JP4937896B2 - 微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法 - Google Patents
微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4937896B2 JP4937896B2 JP2007334177A JP2007334177A JP4937896B2 JP 4937896 B2 JP4937896 B2 JP 4937896B2 JP 2007334177 A JP2007334177 A JP 2007334177A JP 2007334177 A JP2007334177 A JP 2007334177A JP 4937896 B2 JP4937896 B2 JP 4937896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micro sample
- manufacturing
- silicon wafer
- forming step
- sample table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 66
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 12
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000237509 Patinopecten sp. Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 235000020637 scallop Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
(2)請求項2の発明は、請求項1に記載の微小試料台集合体の製造方法において、複数の微小試料台は、基板の面内に2次元的に配設されることを特徴とする。
(3)請求項3の発明は、請求項1または2に記載の微小試料台集合体の製造方法において、複数本の梁部は互いに平行に配設され、複数の微小試料台は梁部に直交して配設されることを特徴とする。
(4)請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の微小試料台集合体の製造方法において、接続部は、基部の高さよりも薄く形成されることを特徴とする。
(5)請求項5の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の微小試料台集合体の製造方法において、基板はシリコンウエハであり、基部と固定部の積層方向をシリコンウエハの厚さ方向とし、微小試料台の各々はフォトリソグラフィーとエッチングにより多段形状に形成されることを特徴とする。
(6)加工処理が施される微小試料を固定するための微小試料台であって、基部となる第1段と、微小試料が固定される固定部となる最上段とが多段形状とされた複数の微小試料台を、シリコンウエハからなる平板状の基板内に形成した微小試料台集合体の製造方法において、両端を基板の周縁部に接続した複数本の梁部を基板内に並べて形成する梁部形成工程と、複数本の梁部の側面に、所定間隔で接続部を複数個設ける接続部形成工程と、複数本の梁部の側面には、各接続部に接続される一つの微小試料台を複数個設ける微小試料台形成工程とを備え、梁部と、接続部と、微小試料台とを除いた領域には基板が存在しない隙間空間が形成され、梁部形成工程、接続部形成工程および微小試料台形成工程を並行して行い、基部と固定部の積層方向をシリコンウエハの厚さ方向とし、微小試料台の各々はフォトリソグラフィーとエッチングにより多段形状に形成される微小試料台集合体の製造方法であって、梁部形成工程は、シリコンウエハの表面側に梁部となる原型を形成する第1原型形成工程、および梁部を残してシリコンウエハを厚さ方向に除去する第1除去工程を含み、接続部形成工程は、シリコンウエハの表面側に接続部となる原型を形成する第2原型形成工程、および接続部を残してシリコンウエハを厚さ方向に除去する第2除去工程を含み、微小試料台形成工程は、シリコンウエハの裏面側に基部となる原型を形成する第3原型形成工程、および微小試料台を残してシリコンウエハを厚さ方向に除去する第3除去工程を含み、さらに製造方法は、第1〜第3原型形成工程と第1〜第3除去工程の間に、シリコンウエハの裏面側にベース基板を貼着する貼着工程と、第1〜第3除去工程の後に、梁部、接続部および微小試料台が形成されたシリコンウエハからベース基板を剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする。
(7)請求項7の発明による微小試料台の製造方法は、請求項1乃至6項のいずれか1項に記載の微小試料台集合体の製造方法により製造された微小試料台集合体から、接続部を破断して微小試料台の各々を分離する分離工程を備えることを特徴とする。
(8)請求項8の発明による試料ホルダの製造方法は、請求項7に記載の製造方法により製造された微小試料台を金属製の台座に接合する接合工程を設けたことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態による微小試料台を金属製台座メッシュに貼り付けた状態を模式的に示す図であり、図1(a)は正面図、図1(b)は側面図である。図1では、XYZ直交座標で方向を表す。図1に示されるように、微小試料台10は、ほぼ半円板形状の金属製の台座メッシュ100の表面に貼着されている。微小試料台10は、半導体ウエハや半導体デバイスから採取した平板状の微小試料片Sを保持して、透過型電子顕微鏡(TEM)観察あるいはオージェ電子分光(AES)等に供するために、微小試料片Sの薄片化調製を行う作業台として用いられる。そして、微小試料台10は、顕微鏡観察あるいは分光分析の際には、薄片化された微小試料片Sを保持したまま顕微鏡装置あるいは分光装置にセットされる。
工程Aでは、シリコンウエハ101の裏面側にスピンコータによりレジスト102を塗布し、ホットプレートを用いてプリベークを行う。A1は、上述したように、微小試料台10の1個分の領域を示す。
工程Cでは、残存するレジストパターン102を湿式型のリムーバーで除去した後、シリコンウエハ101を表裏反転させ、表面側にスパッタリングによりSiO2膜103を成膜する。
工程Dでは、SiO2膜103の上にレジストを塗布し、パターン露光と現像を行い、後に微小試料台10の最上段12bが形成される領域104aを含むレジストパターン104を形成する。
工程Eでは、レジストパターン104をマスクとしてSiO2膜103をバッファード弗酸でウエットエッチングし、後に微小試料台10の最上段12bが形成される領域103aを形成する。
工程Fでは、残存するレジストパターン104をリムーバーで除去した後、SiO2膜103のパターンが形成された面にスパッタリングによりAl膜105を成膜する。
工程Gでは、Al膜105の上にレジストを塗布し、パターン露光と現像を行い、後に微小試料台10の固定部の第1段12aが形成される領域106aを含むレジストパターン106を形成する。
工程Iでは、残存するレジストパターン106をリムーバーで除去した後、再びレジストを塗布し、パターン露光と現像を行い、後に微小試料台10の基部第2段11bが形成される領域107aを含むレジストパターン107を形成する。
工程Kでは、レジストパターン107をマスクとしてICP−RIEにより、シリコンウエハ101を厚さ方向(−Z方向)にドライエッチングする。その結果、シリコンウエハ101に段差B2が形成される。ドライエッチングでは、シリコンウエハ101の厚さ方向に貫通しないように、101aの部分の厚さを確保する必要がある。
工程Lでは、残存するレジストパターン107をリムーバーまたはRIE(reactive ion etching)を用いたO2アッシングで除去する。これにより、Al膜パターン105が露出する。
工程Mでは、Al膜パターン105をマスクとしてICP−RIEにより、シリコンウエハ101を厚さ方向(−Z方向)にドライエッチングする。段差B3が形成される。なお、シリコンウエハ101へのベース基板108の貼着は、工程Jに限らず、工程K〜Mのいずれの工程で行ってもよい。
工程Oでは、先ず、SiO2膜パターン103をバッファード弗酸でウエットエッチングして除去する。その後で、ベース基板108をシリコンウエハ101から剥離する。この工程で微小試料台集合体10Aが完成する。図18の平面図で明らかなように、微小試料台10は、接続リブ20で梁部30と一体に結合されているため、シリコンウエハ101から離脱することはなく、安定的に微小試料台集合体10Aを構成している。
図19は、本実施の形態による微小試料台集合体の製造工程で用いられるICP−RIE時のシリコンウエハ周辺を模式的に示す図であり、図19(a)は平面図であり、図19(b)は、図19(a)のIII−III線断面図である。
図19に示されるように、ベース基板108が貼着されたシリコンウエハ101を、円筒状の治具54の端面にOリング55を介して水平に載置し、クランプ用治具50により上方から押圧する。クランプ用治具50は、支柱51、円環52および複数の押さえ板53を有し、押さえ板53のばね性によりシリコンウエハ101を固定することができる。この状態で、ベース基板108の下方からHeガスを吹き付けて冷却しながら、シリコンウエハ101の上方から反応性ガス(例えば、SF6)のラジカルとイオンを供給してエッチングを行う。上述したように、シリコンウエハ101とベース基板108の貼着に熱伝導の良い接合剤を用いているので、Heガスによる冷却効果は高い。このようにして、微小試料台10の基部11と固定部12の各段の側面が形成される。
(1)フォトリソグラフィーとエッチングのみによりシリコンウエハの微細加工を行い、他の加工プロセスを使用しないので、製造設備の種類が少なくて済み、製造工程の単純化を図ることができる。
(2)フォトリソグラフィーとエッチングのみにより微細加工を行うので、微小試料台10の配置などのデザイン上の自由度が高い。
(3)微小試料台10を一体で多数同時に作製できるので、品質のばらつきがなく、1個当りの製造コストを大幅に削減できる。また、微小試料台10の高さ方向がシリコンウエハの厚さ方向になるので、材料取りに有利である。
(4)微小試料台10の分離作業は、ユーザーが使用直前に簡便に行うことができるので、微小試料台集合体10Aとしてまとめて保管あるいは運搬でき、取り扱い上の利便性に優れる。
(5)各々の微小試料台10が接続リブ20を介して強度の大きい梁部30に接続されているので、個片化作業が容易であり、個片化作業中、微小試料台の破損を防止することができる。
図20(a)では、基部11の第1段11aと接続リブ20とはいずれも高さh1と等しい。但し、接続リブ20の幅は第1段11aの幅と同じか狭いものとする。接続リブ20は基部11よりも低く作製されているので、上述した個片化作業を容易かつ確実に行うことができる。
図21(a)では、直方体形状の基部11の短辺の側面と接続リブ20とが結合されている。図21(b)では、直方体形状の基部11の側面が交差する角で接続リブ20Cが結合されている。図21(c)では、直方体形状の基部11の長辺の側面と接続リブ20Dとが結合されている。図21に示されるような形状は、工程Bのマスクを用いたエッチングにて任意に形成できる。
図22は、微小試料台10を台座メッシュ100に貼り付ける位置を図1とは変えて模式的に示す図であり、図22(a)は正面図、図22(b)は、図22(a)のIV−IV線に沿って切断した断面図である。図22でもXYZ直交座標で方向を表す。
10A:微小試料台集合体 11:基部
12:固定部 20:接続リブ
30:梁部 100:台座メッシュ
101:シリコンウエハ 108:ベース基板
S:微小試料片 SP:隙間空間
Claims (8)
- 加工処理が施される微小試料を固定するための微小試料台であって、基部となる第1段と、前記微小試料が固定される固定部となる最上段とが多段形状とされた複数の微小試料台を平板状の基板内に形成した微小試料台集合体の製造方法において、
両端を前記基板の周縁部に接続した複数本の梁部を前記基板内に並べて形成する梁部形成工程と、
前記複数本の梁部の少なくとも一部には、その側面に、前記梁部の一つに一側部においてのみ接続される接続部を所定間隔で複数個設ける接続部形成工程と、
前記複数本の梁部の側面には、前記各接続部に接続される一つの微小試料台を複数個設ける微小試料台形成工程とを備え、
前記梁部と、前記接続部と、前記微小試料台とを除いた領域には前記基板が存在しない隙間空間が形成され、
前記梁部形成工程、接続部形成工程および微小試料台形成工程を並行して行うことを特徴とする微小試料台集合体の製造方法。 - 請求項1に記載の微小試料台集合体の製造方法において、
前記複数の微小試料台は、前記基板の面内に2次元的に配設されることを特徴とする微小試料台集合体の製造方法。 - 請求項1または2に記載の微小試料台集合体の製造方法において、
前記複数本の梁部は互いに平行に配設され、前記複数の微小試料台は前記梁部に直交して配設されることを特徴とする微小試料台集合体の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の微小試料台集合体の製造方法において、
前記接続部は、前記基部の高さよりも薄く形成されることを特徴とする微小試料台集合体の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の微小試料台集合体の製造方法において、
前記基板はシリコンウエハであり、前記基部と固定部の積層方向をシリコンウエハの厚さ方向とし、前記微小試料台の各々はフォトリソグラフィーとエッチングにより多段形状に形成されることを特徴とする微小試料台集合体の製造方法。 - 加工処理が施される微小試料を固定するための微小試料台であって、基部となる第1段と、前記微小試料が固定される固定部となる最上段とが多段形状とされた複数の微小試料台を、シリコンウエハからなる平板状の基板内に形成した微小試料台集合体の製造方法において、
両端を前記基板の周縁部に接続した複数本の梁部を前記基板内に並べて形成する梁部形成工程と、
前記複数本の梁部の側面に、所定間隔で接続部を複数個設ける接続部形成工程と、
前記複数本の梁部の側面には、前記各接続部に接続される一つの微小試料台を複数個設ける微小試料台形成工程とを備え、
前記梁部と、前記接続部と、前記微小試料台とを除いた領域には前記基板が存在しない隙間空間が形成され、
前記梁部形成工程、接続部形成工程および微小試料台形成工程を並行して行い、前記基部と固定部の積層方向をシリコンウエハの厚さ方向とし、前記微小試料台の各々はフォトリソグラフィーとエッチングにより多段形状に形成される微小試料台集合体の製造方法であって、
前記梁部形成工程は、前記シリコンウエハの表面側に前記梁部となる原型を形成する第1原型形成工程、および前記梁部を残して前記シリコンウエハを厚さ方向に除去する第1除去工程を含み、
前記接続部形成工程は、前記シリコンウエハの表面側に前記接続部となる原型を形成する第2原型形成工程、および前記接続部を残して前記シリコンウエハを厚さ方向に除去する第2除去工程を含み、
前記微小試料台形成工程は、前記シリコンウエハの裏面側に前記基部となる原型を形成する第3原型形成工程、および前記微小試料台を残して前記シリコンウエハを厚さ方向に除去する第3除去工程を含み、
さらに前記製造方法は、前記第1〜第3原型形成工程と前記第1〜第3除去工程の間に、前記シリコンウエハの裏面側にベース基板を貼着する貼着工程と、
前記第1〜第3除去工程の後に、前記梁部、接続部および微小試料台が形成された前記シリコンウエハから前記ベース基板を剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする微小試料台集合体の製造方法。 - 請求項1乃至6項のいずれか1項に記載の微小試料台集合体の製造方法により製造された微小試料台集合体から、前記接続部を破断して前記微小試料台の各々を分離する分離工程を備えることを特徴とする微小試料台の製造方法。
- 請求項7に記載の製造方法により製造された微小試料台を金属製の台座に接合する接合工程を設けたことを特徴とする試料ホルダの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007334177A JP4937896B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007334177A JP4937896B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009156678A JP2009156678A (ja) | 2009-07-16 |
JP4937896B2 true JP4937896B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=40960864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007334177A Active JP4937896B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4937896B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT510799B1 (de) * | 2010-11-29 | 2012-12-15 | Leica Microsystems Schweiz Ag | Halterung für einen elektronenmikroskopischen probenträger |
US9281163B2 (en) * | 2014-04-14 | 2016-03-08 | Fei Company | High capacity TEM grid |
CN106206227B (zh) * | 2016-08-02 | 2018-01-09 | 天津理工大学 | 一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区 |
JP6955675B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2021-10-27 | 信越半導体株式会社 | サンプル作製方法、欠陥観察方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0376122A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Hitachi Ltd | デバイス移植装置 |
JP3536100B2 (ja) * | 1998-10-19 | 2004-06-07 | 沖電気工業株式会社 | 半導体素子の評価方法 |
JP2004271393A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Toshiba Corp | ペデスタル基板、電子顕微鏡用測定治具、測定試料組み立て体、測定試料の作製方法及び測定方法 |
JP4357347B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2009-11-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料加工方法及び試料観察方法 |
JP4426512B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2010-03-03 | アオイ電子株式会社 | 微小試料台 |
JP4460501B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2010-05-12 | アオイ電子株式会社 | 微小試料台 |
JP4489652B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2010-06-23 | アオイ電子株式会社 | 微小試料台集合体 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007334177A patent/JP4937896B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009156678A (ja) | 2009-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4426512B2 (ja) | 微小試料台 | |
US7977211B2 (en) | Method for reducing the thickness of substrates | |
US10895805B2 (en) | Pellicle manufacturing method and method for manufacturing photomask with pellicle | |
US9212049B2 (en) | SOI wafer, manufacturing method therefor, and MEMS device | |
JP4937896B2 (ja) | 微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法 | |
DE112013005128T5 (de) | Produktion mikromechanischer Vorrichtungen | |
JP4570980B2 (ja) | 試料台及び試料加工方法 | |
CN1705138A (zh) | 用于制造微型机电系统的方法 | |
JP4951632B2 (ja) | 集積回路を製造する方法 | |
JP4489652B2 (ja) | 微小試料台集合体 | |
JP2003194681A (ja) | Tem試料作製方法 | |
CN102646566B (zh) | 用于在线sem观察的sem样品夹具及sem样品观察方法 | |
JP4937775B2 (ja) | 微小試料台、その作成方法、微小試料台集合体、および試料ホルダ | |
JP4460501B2 (ja) | 微小試料台 | |
US9929035B2 (en) | Method of producing a removable wafer connection and carrier for wafer support | |
US8513620B2 (en) | Auxiliary stage and method of utilizing auxiliary stage | |
JP5666791B2 (ja) | 微小試料台および微小試料台の製造方法 | |
US7394075B1 (en) | Preparation of integrated circuit device samples for observation and analysis | |
JP2009156599A (ja) | 試料作製方法及び試料作製装置 | |
JP2006329723A (ja) | 電子顕微鏡観察用試料の作製方法 | |
US7884445B2 (en) | Semiconductor device in wafer assembly | |
JP2004271393A (ja) | ペデスタル基板、電子顕微鏡用測定治具、測定試料組み立て体、測定試料の作製方法及び測定方法 | |
JP2912755B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 | |
JP5298230B2 (ja) | 微小試料台、微小試料台作成用基板および微小試料台を用いた分析方法 | |
JP2005055387A (ja) | 試料作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4937896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |