JP4936101B2 - 低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法 - Google Patents

低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4936101B2
JP4936101B2 JP2005318955A JP2005318955A JP4936101B2 JP 4936101 B2 JP4936101 B2 JP 4936101B2 JP 2005318955 A JP2005318955 A JP 2005318955A JP 2005318955 A JP2005318955 A JP 2005318955A JP 4936101 B2 JP4936101 B2 JP 4936101B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
hours
film
treatment
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005318955A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007126693A (ja
JP2007126693A5 (ja
Inventor
政弘 秋本
Original Assignee
電化皮膜工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 電化皮膜工業株式会社 filed Critical 電化皮膜工業株式会社
Priority to JP2005318955A priority Critical patent/JP4936101B2/ja
Publication of JP2007126693A publication Critical patent/JP2007126693A/ja
Publication of JP2007126693A5 publication Critical patent/JP2007126693A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4936101B2 publication Critical patent/JP4936101B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Description

本発明は材料中の不純物溶出が影響する環境において使用に適するアルミニウム材料に関する。
半導体製造装置に於いて実装密度が向上するに連れて、各部品を構成する材料よりの金属及び不純物の発生が問題となってくる。この為に真空装置の内面にはこれら不純物の発生の少ないステンレス製の金属製品が主に用いられてきた。しかし近頃の装置大型化に伴い製品重量の大きさ、製品の移動等のコストアップが必然的に加わるようになり、これを解決する為には軽量化は避けて通れない課題である。
ここで軽量化、低コスト、加工性がよい素材としてアルミニウムが注目される。しかし、アルミニウムを使用するに当たり、克服しなければならない課題として、耐食性がある。対耐食性の簡便で信頼性を備えた処理法として陽極酸化皮膜処理法がある。しかしこの方法では工程中よりの不純物混入が発生するために対応策が必要となる。
陽極酸化処理で形成された皮膜は構造的には蜂の巣の構造と良く似ており、素材から表面に向けて蜂の巣状に微小の穴があいており、巣の穴に当たる多孔質層とその壁面、穴の底の蓋(バリヤー層)より成り立っている多孔質皮膜である。多孔質皮膜の役割を大別すると、耐食性に関与する項目は皮膜厚さ、封孔処理と皮膜の組成であり、皮膜よりの不純物発生は封孔処理の成分と皮膜組成より決められることが大きい。
ここで封孔処理とは多孔質層の穴が陽極酸化処理のままであると、外部より腐食性の物質が出入りすることによる耐食性低下が発生するのでこれを解決するための処理で、基本的には陽極酸化皮膜(Al)を熱と水分により水和物(Al(OH))に変化させることである。この反応により、皮膜に体積膨張が起こり、このことにより多孔質層の微小孔が更に小さくなる。これを水和封孔と言い、現状では沸騰水法、蒸気法が用いられ、その他の方法として金属塩法、常温法等が使用されている。
皮膜からの不純物溶出を計測する方法は、皮膜から溶媒へのイオンの溶出量を電気伝導度で計測する方法で行われる。例えば、冷却水などに溶解したイオンを監視、除去する方法について、特許文献1に記載がある様に、冷却水の電気伝導度を常時測定し、溶出イオンを除去するユニットを組み合わせたシステムが提案されているが、本来は使用部品からイオンの溶出が無いようにすることが最も望ましいことである。
特開2003−36869号広報
本発明はアルミニウム材料において、皮膜よりの金属または不純物発生は多孔質層中の残留成分、壁面よりの溶出、または封孔時の金属及び金属塩等の溶出が主たる原因と考えて、これらを限りなく少なくすることを目的とするものである。
本発明は、表面に不純物溶出量の少ない陽極酸化皮膜を有するアルミニウム金属材料であって、以下に規定する不純物の溶出量が電気伝導度で5μS/cm以下であり、耐食性が皮膜厚さ10μmで塩水噴霧試験360時間、レイティングナンバー(R.N.)9.5以上を有する事を特徴とする、アルミニウム材料及びその製造方法である。ここで規定される不純物の溶出量は、純水への溶出量に比例して電気伝導度が上昇することを利用した計測法であって、測定法はJIS−K2234に定められている金属腐食性試験装置を用い、純水500mlを含むガラス製密閉容器中に、面積18cm(3cm×3cmの両面)アルミニウム材料試料を入れ、60℃に加熱し、蒸発蒸気は冷却されリフラックスしている状態で360時間連続加熱運転後において溶媒である水について測定した電気伝導度を持って示されるものである。
不純物溶出に用いる溶媒は純度1μS/cm以下の純水であり、通常蒸留水が用いられる。電気伝導度の測定は、横河電気株式会社製の導電導率計SC82で行われる。
不純物防止用皮膜の形成は、アルミニウム金属素材に形成した陽極酸化皮膜を超音波法及び/又は電解法、或いはこれに振動法、浸漬流水法等を組み合わせた洗浄をした後、乾式及び/又は湿式による遠赤外線照射単独での後処理、又は乾式及び/又は湿式による遠赤外照射の前に常温、沸騰水、蒸気もしくは金属塩などの封孔処理を施し、その後に遠赤外線の照射を施すことが好ましい。更に、1種又は2種以上の無機化合物又は有機化合物を用いて封孔処理を行うことも出来る。又ここで言う乾式遠赤外線照射とは大気又は雰囲気中での乾式状態での遠赤外線照射を言い、湿式遠赤外線照射とは被処理材表面が水又は化合物により液状及び/又は霧化状雰囲気における遠赤外線照射を言う。
本発明において陽極酸化皮膜の洗浄は超音波、流水洗浄又は交流による電解洗浄、あるいはこれらの組み合わせで行なわれる。電解洗浄法として逆電法と称される洗浄法を用いても良い。これらの洗浄法を用いると不純物溶出量を本発明で規定する量以下とする事が出来るが、別の洗浄法ではイオン溶出量をこのように減少させることが出来ない。
封孔処理の具体的な方法は、陽極酸化皮膜に存在する微細孔の孔内を上記の方法で洗浄をした後に、必要に応じて純水またはアルミニウム系、アルミン酸系、ケイ酸塩系、ケイフッ化物系、フッ化物系、ホウフッ化物系及びフッ素系ケイ酸などの酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、アミン系の一つ又は二つ以上を組み合わせた浴中に70℃以上、5〜30分処理し、擬水和物を作り、更に90℃以上の純水中にて擬水和物から水和物化と変化させ、次に乾式及び/又は湿式による遠赤外線照射よる後処理により水和物を1部及び/又は擬結晶させる。このようにして形成した陽極酸化皮膜は不純物の溶出防止用皮膜として作用し、純水中で60±1℃、360時間浸漬運転した時の純水の導電率が5μS/cm/18cm程度以下となる。
不純物溶出防止用皮膜を構成する成分は、80%〜99.9%の酸化アルミニウム及び/又は水酸化アルミニウムが主成分であり、残余の0.01〜20%は皮膜補助成分で、これらはケイ酸塩系、ケイフッ化物系、フッ化物系、ホウフッ化物系及びフッ素系から選ばれた一種以上からなるものである。
アルミニウム合金の陽極酸化で製造した皮膜は通常無数の微細な孔からなるセル構造をとっており、このセル構造を封孔処理したものが公知の用途に多用されているが、このものからの不純物溶出量は60℃、360時間運転時で20〜30μS/cm/18cm程度の導電度となり、半導体装置に使用したとき不純物溶出量が大きすぎて悪影響が大きくて実装密度上がってくる将来の製品に対して実用に供することが難しい。
本発明におけるアルミ金属部品表面の陽極酸化皮膜は主に非晶質のアルミニウム酸化物からなっており、これに常温、沸騰水、蒸気もしくは金属塩による封孔の1つ以上と組み合わせた封孔処理を行い、更に乾式及び/又は湿式による遠赤外線照射よる後処理を行う事により非晶質と結晶に近い擬結晶の混合状態に進む。これにより構造的に非晶質よりも安定化する為に、従来公知のアルマイトに比べて不純物の溶出は著しく小さくなる。
陽極酸化処理としては、周知の通り、硫酸、シュウ酸等による単独浴又はこれらの混酸浴、電解発色用の有機酸との複数混合浴がある。一方、複数浴電解法として、硫酸電解後に2次電解を行う電解着色法がある。これらは色調が目的である。しかし今回の目的である電気伝導度に関しては、アルミニウム陽極酸化皮膜の欠点である多孔質構造の空孔部位よりの溶媒への不純物溶出がある為に導電度が上がる。
本発明では不純物防止の為に、空孔内の不純物の効率的な除去方法、及び空孔の容積の減少、皮膜の安定化が必須となる。不純物除去法としては各種の洗浄法が公知であり、空孔容積の減少には既知の封孔法、擬結晶化法又は、ポアー・フィーリング法がある。一般的な封孔法では表層部位の皮膜が水和物となり、表面が体積膨張する為に入口(表面側)の孔径が小さくなり中の孔径の大きさに殆ど変化は来たさないで、むしろ多孔質空孔内部の洗浄に支障を来たす傾向にある。また入口(表面側)の孔径が小さいために、空孔内部の不純物が長時間溶媒に溶出する傾向にあるので不向きである。ポアー・フィーリング法では確かに空孔内が詰められるが、溶媒に浸漬すると、不純物の溶出がある。
これらの点から解決手段として本発明は、皮膜を生成工程、洗浄工程、空孔を詰める工程、封じる工程、安定工程と分けて組み立てた。特に皮膜生成工程においては、多孔質空孔の洗浄に留意して、電解浴の孔径による電解順位を定め、同一皮膜厚さでも、多孔質空孔内部を洗浄し易い様に電解浴による孔径の違いを鑑み、皮膜成長に伴う複数電解法を特徴としている。そして本発明での洗浄法は超音波又は逆電法、交流法による電解洗浄を必要としている。又封孔方法としては、空孔の容積を減少させる為に、電解着色法とポアー・フィーリング法並びに溶媒に溶出しにくい封孔法と遠赤外線照射法との組み合わせにより成り立っている。これらの複数電解法、洗浄法、複数封孔法及び後処理の組み合わせにより、導電度が目的の数値に達成する。
陽極酸化処理の好ましい方法として複数浴陽極酸化皮膜処理法があるが、これは硫酸法又は、リン酸法の無機系電解法、カルボキシル基又は、スルホン基の官能基を同一又は、複合的に2つ以上有する脂肪族又は芳香族の有機化合物を含んだ有機系電解法、無機系電解浴と有機系電解浴の組み合わせた混酸系電解法の1つ又は2つ以上の電解法を連続的に組み合わせる多種類多段電解浴法を用いて行う製造法である。
本発明の金属材料は半導体装置等のコンタミを特に嫌う分野の部品として用いると、従来のアルマイト製品では達成不能な皮膜であったが、不純物の溶出を防止できる皮膜が出来た事により更なる半導体の実装密度向上も、この点からの問題の解決に寄与できる可能性が出て来た。
次に、本発明の実施例を説明する。
アルミニウム合金(A6061、片側面積25cm)を脱脂、エッチング、脱スマット後、第一電解;硫酸浴(遊離硫酸濃度130g/L、溶存アルミニウム濃度5g/L、浴温21℃、電圧14V、)で30分処理後、超音波にて5分洗浄後、電解洗浄(交流12V,ケイフッ化ソーダ7g/L,20℃、10分)、更に超音波にて5分洗浄後沸騰水仮封孔(80℃、5分)、蒸気封孔(0.5MPa、15分)を行い、NGKキルンテック(株)社製インフラスタインBヒーター使用のバッチ形遠赤外炉で遠赤外線を30分照射し乾燥した。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間でR.N.9.8以上あった。純度1μS/cmの純水500ml中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)製の導電率計SC82にて計測したところ、3.4μS/cm/18cmであった。
実施例1と同様の被処理物及び前処理及び電解条件で処理を行い、洗浄を流水浸漬法で行った後、更に超音波洗浄を10分行い沸騰水仮封孔後、実施例1と同じ遠赤外線炉で表面に蒸気ミスト中にて15分遠赤外線を照射し、再度超音波洗浄を10分行った。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間R.N.9.8以上で、純水中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)製導電率計SC82にて計測したところ、3.6μS/cm/18cmであった。
実施例1と同様の被処理物及び前処理及び電解条件で処理を行い、洗浄を流水浸漬法で行った後、更に超音波洗浄を10分行い、次に乾式の遠赤外線照射による封孔を15分行い、更に超音波洗浄を10分行った。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間でR.N.は9.8以上であった。純水中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)導電率計SC82にて計測したところ、3.8μS/cm/18cmであった。
実施例1と同様の被処理物及び前処理及び電解条件で処理を行い、洗浄を流水浸漬法で行った後、電解洗浄(交流13V,硫酸0.05モル/L,20℃、10分)を行い、更に超音波洗浄を10分、大気中での遠赤外線照射を30分、更に超音波洗浄を10分行った。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間でR.N.は9.8以上であった。純水中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)導電率計SC82にて計測したところ、3.5μS/cm/18cmであった。
実施例1と同様の被処理物及び前処理及び電解条件で処理を行い、洗浄を流水浸漬法で行った後、常温封孔(エコノシール2S;エバテック社製、10g/L,28℃、10分)を行い、超音波洗浄を10分、大気中での遠赤外線照射を30分、超音波洗浄を10分行った。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間でR.N.は9.8以上であった。純水中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)導電率計SC82にて計測したところ、3.7μS/cm/18cmであった。
(比較例1)実施例1と同様の被処理物及び前処理及び電解条件で処理を行い、洗浄を流水浸漬法で行った後、沸騰水封孔を行った所、皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間R.N.9.8以上あっが、純水中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)導電率計SC82にて計測したところ、8.1μS/cm/18cmであった。
(比較例2)実施例1と同様の被処理物及び前処理及び電解条件で処理を行い、洗浄を流水浸漬法で行った後、封孔処理を金属塩としてフーコー07(古河電工社製;酢酸ニッケル系封孔剤、7g/L、93℃、15分)を用いて行った。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間R.N.9.8以上あった。純水中に60℃、360時間浸漬後横河電機(株)導電率計SC82にて計測したところ、10.4μS/cm/18cmであった。
(比較例3)実施例1と同様の被処理物を用い、同様の前処理をした後、電解浴として混酸浴(遊離硫酸120g/L、遊離シュウ酸10g/L、溶存アルミニウム4g/L)を用い、浴温5℃、直流電流密度1.2A/dmで30分電解処理し、流水振動法にて10分水洗後、封孔なしにて低温乾燥した。皮膜厚さは10±1μm、塩水噴霧試験360時間R.N.9.8以上あった。純水中に60℃、360時間浸漬後横川電機(株)製の導電率計SC82にて計測したところ、13.3μS/cm/18cmであった。
本発明のアルミニウム製品は軽量化を必要とする半導体装置または皮膜中の不純物溶出を嫌う部位または部品等に使用される。

Claims (3)

  1. アルミニウムまたはアルミニウム合金を、1種類以上の無機酸系浴又は有機酸系浴の、1つ又は2つ以上の組み合わせ浴にて、1回以上の陽極酸化処理を行い、印加電圧を交流で12V以上とした電解洗浄法による洗浄後に、乾式又は湿式による遠赤外線照射と常温、沸騰水もしくは蒸気による封孔の1つ以上と組み合わせた後処理を施すことを特徴とし、陽極酸化皮膜から溶媒への不純物溶出量が、JIS−K2234に定められた金属腐食性試験装置を用い、純水500mlを含むガラス製密閉容器中に、面積18cmのアルミニウム材料試料を入れ、60℃に加熱し、蒸発蒸気は冷却されリフラックスしている状態で360時間連続加熱運転後において溶媒である水について測定した電気伝導度で5μS/cm/18cm以下であり、耐食性が塩水噴霧試験360時間でR.N.9.5以上を有する陽極酸化皮膜を有するアルミニウム材料の製造法。
  2. アルミニウムまたはアルミニウム合金を、1種類以上の無機酸系浴又は有機酸系浴の、1つ又は2つ以上の組み合わせ浴にて、1回以上の陽極酸化処理を行い、印加電圧を交流で12V以上とした電解洗浄法と超音波法による洗浄後に、乾式又は湿式による遠赤外線照射と常温、沸騰水もしくは蒸気による封孔の1つ以上と組み合わせた後処理を施すことを特徴とし、陽極酸化皮膜から溶媒への不純物溶出量が、JIS−K2234に定められた金属腐食性試験装置を用い、純水500mlを含むガラス製密閉容器中に、面積18cmのアルミニウム材料試料を入れ、60℃に加熱し、蒸発蒸気は冷却されリフラックスしている状態で360時間連続加熱運転後において溶媒である水について測定した電気伝導度で5μS/cm/18cm以下であり、耐食性が塩水噴霧試験360時間でR.N.9.5以上を有する陽極酸化皮膜を有するアルミニウム材料の製造法。
  3. 陽極酸化処理が直流法又はパルス法で皮膜を形成し、電解洗浄法を逆電法と交流法を組み合わせた2段階以上の複数電解洗浄法で行なうことを特徴とする請求項1または2のアルミニウム材料の製造法。
JP2005318955A 2005-11-02 2005-11-02 低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法 Active JP4936101B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005318955A JP4936101B2 (ja) 2005-11-02 2005-11-02 低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005318955A JP4936101B2 (ja) 2005-11-02 2005-11-02 低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007126693A JP2007126693A (ja) 2007-05-24
JP2007126693A5 JP2007126693A5 (ja) 2009-03-19
JP4936101B2 true JP4936101B2 (ja) 2012-05-23

Family

ID=38149576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005318955A Active JP4936101B2 (ja) 2005-11-02 2005-11-02 低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4936101B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102625963B1 (ko) * 2021-11-23 2024-01-17 주식회사 대한세라믹스 구상 산화알루미늄 분말의 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3816363B2 (ja) * 2001-08-28 2006-08-30 三菱アルミニウム株式会社 耐食性に優れる表面処理アルミニウム材及びその製造方法
JP3987326B2 (ja) * 2001-11-22 2007-10-10 日本化学産業株式会社 アルミニウム又はアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の封孔処理方法
JP4426383B2 (ja) * 2003-06-19 2010-03-03 株式会社Roki アルミニウム又はアルミニウム合金への酸化皮膜の形成方法
JP2005262466A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用アルミニウム支持体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102625963B1 (ko) * 2021-11-23 2024-01-17 주식회사 대한세라믹스 구상 산화알루미늄 분말의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007126693A (ja) 2007-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100213397B1 (ko) 알루미늄 기판상에 내식성 보호코팅을 형성하는 방법
TWI248991B (en) Aluminum alloy member superior in corrosion resistance and plasma resistance
JP4721708B2 (ja) 着色仕上げ法
US5039388A (en) Plasma forming electrode and method of using the same
KR20030010509A (ko) 내식성이 우수한 알루미늄 합금 부재
KR100216659B1 (ko) 알루미늄 기판상의 내식성 보호코팅
TW432763B (en) Excimer laser generator provided with a laser chamber with a fluoride passivated inner surface
TWI685590B (zh) 基板上之高純度鋁頂塗層
US9417018B2 (en) Multi-layer protective coating for an aluminum heat exchanger
JP5995144B2 (ja) アルミニウム系部材の修復方法、修復処理液、アルミニウム系材料およびその製造方法
JP4936101B2 (ja) 低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法
JPWO2008081748A1 (ja) 半導体又は平面デイスプレイの製造装置に使用される構造部材とその製造方法
JP5284740B2 (ja) 陽極酸化皮膜の形成方法とそれを用いたアルミニウム合金部材
KR20180087457A (ko) 반도체 프로세스 장비를 위한 내부식성 코팅
JP2005105300A (ja) 真空装置及びその部品に使用されるアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法、真空装置及びその部品
US5462634A (en) Surface-treated aluminum material and method for its surface treatment
JP4994668B2 (ja) AlまたはAl合金の陽極酸化皮膜の水和処理法
KR101545858B1 (ko) 가전용 알루미늄 열교환기의 산화물층 및 도료층 제조방법
JP3105322B2 (ja) 光輝性アルミホイールの無色クロメート皮膜形成方法
JP5534951B2 (ja) 熱交換器の処理方法及び熱交換器
JP5452034B2 (ja) 半導体製造装置用表面処理部材、および、その製造方法
JP3705898B2 (ja) 真空機器の表面処理アルミニウム構成部品及びその製造方法
JP6562500B2 (ja) 表面処理アルミニウム材とその製造方法
JP2002129386A (ja) 耐食性に優れた表面処理アルミニウム材料およびその製造方法
JPH0553870B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110706

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111102

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20111206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120110

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120209

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20180302

Year of fee payment: 6

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4936101

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250