JP4947964B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
102 回路ブロック
104 電源配線
106 グラウンド配線
114,116,214,216 ダミーゲート
134a,134b,134c,134d コンタクト
204,206 配線
Tr1,Tr2 トランジスタ
Claims (14)
- SOI基板上に形成されたトランジスタと;
前記トランジスタの端子のうち電位が固定される端子に接続された配線と;
前記SOI基板上に形成され、トランジスタを構成しないダミーゲートとを備え、
前記ダミーゲートはゲート酸化膜とゲート電極層とを有し、当該電極層が前記配線に接続され、
前記ダミーゲートは、前記配線の下で当該配線に沿って配置される領域を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記ダミーゲートは、前記SOI基板上に形成されるトランジスタのゲートと共通のプロセスによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電位が固定される端子は、前記トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記電位が固定される端子は、ソース/ドレイン電極であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記配線は、電源配線であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記配線は、グラウンド配線であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲートは複数形成されており、
少なくとも1つの前記ダミーゲートのゲート電極層に接続された前記配線は、電源配線であり、
他の1つの前記ダミーゲートのゲート電極層に接続された前記配線は、グラウンド配線であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。 - SOI基板上に形成される半導体装置の製造方法において、
前記SOI基板上に、ゲート酸化膜を複数箇所に形成する工程と;
前記複数のゲート酸化膜の上にゲート電極を各々形成する工程と;
前記ゲート酸化膜及びゲート電極が形成された領域のうち、トランジスタとして使用する領域にのみソース/ドレイン領域を形成することで、トランジスタ用ゲートとトランジスタとして機能しないダミーゲートとを区別する工程と;
前記ダミーゲートのゲート電極に接続されたダミーゲート用コンタクト領域と、前記トランジスタの電位固定される端子に接続されるトランジスタ用コンタクト領域とを各々形成する工程と;
前記ダミーゲート用コンタクト領域及びトランジスタ用コンタクト領域との上に配置され、当該ダミーゲート用コンタクト領域とトランジスタ用コンタクト領域とが共通して接続される配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記トランジスタの電位固定された端子は、当該トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。
- 前記トランジスタの電位固定された端子は、当該トランジスタのソース/ドレイン電極であることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。
- 前記配線は、電源配線であることを特徴とする請求項8乃至10の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記配線は、グラウンド配線であることを特徴とする請求項8乃至10の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記ダミーゲートは複数形成されており、
少なくとも1つの前記ダミーゲートのゲート電極層に接続された前記配線は、電源配線であり、
他の1つの前記ダミーゲートのゲート電極層に接続された前記配線は、グラウンド配線であることを特徴とする請求項8乃至10の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記ダミーゲートは、前記配線の下で当該配線に沿って配置される領域を含むことを特徴とする請求項8乃至13の何れか1項に記載の製造方法。
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