JP4946423B2 - メモリコントローラ、コンピュータ、データ読み出し方法 - Google Patents

メモリコントローラ、コンピュータ、データ読み出し方法 Download PDF

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Description

本発明は、ミラーリング構成されたメモリからデータを読み出す技術に関し、特にデータの読み出しを高速化する技術に関する。
近年のコンピュータには、可用性を高めるためにメモリミラーリングの機能を搭載するものがある。このようなコンピュータの一例が特許文献1に記載されている。
メモリミラーリングでは、2つのメモリに同一のデータを書き込むことにより冗長性を持たせ、一方のメモリに訂正不能エラーが発生しデータが破損した場合でも、もう一方のメモリから読み込んだデータを使用することにより、データの消失を防ぐことができるようにしている。
ここで、従来のメモリミラーリング機能を有するコンピュータの一例を図4に示す。コンピュータ200は、CPU(Central Processing Unit)101a、101b(これらの総称として「CPU100」を用いる)と、CPUコントローラ102、I/Oコントローラ103、メモリコントローラ104、PCI(Peripheral Component Interconnect)デバイス105a、105b、105c、DIMM(Dual In-line Memory Module)106a、106b、106c、106d(これらの総称として「DIMM100」を用いる)から構成される。
メモリコントローラ104は、CPUコントローラ102と専用インタフェース111で、DIMM106とメモリ制御バス107a、107b及びメモリデータバス108a、108bで接続されており、CPUコントローラ102からのメモリアクセス要求に応じてDIMM106の読み書きを行う。
図5は、メモリコントローラ104がDIMM6aとDIMM6bからバースト長を8としてデータをバーストリードする場合のタイミングチャートである。
メモリコントローラ104は、時刻T10とT11でメモリ制御バス107aとメモリ制御バス107bに対して同一のアクティブコマンド、及び、リードコマンドを出力する。
アクティブコマンド出力後、時刻T12になるとメモリデータバス108aとメモリデータバス108bにDIMM106aとDIMM106bからデータが出力される。
メモリコントローラ104は、メモリデータバス108aとメモリデータバス108bからデータを取り込む。このとき、ECC(エラー・コレクティング・コード、Error Correcting Code)のチェックを行い、エラー検出及びエラー訂正を行う。ここで、一方のメモリデータバスから読み出したデータに訂正不能エラーがある場合は、もう一方のメモリデータバスのデータを使用して、時刻T13でCPUコントローラ102に対して読み込みデータを出力する。
このように、データ読み出しに要する時間は、訂正不能エラーの有無にかかわらず、メモリミラーリングを使用しない場合と同一である。
特開2002−182972号公報
メモリミラーリング機能を使用した場合には、オペレーティングシステム上で使用したいメモリ容量に対して、2倍のメモリ容量をコンピュータに実装することが必要となる。しかし、前述のようにメモリからデータを読み出すのに要する時間は、エラーの有無にかかわらずメモリミラーリング機能を使用しない場合と同一である。
そのため、非常にコストがかかってしまうにもかかわらず、メモリに記憶されたデータに訂正不能エラーが発生した場合以外は利点がなく、特別に高い可用性が求められる一部のシステム以外では採用しにくいという問題があった。
そこで、本発明は、メモリミラーリングによるデータの冗長性を全く損なうことなく、メモリからデータを読み出すのに要する時間を短縮することができるメモリコントローラ等を提供することをその目的とする。
本発明のメモリコントローラは、上位装置から指定されたアドレス範囲のデータを一対のメモリモジュールから読み出す際に一方のメモリモジュールからのデータの読み出し順と他方のメモリモジュールからのデータ読み出し順が異なるように読み出しコマンドを発行する機能と、読み出しコマンドに応じて一対のメモリモジュールからアドレス範囲のデータがすべて出力された時点でエラーコレクティングコードを用いてエラーチェックを行い、訂正不能なエラーがない場合には、アドレス範囲のデータを上位装置に出力する機能と、を備えている。
上記メモリコントローラによれば、二つのメモリモジュールにデータの読み出し順が異なるように読み出しコマンドを発行する。二つのメモリモジュールは並行して、それぞれ指定された順でデータを出力する。その結果、メモリコントローラには、二つのメモリモジュールから同じ順番でデータを読み出した場合に比べて短い時間で、上位装置から指定された範囲のデータが揃うことになる。
上記メモリコントローラにおいて、アドレス範囲が、連続したひとつの範囲である場合に、ある時点で一方のメモリモジュールから読み出すデータのアドレスとその時点で他方のメモリモジュールから読み出すデータのアドレスが、メモリアドレス範囲の長さの2分の1だけずれるように読み出しコマンドを発行してもよい。
このようにすれば、二つのメモリモジュールから同じ順番でデータを読み出した場合に比べて2分の1の時間で、上位装置から指定された範囲のデータがメモリコントローラに揃う。
上記メモリコントローラにおいて、一方のメモリモジュールには範囲の先頭から末尾に向かって順に、他方のメモリモジュールには範囲の中央から末尾に向かって順に読み出し次いで先頭から中央の直前に向かって順に読み出すように読み出しコマンドを発行してもよい。
上記メモリコントローラにおいて、アドレス範囲が、不連続な二つの範囲である場合に、一方のメモリモジュールには二つの範囲のうち一方の範囲の先頭から末尾に向かって順に、次いで、他方の範囲の先頭から末尾に向かって順に読み出し、他方のメモリモジュールには二つの範囲のうち他方の範囲の先頭から末尾に向かって順に、次いで、一方の範囲の先頭から末尾に向かって順に読み出すように読み出しコマンドを発行してもよい。
このようにすれば、二つのメモリモジュールから同じ順番でデータを読み出した場合に比べて2分の1の時間で、上位装置から指定された範囲のデータがメモリコントローラに揃う。
本発明の、上記メモリコントローラを備えたコンピュータおよびデータ読み出し方法によっても上記と同様に上記課題を解決することができる。
本発明によれば、メモリミラーリングによるデータの冗長性を全く損なうことなく、メモリからからデータを読み出すのに要する時間を短縮することができる。
図1は、本発明の一実施形態である情報処理装置20の構成例である。情報処理装置20は、例えばサーバコンピュータであり、CPU1a、1b(これらの総称として「CPU1」を用いる)とCPUコントローラ2とI/Oコントローラ3とメモリコントローラ4とPCIデバイス5a、5b、5c(これらの総称としてと「PCIデバイス5」を用いる)とDIMM6a、6b、6c、6d(これらの総称として「DIMM6」を用いる)を備えている。
CPU1とCPUコントローラはCPU制御バス9aおよびCPUデータバス9bにより接続されている。CPUコントローラ2とI/Oコントローラ3は専用バス10で接続されている。CPUコントローラ2とメモリコントローラ4は専用バス11で接続されている。メモリコントローラ4とDIMM6a、6cはメモリ制御バス7aおよびメモリデータバス8aで接続されている。メモリコントローラ4とDIMM6b、6dはメモリ制御バス7bおよびメモリデータバス8bで接続されている。
CPUコントローラ2は、CPU1やI/Oコントローラ3からのメモリアクセス要求やI/Oアクセス要求をメモリコントローラ4とI/Oコントローラ3に転送する。
I/Oコントローラ3は、CPUコントローラ2からのI/Oアクセス要求をPCIデバイス5に、PCIデバイス5からのメモリアクセス要求をCPUコントローラ2に転送する。
メモリコントローラ4は、CPUコントローラ2からのメモリアクセス要求に応じてDIMM6の読み書きを行う。なお、DIMM6への書き込みの際はECC(エラー・コレクティング・コード)を付与する。また、読み込みの際は書き込み時に付与したECCを用いて読み込みデータのエラー検出、及び、可能な場合はエラー訂正を行う。
メモリコントローラ4は、ミラーリングされた一対のメモリモジュール(例えばDIMM6aとDIMM6b)からデータを読み出す際に、一方のメモリモジュールからのデータの読み出し順と他方のメモリモジュールからのデータ読み出し順が異なるように読み出しコマンドを発行する。
DIMM6は、たとえばDDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)を搭載しており、DIMM6aとDIMM6bの間、また、DIMM6cとDIMM6dの間でメモリミラーリングが行われており同一のデータを保持している。
なお、本実施例では、CPU1とCPUコントローラ2の間、また、メモリコントローラ4とDIMM6の間はバス接続としたが、ポイント・ツー・ポイント接続などの別の接続方法でも構わない。また、CPUコントローラ2とI/Oコントローラ3、メモリコントローラ4が別の部品になっているが、統合されていても構わないし、CPU1に内蔵されていても構わない。さらに、DIMM6は、DDR SDRAM以外のDDR2 SDRAMやその他RAMを用いても構わないし、また、DIMM6は、2の倍数枚であれば、任意の枚数で構わない。メモリモジュールの形式もDIMM以外のものでも構わない。
次に、情報処理装置20の動作について説明する。
図2は、メモリコントローラ4がDIMM6aとDIMM6bからバースト長を8としてデータをバーストリードする場合のタイミングチャートである。
時刻T0において、メモリコントローラ4は、メモリ制御バス7aとメモリ制御バス7bにアクティブコマンドを出力する。但し、チップセレクト信号は、DIMM6aとDIMM6bのみアサートし、DIMM6cと6dはネゲートにしておく。これにより、DIMM6aとDIMM6bのみがアクティブ状態に状態遷移する。
アクティブコマンド出力後、DIMM6に規定されているRAS(Row Address Strobe)−to−CAS(Column Address Strobe)ディレイ時間(本実施例の場合は2クロック)が経過するのを待ち、時刻T1にメモリコントローラ4は、メモリ制御バス7aとメモリ制御バス7bにリードコマンドを出力する。ここで、メモリ制御バス7aのリードコマンドは、読み出しアドレスの下位3ビットが、0、1、2、3、4、5、6、7、8の順番にデータが出力されるように、また、メモリ制御バス7bのリードコマンドは、読み出しアドレスの下位3ビットが、4、5、6、7、0、1、2、3の順番にデータが出力されるように指定する。これにより、DIMM6aとDIMM6bはリード状態に状態遷移する。
リードコマンド出力後、DIMM6に規定されているCASレイテンシ時間(本実施例の場合は3クロック)が経過して、時刻T2になるとメモリデータバス8aとメモリデータバス8bにDIMM6aとDIMM6bからデータが出力される。
メモリコントローラ4は、メモリデータバス8aとメモリデータバス8bからデータを取り込む。このとき、ECCのチェックを行い、エラー検出及びエラー訂正を行う。訂正不能エラーがない場合は、時刻T3までにDIMM6から読み出さなければならないデータは全てメモリコントローラ4に揃い、時刻T3でCPUコントローラ2に対して読み込みデータを出力する。すなわち、データが出力され始めてからメモリコントローラにCPUコントローラから指定されたデータ揃うまでの時間で比較すると、図5の従来例の2分の1となる。
一方のメモリデータバスから取り込んだデータに訂正不能エラーがあった場合は、時刻T4までにもう一方のメモリデータバス8からデータを取り込み、時刻T4でCPUコントローラ2に対して読み込みデータを出力する。
次に、情報処理装置20の他の動作例について説明する。
図3は、メモリコントローラ4がDIMM6aとDIMM6bからバースト長を8としてデータをアドレスXのデータとアドレスYの2カ所からバーストリードする場合のタイミングチャートである。
時刻T5、及び、T6の動作は図2に示した先の実施例と一緒である。但し、リードコマンドで指定するアドレスは、メモリ制御バス7aはアドレスX、メモリ制御バス7bはアドレスYとする。なお、本実施例の場合は、データの出力順序は両方のメモリ制御バス7で同一にしても構わない。
1回目のリードコマンド出力後、メモリデータバス8が競合しないようなウェイト時間(本実施例の場合は4クロック)が経過するのを待ち、時刻T7にメモリコントローラ4は、メモリ制御バス7aとメモリ制御バス7bに2回目のリードコマンドを出力する。リードコマンドで指定するアドレスは、メモリ制御バス7aはアドレスY、メモリ制御バス7bはアドレスXとする。
それぞれのリードコマンド出力後、CASレイテンシ時間(本実施例の場合は3クロック)が経過すると、メモリデータバス8aとメモリデータバス8bにDIMM6aとDIMM6bからデータが出力される。
メモリコントローラ4は、メモリデータバス8aとメモリデータバス8bからデータを取り込む。このとき、ECCのチェックを行い、エラー検出及びエラー訂正を行う。訂正不能エラーがない場合は、時刻T8までにDIMM6から読み出さなければならないデータは全てメモリコントローラ4に揃い、時刻T8でCPUコントローラ2に対して読み込みデータを出力する。一方のメモリデータバス8から取り込んだデータに訂正不能エラーがあった場合は、時刻T9までにもう一方のメモリデータバス8からデータを取り込み、時刻T9でCPUコントローラ2に対して読み込みデータを出力する。
次に、情報処理装置20の効果について説明する。
情報処理装置20によれば、メモリコントローラ4は、ミラーリングされた二つのDIMMにデータの読み出し順が異なるようにリードコマンドを発行する。そのため、DIMM6からデータを読み出すのにかかる時間を短縮することができる。
また、メモリコントローラ4に読み出しデータが揃った時点で一方のDIMMから読み出したデータに訂正不能なエラーがあった場合には、他方のDIMMからデータを読み出すようにしているからメモリミラーリングによるデータの冗長性を全く損なうことがない。
本発明の一実施形態である情報処理装置の構成を示す図である。 メモリコントローラがDIMMからデータを読み出す際のタイミングチャートである。 メモリコントローラがDIMMからデータを読み出す際のタイミングチャートである。 従来のメモリミラーリング機能を備えたコンピュータの構成を示す図である。 従来のメモリコントローラがDIMMからデータを読み出す際のタイミングチャートである。
符号の説明
1a、1b CPU
2 CPUコントローラ
3 I/Oコントローラ
4 メモリコントローラ
5a、5b、5c PCIデバイス
6a、6b、6c、6d DIMM
7a、7b メモリデータバス
8a、8b メモリ制御バス
9a CPU制御バス
9b CPUデータバス
10、11 専用バス

Claims (9)

  1. 書き込みデータにエラーコレクティングコードを付加する機能と、同一のデータを前記エラーコレクティングコードと共に一対のメモリモジュールに対して並行して書き込み及び読み込みする機能とを備えたメモリコントローラにおいて、
    上位装置から指定されたアドレス範囲のデータを前記一対のメモリモジュールから読み出す際に一方のメモリモジュールからのデータの読み出し順と他方のメモリモジュールからのデータ読み出し順が異なるように読み出しコマンドを発行する機能と、
    前記読み出しコマンドに応じて前記一対のメモリモジュールから前記アドレス範囲のデータがすべて出力された時点で前記エラーコレクティングコードを用いてエラーチェックを行い、訂正不能なエラーがない場合には、前記アドレス範囲のデータを前記上位装置に出力する機能と、
    を備えたことを特徴としたメモリコントローラ。
  2. 前記アドレス範囲が、連続したひとつの範囲である場合に、
    ある時点で一方のメモリモジュールから読み出すデータのアドレスとその時点で他方のメモリモジュールから読み出すデータのアドレスが、前記メモリアドレス範囲の長さの2分の1だけずれるように読み出しコマンドを発行することを特徴とした請求項1に記載のメモリコントローラ。
  3. 一方のメモリモジュールには前記範囲の先頭から末尾に向かって順に、他方のメモリモジュールには前記範囲の中央から末尾に向かって順に読み出し次いで先頭から中央の直前に向かって順に読み出すように読み出しコマンドを発行することを特徴とした請求項2に記載のメモリコントローラ。
  4. 前記アドレス範囲が、不連続な二つの範囲である場合に、
    一方のメモリモジュールには前記二つの範囲のうち一方の範囲の先頭から末尾に向かって順に、次いで、他方の範囲の先頭から末尾に向かって順に読み出し、他方のメモリモジュールには前記二つの範囲のうち他方の範囲の先頭から末尾に向かって順に、次いで、一方の範囲の先頭から末尾に向かって順に読み出すように読み出しコマンドを発行することを特徴とした請求項1に記載のメモリコントローラ。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれかひとつに記載のメモリコントローラを備えたコンピュータ。
  6. エラーコレクティングコードと共に一対のメモリモジュールに書き込まれた同一のデータを並行して読み出すデータ読み出し方法において、
    上位装置からアドレス範囲の指定を伴う読み出しの指示があったときに、一方のメモリモジュールからのデータの読み出し順と他方のメモリモジュールからのデータ読み出し順が異なるように読み出しコマンドを発行し、
    前記読み出しコマンドに応じて前記一対のメモリモジュールから前記アドレス範囲のデータがすべて出力された時点で前記エラーコレクティングコードを用いてエラーチェックを行い、訂正不能なエラーがない場合には、前記アドレス範囲のデータを前記上位装置に出力することを特徴としたデータ読み出し方法。
  7. 前記アドレス範囲が、連続したひとつの範囲である場合に、
    ある時点で一方のメモリモジュールから読み出すデータのアドレスとその時点で他方のメモリモジュールから読み出すデータのアドレスが、前記メモリアドレス範囲の長さの2分の1だけずれるように読み出しコマンドを発行することを特徴とした請求項6に記載のデータ読み出し方法。
  8. 一方のメモリモジュールには前記範囲の先頭から末尾に向かって順に、他方のメモリモジュールには前記範囲の中央から末尾に向かって順に読み出し次いで先頭から中央の直前に向かって順に読み出すように読み出しコマンドを発行することを特徴とした請求項7に記載のデータ読み出し方法。
  9. 前記アドレス範囲が、不連続な二つの範囲である場合に、
    一方のメモリモジュールには前記二つの範囲のうち一方の範囲の先頭から末尾に向かって順に、次いで、他方の範囲の先頭から末尾に向かって順に読み出し、他方のメモリモジュールには前記二つの範囲のうち他方の範囲の先頭から末尾に向かって順に、次いで、一方の範囲の先頭から末尾に向かって順に読み出すように読み出しコマンドを発行することを特徴とした請求項6に記載のデータ読み出し方法。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8090897B2 (en) * 2006-07-31 2012-01-03 Google Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US20080082763A1 (en) 2006-10-02 2008-04-03 Metaram, Inc. Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof
US9507739B2 (en) 2005-06-24 2016-11-29 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US8041881B2 (en) 2006-07-31 2011-10-18 Google Inc. Memory device with emulated characteristics
US8111566B1 (en) 2007-11-16 2012-02-07 Google, Inc. Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface
US8327104B2 (en) 2006-07-31 2012-12-04 Google Inc. Adjusting the timing of signals associated with a memory system
US8386722B1 (en) 2008-06-23 2013-02-26 Google Inc. Stacked DIMM memory interface
US8335894B1 (en) 2008-07-25 2012-12-18 Google Inc. Configurable memory system with interface circuit
US8397013B1 (en) 2006-10-05 2013-03-12 Google Inc. Hybrid memory module
US20080028136A1 (en) 2006-07-31 2008-01-31 Schakel Keith R Method and apparatus for refresh management of memory modules
US8438328B2 (en) 2008-02-21 2013-05-07 Google Inc. Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs
US8055833B2 (en) 2006-10-05 2011-11-08 Google Inc. System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage
US8796830B1 (en) 2006-09-01 2014-08-05 Google Inc. Stackable low-profile lead frame package
US8089795B2 (en) 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US9171585B2 (en) 2005-06-24 2015-10-27 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US8244971B2 (en) 2006-07-31 2012-08-14 Google Inc. Memory circuit system and method
US8130560B1 (en) 2006-11-13 2012-03-06 Google Inc. Multi-rank partial width memory modules
US7386656B2 (en) 2006-07-31 2008-06-10 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit
US10013371B2 (en) 2005-06-24 2018-07-03 Google Llc Configurable memory circuit system and method
US8060774B2 (en) 2005-06-24 2011-11-15 Google Inc. Memory systems and memory modules
US8081474B1 (en) 2007-12-18 2011-12-20 Google Inc. Embossed heat spreader
US7609567B2 (en) 2005-06-24 2009-10-27 Metaram, Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US9542352B2 (en) 2006-02-09 2017-01-10 Google Inc. System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits
US8077535B2 (en) 2006-07-31 2011-12-13 Google Inc. Memory refresh apparatus and method
US8169233B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Google Inc. Programming of DIMM termination resistance values
US8359187B2 (en) 2005-06-24 2013-01-22 Google Inc. Simulating a different number of memory circuit devices
GB2444663B (en) * 2005-09-02 2011-12-07 Metaram Inc Methods and apparatus of stacking drams
US9632929B2 (en) 2006-02-09 2017-04-25 Google Inc. Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits
US8080874B1 (en) 2007-09-14 2011-12-20 Google Inc. Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween
WO2010035316A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 富士通株式会社 メモリ制御装置およびメモリ制御方法
JP2011013909A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Canon Inc メモリ制御回路
JP5213061B2 (ja) * 2009-08-28 2013-06-19 エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 ミラーリング制御装置、ミラーリング制御回路、ミラーリング制御方法およびそのプログラム
JPWO2012046343A1 (ja) * 2010-10-08 2014-02-24 富士通株式会社 メモリモジュール冗長化方法、記憶処理装置、及びデータ処理装置
US9442816B2 (en) * 2011-11-30 2016-09-13 International Business Machines Corporation Implementing memory performance management and enhanced memory reliability accounting for thermal conditions
JP2019020896A (ja) 2017-07-13 2019-02-07 株式会社デンソー プロセッサ及びメモリモジュール

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57137948A (en) * 1981-02-19 1982-08-25 Fujitsu Ltd Automatic error correction system
JPH0338752A (ja) * 1989-07-05 1991-02-19 Koufu Nippon Denki Kk 記憶装置
JPH04115340A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Koufu Nippon Denki Kk 二重化記憶回路
JPH0594380A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Nec Corp 二重化メモリ装置
JPH07192458A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP3170145B2 (ja) * 1994-06-27 2001-05-28 株式会社日立製作所 メモリ制御システム
US6766429B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-20 International Business Machines Corporation Low cost and high RAS mirrored memory
JP2004139503A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記憶装置及びその制御方法
JP4534488B2 (ja) * 2004-01-05 2010-09-01 ソニー株式会社 データ格納装置、データ格納制御装置、データ格納制御方法及びデータ格納制御プログラム

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