JP2007183584A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】液晶表示装置の暗所での黒輝度は、発光素子の非発光状態での黒輝度と比べると高いため、結果的にコントラスト比が低いという問題があり、コントラスト比を向上させる要求が高い。そこで液晶表示装置のコントラスト比を向上し、加えて広視野角な液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】表示素子を挟持する透光性基板に、位相差フィルムと、積層された偏光板を設ける。位相差フィルムには、液晶をハイブリッド配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、1軸性位相差フィルム、又は2軸性位相差フィルムを用いることができる。また積層された偏光板は、2枚の偏光板からなると好ましい。
【選択図】図1

Description

本発明はコントラスト比の高い表示を行う液晶表示装置のような表示装置に関する。
近年、液晶表示装置は、TVとして利用されており、高い表示品質を映しだすために、視野角が広く、かつコントラスト比の高い表示装置が求められている。
コントラスト比は、視野角依存性が発生してしまうことが問題とされている。視野角依存が発生する要因は、液晶分子の長軸方向と短軸方向とで光学異方性があるためである。光学異方性により、液晶表示装置を正面から見たときの液晶分子の見え方と、斜め方向から見たときの見え方が異なってしまう。したがって、白色表示のときの輝度と黒色表示のときの輝度は、視野角によって変わってしまい、コントラスト比に視野角依存性が発生してしまう。
コントラスト比の視野角依存性を改善するためには位相差フィルムを挿入する構成が提案されている。例えば垂直配向モード(VAモード)においては、3方向での屈折率が異なる2軸性位相差フィルムを、液晶層を挟むように設置することで、視野角の改善が行われている(非特許文献1参照)。
また、捩れネマティックモード(TNモード)においては、ディスコティック液晶化合物をハイブリッド配向させたワイドビュー(WV)フィルムを積層させたものを用いる構成が提案されている(特許文献1参照)。
一方、コントラスト比を改善する方法としては、偏光板の偏光度不足により発生する表示の低いコントラスト比を改善するため、液晶セルの視認側にある基板の外側に第1の偏光板を設け、視認側と反対の基板の外側に第2の偏光板を設け、当該基板側に設けられた補助光源からの光を第2の偏光板を通して偏光させて液晶セルを通過する際、その偏光度を高めるために第3の偏光板を設ける構成が提案されている(特許文献2参照)。
Optimum Film Compensation Modes for TN and VA LCDs SID98 DIGEST P.315−318 特開平6−265728号公報 国際公開第00/34821号パンフレット
しかしながら、液晶表示装置の暗所での黒輝度は、プラズマディスプレイパネル(PDP)やエレクトロルミネッセンス(EL)パネルのような発光素子の非発光状態での黒輝度と比べると高いため、結果的にコントラスト比が低いという問題があり、コントラスト比を向上させる要求は高い。
そこで、本発明は液晶表示装置のコントラスト比を向上することを課題とする。さらに、広視野角な液晶表示装置を提供することを課題とする。
上記課題を鑑み本発明は、表示素子を挟持する透光性基板に、位相差フィルムと、積層された偏光板を設けることを特徴とする。好ましくは、表示素子を挟持するよう対向配置された透光性基板のそれぞれに、位相差フィルムと、積層された偏光板を設けるとよい。また位相差フィルムには、液晶をハイブリッド配向させたフィルム、又は液晶を捻れ配向させたフィルム、又は1軸性位相差フィルム、又は2軸性位相差フィルムを用いることができる。積層された偏光板は、2枚の偏光板からなると好ましい。
本発明の一形態は、第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第1の透光性基板の外側、又は第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、を有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。
本発明の別形態は、第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第1の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、前記第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、偏光板とを有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。
本発明の別形態は、第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第1の透光性基板の外側、及び第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、をそれぞれ有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ前記第1の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、前記第2の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。
本発明の別形態は、第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第1の透光性基板、又は前記第2の透光性基板の内側に設けられたカラーフィルターと、前記第1の透光性基板の外側、及び前記第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、をそれぞれ有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ前記第1の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、前記第2の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。
本発明において、前記積層された偏光板は、2枚の偏光板からなると好ましい。
本発明において、前記位相差フィルムは、液晶をハイブリッド配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、1軸性位相差フィルム、又は2軸性位相差フィルムである。
本発明において、前記第1の透光性基板に第1の電極を有し、前記第2の透光性基板に第2の電極を有し、前記表示装置は、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されるとき白色表示を行い、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されないとき黒色表示を行う液晶装置である。
本発明において、前記第1の透光性基板に第1の電極を有し、前記第2の透光性基板に第2の電極を有し、前記表示装置は、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されないとき白色表示を行い、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されるとき黒色表示を行う液晶装置である。
本発明により、液晶表示装置のコントラスト比を高めることができる。同時に、位相差フィルムによって、視野角を向上させることができる。
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置の概念について説明する。
図11(A)には、積層された偏光板を設けた表示装置の断面図、図11(B)には該表示装置の斜視図を示す。本実施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置を例にして説明する。
図11(A)に示すように、互いに対向するように配置された第1の透光性基板101及び第2の透光性基板102に、表示素子となる液晶素子となる材料100が挟持されている。透光性基板には、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また透光性基板には、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。
透光性基板の外側、つまり液晶素子を有する層と接しない側には、順に位相差フィルム、積層された偏光板が設けられている。第1の透光性基板101側には、順に第1の位相差フィルム121、第1の偏光板103、第2の偏光板104が設けられている。第2の透光性基板102側には、順に第2の位相差フィルム122、第3の偏光板105、第4の偏光板106が設けられている。
偏光板は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着層、TAC(トリアセチルセルロース)、PVA(ポリビニルアルコール)とヨウ素の混合層、TACが順に積層された構成を用いることができる。PVA(ポリビニルアルコール)とヨウ素の混合層により、偏光度を制御することができる。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。
位相差フィルムは、液晶をハイブリッド配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、1軸性位相差フィルム、又は2軸性位相差フィルムが挙げられる。このような位相差フィルムは表示装置の広視野角化を図ることができる。
1軸性位相差フィルムは、樹脂を一方向に延伸させて形成される。また2軸性位相差フィルムは、樹脂を横方向に1軸延伸させた後、縦方向に弱く1軸延伸させて形成される。ここで用いられる樹脂にはシクロオレフィンポリマー(COP)やポリカーボネイト(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリプロピレン(PP)、ポリフェニレンオキサイド(PPO)、ポリアリレート(PAR)、ポリイミド(PI)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等が挙げられる。
なお液晶をハイブリッド配向させたフィルムは、トリアセチルセルロース(TAC)フィルムを支持体としディスコティック液晶又はネマティック液晶をハイブリッド配向させて形成させたフィルムである。位相差フィルムは、偏光板と貼り合わせた状態で、透光性基板に貼り付けることができる。
次に図11(B)に示す斜視図をみると、第1の偏光板103の吸収軸と、第2の偏光板104の吸収軸とは平行となるように積層されている。この平行状態を、パラレルニコルと呼ぶ。同様に、第3の偏光板105の吸収軸と、第4の偏光板106の吸収軸とを平行となるように、つまりパラレルニコルとなるように積層する。
このように積層された偏光板は、パラレルニコルとなるように配置される。
積層された偏光板同士、つまり対向する偏光板同士は、吸収軸は直交をなすように配置する。この直交状態を、クロスニコルと呼ぶ。
なお、偏光板の特性上、吸収軸と直交方向には透過軸がある。そのため、透過軸同士が平行となる場合もパラレルニコルと呼ぶことができる。また、透過軸同士が直交となる場合もクロスニコルと呼ぶことができる。
このように積層された偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして対向する積層された偏光板同士をクロスニコルとなるように配置することにより、偏光板単層同士のクロスニコルと比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。
さらに本発明は位相差フィルムを有するため、広視野角な表示装置を提供することできる。また、位相差板として1/4波長板を使用したときは反射防止膜としても機能する。
(実施の形態2)
本実施の形態では、具体的な液晶表示装置の構成について説明する。
図12には、積層された偏光板を設けた液晶表示装置の断面図を示す。
液晶表示装置は、画素部205、及び駆動回路部208を有する。画素部205、及び駆動回路部208において、基板301上に、下地膜302が設けられている。基板301には、上記実施の形態と同様の絶縁基板を適用することができる。また一般的に合成樹脂からなる基板は、他の基板と比較して耐熱温度が低いことが懸念されるが、耐熱性の高い基板を用いた作製工程の後、転置することによっても採用することが可能となる。
画素部205には、該下地膜302を介してスイッチング素子となるトランジスタが設けられている。本実施の形態では、該トランジスタに薄膜トランジスタ(TFT)を用い、これをスイッチングTFT303と呼ぶ。TFTは、いろいろな方法で作製することができる。例えば、活性層として、結晶性半導体膜を適用する。結晶性半導体膜上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられる。該ゲート電極を用いて該活性層へ不純物元素を添加することができる。このようにゲート電極を用いた不純物元素の添加により、不純物元素添加のためのマスクを形成する必要はない。ゲート電極は、単層構造、又は積層構造を有することができる。不純物領域は、その濃度を制御することにより高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域とすることができる。このように低濃度不純物領域を有するTFTを、LDD(Light doped drain)構造と呼ぶ。また低濃度不純物領域は、ゲート電極と重なるように形成することができ、このようなTFTを、GOLD(Gate Overlaped LDD)構造と呼ぶ。図12においては、GOLD構造を有するスイッチングTFT303を示す。またスイッチングTFT303の極性は、不純物領域にリン(P)等を用いることによりn型とする。p型とする場合は、ボロン(B)等を添加すればよい。その後、ゲート電極等を覆う保護膜を形成する。保護膜に混入された水素元素により、結晶性半導体膜のダングリングボンドを終端することができる。さらに平坦性を高めるため、層間絶縁膜305を形成してもよい。層間絶縁膜305には、有機材料、又は無機材料、若しくはそれらの積層構造を用いることができる。そして、層間絶縁膜305、保護膜、ゲート絶縁膜に開口部を形成し、不純物領域と接続された配線を形成する。このようにして、スイッチングTFT303を形成することができる。なお本発明は、スイッチングTFT303の構成に限定されるものではない。
そして、配線に接続された画素電極306を形成する。
またスイッチングTFT303と同時に、容量素子304を形成することができる。本実施の形態では、ゲート電極と同時に形成された導電膜、保護膜及び層間絶縁膜305、画素電極306の積層体により、容量素子304を形成する。
また結晶性半導体膜を用いることにより、画素部と駆動回路部を同一基板上に一体形成することができる。その場合、画素部のトランジスタと、駆動回路部208のトランジスタとは同時に形成される。駆動回路部208に用いるトランジスタは、CMOS回路を構成するため、CMOS回路354と呼ぶ。CMOS回路354を構成するTFTは、スイッチングTFT303と同様の構成とすることができる。またGOLD構造に変えて、LDD構造を用いることができ、必ずしも同様の構成とする必要はない。
画素電極306を覆うように配向膜308を形成する。配向膜308にはラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモード、例えばVAモードのときには処理を行わないときがある。
次に対向基板320を用意する。対向基板320の内側、つまり液晶に接する側には、カラーフィルター322、及びブラックマトリクス(BM)324を設けることができる。これらは公知の方法で作製することができるが、所定の材料が滴下される液滴吐出法(代表的にはインクジェット法)により形成すると、材料の無駄をなくすことができる。カラーフィルター等は、スイッチングTFT303が配置されない領域に設ける。すなわち、光の透過領域、つまり開口領域と対向するようにカラーフィルターを設ける。なお、カラーフィルター等は、液晶表示装置をフルカラー表示とする場合、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)を呈する材料から形成すればよく、モノカラー表示とする場合、少なくとも一つの色を呈する材料から形成すればよい。
なお、バックライトにRGBのダイオード(LED)等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法(フィールドシーケンシャル法)を採用するときには、カラーフィルターを設けない場合がある。ブラックマトリクス324は、スイッチングTFT303やCMOS回路354の配線による外光の反射を低減するためにも設けられている。そのためスイッチングTFT303やCMOS回路354と重なるように設ける。なお、ブラックマトリクス324は、容量素子304に重なるように形成してもよい。容量素子304を構成する金属膜による反射を防止することができるからである。
そして、対向電極323、配向膜326を設ける。配向膜326にはラビング処理を施す。このラビング処理は特定の液晶のモードのとき行わないことがある。例えばVAモードのときには処理を行わなくてもよい。
なおTFTが有する配線、ゲート電極、画素電極306、対向電極323は、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化インジウムに酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)、酸化インジウムに酸化珪素(SiO)を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等の金属又はその合金、若しくはその金属化合物から選ぶことができる。
このような対向基板320を、封止材328を用いて、基板301に貼り合わせる。封止材328は、ディスペンサ等を用いて、基板301上または対向基板320上に描画することができる。また基板301と、対向基板320との間隔を保持するため、画素部205、駆動回路部208の一部にスペーサ325を設ける。スペーサ325は、柱状、又は球状といった形状を有する。
このように貼り合わされた基板301及び対向基板320間に、液晶311を注入する。液晶を注入する場合、真空中で行うとよい。また液晶311は、注入法以外の方法により形成することができる。例えば、液晶311を基板に滴下し、その後対向基板320を貼り合わせてもよい。このような滴下法は、注入法を適用しづらい大型基板を扱うときに適用するとよい。
液晶311は、液晶分子を有しており、液晶分子の傾きを画素電極306、及び対向電極323により制御する。具体的には、画素電極306と、対向電極323とに印加される電圧により制御する。このような制御は、駆動回路部208に設けられた制御回路を用いる。なお制御回路は、必ずしも基板301上に形成される必要はなく、接続端子310を介して接続された回路を用いてもよい。このとき、接続端子310と接続するために、導電性微粒子を有する異方性導電膜を用いることができる。また接続端子310の一部には、対向電極323が導通しており、対向電極323の電位をコモンとすることができる。例えば、バンプ337を用いて導通をとることができる。表示素子は、基板301と、対向基板320とで挟持される素子であり、液晶311が含まれ、図12で示すようなアクティブ型表示装置であればスイッチングTFT303も含まれる。
次いで、バックライトユニット352の構成について説明する。バックライトユニット352は、蛍光を発する光源331として冷陰極管、熱陰極管、ダイオード、無機EL、有機ELが、蛍光を効率よく導光板335に導くためのランプリフレクタ332、蛍光が全反射しながら全面に光を導くための導光板335、明度のムラを低減するための拡散板336、導光板335の下に漏れた光を再利用するための反射板334を有するように構成されている。
バックライトユニット352には、光源331の輝度を調整するための制御回路が接続されている。制御回路からの信号供給により、光源331の輝度を制御することができる。
基板301とバックライトユニット352の間には、基板側から順に、位相差フィルム316、積層された偏光板317、318が設けられている。また対向基板320側にも、基板側から順に、位相差フィルム341、積層された偏光板342、343が設けられている。積層された偏光板と、位相差フィルムとは貼り合わされた状態で、基板301、320に接着することができる。このとき積層された偏光板同士、つまり対向する偏光板は、クロスニコル状態となるように貼り合わされる。
積層された偏光板を有することにより、コントラスト比を高めることができる。また位相差フィルムにより、広視野角の表示装置を提供することができる。また、位相差板として1/4波長板を使用したときは反射防止膜としても機能する。
また本実施の形態では、液晶素子を有する表示装置を用いて説明したが、自発光素子を有する発光装置にも適用することができる。発光装置において、対向する一対の基板を共に透光性基板とし、両方向へ光を発光させる構成を用いるとき、該基板の外側にそれぞれ積層された偏光板を設け、コントラスト比を高めることができる。発光装置は、液晶表示装置と比べて動画応答速度が高く、より薄型化された表示装置とすることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、積層された偏光板を有するが、上記実施の形態と異なり、非晶質半導体膜を有するTFTを用いた液晶表示装置について説明する。
図13には、スイッチング用素子に非晶質半導体膜を用いたトランジスタ(以下、非晶質TFTと呼ぶ)を備えた液晶表示装置の構成について説明する。画素部205には、非晶質TFTからなるスイッチングTFT303が設けられている。非晶質TFTは、公知の方法により形成することができるが、例えばチャネルエッチ型の場合、下地膜302上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜、n型半導体膜、非晶質半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を形成する。ソース電極及びドレイン電極を用いて、n型半導体膜に開口部を形成する。このとき、非晶質半導体膜の一部も除去されるため、チャネルエッチ型と呼ぶ。その後、保護膜を形成して、非晶質TFTを形成することができる。また非晶質TFTは、チャネル保護型もあり、ソース電極及びドレイン電極を用いて、n型半導体膜に開口部を形成するとき、非晶質半導体膜が除去されないように保護膜を設ける。その他の構成は、チャネルエッチ型と同様とすることができる。
そして、図12と同様に配向膜308を形成し、ラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモードによって、処理を行わないときがある。
また図12と同様に対向基板320を用意し、封止材328により貼り合わせる。これらの間に、液晶311を封入することにより液晶表示装置を形成することができる。
また図12と同様に、基板301とバックライトユニット352の間には、基板側から順に、位相差フィルム316、積層された偏光板317、318が設けられている。また対向基板320側にも、基板側から順に、位相差フィルム341、積層された偏光板342、343が設けられている。積層された偏光板と、位相差フィルムとは貼り合わされた状態で、基板301、320に接着することができる。このとき積層された偏光板同士、つまり対向する偏光板は、クロスニコル状態となるように貼り合わされる。
積層された偏光板を有することにより、コントラスト比を高めることができる。また位相差フィルムにより、広視野角の表示装置を提供することができる。
このようにスイッチングTFT303として非晶質TFTを用いて、液晶表示装置を形成する場合、動作性能を考慮して、駆動回路部208には、シリコンウェハから形成されるIC421をドライバとして実装することができる。例えば、IC421が有する配線と、スイッチングTFT303に接続される配線とを、導電性微粒子422を有する異方性導電体を用いて、接続することにより、スイッチングTFT303を制御する信号を供給することができる。なおICの実装方法はこれに限定されず、ワイヤボンディング法により実装することもできる。
またさらに、接続端子310を介して、制御回路と接続することができる。このとき、接続端子310と接続するために、導電性微粒子422を有する異方性導電膜を用いることができる。
その他の構成は、図12と同様であるため、説明を省略する。
また本実施の形態では、液晶素子を有する表示装置を用いて説明したが、自発光素子を有する発光装置にも適用することができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、バックライトの構成について説明する。バックライトは光源を有するバックライトユニットとして表示装置に設けられ、バックライトユニットは効率よく光を散乱させるため、光源は反射板により囲まれている。
図15(A)に示すように、バックライトユニット252は、光源として冷陰極管401を用いることができる。また、冷陰極管401からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ332を設けることができる。冷陰極管401は、大型表示装置に用いることが多い。これは冷陰極管からの輝度の強度のためである。そのため、冷陰極管を有するバックライトユニットは、パーソナルコンピュータのディスプレイに用いることができる。
図15(B)に示すように、バックライトユニット252は、光源としてダイオード(LED)402を用いることができる。例えば、白色を発するダイオード(W)402を所定の間隔に配置する。また、ダイオード(W)402からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ332を設けることができる。
また図15(C)に示すように、バックライトユニット252は、光源として各色RGBのダイオード(LED)403、404、405を用いることができる。各色RGBのダイオード(LED)403、404、405を用いることにより、白色を発するダイオード(W)402のみと比較して、色再現性を高くすることができる。また、ダイオード(LED)403、404、405からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ332を設けることができる。
またさらに図15(D)に示すように、光源として各色RGBのダイオード(LED)403、404、405を用いる場合、互いの数や配置を同じとする必要はない。例えば、発光強度の低い色(例えば緑)を複数配置してもよい。
さらに白色を発するダイオード402と、各色RGBのダイオード(LED)403、404、405とを組み合わせて用いてもよい。
なおRGBのダイオードを有する場合、フィールドシーケンシャルモードを適用すると、時間に応じてRGBのダイオードを順次点灯させることによりカラー表示を行うことができる。
ダイオードを用いると、輝度が高いため、大型表示装置に適する。また、RGB各色の色純度が良いため冷陰極管と比べて色再現性に優れており、配置面積を小さくすることができるため、小型表示装置に適応すると、狭額縁化を図ることができる。
また、光源を必ずしも図15に示すバックライトユニットとして配置する必要はない。例えば、大型表示装置にダイオードを有するバックライトを搭載する場合、ダイオードは該基板の背面に配置することができる。このときダイオードは、所定の間隔を維持し、各色のダイオードを順に配置させることができる。ダイオードの配置により、色再現性を高めることができる。
このようなバックライトを用いた表示装置に対し、積層された偏光板を設けることにより、コントラスト比の高い映像を提供することができる。特に、ダイオードを有するバックライトは、大型表示装置に適しており、大型表示装置のコントラスト比を高めることにより、暗所でも質の高い映像を提供することができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、液晶表示装置が有する各回路等の動作について説明する。
図14(A)には、液晶表示装置の画素部205及び駆動回路部208のシステムブロック図を示す。
画素部205は、複数の画素を有し、各画素となる信号線212と、走査線210との交差領域には、スイッチング素子が設けられている。スイッチング素子により液晶分子の傾きを制御するための電圧の印加を制御することができる。このように各交差領域にスイッチング素子が設けられた構造をアクティブ型と呼ぶ。本発明の画素部は、このようなアクティブ型に限定されず、パッシブ型の構成を有してもよい。パッシブ型は、各画素にスイッチング素子がないため、工程が簡便である。
駆動回路部208は、制御回路202、信号線駆動回路203、走査線駆動回路204を有する。制御回路202は、画素部205の表示内容に応じて、階調制御を行う機能を有する。そのため、制御回路202は、生成された信号を信号線駆動回路203、及び走査線駆動回路204に入力する。そして、走査線駆動回路204に基づき、走査線210を介してスイッチング素子が選択されると、選択された交差領域の画素電極に電圧が印加される。この電圧の値は、信号線駆動回路203から信号線212を介して入力される信号に基づき決定される。
さらに、制御回路202では、照明手段206へ供給する電力を制御する信号が生成され、該信号は、照明手段206の電源207に入力される。照明手段には、上記実施の形態で示したバックライトユニットを用いることができる。なお照明手段はバックライト以外にフロントライトもある。フロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ、全体を照らす発光体および導光体で構成された板状のライトユニットである。このような照明手段により、低消費電力で、均等に画素部を照らすことができる。
図14(B)に示すように走査線駆動回路204は、シフトレジスタ241、レベルシフタ242、バッファ243として機能する回路を有する。シフトレジスタ241にはゲートスタートパルス(GSP)、ゲートクロック信号(GCK)等の信号が入力される。なお、本発明の走査線駆動回路は、図14(B)に示す構成に限定されない。
また図14(C)に示すように信号線駆動回路203は、シフトレジスタ231、第1のラッチ232、第2のラッチ233、レベルシフタ234、バッファ235として機能する回路を有する。バッファ235として機能する回路とは、弱い信号を増幅させる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフタ234には、スタートパルス(SSP)等の信号が、第1のラッチ232にはビデオ信号等のデータ(DATA)が入力される。第2のラッチ233にはラッチ(LAT)信号を一時保持することができ、一斉に画素部205へ入力させる。これを線順次駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第2のラッチは不要とすることができる。このように、本発明の信号線駆動回路は図14(C)に示す構成に限定されない。
このような信号線駆動回路203、走査線駆動回路204、画素部205は、同一基板上に設けられた半導体素子によって形成することができる。半導体素子は、ガラス基板に設けられた薄膜トランジスタを用いて形成することができる。この場合、半導体素子には結晶性半導体膜を適用するとよい(上記実施の形態2参照)。結晶性半導体膜は、電気特性、特に移動度が高いため、駆動回路部が有する回路を構成することができる。また、信号線駆動回路203や走査線駆動回路204は、IC(Integrated Circuit)チップを用いて、基板上に実装することもできる。この場合、画素部の半導体素子には非晶質半導体膜を適用することができる(上記実施の形態3参照)。
このような液晶表示装置において、積層された偏光板を設けることにより、コントラスト比を高めることができる。すなわち、積層された偏光板により、制御回路により制御される照明手段からの光のコントラスト比を高めることができる。
(実施の形態6)
液晶表示装置には、液晶の駆動方法に、基板に対して直交に電圧を印加する縦電界方式、基板に対して平行に電圧を印加する横電界方式がある。本発明の積層された偏光板を設ける構成は、縦電界方式であっても、横電界方式であっても適用することができる。具体的には、本発明はTNモード、VAモード、OCBモード、IPSモード、STNモードにも適用できる。そこで、本実施の形態では、本発明の積層された偏光板を適用しうる各種液晶モード例について説明する。
まず図16にはTNモードの液晶表示装置の模式図を示す。
互いに対向するように配置された第1の透光性基板101及び第2の透光性基板102に、液晶素子となる材料100が挟持されている。そして第1の透光性基板101側には、第1の位相差フィルム121、第1の偏光板103、第2の偏光板104が設けられている。また、第2の透光性基板102側には、第2の位相差フィルム122、第3の偏光板105、第4の偏光板106が設けられている。積層された偏光板、つまり第1の偏光板103と第2の偏光板104はパラレルニコルとなるように配置されている。また積層された偏光板、つまり第3の偏光板105、第4の偏光板106もパラレルニコルとなるように配置されている。そして対向する偏光板、つまり第1の偏光板103、又は第2の偏光板104と、第3の偏光板105、又は第4の偏光板106はクロスニコルとなるように配置されている。第1の透光性基板101、及び第2の透光性基板102上には、それぞれ第1の電極108、第2の電極109が設けられている。第1の電極108、第2の電極109は透光性を有する。
このような構成を有する液晶表示装置において、ノーマリーホワイトモードの場合、第1の電極108及び第2の電極109に電圧が印加(縦電界方式と呼ぶ)されると、図16(A)に示すように黒色表示が行われる。このとき液晶分子は縦に並んだ状態となる。すると、バックライトからの光は、基板を通過することができず黒色表示となる。
そして図16(B)に示すように、第1の電極108及び第2の電極109の間に電圧が印加されていないときは白色表示となる。このとき、液晶分子は横に並び、平面内で捩れている状態となる。その結果、バックライトからの光は積層された偏光板が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。
このとき、カラーフィルターを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルターは、第1の透光性基板101側、又は第2の透光性基板102側のいずれかに設けることができる。
TNモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。
次に図17を用いて、VAモードの液晶表示装置の模式図を示す。
VAモードは、無電界の時に液晶分子が基板に垂直となるように配向されているモードである。
図16と同様に、第1の透光性基板101側には、第1の位相差フィルム121、第1の偏光板103、第2の偏光板104が設けられている。また、第2の透光性基板102側には、第2の位相差フィルム122、第3の偏光板105、第4の偏光板106が設けられている。積層された偏光板、つまり第1の偏光板103と第2の偏光板104はパラレルニコルとなるように配置されている。また積層された偏光板、つまり第3の偏光板105、第4の偏光板106もパラレルニコルとなるように配置されている。そして対向する偏光板、つまり第1の偏光板103、又は第2の偏光板104と、第3の偏光板105、又は第4の偏光板106はクロスニコルとなるように配置されている。第1の透光性基板101、及び第2の透光性基板102上には、それぞれ第1の電極108、第2の電極109が設けられている。第1の電極108、第2の電極109は透光性を有する。
このような構成を有する液晶表示装置において、第1の電極108及び第2の電極109に電圧が印加される(縦電界方式)と、図17(A)に示すように白色表示が行われるオン状態となる。このとき液晶分子は横に並んだ状態となる。すると、バックライトからの光は、積層された偏光板が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルターを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルターは、第1の透光性基板101側、又は第2の透光性基板102側のいずれかに設けることができる。
そして図17(B)に示すように、第1の電極108及び第2の電極109の間に電圧が印加されていないときは黒色表示、つまりオフ状態とする。このとき、液晶分子は縦に並んだ状態となる。その結果、バックライトからの光は基板を通過することができず、黒色表示となる。
このようにオフ状態では、液晶分子が基板に対して垂直に立ち上がって、黒色表示となり、オン状態では液晶分子が基板に対して水平に倒れて白色表示となる。オフ状態では液晶分子が立ち上がっているため、偏光されたバックライトからの光は、液晶分子の影響を受けることなくセル内を通過し、対向基板側の偏光板で完全に遮断することができる。そのため、積層された偏光板を設けることにより、さらなるコントラストの向上が見込まれる。
また本発明の位相差フィルムと、積層された偏光板とを貼り合わせる構成は、液晶の配向が分割されたMVAモードに適用することもできる。
VAモード、又はMVAモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。
図18(A)は白色表示となるオン状態のIPSモードの形態であり、図18(B)は黒色表示となるオフ状態のIPSモードの形態を示す。IPSモードは一方の基板に設けられた一対の電極により液晶を制御することを特徴とする。そのため、第2の透光性基板102上に一対の電極111、112が設けられている。一対の電極111、112は、それぞれ透光性を有するとよい。その他の構成は、図16や図17と同様な符号を用いて説明される。このように本発明の位相差フィルムと、積層された偏光板とを貼り合わせる構成は、IPSモードに適用することができる。
図19(A)は白色表示となるオン状態のOCBモードの形態であり、図19(B)は黒色表示となるオフ状態のOCBモードの形態である。OCBモードは、液晶層内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しており、これはベンド配向と呼ばれる。第1の透光性基板101、及び第2の基板102上には、それぞれ第1の電極108、第2の電極109が設けられている。そして、バックライトと反対側、つまり表示面側の電極、例えば第2の電極109は、少なくとも透光性を有するように形成するとよい。その他の構成は、図16や図17と同様な符号を用いて説明される。このように本発明の位相差フィルムと、積層された偏光板とを貼り合わせる構成は、OCBモードに適用することができる。
本実施例では、VAモードで偏光板と位相差フィルムを用いた光学計算及びその結果について説明する。
まず位相差フィルムが挿入されたVAモードに、積層された偏光板を用いると、コントラスト比が高まることを液晶用光学計算シミュレータLCD MASTER(シンテック株式会社製)を用いて示す。
波長に対する透過率の計算をLCD MASTERで光学計算を行う際、各要素間の反射光の往復による多重干渉を考慮した4×4マトリックスの光学計算アルゴリズムで行い、光源波長は380nmから780nmの10nm間隔として求めた。
測定試料のデバイス構造を表1に示す。
Figure 2007183584
構造1から5において、液晶を挟んだガラス基板の外側両方に同じ2軸性位相差フィルムを配置し、さらにその外側に偏光板を配置した。構造1から5では、偏光板の枚数が異なっており、構造1は2軸性位相差フィルムの両側に偏光板を1枚ずつ、構造2は、両側に偏光板を2枚ずつ積層、構造3は、両側に偏光板を3枚ずつ積層、構造4は、視認側に偏光板を1枚、バックライト側に偏光板を3枚積層、構造5は、視認側に偏光板を3枚積層、バックライト側に偏光板を1枚、配置した。また構造6では、液晶を挟んだガラス基板の外側両方に偏光板のみを配置した。偏光板の合計枚数は、構造1では2枚、構造2では4枚、構造3では6枚、構造4では4枚、構造5では4枚、構造6では2枚となる。
構造1から6において、積層された偏光板の透過軸はパラレルニコルとなるように積層した。また構造1から6において、対向する偏光板の透過軸はクロスニコル状態となるように配置した。
このような測定試料において、液晶に印加する電圧を0V時(暗状態とも記す)と7V時(明状態とも記す)としたときの液晶表示装置の正面から見たときの透過率を計算した。電圧7V時の透過率と、電圧0V時の透過率の比(7V時の透過率/0V時の透過率)をコントラスト比とし、各波長についてコントラスト比を算出した。
偏光板の吸収軸方向は、バックライト側が45度、視認側が135度とした。液晶は誘電率の異方性Δε=−4.3、複屈折Δn=0.13(590nm)とした。そして、液晶のセル厚は、2.4μmとした。
図1は、2軸性位相差フィルムの両側の偏光板の枚数が等しい構造1、2、3(それぞれ、偏光板の合計枚数が2枚、4枚、6枚)のコントラスト比の結果を示す。図1より、偏光板の枚数を増やすにつれて、コントラスト比が高まる効果を有することがわかる。構造1と構造2とを比較すると構造2の方が全波長領域でのコントラスト比は上がっていることが分かる。但し、偏光板の枚数をさらに増やした構造3では、構造2とほぼ同じコントラストを示す。すなわち、偏光板の枚数を増やし続けると、コントラスト比は飽和状態になってしまう。
図2は、構造2と、構造4及び構造5とを比較したものを示す。偏光板の合計枚数が同じ構造であって、視認側又はバックライト側に配置された偏光板の枚数が単数のときと、両側にそれぞれ複数枚配置したときの全波長領域におけるコントラスト比を示す。構造4と構造5をみると、視認側の偏光板の枚数と、バックライト側の偏光板の枚数とを入れ替えた場合では、コントラスト比の違いは見られない。但し、構造2のように配置することでコントラスト比は、構造4及び構造5より高まっていることがわかる。このことから両側にそれぞれ偏光板が積層されると、コントラスト比は高まることがわかる。
続いて、コントラスト比(7V時の透過率/0V時の透過率)の視野角依存性についての光学計算を行った。視野角の範囲は、方位角は360度で、極角方向は80度まで計算を行った。また視野角の光学計算では、要素間の多重干渉を考慮していない2×2マトリックスの光学計算アルゴリズムで行い、光源波長は550nmに固定して求めた。そして、コントラスト比が150以上の領域と10未満の領域について計算を行った。
図3に偏光板をバックライト側と視認側で各々1枚ずつ入れ、2軸性位相差フィルムが含まれない構造6のときのコントラスト比の視野角依存を示す。また、図4には、構造6に、2軸性位相差フィルムを加えた構造1のコントラスト比(図中、CRと記す)の視野角依存を示す。図3と図4とのコントラスト比の視野角依存を比較すると、2軸性位相差フィルムを加えた構造1は、コントラスト比10未満(図中、CR10未満と記す)の領域が狭まり、コントラスト比150以上(図中、CR150以上と記す)の領域が広がっているのが分かる。つまり、2軸性位相差フィルムを加えたことにより、視野角は向上していることが言える。
図5では、バックライト側と視認側で各々偏光板を2枚ずつ入れた構造2で光学計算を行った結果を示す。図5と図4とのコントラスト比の視野角依存を比較すると、偏光板を増やしても視野角に問題ないことがわかる。積層された偏光板を有する構造2では、むしろコントラスト比150以上の領域が偏光板吸収軸方向である方位角45度と135度、225度、315度で広がっている。すなわち、積層された偏光板は、視野角向上にも寄与していることが分かる。
このように2軸性位相差板を挿入することで視野角が広がったVAモードに、偏光板を複数枚挿入することにより、コントラスト比が向上し、さらに広視野角化が行えることがわかる。また、バックライト側と視認側の偏光板の枚数がそれぞれ2枚以上あるときに、コントラスト比向上の効果が高いことがわかる。
本実施例では、TNモードで偏光板と位相差板フィルムを用いた光学計算の結果について説明する。
位相差フィルムとして、ディスコティック液晶をハイブリッド配向させ、TACフィルムに貼り合せたフィルムを用意する。このような位相差フィルムが挿入されたTNモードに対して、積層された偏光板を用いると、コントラスト比が高まることを、上記実施例と同様にシミュレータを用いて示す。
測定試料のデバイス構造を表2に示す。表2中では、液晶をハイブリッド配向させたフィルムを単に「フィルム」と記す。
Figure 2007183584
構造7から11において、液晶を挟んだガラス基板の外側両方に同じ液晶をハイブリッド配向させたフィルムを配置し、さらにその外側に偏光板を配置した。構造7から11では、偏光板の枚数が異なっており、構造7は液晶をハイブリッド配向させたフィルムの両側に偏光板を1枚ずつ、構造8は、両側に偏光板を2枚ずつ、構造9は、両側に偏光板を3枚ずつ、構造10は、視認側に偏光板を1枚、バックライト側に偏光板を3枚、構造11は、視認側に偏光板を3枚、バックライト側に偏光板を1枚、配置した。また構造12では、液晶を挟んだガラス基板の外側両方に偏光板のみを配置した。偏光板の合計枚数は、構造7では2枚、構造8では4枚、構造9では6枚、構造10では4枚、構造11では4枚、構造12では2枚となる。
なお、液晶をハイブリッド配向させたフィルムと偏光板は、貼り合わされた状態であり、該偏光板の透過軸がパラレルニコルとなるように偏光板を積層させていく。そして偏光板の吸収軸と、ディスコティック液晶のプレチルト角が倒れる方向とが、真上からみて平行となるように貼り合わせた。
構造7から12において、積層された偏光板の透過軸はパラレルニコルとなるように積層した。また構造7から12において、対向する偏光板の透過軸はクロスニコル状態となるように配置した。
このような測定試料において、液晶に印加する電圧を0V時(明状態とも記す)と7V時(暗状態とも記す)としたときの液晶表示装置の正面から見たときの透過率を計算した。電圧0V時の透過率と、電圧7V時の透過率の比(0V時の透過率/7V時の透過率)をコントラスト比とし、各波長についてコントラスト比を算出した。
偏光板の吸収軸方向は、バックライト側が135度、視認側を45度とした。ラビング方向はバックライト側、視認側において、それぞれ偏光板吸収軸方向と同じとし、ノーマリーホワイトモードとした。液晶は誘電率の異方性Δε=5.2、複屈折Δn=0.097(590nm)とした。そして、液晶のセル厚は、4.0μmとした。
図6に、液晶をハイブリッド配向させたフィルムの両側の偏光板の枚数が等しい構造7、8、9(それぞれ、偏光板の合計枚数が2枚、4枚、6枚)のコントラスト比の結果を示す。図6より、TNモードの場合であっても、偏光板の枚数を増やすにつれて、コントラスト比が高まる効果を有することがわかる。構造7と、構造8とを比較すると、構造8の方が全波長領域でのコントラスト比は上がっていることがわかる。これは偏光板のバックライト側に積層させる枚数と視認側に積層させる枚数を同じにした場合であり、両側の枚数を増やすことでコントラスト比が高まる効果を示している。但し、偏光板の枚数をさらに増やした構造9では、構造8とほぼ同じコントラストを示す。すなわち、偏光板の枚数を増やし続けると、コントラスト比は飽和状態になってしまう。これはTNモード、VAモードに関係なく同様である。
図7では、構造8と、構造10及び構造11とを比較したものを示す。偏光板の合計枚数が同じ構造であって、視認側又はバックライト側に配置された偏光板の枚数が単数のときと、両側にそれぞれ複数枚配置したときの全波長領域におけるコントラスト比を示す。構造10と構造11をみると、視認側の偏光板の枚数と、バックライト側の偏光板の枚数とを入れ替えた場合では、コントラスト比の違いは見られない。但し、構造8のように配置することでコントラスト比は、構造10及び構造11より上がっていることがわかる。このことからTNモードであっても、両側それぞれに偏光板が積層されたとき、コントラスト比は高まることがわかる。
続いて、コントラスト比(0V時の透過率/5V時の透過率)の視野角依存性についての光学計算を行った。視野角の範囲は実施例1と同様であって、方位角を360度の全方位とし、極角方向は80度まで計算を行った。そして、コントラスト比が150以上の領域と10未満の領域について計算を行った。
図8に偏光板をバックライト側と視認側で各々1枚ずつ入れ、液晶をハイブリッド配向させたフィルムが含まれない構造12のときのコントラスト比の視野角依存を示す。また、図9には、構造12に、液晶をハイブリッド配向させたフィルムを加えた構造7のコントラスト比の視野角依存を示す。図8と図9とのコントラスト比の視野角依存を比較すると、液晶をハイブリッド配向させたフィルムを含む構造7のコントラスト比の分布はコントラスト比10未満の領域が狭まり、コントラスト比150以上の領域が広がっていることが分かる。つまり、液晶をハイブリッド配向させたフィルムを有することにより、視野角は向上していると言える。
図10では、バックライト側と視認側で各々偏光板を2枚ずつ入れた構造8で光学計算を行った結果を示す。図10を図9と比較すると、偏光板の枚数を増やすことにより、偏光板吸収軸方向の視野角が改善していることがわかる。
このように液晶をハイブリッド配向させたフィルムを挿入することで視野角が拡がったTNモードにおいても、偏光板を複数枚挿入することにより、さらに広視野角化が行え、コントラスト比の向上に寄与することがわかる。また、バックライト側と視認側の偏光板の枚数がそれぞれ2枚以上あるときに、コントラスト比向上の効果が高いことがわかる。
本発明の構造のコントラスト比を示した実験結果である 本発明の構造のコントラスト比を示した実験結果である 偏光板を有する構造の視野角依存を示した実験結果である 本発明の構造の視野角依存を示した実験結果である 本発明の構造の視野角依存を示した実験結果である 本発明の構造のコントラスト比を示した実験結果である 本発明の構造のコントラスト比を示した実験結果である 偏光板を有する構造の視野角依存を示した実験結果である 本発明の構造の視野角依存を示した実験結果である 本発明の構造の視野角依存を示した実験結果である 本発明の液晶表示装置を示した断面図及び斜視図である 本発明の液晶表示装置を示した断面図である 本発明の液晶表示装置を示した断面図である 本発明の液晶表示装置を示したブロック図である 本発明の液晶表示装置が有する照射手段を示した断面図である 本発明の液晶モードを示した断面図である 本発明の液晶モードを示した断面図である 本発明の液晶モードを示した断面図である 本発明の液晶モードを示した断面図である

Claims (8)

  1. 第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された液晶材料と、
    前記第1の透光性基板の外側、又は第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、を有し、
    前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された液晶材料と、
    前記第1の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、
    前記第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、偏光板とを有し、
    前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  3. 第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された表示素子と、
    前記第1の透光性基板の外側、及び第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、をそれぞれ有し、
    前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
    且つ前記第1の透光性基板に設けられた積層された偏光板の吸収軸と、前記第2の透光性基板に設けられた積層された偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  4. 第1の透光性基板及び第2の透光性基板が対向するように配置され、当該第1の透光性基板及び第2の透光性基板の間に挟持された液晶材料と、
    前記第1の透光性基板、又は前記第2の透光性基板の内側に設けられたカラーフィルターと、
    前記第1の透光性基板の外側、及び前記第2の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、をそれぞれ有し、
    前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
    且つ前記第1の透光性基板に設けられた積層された偏光板の吸収軸と、前記第2の透光性基板に設けられた積層された偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一において、
    前記積層された偏光板は、2枚の偏光板からなることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一において、
    前記位相差フィルムは、液晶をハイブリッド配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、1軸性位相差フィルム、又は2軸性位相差フィルムであることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一において、
    前記第1の透光性基板に第1の電極を有し、
    前記第2の透光性基板に第2の電極を有し、
    前記液晶表示装置は、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されるとき白色表示を行い、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されないとき黒色表示を行う液晶素子であることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 請求項1乃至6のいずれか一において、
    前記第1の透光性基板に第1の電極を有し、
    前記第2の透光性基板に第2の電極を有し、
    前記液晶表示装置は、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されないとき白色表示を行い、前記第1の電極及び前記第2の電極間に電圧が印加されるとき黒色表示を行う液晶素子であることを特徴とする液晶表示装置。
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