応じて導通状態／遮断状態となるスイッチ素子と、
   対応する交差点を通過するデータ信号線に前記スイッチ素子を介して接続された画素電極と、
   前記複数の画素回路に共通的に設けられた共通電極と、
   前記画素電極と前記共通電極とによって形成される画素容量と、
   前記画素電極と前記対応する交差点を通過する走査信号線に沿って配置された補助容量線との間に形成される補助容量と、
   前記画素容量に保持される電圧に応じて画素を表示する電気光学素子とを含み、
   前記走査側駆動回路は、
   前記走査信号線の数に対応する段数を有し所定の入力パルスを順次転送するシフトレジスタと、
   前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき前記複数の走査信号を生成する走査信号生成回路と、
   前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき前記複数の補助容量信号を生成する補助容量信号生成回路とを含み、
   前記補助容量信号生成回路は、
   前記走査側駆動回路によっていずれかの走査信号線が選択状態から非選択状態へと切り替えられた後に、当該走査信号線の非選択状態への切り替えに応じて遮断状態となったスイッチ素子に接続される画素電極の電位に所定のバイアスが加わるように、当該走査信号線に沿って配置された補助容量線の電位を変化させる信号を、当該補助容量線に印加すべき補助容量信号として生成し、
   各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線の走査信号を生成するための前記シフトレジスタの出力信号に基づき、当該後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させ、
   生成される前記複数の補助容量信号の電圧値のうちいずれか一つを、前記複数の走査信号線に印加される電圧値のいずれかと同じとすることを特徴とする、表示装置。
2. 前記シフトレジスタは、前記複数の走査信号線の選択順序が変更されるように前記入力パルスの転送方向を切り替えることができる双方向シフトレジスタであり、
   前記補助容量信号生成回路は、前記複数の走査信号線の選択順序の変更による垂直走査方向の切り替えに応じて、各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記走査側駆動回路は、各画素回路における前記スイッチ素子の形成材料と同じ材料を用いて、前記複数の画素回路が形成されている基板と同じ基板上に一体的に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 複数のデータ信号線と、当該複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、当該複数のデータ信号線と当該複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素回路と、当該複数の走査信号線にそれぞれ沿って配置された複数の補助容量線とを有するアクティブマトリクス型の表示装置の走査側駆動回路であって、
   前記走査信号線の数に対応する段数を有し所定の入力パルスを順次転送するシフトレジスタと、
   前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき、前記複数の走査信号線を選択的に駆動するために前記複数の走査信号線にそれぞれ印加すべき複数の走査信号を生成する走査信号生成回路と、
   前記シフトレジスタの各段の出力信号に基づき、前記複数の補助容量線にそれぞれ印加すべき複数の補助容量信号を生成する補助容量信号生成回路とを備え、
   各画素回路は、
   対応する交差点を通過する走査信号線の前記走査側駆動回路による選択／非選択に応じて導通状態／遮断状態となるスイッチ素子と、
   対応する交差点を通過するデータ信号線に前記スイッチ素子を介して接続された画素電極と、
   前記複数の画素回路に共通的に設けられた共通電極と、
   前記画素電極と前記共通電極とによって形成される画素容量と、
   前記画素電極と前記対応する交差点を通過する走査信号線に沿って配置された補助容量線との間に形成される補助容量と、
   前記画素容量に保持される電圧に応じて画素を表示する電気光学素子とを含み、
   前記補助容量信号生成回路は、
   前記走査側駆動回路によりいずれかの走査信号線が選択状態から非選択状態へと切り替えられた後に、当該走査信号線の非選択状態への切り替えに応じて遮断状態となったスイッチ素子に接続される画素電極の電位に所定のバイアスが加わるように、当該走査信号線に沿って配置された補助容量線の電位を変化させる信号を、当該補助容量線に印加すべき補助容量信号として生成し、
   各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線の走査信号を生成するための前記シフトレジスタの出力信号に基づき、当該後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させ、
   生成される前記複数の補助容量信号の電圧値のうちいずれか一つを、前記複数の走査信号線に印加される電圧値のいずれかと同じとすることを特徴とする、走査側駆動回路。
5. 前記シフトレジスタは、前記複数の走査信号線の選択順序が変更されるように前記入力パルスの転送方向を切り替えることができる双方向シフトレジスタであり、
   前記補助容量信号生成回路は、前記複数の走査信号線の選択順序の変更による垂直走査方向の切り替えに応じて、各補助容量線に印加される補助容量信号の電圧値を、当該補助容量線に沿って配置された走査信号線の垂直走査方向における後続の走査信号線が選択されるタイミングで変化させることを特徴とする、請求項４に記載の走査側駆動回路。
   
   

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