JP4945929B2 - 透明導電性の薄膜形成方法及びその薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
槽に含まれる水分ガスの許容量を超える水分ガスが存在することにより、該条件下で形成されたITO膜の品質特性が悪化し、同時に物理的特性も劣化、例えば全体的に抵抗値が高くなる、若しくはその分布が悪くなる問題となっている。
透明基材を加温することなく、前記形成環境真空槽内のガス圧の1/100桁の圧力まで減圧し、その後、形成環境真空槽内へ導入するプロセスガスを用いて、形成環境真空槽内と同じガス圧へ調整したあと、透明基材を形成環境真空槽へ導入し、酸化インジウム膜を形成することを特徴とする透明導電性の薄膜形成方法である。
の工程では、酸素供給口7及びアルゴンガス供給口9より、不活性ガス及び酸素ガスのプロセスガスを常時導入して、ターゲットを用いて、カソード32を起動させスパッタリング法により酸化インジウム膜を形成する。次の工程では、装置搬出側7へ移動し、装置外へ搬出する。
A=a×10-x(Pa)
B=b×10-y(Pa)
x,yは、自然数
a,bは、同桁の実数
とした場合、
x=y+2
となるように真空圧を減圧し、調整した。
形成環境前真空槽内へ各々の供給口7,8から酸素ガス及び不活性ガスのプロセスガスを導入して、ターゲットを用いて、スパッタリング法により酸化インジウム膜を形成する形成環境真空槽である第三真空槽4と/第四真空槽5/第五真空槽6/装置搬出側/の構造からなる透明導電性の薄膜形成装置である。透明基材を、装置投入側から、第一真空槽〜第二真空槽、第三真空槽〜第五真空槽6と、装置搬出側9とその順に真空槽内に導入し、透明導電性の薄膜形成を形成する枚葉式インラインパッタリング装置である。前記第二真空槽内3のガス圧は第三真空槽4のガス圧の1/100桁の圧力まで減圧した。
基材上にITO膜を形成した。
2…第一真空槽
3…第二真空槽
4…第三真空槽
5…第四真空槽
6…第五真空槽
7…酸素供給口
8…アルゴンガス(Arガス)供給口
9…装置搬出側
10…(ITO膜の形成環境となる真空槽内へ導入する前の)形成環境前真空槽
20…(ITO膜の形成環境である)形成環境真空槽
30…枚葉枚葉式インラインパッタリング装置
31…真空ポンプ
32…カソード
Claims (2)
- 不活性ガス及び酸素ガスのプロセスガスを導入可能な、
酸化インジウム膜の形成環境となる真空槽内へ導入する前の形成環境前真空槽(以下形成環境前真空槽と記す)と、
不活性ガス及び酸素ガスのプロセスガスを導入しながらターゲットを用いて、
スパッタリング法により酸化インジウム膜を形成する酸化インジウム膜の形成環境である形成環境真空槽(以下形成環境真空槽と記す)とを備え、
複数の着色部からなる有機膜を形成した透明基材を、
前記形成環境前真空槽と前記形成環境真空槽とに、その順に導入し、酸化インジウム膜を形成する透明導電性の薄膜形成方法において、
前記形成環境前真空槽へ、
酸化インジウム膜形成対象となる透明基材を導入後に、
透明基材を加温することなく、
前記形成環境真空槽内のガス圧の1/100桁の圧力まで減圧し、
その後、
形成環境真空槽内へ導入するプロセスガスを用いて、
形成環境真空槽内と同じガス圧へ調整したあと、
透明基材を形成環境真空槽へ導入し、
酸化インジウム膜を形成することを特徴とする透明導電性の薄膜形成方法。 - 不活性ガス及び酸素ガスのプロセスガスを導入可能な
形成環境前真空槽と、
不活性ガス及び酸素ガスのプロセスガスを導入しながらターゲットを用いて、
スパッタリング法により透明導電性の薄膜
を形成する形成環境真空槽とを備え、
複数の着色部からなる有機膜を形成した透明基材を、
装置投入側の真空槽から、
形成環境前真空槽と、
形成環境真空槽と、
その順に導入し、
透明導電性の薄膜を形成する薄膜形成装置において、
透明基材を加温することなく、
形成環境真空槽内のガス圧の1/100桁の圧力まで減圧後に、
不活性ガス及び酸素ガスを導入して、
形成環境真空槽内と同じガス圧へ
調整可能な、
形成環境前真空槽を装備したことを特徴とする透明導電性の薄膜形成装置。
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