JP4950201B2 - 移動式金型洗浄装置及び金型洗浄方法 - Google Patents

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Description

本発明は、移動式金型洗浄装置及び金型洗浄方法に関し、より詳細には、半導体または電子部品などの樹脂成形に用いられる金型をプラズマ放電方式で洗浄するにあたって当該金型を分離することなく、当該金型に対するプラズマ洗浄を行うことができる金型洗浄装置及び方法に関する。
電子部品、特に、半導体製造工程では、半導体チップが実装されたリードフレーム、BGA(Ball Grid Array)などの基板を金型上に支持した状態で樹脂成形する工程が行われる。このような成形は、金型に形成された多数のキャビティ(cavity)に樹脂が充填される方式で行われるが、上記成形の反復により当該キャビティには樹脂残渣が付着または粘着され、前述した成形を阻害する1つの原因になっている。
これにより、金型、特に、金型に形成されたキャビティの内表面を周期的に洗浄する作業が要求されている。現在、前述した金型の洗浄は、作業者が化学薬品などを利用して金型のキャビティ内の異物(特に、樹脂残渣)を手作業で除去する方式で行われている。しかし、手作業による金型洗浄は、多くの労動力と時間の無駄をもたらし、手作業だけでは樹脂残渣を完全に除去するに限界があった。さらに、成形時には、金型が高温なので、当該金型を手作業で洗浄するためには、作業者の危険性が存在し、また、化学薬品の利用によって環境汚染を引き起こすという問題点もあった。
これに対して、金型をモールディング成形器から分離し、その分離した金型を炉(furnace)の形態のプラズマ装置に装入し、金型表面に対するプラズマ洗浄を行うことが本発明者によって提案されているが、この場合、金型を分離及び再装着することによる労動力及び時間の無駄と、金型分離時の金型温度が問題視された。また、従来、ディスチャージ電極に誘電体を形成し、この誘電体にガス供給のためのホールを形成し、ディスチャージ電極が金型のキャビティ上に載置された状態で前記ホールを介してガスを供給し、前記ディスチャージ電極と金型と連結された接地電極との間にプラズマを発生させる技術が従来に提案されたことがあり、このような技術は、日本国特開第2000−167853号に開示されている。しかし、この技術は、キャビティに対応して誘電体にホールを形成しなければならないという点からその実用性が大きく低下し、また、プラズマ発生空間が小さいという点から効率性が大きく低下し、多様な規格の金型をプラズマ処理するに限界があった。
したがって、本発明者は、金型を成形器から分離することなく、当該金型の表面、特に金型内のキャビティ表面に対して全体的にプラズマ洗浄を行うことができる装置及び方法を提案するようになった。
したがって、本発明は、金型を分離しない状態で当該金型上に反応チャンバを区画形成し、前記反応チャンバ内に形成されるプラズマ放電によって金型表面、特に、金型内のキャビティ表面に対するプラズマ洗浄を行うことができる移動式金型洗浄装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、金型を分離しない状態で当該金型上に反応チャンバを区画形成し、前記反応チャンバ内に形成されるプラズマ放電によって金型表面、特に、金型内のキャビティ表面に対するプラズマ洗浄を行うプラズマを利用した金型洗浄方法を提供することにある。
本発明は、プラズマ放電を利用して金型の表面を洗浄する移動式金型洗浄装置を開示する。本発明による移動式金型洗浄装置は、下部開放型からなり、前記金型上に載置される時、前記金型表面に対面する反応チャンバを前記金型表面との間に区画形成するフレームと、前記金型が電気的に接地された状態でこれと対向する位置に設けられ、外部電源から電力を印加されて前記反応チャンバ内にプラズマを形成する活性電極と、を含む。従って、本発明は、前記フレームを金型上に載置して反応チャンバを金型表面と対面するように形成した後、前記反応チャンバ内に形成されるプラズマ放電により金型表面、特に金型のキャビティ表面に対する洗浄を好ましく行うことができる。
本発明の実施例によれば、前記フレームは、前記活性電極が設けられるボックス型の本体フレームと、上部が前記本体フレームに密着され、下部が前記金型表面に密着される額縁型のアタッチフレームとで構成されることが好ましい。このことは、アタッチフレームの交替により本発明の金型洗浄装置が多様な規格を有する金型を洗浄することを可能にする。
この際、前記アタッチフレームは、前記金型表面と当接する部分に密封パッキングを具備し、前記アタッチフレームと前記本体フレームが当接する部分にも、密封パッキングが設けられることが好ましい。前記密封パッキングは、反応チャンバのより完全な密閉を可能にして、効果的なプラズマの形成に寄与する。
さらに、本発明は、前記反応チャンバ内の圧力を制御するための真空ポンプをさらに含むことが好ましい。
また、本発明は、金型表面の洗浄のために移動式金型洗浄装置を利用した金型洗浄方法を開示する。本発明に係る金型洗浄方法は、前記移動式金型洗浄装置を前記金型の表面上に位置するようにして前記金型の表面上に反応チャンバを形成するチャンバ形成過程と、前記反応チャンバ内にプラズマを形成し、このプラズマで金型表面を洗浄する洗浄過程をと、を含む。
本発明は、例えば、半導体チップなどの成形に用いられる金型を洗浄するにあたって、当該金型を成形器から分離することなく、プラズマを利用して、例えば、金型のキャビティなどに付着された樹脂の残留物などの異物を容易に除去することができるという効果がある。
したがって、本発明は、金型を成形器から分離または再装着するにかかる多くの煩わしさとこれによる多くの経済的無駄をなくす効果があり、ひいては、化学薬品を利用した手作業洗浄に比べてさらにきれいに金型表面の異物を除去することができ、また、化学薬品による環境汚染を抑制または軽減する効果がある。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例による金型洗浄装置が洗浄対象物である金型とともに示された分解斜視図であり、図2は、図1に示された金型洗浄装置が前述した金型上に載置された状態を概略的に示す断面図である。
図1及び図2に示されたように、表面洗浄が行われる金型2は、半導体チップ(図示せず)の成形に用いられる金型であり、この金型2は、その表面に、成形のために樹脂が充填される空間である多数のキャビティ2aを具備している。半導体チップの成形時に樹脂の残留物d(図3参照)が主に金型のキャビティ2aの内側表面に付着されるので、金型2、特に、当該金型2のキャビティ2aの表面に対する洗浄の必要性が大きい。
本実施例による金型洗浄装置1は、反応チャンバCを形成するための下部開放型のフレーム10と、このフレーム10の内側に設けられた活性電極20などを含む。活性電極20は、例えば、RF電源またはMF電源などの交流電源または直流電源のような外部電源30に連結されたまま、外部電源30から高電圧の電力を印加される。この際、前記金型2は、その一方の側から外部と電気的に接地されているので、1つの接地電極として機能するようになる。
一方、前記フレーム10は、本発明の好ましい実施例によって前述した活性電極20を貫通して形成することを許容するボックス型の本体フレーム12と、この本体フレーム12と1つのセットを成す額縁型のアタッチフレーム(attach frame)14とで構成される。上記のように、アタッチフレーム14と本体フレーム12を別体で構成することで、本発明による金型洗浄装置1は、多様な種類のアタッチフレーム14を交替しながら、より多様な規格の金型2に対してプラズマ洗浄を行うことができる。
本実施例によって、前記アタッチフレーム14は、略四角の額縁型からなり、その上面及び下面それぞれに第1及び第2密封パッキング142a、142bを具備している。前記第1密封パッキング142aは、本体フレーム12とアタッチフレーム14との間の気密性を向上させ、第2密封パッキング142bは、アタッチフレーム14と金型2の表面との間の気密性を向上させる。更に、前記アタッチフレーム14は、フレーム取り付け用挿入部144を上面に複数個具備する。この挿入部144は、本体フレーム12の底面に形成されるフレーム取り付け用挿入孔(図示せず)に嵌合され、本体フレーム12とアタッチフレーム14とが互いに一直線になる。
一方、本実施例による金型洗浄装置1は、前述したように、プラズマ放電のための活性電極20を含むと共に、反応チャンバC内の圧力を制御するための真空ポンプ40を含む。この際、前記活性電極20は、外部の電源30に連結されたまま、本体フレーム12と、所定の固定手段52によって前記本体フレーム12に支持されたボックス型アイソレーター50を貫通して反応チャンバCの内側に配置される。上記のように、真空ポンプ40がプラズマを生成するための低真空の圧力条件を形成するために設けられることが好ましいが、活性電極20が誘電体を有するようにし、その誘電体による大気圧下でのプラズマ放電により真空ポンプ40の省略も可能であり、これも本発明の範囲内に属する。
図3は、前述した金型洗浄装置で金型、特に、金型上のキャビティ表面を洗浄する過程を概略的に示す手順図である。
図3の(a)は、キャビティ2a内の多数の樹脂の残留物dが付着されている金型2を示す。このような金型2上の樹脂の残留物dを除去するために、先ず、図3の(b)のように、金型洗浄装置1の一部を成すアタッチフレーム14が金型2上に載置される。その後、図3の(c)のように、本体フレーム12、すなわち、活性電極20が設けられた本体フレーム12がアタッチフレーム14上に載置され、この状態で、前述した金型洗浄装置1が金型表面に対するプラズマ洗浄を行うことができる。この位置で、金型2が外部と電気的に接地され、1つの接地電極を成し、前記活性電極20が外部の電源30から電力を印加されれば、反応チャンバC、特に、金型2と活性電極20との間の気体は、加速された電子の衝突によってプラズマに活性化される。したがって、この活性化されたプラズマは、金型2のキャビティ2a内側の樹脂の残留物dを分解させるようになる。
上記実施例の説明では、反応チャンバCを形成するフレームが本体フレームとアタッチフレームとに分離されるものとして説明されたが、これは、1つの実施例であり、ボックス型からなる本体フレームだけが反応チャンバ形成のために用いられることができる。
また、図示されてはいないが、前記金型洗浄装置の一部または全部が、例えばロボットアーム、油圧アクチュエータ、空圧アクチュエータ、電気アクチュエータなどの駆動手段に連結され、自動制御方式で金型表面に対するプラズマ洗浄を行うことが好ましい。
以上では、本発明が特定の実施例を中心にして説明されたが、本発明の趣旨及び添付の特許請求範囲内で多様な変形、変更または修正が当該技術分野であり得る。したがって、前述した説明及び図面は、本発明の技術思想を限定するものではなく、本発明を例示するものと解釈すべきである。
本発明の実施例による移動式金型洗浄装置を洗浄対象物である金型とともに示した概略的な分解斜視図である。 図1に示された移動式金型洗浄装置が金型上に載置された状態で示された断面図である。 図1及び図2に示された移動式金型洗浄装置を利用して金型上の異物を除去する洗浄工程を説明するための概略図である。
符号の説明
10 フレーム
12 本体フレーム
14 アタッチフレーム
20 活性電極
30 電源
40 真空ポンプ
2 金型
2a キャビティ

Claims (8)

  1. プラズマ放電を利用して金型の表面を洗浄する装置であって、
    下部開放型からなり、前記金型上に載置される時、前記金型表面に対向する反応チャンバを前記金型表面との間に形成するフレームと、
    前記金型が電気的に接地された状態でこれと対向する位置に設けられ、外部電源から電力を印加されて前記反応チャンバ内にプラズマを形成する活性電極と、を含み、
    前記フレームは、
    前記活性電極が設けられるボックス型の本体フレームと、
    上部が前記本体フレームに、下部が前記金型表面にそれぞれ密着され、多様な規格の金型に対応して交換装着可能な額縁型のアタッチフレームと、
    で構成されることを特徴とするプラズマを利用した移動式金型洗浄装置。
  2. 前記アタッチフレームは、前記金型表面と当接する部分に密封パッキングを具備することを特徴とする請求項に記載のプラズマを利用した移動式金型洗浄装置。
  3. 前記アタッチフレームと前記本体フレームが当接する部分には、密封パッキングが設けられることを特徴とする請求項に記載のプラズマを利用した移動式金型洗浄装置。
  4. 前記反応チャンバ内の圧力を制御するための真空ポンプをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の移動式金型洗浄装置。
  5. 前記活性電極を大気圧プラズマ放電のための誘電体を具備することを特徴とする請求項1に記載の移動式金型洗浄装置。
  6. 前記金型は、半導体に対する樹脂成形のための多数のキャビティが形成されるものであることを特徴とする請求項1−5のいずれか一項に記載のプラズマを用いた移動式金型洗浄装置。
  7. 金型表面の洗浄のために、前記金型上に載置され、活性電極が設けられる本体フレームと、上部が前記本体フレームに、下部が前記金型表面にそれぞれ密着され、多様な規格の金型に対応して交換装着可能なアタッチフレームと、を含む移動式金型洗浄装置を利用する金型洗浄方法であって、
    前記アタッチフレームを金型上に載置し、その上に前記本体フレームを載置して前記金型の表面上に反応チャンバを形成するチャンバ形成過程と、
    前記反応チャンバ内にプラズマを形成し、このプラズマで金型表面を洗浄する洗浄過程と、
    を含むことを特徴とする金型洗浄方法。
  8. 前記洗浄過程では、前記金型を電気的に接地させ、前記反応チャンバ内において前記活性電極に放電用電力を印加することを特徴とする請求項に記載の金型洗浄方法。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100863317B1 (ko) * 2007-03-26 2008-10-15 미크론정공 주식회사 플라즈마 세정 장치
KR100945894B1 (ko) * 2008-01-09 2010-03-05 주식회사 피에스엠 수지 몰딩 장비의 인라인 금형 장치
KR100984842B1 (ko) * 2008-05-13 2010-10-01 미크론정공 주식회사 자동 몰딩 및 세정 장치
KR100945895B1 (ko) * 2008-05-21 2010-03-05 주식회사 피에스엠 반도체 몰딩 장비의 인라인 금형 세정장치 및 방법
KR100907700B1 (ko) 2008-05-21 2009-07-14 주식회사 피에스엠 플라즈마를 이용하는 양방향 세정모듈 및 양방향 금형세정방법
KR101024612B1 (ko) * 2008-12-31 2011-03-25 미크론정공 주식회사 플라즈마 몰드 세정장치
JP5970416B2 (ja) * 2013-05-21 2016-08-17 Towa株式会社 成形型用の大気圧プラズマ処理装置及び処理方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
JP3279305B2 (ja) * 1995-11-02 2002-04-30 松下電器産業株式会社 型締装置のクリーニング装置およびクリーニング方法
JPH10202669A (ja) 1997-01-21 1998-08-04 Nec Kansai Ltd 樹脂モールド装置
JPH11286023A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Ulvac Corp プラズマクリーニング方法及びプラズマクリーニング装置
JP3674339B2 (ja) 1998-10-12 2005-07-20 松下電器産業株式会社 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法
JP2000117750A (ja) 1998-10-12 2000-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法
JP3562354B2 (ja) 1998-12-09 2004-09-08 松下電器産業株式会社 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法
JP2001293729A (ja) * 2000-04-17 2001-10-23 Yokohama Rubber Co Ltd:The タイヤ加硫成形用金型の洗浄方法
JP3498693B2 (ja) * 2000-09-08 2004-02-16 松下電器産業株式会社 チップの実装方法及びチップの実装体
GB0025307D0 (en) * 2000-10-16 2000-11-29 Celltech Chiroscience Ltd Biological products
JP4273382B2 (ja) * 2000-12-18 2009-06-03 富士電機システムズ株式会社 プラズマ処理装置と薄膜形成方法
JP4090005B2 (ja) * 2001-04-18 2008-05-28 Towa株式会社 クリーニング方法
JP2003168596A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ電極及びそれを用いた放電プラズマ処理装置
DE10211976A1 (de) * 2002-03-19 2003-10-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zumindest zur Sterilisation von Behältnissen und/oder deren Verschließelementen
JP2003334436A (ja) * 2002-05-17 2003-11-25 Konica Minolta Holdings Inc 多孔性プラズマ放電用電極、大気圧プラズマ放電処理装置、薄膜形成方法及び高機能性フィルム

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