JP4948957B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
液晶表示装置をテレビジョンモニタとして用いる場合、その液晶表示装置にはいわゆる広視野角特性が良好であることが望まれる。
この場合、横電界方式と称される液晶表示装置は、たとえば従来のツイステッドネマチック(TN)表示方式と比べると、大きな視野角特性を得ることができる。
横電界方式の液晶表示装置は、液晶層を介在させて対向する各基板のうちの一方の基板の液晶側の面の各画素領域に一対の電極を有して構成され、これら電極に印加される電位差によって発生する電界に応じた液晶分子の挙動が、該液晶層に入射する光を広い角度で出射させるようになされるからである。
そして、従来の横電界方式の液晶表示装置には、その液晶の材料として、光学的に一軸的なものが用いられていた。
しかし、近年において、液晶の材料として、光学的に等方性を有し、いわゆる等方性液晶と称されるものが知られてきている。
このような液晶は、液晶層に対し電圧無印加時には液晶分子の配列が光学的に3次元または2次元的に等方であり、電圧印加により電圧印加方向に複屈折性が誘起される性質を有する。
なお、このような等方性液晶に関しては、たとえば下記特許文献1に詳述されている。
特開2006−3840号公報
従来の横電界方式の液晶表示装置は、上述したように、その液晶の材料として光学的に一軸的なものが用いられていたため、透過率に視野角の依存性が生じるとともに、電圧無印加時に黒表示した場合、前記液晶の熱的な揺らぎによる光散乱に基づく光漏れによってコントラストの低下が避けられないことが確認された。
そこで、本出願人は、横電界方式の液晶表示装置において、その液晶の材料として前記等方性液晶を用いる試みをし、上述した不都合を解消するに至っている。
そして、このように液晶の材料として前記等方性液晶を用いることで、簡単かつ安価な構成にも拘わらず、さらなる視野角の拡大が図れることを見いだすに至った。
本発明の目的は、簡単かつ安価な構成にも拘わらず、視野角特性をさらに向上させた液晶表示装置を提供することにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶表示パネルと、この液晶表示パネルの背面に光学シートを介して配置されるバックライトと、を備え、
前記液晶表示パネルは、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板および前記第二の基板に備えられる偏光板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置する液晶層と、前記第一の基板に備えられる第一の電極とこの第一の電極との間に生じる電位差により前記液晶層に電界を印加させる第二の電極と、を有し、
前記液晶層は光学的等方の状態から電圧印加により光学的異方性が生じる性質を有し、
前記偏光板はE型偏光子から構成されると共に前記第一の基板および前記第二の基板の液晶層側の面に形成されていることを特徴とする。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、()の構成を前提とし、前記偏光板に表面膜が形成され、前記表面膜の前記晶側面に周期構造が形成されることを特徴とする。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、()の構成を前提とし、前記偏光板は保護膜あるいは保護板によって保護されていることを特徴とする。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、()の構成を前提とし、前記偏光板はフィルム面にE型偏光子が塗布されることにより形成されていることを特徴とする。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、()の構成を前提とし、第一の基板に形成された面状の電極およびこの電極を被って形成される絶縁膜を介して前記電極に重畳して形成される電極群とで、前記第一の電極および第二の電極を構成していることを特徴とする。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、()の構成を前提とし、ゲート信号線と、このゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介して前記第一の電極および第二の電極のうちの一方の電極に映像信号を供給するドレイン信号線と、前記第一の電極および第二の電極のうちの他方の電極に前記映像信号に対して基準となる基準信号を供給するコモン信号線とを備えることを特徴とする。
)本発明による液晶表示装置は、たとえば、()の構成を前提とし、前記光学シートは、前記液晶表示パネル側の面において凸レンズが集合して形成され、その裏面において前記凸レンズの裾の部分に光が透過し得る窓が形成されて構成されていることを特徴とする。
(8)本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記光学シートは、前記バックライト側からの入射光に対して、前記液晶表示パネルへの出射光の放射角が大きくなるように構成されていることを特徴とする。
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
このように構成された液晶表示装置は、簡単かつ安価な構成にも拘わらず、視野角特性をさらに向上させることができる。
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
〈全体構成図〉
図2は、本発明による液晶表示装置の全体を概略的に示す斜視図である。同図において、該液晶表示装置は、その観察者側から、順次、液晶表示パネルPNL、光学シートOST、拡散板DBD、およびバックライトBLが配置されて構成されている。
液晶表示パネルPNLは、液晶を介在させた一対の透明基板SUB1、SUB2を外囲器として構成されている。透明基板SUB2は、透明基板SUB1よりも若干面積が小さく形成され、透明基板SIUB1のたとえば図中左側辺部および上側辺部を露出させて該透明基板SUB1と対向配置されている。透明基板SUB1の前記左側辺部にはフェースダウンされた複数の半導体チップからなる走査駆動回路Vが並設されて搭載され、前記上側辺部にはフェースダウンされた複数の半導体チップからなる映像信号駆動回路Heが並設されて搭載されている。
透明基板SUB2は、その周辺の周りに形成されたシール剤SLによって、透明基板SUB1に固着され、該シール剤SLは、透明基板SUB1と透明基板SUB2との間に介在された液晶を封止させる封止剤としても機能するようになっている。そして、該液晶が封止された領域、すなわちシール剤SLによって囲まれた領域は、液晶表示部ARとして構成されるようになっている。
透明基板SUB1の該液晶表示部ARにおける液晶側の面には、図中x方向に伸張されy方向に並設されるゲート信号線GLとコモン信号線CLとが形成されている。これらゲート信号線GLおよびコモン信号線CLは、たとえば図2において、上方から、ゲート信号線GL、このゲート信号線GLと比較的大きな距離を有して配置されるコモン信号線CL、このコモン信号線CLと僅かな距離を有して配置されるゲート信号線GL、このゲート信号線GLと比較的大きな距離を有して配置されるコモン信号線CL、……、というようにして配置されている。
また、前記液晶表示部ARにおける液晶側の面には、前記ゲート信号線GLおよびコモン信号線CLと電気的に絶縁されたドレイン信号線DLが、図中y方向に伸張されx方向に並設されて配置されている。
互いに隣接する一対のゲート信号線GLと互いに隣接する一対のドレイン信号線DLとで囲まれる領域には、それぞれ画素が構成されるようになっており、これにより、前記液晶表示部ARは各画素がマトリックス状に配置されて構成されることになる。これら各画素の構成は後に詳述する。
前記各ゲート信号線GLは、たとえば図の左側において、シール剤SLを超えて延在され、前記走査信号駆動回路Vの対応する電極(図示せず)に接続されている。該走査信号駆動回路Vは、各ゲート信号線GLにたとえば図中の上側から下側へたとえば矩形パルスからなるゲート信号を順次供給するようになっており、該ゲート信号が供給されたゲート信号線GLに沿って形成された各画素からなる画素列を選択できるようになっている。
前記各ドレイン信号線DLは、たとえば図2の上側において、シール剤SLを超えて延在され、前記映像信号駆動回路Heの対応する電極(図示せず)に接続されている。該映像信号駆動回路Heは、前記走査信号駆動回路Vからの前記ゲート信号のそれぞれの出力のタイミングに合わせて、各ドレイン信号線DLに映像信号を供給するようになっており、これにより、選択された画素列の各画素に映像信号を印加するようになっている。
また、前記各コモン信号線CLは、たとえば図2の右側の端部において、共通接続された後にシール剤SLを超えて延在され、コモン信号供給端子CSTに接続されている。このコモン信号供給端子CSTには、前記映像信号の電圧に対して基準となる電圧からなるコモン信号が供給され、各画素には、コモン信号線CLを介して該コモン信号が供給されるようになっている。
このようにコモン信号と映像信号とが供給される各画素の液晶には、前記コモン信号に対する映像信号の電圧差に応じた電界が印加され、該液晶の分子は、該電界の強度に応じた挙動をし、光の透過率を変化させるようになっている。
前記液晶表示パネルPNLの背面(観察者とは反対側の面)には、光学シートOST、拡散板DBDを介してバックライトBLが配置され、このバックライトBLからの光は、該拡散板DBDおよび光学シートOSTを介して、該液晶表示パネルPNLの各画素を透過して観察者の目に至ることになる。
なお、図2には示されていないが、液晶表示パネルPNLにおいて、その透明基板SUB1の液晶側とは反対側の面、および透明基板SUB2の液晶側とは反対側の面のそれぞれに、偏光板が形成されている。これら偏光板は、液晶の挙動の変化を光学的に目視できるようにするために設けられるものである。このため、各偏光板は、少なくとも前記液晶表示部ARを被うようにして形成されている。図3には、透明基板SUB1の液晶側とは反対側の面に形成される偏光板PL1と、透明基板SUB2の液晶側とは反対側の面に形成される偏光板PL2を示している。そして、偏光板PL1の透過軸(吸収軸)PLA1と偏光板PL2の透過軸(吸収軸)PLA2は互いに直交したニコル配置となっている。これら偏光板PL1、PL2については後に詳述する。
また、前記バックライトBLは、たとえば、いわゆる直下型と称されるものからなり、液晶表示パネルPNLの液晶表示部ARと対向して複数のたとえば冷陰極線管CDRが配置されて構成されている。各冷陰極線管CDRは、バックライトBLの外枠の反射板RFBを備える内面側に、その長手方向を図中x方向に一致づけてy方向に並設させて配置されている。
直下型のバックライトBLは液晶表示パネルPNLが大型の場合に好適となるものである。このことから、該バックライトBLは該液晶表示パネルPNLとほぼ同大同形の導光板と、この導光板の側面に配置されるたとえば冷陰極線管とから構成されるものであってもよい。また、光源としては、発光ダイオード(LED)を用いた直下型であっても、側面にLEDを配置したバックライトでもよいし、あるいは光源として有機エレクトロルミネッセンス(OLED)を用いてもよい。
〈画素の等価回路〉
図4は、本発明による液晶表示装置の前記液晶表示部ARにおける画素の等価回路の一実施例を示す図であり、前記透明基板SUB1の液晶側の面に形成される回路を示している。図4は、図2に示した各画素のうち、互いに隣接する2×3個の画素を取り出して示している。
上述したように、各画素は、隣接する一対のドレイン信号線DL、隣接する一対のゲート信号線GLによって、他の隣接する画素と領域が画されるようになっている。
そして、画素の一角において、MIS型構造からなる薄膜トランジスタTFTが形成され、そのゲート電極は近接するゲート信号線GLに接続され、ドレイン電極は近接するドレイン信号線DLに接続されている。
また、画素の領域内において一対の電極として構成される画素電極PXと対向電極CTとが形成され、該画素電極PXは前記薄膜トランジスタTFTのソース電極に接続され、該対向電極CTは前記コモン信号線CLに接続されている。
このような回路構成において、各画素の対向電極CTにコモン信号線CLを介して基準電圧(映像信号に対して基準となる電圧)を印加し、ゲート信号線GLにたとえば図中上方から順次ゲート電圧を印加することによって画素行が選択され、その選択のタイミングに応じて、各ドレイン信号線DLに映像信号を供給することにより、前記画素行の各画素に前記ゲート電圧によってオンされた薄膜トランジスタTFTを介して画素電極PXに該映像信号の電圧が印加される。そして、該画素電極PXと対向電極CTの間に前記映像信号の電圧に対応する強度のいわゆる横電界が発生し、この横電界の強度に応じて液晶を挙動させるようになっている。
このように示した回路は、そのゲート信号線GL、ドレイン信号線DL、薄膜トランジスタTFTにおいて、後述する構成の画素において幾何学的に同様の配置となっているが、たとえば、対向電極CTは画素の大部分の領域に面状に形成され、画素電極PXは絶縁膜を介して前記対向電極CTと重畳された複数の帯状電極から構成されている。
このため、画素電極PXと対向電極CTとの間には液晶とともに前記絶縁膜を誘電体膜とする容量素子が形成され、前記画素電極PXに映像信号が印加された場合、その映像信号の印加は該容量素子によって比較的長い時間蓄積されるようになっている。
〈画素の構成〉
図5は、前記透明基板SUB1の液晶側の面に形成された画素の構成を示した図となっている。図5において、その(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線における断面図、(c)は(a)のc−c線における断面図である。
まず、透明基板SUB1の液晶側の面(表面)には、ゲート信号線GLおよびコモン信号線CLが比較的大きな距離を有して平行に形成されている。
ゲート信号線GLとコモン信号線CLの間の領域には、たとえばITO(Indium-Tin-Oxide)の透明導電材料からなる対向電極CTが形成されている。対向電極CTは、そのコモン信号線CL側の辺部において該コモン信号線CLに重畳されて形成され、これにより、該コモン信号線CLと電気的に接続されて形成されている。
そして、透明基板SUB1の表面には、前記ゲート信号線GL、コモン信号線CL、および対向電極CTをも被うようにして絶縁膜GIが形成されている。この絶縁膜GIは、後述の薄膜トランジスタTFTの形成領域において該薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜として機能するもので、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。
前記絶縁膜GIの上面であって、前記ゲート信号線GLの一部と重畳する個所において、たとえばアモルファスシリコンからなる半導体層ASが形成されている。この半導体層ASは前記薄膜トランジスタTFTの半導体層となるものである。
そして、図中y方向に伸張してドレイン信号線DLが形成され、このドレイン信号線DLはその一部において前記半導体層ASに積層される延在部が形成され、この延在部は前記薄膜トランジスタTFTのドレイン電極DTとして機能するようになっている。
また、該ドレイン信号線DLおよびドレイン電極DTの形成の際に同時に形成されるソース電極STが、前記半導体層AS上にて前記ドレイン電極DTと対向し、かつ、該半導体層AS上から画素領域側に若干延在された延在部を有して形成されている。この延在部は後に説明する画素電極PXの一部と接続されるパッド部を構成するようになっている。
ここで、前記半導体層ASは、それを絶縁膜GI上に形成する際には、その表面に高濃度の不純物がドープされて形成され、前記ドレイン電極DTおよびソース電極STをパターニングして形成した後に、該ドレイン電極DTおよびソース電極STをマスクとして該ドレイン電極DTおよびソース電極STの形成領域以外の領域に形成された高濃度の不純物層をエッチングするようにしている。半導体層ASとドレイン電極DTおよびソース電極STのそれぞれの間に高濃度の不純物層を残存させ、この不純物層をオーミックコンタクト層として形成するためである。
このようにすることにより、前記薄膜トランジスタTFTは、ゲート信号線GLをゲート電極としたいわゆる逆スタガ構造のMIS構造のトランジスタが構成されることになる。
なお、MIAS構造のトランジスタにあっては、そのバイアスの印加によってドレイン電極DTとソース電極STが入れ替わるように駆動するが、この実施例の説明にあっては、便宜上、ドレイン信号線DLと接続される側をドレイン電極DTと、画素電極PXと接続される側をソース電極STと称している。
透明基板SUB1の表面には、前記薄膜トランジスタTFTをも被って第1保護膜PAS1が形成されている。この第1保護膜PAS1は、該薄膜トランジスタTFTを液晶との直接の接触を回避させるために設けられるようになっている。また、この第1保護膜PAS1は、前記対向電極CTと後述の画素電極PXとの間に介層して設けられ、前記絶縁膜GIとともに、該対向電極CTと画素電極PXの間に設けられ容量素子の誘電体膜としても機能するようになっている。
前記第1保護膜PAS1の上面には、画素電極PXが形成されている。この画素電極PXは、たとえばITO(Indium-Tin-Oxide)等の透明導電材からなり、前記対向電極CTと広い面積にわたって重畳して形成されている。
そして、該画素電極PXは、多数のスリットがその長手方向と交叉する方向に並設されて形成され、これによって両端が互いに接続された多数の帯状の電極からなる電極群を有するようにして形成されている。
また、透明基板SUB1の表面には該画素電極PXをも被って第2保護膜PAS2が形成されている。この第2保護膜PAS2は、たとえば、画素電極PXと液晶との導通を防ぐために設けられている。本実施例で示す液晶表示装置は、後述するように、その液晶として等方性液晶を用いており、これにより配向膜を形成しない構成とすることもでき、このようにした場合に、前記第2保護膜PAS2のような絶縁膜を設ける必要がある。
なお、画素電極PXの各電極は、図5(a)に示すように、画素の領域をたとえば図中上下に2分割させ、その一方の領域にはたとえばゲート信号線GLの走行方向に対して+45°方向に延在するように形成され、他方の領域には−45°方向に延在するようにして形成されている。いわゆるマルチドメイン方式を採用するもので、1画素内における画素電極PXに設けたスリットの方向(画素電極PXの電極群の方向)が単一である場合、観る方向により色つきが生じる不都合を解消した構成となっている。また、等方性液晶に適したスリット構造として±45°の角度としたが、必ずしもこのような構成に限定されるものではない。
上述した実施例では、薄膜トランジスタTFTの半導体層はアモルファスシリコンで形成したものであるが、ポリシリコンで形成したものであってもよい。
〈透明基板SUB2の構成〉
図6は、図5(a)のVI−VI線における断面図を示し、上述した透明基板SUB1と液晶QLを介して対向配置される透明基板SUB2をも併せて描画した図となっている。
透明基板SUB2の液晶側の面には、ブラックマトリックスBMが形成されている。このブラックマトリックスBMは、各画素PIXを隣接する他の画素PIXと画するために設けられ、透明基板SUB1側のゲート信号線GL、コモン信号線CL、ドレイン信号線DLと重畳されるようにして形成されている。これにより、該ブラックマトリックスBMは各画素PIXの周辺の領域を除く中央部において開口が形成されたパターンで形成されている。また、該ブラックマトリックスBMは薄膜トランジスタTFTを液晶をも被って形成され、これにより、光の照射による半導体層の特性変化を回避させるようにしている。
そして、前記ブラックマトリックスBMの開口が形成された部分にはカラーフィルタCFが形成され、その周辺は前記ブラックマトリックスBMに重畳されて形成されている。このカラーフィルタCFは、互いに隣接する3個の画素において、それぞれ、赤(R)のカラーフィルタCF、緑(G)のカラーフィルタCF、青(B)のカラーフィルタが形成され、これら3個の画素をカラー表示の一画素として構成している。
そして、これらカラーフィルタCFを被って、たとえば樹脂からなる平坦化膜OCが形成されている。この透明基板SUB2側においても配向膜が形成されていないのは透明基板SUB1側の場合と同様である。
なお、該透明基板SUB2の液晶LQと反対側の面には偏光板PL2が形成されている。この偏光板PL2の詳細については後述する。
また、前記カラーフィルタCFはたとえば樹脂層内に顔料を含有させて形成し、前記顔料によって所定の色を呈するように構成したものとなっている。しかし、この実施例では、たとえば、必要に応じて該顔料の替わりに染料を含有させた構成とするようにしてもよい。これによって、より無彩色に近い黒表示を実現でき、黒表示と白表示の大きな色調の差を抑制できるからである。ここで、前記顔料はその径が数十から数百ナノメートルの粒子からなり、前記染料はその径が大きくても数ナノメートル程度の小さな分子として把握される。
なお、このように構成された各画素PIXは、画素電極PXと対向電極CTとの間に電界が生じていない場合に黒表示がなされるいわゆるノーマリブラックモードとして構成されている。
〈液晶材料の構成〉
前記液晶LQの材料としては、たとえば電圧無印加時に光学的等方となるいわゆる等方性液晶が用いられている。
このように等方性液晶を用いることによって、該液晶LQを透過率に視野角の依存性が生じるのを回避でき、さらに、電圧無印加時に黒表示した場合に、該液晶LQの熱的な揺らぎによる光散乱を回避し、光漏れによるコントラストの低下を回避できるからである。
前記等方性液晶としては、様々な材料を選択することができるが、たとえば高分子安定型のブルー相が知られている。高分子安定化ブルー相は、化学式1〜化学式3に示す非液晶性モノマー、化学式4に示す液晶性モノマー、および化学式5に示す架橋剤、化学式6に示す光重合開始剤を用い、これらを紫外線(UV)照射し、光架橋させることにより最終的な等方性液晶の材料を得るものである。
Figure 0004948957

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〈偏光板〉
前記偏光板PL1および偏光板PL2は、いずれもいわゆるE型偏光子と称される偏光板が用いられている。このような偏光板は、異常光が透過され、かつ常光が吸収されることから、E(Extraordinary)型と称され、一般には、O(Ordinary)型と称される偏光板(常光が透過され、異常光が吸収される)と対比される。
このようなE型偏光子からなる偏光板PL1および偏光板PL2は、O型偏光子からなる偏光板と比較すると、それ自体で良好な視野角特性を有し、極めて広い視野角を得ることができるようになる。
そして、上述のような光学的に等方である液晶を用いた液晶表示装置にあって、その前記偏光板PL1、PL2としてこのようなE型偏光子を用いた場合、そのノーマルブラック表示において液晶の挙動に原因する光漏れ(斜め光漏れ)の不都合を生じさせることがないので、高いコントラストを得ることができる効果を奏することが確かめられる。
ちなみに、光学的に等方でない液晶を用いた他の液晶表示装置にあって、このE型偏光子を偏光板として用いた場合は、それによって光漏れが多くなり、コントラストが大幅に減衰することが判明しており、該E型偏光子からなる偏光板は従前の液晶表示装置には使用されていなかったという経緯を有する。
図1(a)は、たとえば透明基板SUB1の液晶LQと反対側の面に形成された偏光板LP1がE型偏光子から構成されていることを示した拡大図である。
図1(a)において、該偏光板LP1は、たとえばクロモニック液晶相をなし、ディスク状の骨格を有する色素PGによって構成されている。ここで、ディスク状の骨格を有する色素PGは芳香環がつながった構造をなし、たとえばぺリレン、ナフタレン等からなる。
このように構成されるE型偏光子からなる偏光板LP1の透過軸PLA1は図示の方向で示され、この方向は該偏光板LP1の形成の際に行う材料の塗布方向Aと一致づけられるようになっている。
すなわち、図1(b)は、たとえば二色性色素のリオトロピック液晶(水溶性)を透明基板SUB1上に滴下し、ローラRを塗布方向Aに移動させることにより、色素PGは前記塗布の際の剪断応力によって自己配列するようになり、これによって形成される配向板LP1の透過軸PLA1は前記塗布方向Aに一致して形成されるようになる。
そして、このようなE型偏光子からなる偏光板PL1は、光を偏光させるために均一に配向された、一種または数種の有機材料の複数の超分子複合体からなる薄膜として把握される。
なお、図7は、O型偏光子からなる偏光板の構成を示した図である。図7において、該偏光板LP’はヨウ素IOで染色したポリビニルアルコールPVAを図中B方向ヘ伸張させることにより形成され、この場合にその透過軸PLA’は前記B方向と直交する方向となる。このような構成からなる偏光板LP’は、上述したE型偏光子からなる偏光板LP1、LP2と比較すると、視野角特性が良好でないことが確かめられる。
また、上述の説明では、偏光板LP1のみの説明を行ったものであるが、透明基板SUB2側に形成する偏光板LP2においても偏光板LP1と同様の構成となっている。この場合、透明基板SUB1に形成された偏光板LP1と透明基板SUB2に形成された偏光板LP2は、それぞれの透過軸PLA1、PLA2の方向は図3に示したように互いに直交ニコルとなる関係にある。
上述した偏光板PL1、PL2は、いずれも、それぞれ透明基板SUB1、SUB2の一面に直接に形成するようにしたものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえばポリエチレンテレフタレート(PET)やポリオレフィンからなるフィルムの一面に上述した偏光子の塗布工程を経てE型偏光子を形成し、該フィルムが備えられた偏光板を、上述した偏光板PL1、PL2として用いるようにしてもよい。なお、PETフィルムのように複屈折を有するフィルム上に形成する場合には、偏光面をパネル側に、フィルムを外側に配置すれば、フィルムの複屈折による色づき等の問題は回避される。複屈折を有しないポリオレフィンフィルム上に形成する場合には、フィルム側をパネル側に配置してもよい。この場合、前記フィルムに塗布する偏光子が水溶性である場合、予め該フィルム面をたとえばUV/O装置と称されるUV洗浄器を用いて親水性にすることによって、該偏光子の塗布の信頼性を確保し、偏光性能の向上を図ることができる。
また、同様に、トリアセチルセルロース(TAC)からなるフィルムの一面に上述した偏光子の塗布工程を経てE型偏光子を形成し、該フィルムが備えられた偏光板を、上述した偏光板PL1、PL2として用いるようにしてもよい。この場合、該フィルムは、その面を親水性としやすい性質を有し、このため、偏光子の塗布の信頼性を確保し、偏光性能の向上を図ることができる。そして、このように構成した偏光板PL1、PL2を、それぞれ透明基板SUB1、SUB2に付着させる場合に、該透明基板SUB1、SUB2に対して前記フィルムを外側にしてこのフィルムと透明基板SUB1、SUB2との間にE型偏光子が位置づけられる配置構成とすることで、前記フィルムの異方性が影響されることのない構成とすることができる。
また、フィルムに偏光子が塗布された前記偏光板PL1、PL2を、それぞれ透明基板SUB1、SUB2に付着させる場合、該フィルムを透明基板SUB1、SUB2に付着させる構成とするようにしてもよい。この場合、フィルムに塗布された偏光子の上面に保護用フィルムを形成させることによって前記偏光板PL1、PL2を構成するようにしてもよい。このように構成した偏光板PL1、PL2は、その偏光子が保護用フィルムによって外的障害から保護されることになり、堅牢な構成とすることができる。同様に、前記保護用フィルムを形成することなく、保護板を前方に配置させることによって、外的障害からの保護を図ることもできる。
〈光学シートOST〉
図8(a)は、図2に示す光学シートOSTとして、入射角に対して放射角の大きな特性を有するものを使用した場合の実施例を示したもので、該光学シートOSTをバックライトBL、拡散板DBDとともに示している。図8(a)は、図2のVIII−VIII線における断面に相当する図である。
前記光学シートOSTは、その前記液晶表示パネルPNL側の表面において多数の半球状の突起からなる凸レンズLNSが集合して形成され、裏面において前記凸レンズLNSの裾の部分に光が透過し得る窓WDが形成されて構成されている。前記窓WDは、たとえば、光学シートOSTの裏面に形成された光遮光膜に開口を設けることによって構成することができる。
このように構成される光学シートOSTは、バックライトBL側から該光学シートOSTを通して出射される光において、図8(a)に示す矢印Qの方向を0°とした場合、図8(b)のグラフに示すように、0°から45°(−45°)に至る方向の出射角において強度が増大し、45°(−45°)から90°(−90°)に至る方向の出射角において強度が減少する特性をもつようになる。
このことは、上述した構成の光学シートOSTを介在させることによって、バックライトBL側から液晶表示パネルPNLへ入射される光の放射角を大幅に拡大させることができる。
上述したように、本発明による液晶表示装置は、視野角特性に優れたいわゆる横電界方式の液晶表示パネルPNLを用い、かつ、偏光板LP1、LP2としてそれ自体で視野角特性に優れたE型偏光子からなる偏光板を用いていることから、それに追随させて光源(バックライトBL、拡散板DBD、光学シートOSTを含む概念)からの光の放射角、換言すれば該液晶表示パネルPNLへの入射光の放射角を拡大させようとするものである。上述した光学シートは、ある特定の角度に入射光の放射角を制御するシートであるが、ほぼ全方位方向に均等に入射光の放射特性を有するような拡散シートを用いる構成であってもよい。
上述した実施例の光学シートOSTは、半球状の突起からなるレンズを多数備えて構成されたものである。しかし、たとえば、x方向あるいはy方向へ延在されるかまぼこ状の突起からなるレンズがその長手方向と直交する方向に並設された構成のものであってもよい。x方向あるいy方向のみに視野角の広がりをもたせて構成したい場合があるからである。
図9は、上述した液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図6に対応した図となっている。
図6の場合の構成と比較して、偏光板PL1は透明基板SUB1の液晶LQ側の面に形成され、偏光板PL2は透明基板SUB2の液晶LQ側の面に形成されていることに相異を有する。
E型偏光子からなる偏光板PL1、PL2は、O型偏光子からなる偏光板と比べると、その膜厚を大幅に小さくでき、液晶表示パネルPNL内に容易に内蔵させる構成とすることができる。
また、これによって偏光板PL1、PL2の外的障害による破損を回避できる構成とすることができるようになる。
図9において、偏光板PL1は、たとえば画素電極PXより液晶側に形成される層として形成されている。すなわち、画素電極PXを被う第2保護膜PSV2が平坦化膜を兼ねて形成され、この第2保護膜PSV2の上面に前記偏光板PL1が形成されている。そしてこの偏光板PL1を被うようにして、たとえば表面膜SFL1が形成されている。表面膜SFL1はその液晶側の表面に周期構造が形成され、液晶LQとの界面の相互作用が等方性液晶の周期構造の保持力を高め、配向不良を低減させる機能を有するようになっている。しかし、必ずしもこのような構成に限定されることはなく、該画素電極PXよりも、さらには対向電極CTよりも透明基板SUB1側に形成するようにしてもよい。
また、図9において、偏光板PL2は、カラーフィルタCFより液晶側に形成される層として形成されている。すなわち、カラーフィルタCFを被う平坦化膜OCの上面に前記偏光板PL2が形成されている。そしてこの偏光板PL2を被うようにして、前記表面膜SFL1と同様の機能を有する表面膜SF2が形成されている。しかし、必ずしもこのような構成に限定されることはないことは上述したと同様である。
なお、上述した機能を有する表面膜SFL1、SFL2は、図8に示した構成にのみ適用できるものではなく、たとえば図6に示した構成にも適用できることはもちろんである。
上述した液晶表示装置はいわゆる透過型と称されるものを実施例として挙げたものである。しかし、いわゆる半透過型あるいは反射型と称する種類の液晶表示装置にも適用できることはいうまでもない。この場合、その種類に応じて、画素電極PXあるいは対向電極CTを透明導電材以外の材料で構成するようにしてもよい。たとえば、半透過型の液晶表示装置の場合に画素電極PXをたとえばアルミニュウムからなる光反射効率の良好な材料で構成し、また、反射型の液晶表示装置の場合に対向電極CTをたとえばアルミニュウムからなる光反射効率の良好な材料で構成するが如くである。
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
本発明による液晶表示装置に用いられる偏光板の一実施例を示す構成図である。 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す概略斜視図である。 本発明による液晶表示装置の用いられる各偏光板の透過軸の関係を示す図である。 本発明による液晶表示装置の画素の等価回路の一実施例を示す図である。 本発明による液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す図である。 図5(a)のVI−VI線における断面図である。 O型偏光子の構成を示した図である。 本発明による液晶表示装置に用いられる光学シートの構成の一実施例を示す図である。 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す断面図である。
符号の説明
PNL……液晶表示パネル、SUB1、SUB2……透明基板、V……走査信号駆動回路、He……映像信号駆動回路、SL……シール剤、AR……液晶表示部、OST……光学シート、DBD……拡散板、BL……バックライト、CDR……冷陰極線管、RFB……反射板、PL1、PL2……偏光板、PLA1、PL2……透過軸、GL……ゲート信号、CL……コモン信号線、DL……ドレイン信号線、TFT……薄膜トランジスタ、AS……半導体層、DT……ドレイン電極、ST……ソース電極、CT……対向電極、PX……画素電極、GI……絶縁膜、PAS1、PAS2……保護膜、PIX……画素、BM……ブラックマトリックス、CF……カラーフィルタ、OC……平坦化膜、LQ……液晶、PG……色素、IO……ヨウ素、LES……凸レンズ、WD……窓、SFL1、SFL2……表面膜。

Claims (8)

  1. 液晶表示パネルと、この液晶表示パネルの背面に光学シートを介して配置されるバックライトと、を備え、
    前記液晶表示パネルは、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板および前記第二の基板に備えられる偏光板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置する液晶層と、前記第一の基板に備えられる第一の電極とこの第一の電極との間に生じる電位差により前記液晶層に電界を印加させる第二の電極と、を有し、
    前記液晶層は光学的等方の状態から電圧印加により光学的異方性が生じる性質を有し、
    前記偏光板はE型偏光子から構成されると共に、前記第一の基板および前記第二の基板の液晶層側の面に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記偏光板に表面膜が形成され、
    前記表面膜の前記晶側面に周期構造が形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記偏光板は保護膜あるいは保護板によって保護されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記偏光板はフィルム面にE型偏光子が塗布されることにより形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
  5. 第一の基板に形成された面状の電極およびこの電極を被って形成される絶縁膜を介して前記電極に重畳して形成される電極群とで、前記第一の電極および第二の電極を構成していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  6. ゲート信号線と、このゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介して前記第一の電極および第二の電極のうちの一方の電極に映像信号を供給するドレイン信号線と、前記第一の電極および第二の電極のうちの他方の電極に前記映像信号に対して基準となる基準信号を供給するコモン信号線とを備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  7. 前記光学シートは、前記液晶表示パネル側の面において凸レンズが集合して形成され、その裏面において前記凸レンズの裾の部分に光が透過し得る窓が形成されて構成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  8. 前記光学シートは、前記バックライト側からの入射光に対して前記液晶表示パネルへの出射光の放射角が大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
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