JP2912755B2 - 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 - Google Patents
透過型電子顕微鏡用試料の作製方法Info
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- JP2912755B2 JP2912755B2 JP3598492A JP3598492A JP2912755B2 JP 2912755 B2 JP2912755 B2 JP 2912755B2 JP 3598492 A JP3598492 A JP 3598492A JP 3598492 A JP3598492 A JP 3598492A JP 2912755 B2 JP2912755 B2 JP 2912755B2
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- Japan
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- sample
- electron microscope
- transmission electron
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透過型電子顕微鏡用試料
の作製方法に関するものである。
の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透過型電子顕微鏡で観察する試料は、電
子線が透過できるように試料膜厚をできるかぎり薄くす
る必要がある。そのため種々の試料作製方法が考案され
ている。
子線が透過できるように試料膜厚をできるかぎり薄くす
る必要がある。そのため種々の試料作製方法が考案され
ている。
【０００３】以下、従来の一般的な試料作製方法、特に
半導体デバイスの断面形状を観察するための試料作製方
法について図面を用いて説明する。
半導体デバイスの断面形状を観察するための試料作製方
法について図面を用いて説明する。
【０００４】図３は従来の断面観察用の試料作製方法に
ついての説明図であり、１はＳｉ基板、２は試料作製時
に薄膜化するためのイオンビーム、３はイオンビームで
設けられた開口部である。
ついての説明図であり、１はＳｉ基板、２は試料作製時
に薄膜化するためのイオンビーム、３はイオンビームで
設けられた開口部である。
【０００５】以下その試料作製方法について説明する。
まず試料表面を保護し、また試料作製時の取扱いを容易
にするために試料膜厚を厚くするためにＳｉ基板１を複
数枚張り合わせる（図３（ａ））。通常２〜４枚を張り
合わせている。この試料をダイヤモンドカッタを用い約
０.５mm厚に切断する（図３（ｂ））。次に機械的な研
磨法により試料膜厚を約２０μｍとできるだけ薄膜とす
る（図３（ｃ））。そして最後にイオンビーム２を用い
たエッチング法（図３（ｄ））により試料中央部に微小
な穴３を開ける（図３（ｅ））。
まず試料表面を保護し、また試料作製時の取扱いを容易
にするために試料膜厚を厚くするためにＳｉ基板１を複
数枚張り合わせる（図３（ａ））。通常２〜４枚を張り
合わせている。この試料をダイヤモンドカッタを用い約
０.５mm厚に切断する（図３（ｂ））。次に機械的な研
磨法により試料膜厚を約２０μｍとできるだけ薄膜とす
る（図３（ｃ））。そして最後にイオンビーム２を用い
たエッチング法（図３（ｄ））により試料中央部に微小
な穴３を開ける（図３（ｅ））。
【０００６】透過型電子顕微鏡観察では、以上の作製手
順で作製された試料の開口部３周辺の薄膜部において観
察する。
順で作製された試料の開口部３周辺の薄膜部において観
察する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の透過型電子顕微鏡用の試料作製方法では、最終的に
イオンビームで開けた穴の周辺部の薄膜部を観察してい
る。そのため任意の部分のみしか観察できない。そこで
特定部の断面を観察することが困難であるという問題が
あった。
来の透過型電子顕微鏡用の試料作製方法では、最終的に
イオンビームで開けた穴の周辺部の薄膜部を観察してい
る。そのため任意の部分のみしか観察できない。そこで
特定部の断面を観察することが困難であるという問題が
あった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この問題点を解決するた
めに本発明の透過型電子顕微鏡用の試料作製方法は、透
過型電子顕微鏡を用い断面形状を観察しようとする半導
体デバイスの試料表面に、メタンおよびアセチレンガス
を用いたプラズマ重合法を用い高分子膜を試料全面に成
膜した後に、断面観察位置および断面観察位置周辺部を
残してその他の部分の上記高分子膜を集束イオンビーム
法で除去した後に、フッカ水素酸を用いた薬液処理によ
って断面観察部分以外のデバイスパターンを除去した後
に、断面観察位置を残し周辺部のデバイスパターンを集
束イオンビーム法によって除去し、電子線が透過可能な
薄膜壁のみを残すことによって半導体デバイスの特定部
断面を透過型電子顕微鏡を用い観察するための試料を作
製している。
めに本発明の透過型電子顕微鏡用の試料作製方法は、透
過型電子顕微鏡を用い断面形状を観察しようとする半導
体デバイスの試料表面に、メタンおよびアセチレンガス
を用いたプラズマ重合法を用い高分子膜を試料全面に成
膜した後に、断面観察位置および断面観察位置周辺部を
残してその他の部分の上記高分子膜を集束イオンビーム
法で除去した後に、フッカ水素酸を用いた薬液処理によ
って断面観察部分以外のデバイスパターンを除去した後
に、断面観察位置を残し周辺部のデバイスパターンを集
束イオンビーム法によって除去し、電子線が透過可能な
薄膜壁のみを残すことによって半導体デバイスの特定部
断面を透過型電子顕微鏡を用い観察するための試料を作
製している。
【０００９】
【作用】この試料作製方法では高い精度での位置合わせ
が可能な集束イオンビーム法を用い試料断面の膜厚を薄
くしているため、透過型電子顕微鏡による特定位置の断
面観察が可能となる。
が可能な集束イオンビーム法を用い試料断面の膜厚を薄
くしているため、透過型電子顕微鏡による特定位置の断
面観察が可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例における透過型電
子顕微鏡用の試料作製方法を示すものである。
子顕微鏡用の試料作製方法を示すものである。
【００１２】図１において、１はＳｉ基板、４はＳｉ基
板１上に形成されたデバイスパターン、５は断面観察を
必要とする部分、６は高分子膜である。
板１上に形成されたデバイスパターン、５は断面観察を
必要とする部分、６は高分子膜である。
【００１３】以下その試料作製方法について説明する。
まず、Ｓｉ基板１表面に形成されたデバイスパターン４
が形成されている。今、断面形状を観察したい特定位置
は５で示された部分である（図１（ａ））。このデバイ
スパターン４上にメタンとアセチレンの混合ガスを用い
たプラズマ重合法で形成された高分子膜６を成膜する
（図１（ｂ））。その膜厚は約５０nmである。次に断面
観察位置５の前後約２μｍ程度を残して、その他の部分
の高分子膜６を集束イオンビーム法を用い除去する（図
１（ｃ））。次にフッカ水素酸を用いた薬液処理によっ
て断面観察位置５の周辺部以外のデバイスパターン４を
除去する（図１（ｄ））。最後に集束イオンビーム法に
よって断面観察部分の極周辺部以外のデバイスパターン
４を除去することによって膜厚約３００nmの薄膜壁を残
す（図１（ｅ））。
まず、Ｓｉ基板１表面に形成されたデバイスパターン４
が形成されている。今、断面形状を観察したい特定位置
は５で示された部分である（図１（ａ））。このデバイ
スパターン４上にメタンとアセチレンの混合ガスを用い
たプラズマ重合法で形成された高分子膜６を成膜する
（図１（ｂ））。その膜厚は約５０nmである。次に断面
観察位置５の前後約２μｍ程度を残して、その他の部分
の高分子膜６を集束イオンビーム法を用い除去する（図
１（ｃ））。次にフッカ水素酸を用いた薬液処理によっ
て断面観察位置５の周辺部以外のデバイスパターン４を
除去する（図１（ｄ））。最後に集束イオンビーム法に
よって断面観察部分の極周辺部以外のデバイスパターン
４を除去することによって膜厚約３００nmの薄膜壁を残
す（図１（ｅ））。
【００１４】この方法で作製した試料は図２に示す配置
によって、透過型電子顕微鏡による断面観察が可能であ
る。
によって、透過型電子顕微鏡による断面観察が可能であ
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、高い精度での位置合わせが可
能な集束イオンビーム法を用い断面観察用試料を作製し
ているため、特定部の断面観察が可能な透過型電子顕微
鏡用試料の作製を実現するものである。
能な集束イオンビーム法を用い断面観察用試料を作製し
ているため、特定部の断面観察が可能な透過型電子顕微
鏡用試料の作製を実現するものである。
【図１】本発明の一実施例における透過型電子顕微鏡用
試料の作製方法の工程断面図
試料の作製方法の工程断面図
【図２】本発明の方法で作製した試料の透過型電子顕微
鏡による観察配置図
鏡による観察配置図
【図３】従来の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の工
程断面図
程断面図
１ Ｓｉ基板 ２ 試料研磨用イオンビーム ３ 開口部 ４ Ｓｉ基板１上に形成されたデバイスパターン ５ 断面観察位置 ６ 高分子膜 ７ 電子線
Claims (1)
- 【請求項１】 透過型電子顕微鏡を用い断面形状を観察
しようとする半導体デバイスの試料表面に、メタンおよ
びアセチレンガスを用いたプラズマ重合法を用い高分子
膜を試料全面に成膜した後に、断面観察位置及び断面観
察位置の周辺部を残してその他の部分の上記高分子膜を
集束イオンビーム法で除去し、その後、フッカ水素酸を
用いた薬液処理によって断面観察位置を含む断面観察位
置周辺部以外のデバイスパターンを除去し、その後、断
面観察位置を残し周辺部のデバイスパターンを集束イオ
ンビーム法によって除去し、電子線が透過可能な薄膜壁
のみを残すことを特徴とする透過型電子顕微鏡用試料の
作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3598492A JP2912755B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3598492A JP2912755B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05231997A JPH05231997A (ja) | 1993-09-07 |
| JP2912755B2 true JP2912755B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=12457138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3598492A Expired - Lifetime JP2912755B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912755B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4153388B2 (ja) | 2003-08-29 | 2008-09-24 | Ｔｄｋ株式会社 | 試料測定方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP3598492A patent/JP2912755B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05231997A (ja) | 1993-09-07 |
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