JP4935585B2 - 誤差増幅回路およびスイッチング電源回路 - Google Patents
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ルMOSFET M6(727)のドレインに接続され、NチャネルMOSFET M6(727)のドレインに接続された出力端723から信号を出力する。NチャネルMOSFET M5(726)のソースおよびNチャネルMOSFET M6(727)のソースは共にグランド(アース)に接続されている。NチャネルMOSFET M5(726)及びNチャネルMOSFET M6(727)のゲートは共通接続される。なお、電源電圧VDDと入力電圧Vinの値は同一に設定されている。
[実施形態1]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る誤差増幅回路の構成を示すブロック図である。この誤差増幅回路は、後述するデューティ変換回路と組み合わせて上述した図6に示すようなDC−DCコンバータのスイッチング制御に用いるに好適なものである。図1に示す誤差増幅回路は、PチャネルMOSFET M1(111)、PチャネルMOSFET M2(112)、及び、定電流源Ib(113)より構成されるバイアス段110と、PチャネルMOSFET M3(124)、PチャネルMOSFET M4(125)、NチャネルMOSFET M5(126)、NチャネルMOSFET M6(127)、NチャネルMOSFET M5A(128)、及び、NチャネルMOSFET M6A(129)より構成される差動段120とで構成されている。電源電圧VDDがPチャネルMOSFET M1(111)及びPチャネルMOSFET M2(112)のソースに接続され、PチャネルMOSFET M1(111)及びPチャネルMOSFET M2(112)のゲートは共通接続され、さらにダイオード接続されたPチャネルMOSFET M1(111)のドレインに定電流源Ib(113)が接続されている。またPチャネルMOSFET M2(112)のドレインは差動段120のPチャネルMOSFET M3(124)及びPチャネルMOSFET M4(125)のソースに接続されている。PチャネルMOSFET M3(124)のゲートには誤差増幅回路の第1の入力電圧として例えば図6に示した基準電圧VREFが入力端121から供給され、PチャネルMOSFET M4(125)のゲートには誤差増幅回路の第2の入力電圧として例えば図6に示した分圧電圧VDETもしくは出力電圧Voutが入力端122から供給される。
M6A(129)のソースにそれぞれ接続されたNチャネルMOSFET M5(126)及びNチャネルMOSFET M6(127)は第2のカレントミラー回路を構成し、ダイオード接続されたNチャネルMOSFET M6(127)およびこれにカスケード接続するNチャネルMOSFET M6A(129)は能動負荷を構成し、NチャネルMOSFET M6A(129)のドレインに接続された出力端123から信号を出力する。つまり、本発明の第1の実施形態に係る誤差増幅回路における差動段120においては、NチャネルMOSFET M5(126)、NチャネルMOSFET M5A(128)、NチャネルMOSFET M6(127)、及び、NチャネルMOSFET M6A(129)でもってウィルソンカレントミラー回路を形成して、NチャネルMOSFET M6(127)がダイオード接続となるため、本発明の第1の実施形態に係る誤差増幅回路の出力電圧がNチャネルMOSFET M6(127)のしきい値Vthを下回ることを防ぐことが可能になる。
M6A(129)のドレインが出力端123に接続され出力端123から信号を出力するよう構成されている。ここで上記した誤差増幅器の出力電圧の下限値を、デューティ変換回路のデューティ比を0にできるぎりぎりの電圧であるとよい。デューティ変換回路が図2のような構成の場合、デューティ比を0にする入力電圧の値は、デューティ変換回路の入力部を構成するNチャネルMOSFET M11(212)のしきい値Vthの変動に依存して変化する。しかし、上記した本発明の第1の実施形態に係る誤差増幅回路では、誤差増幅回路の出力電圧の下限値もダイオード接続されたNチャネルMOSFET M6(127)のしきい値Vthに依存して変わるた
め、デューティ変換回路の入力部となるトランジスタを同じNチャネルMOSFETで構成すれば、温度変化に対して自動的に両者が連動して変動分を相殺することになる。すなわち、本発明の第1の実施形態に係る誤差増幅回路の後段に図2に示すような同じNチャネルMOSFET M11(212)が入力電圧を受ける構成の電圧電流変換回路210を配置することで、温度変動に対して自動的に出力電圧の下限値が調整されるため、特に有効となる。
びNチャネルMOSFET M22(222)のゲートにフィードバックされる。フィードバックされた入力信号によりPチャネルMOSFET M21(221)又はNチャネルMOSFET M22(222)のいずれかが動作(導通)する。いまコンデンサC20(225)が放電状態にあり、コンデンサC20(225)の出力電圧がL(ロー)レベルのときは、フィードバックされた入力信号もLレベルでPチャネルMOSFET M21(221)が動作する。すると、前段の電圧電流変換回路210の出力である電流信号がPチャネルMOSFET M21(221)を介してコンデンサC20(225)に流れてコンデンサC20(225)を充電し、充電電圧が第1のインバータU23(223)のしきい値電圧を超えて第1のインバータU23(223)への入力がH(ハイ)レベルになったときに第1のインバータU23(223)を駆動してLレベルの信号を第2のインバータU24(224)に入力し、第2のインバータU24(224)の出力がHレベルとなる。これがフィードバック信号としてNチャネルMOSFET M22(222)のゲートに伝達されてNチャネルMOSFET M22(222)が動作し、コンデンサC20(225)の電荷を放電する。そのため、コンデンサC20(225)の出力電圧がグランドレベルとなり、最初の状態に戻る。これを繰り返すことで電流制御発振回路を構成する。コンデンサC20(225)に対する充電電流は前段の電圧電流変換回路210の出力電流によって決まる。
り出力電圧Voutを生成し図示していない負荷に電力を供給するPWM(パルス幅変調)でスイッチング制御する降圧型DC−DCコンバータに適用できる。その場合、DC−DCコンバータは降圧型に限らず昇圧型、昇降圧型などの他の型式のものであっても構わない。また、入力電圧Vinとして、バッテリーからの直流電圧や交流入力をダイオードブリッジと平滑フィルターで整流・平滑した電圧などを適用することができる。
[実施形態2]
図4は、本発明の第2の実施形態に係る誤差増幅回路の構成を示すブロック図である。この誤差増幅回路は、前述したデューティ変換回路と組み合わせて上述した図6に示すようなDC−DCコンバータのスイッチング制御に用いるに好適なものである。図4に示す誤差増幅回路は、PチャネルMOSFET M1(411)、PチャネルMOSFET M2(412)、及び、定電流源Ib(413)より構成されるバイアス段410と、PチャネルMOSFET M3(424)、PチャネルMOSFET M4(425)、NチャネルMOSFET M5(426)、NチャネルMOSFET M6(427)、及び、NチャネルMOSFET M6A(429)より構成される差動段420とで構成されている。電源電圧VDDがPチャネルMOSFET M1(411)及びPチャネルMOSFET M2(412)のソースに接続され、PチャネルMOSFET M1(411)及びPチャネルMOSFET M2(412)のゲートは共通接続され、さらにダイオード接続されたPチャネルMOSFET M1(411)のドレインに定電流源Ib(413)が接続されている。またPチャネルMOSFET M2(412)のドレインは差動段420のPチャネルMOSFET
M3(424)及びPチャネルMOSFET M4(425)のソースに接続されている。PチャネルMOSFET
M3(424)のゲートには誤差増幅回路の第1の入力電圧として例えば図6に示した基準電圧VREFが入力端421から供給され、PチャネルMOSFET M4(425)のゲートには誤差増幅回路の第2の入力電圧として例えば図6に示した分圧電圧VDETもしくは出力電圧Voutが入力端422から供給される。
M6(427)のドレインに接続されている。NチャネルMOSFET M5(426)のソースおよびNチャネルMOSFET M6(427)のソースは共にグランド(アース)に接続されている。NチャネルMOSFET M5(426)及びNチャネルMOSFET M6(427)のゲートは共通接続される。ダイオード接続されたNチャネルMOSFET M6(427)およびこれにカスケード接続するNチャネルMOSFET M6A(429)は能動負荷を構成し、NチャネルMOSFET M6A(429)のドレインが出力端423に接続され出力端423から信号を出力する。なお、電源電圧VDDと入力電圧Vinの値は同一に設定されている。
NチャネルMOSFET M5(426)とNチャネルMOSFET M6(427)の特性が略等しいとみなせるので、NチャネルMOSFET M5(426)とNチャネルMOSFET M6(427)のソース電流は等しくなり、上記した本発明の第1の実施形態の誤差増幅回路と同様の動作をする。この構成により、本発明の第2の実施形態に係る誤差増幅回路における差動段420においては、NチャネルMOSFET M5(426)、NチャネルMOSFET M6(427)、及び、NチャネルMOSFET M6A(429)でもって上記した本発明の第1の実施形態の誤差増幅回路に採用されたウィルソンカレントミラー回路に代わる変形ウィルソンカレントミラー回路を形成してNチャネルMOSFET M6(427)がダイオード接続となるため、本発明の第2の実施形態に係る誤差増幅回路の出力電圧がNチャネルMOSFET M6(427)のしきい値Vthを下回ることを防ぐことが可能になる。[実施形態3]
図5は、本発明の第3の実施形態に係る誤差増幅回路の構成を示すブロック図である。この誤差増幅回路は、前述したデューティ変換回路と組み合わせて上述した図6に示すようなDC−DCコンバータのスイッチング制御に用いるに好適なものである。図5に示す誤差増幅回路は、PチャネルMOSFET M1(511)、PチャネルMOSFET M2(512)、及び、定電流源Ib(513)より構成されるバイアス段510と、PチャネルMOSFET M3(524)、PチャネルMOSFET M4(525)、NチャネルMOSFET M5(526)、NチャネルMOSFET M6(527)、レベルシフト(Level Shift)回路528、及び、NチャネルMOSFET M6A(529)より構成される差動段520とで構成されている。電源電圧VDDがPチャネルMOSFET M1(511)及びPチャネルMOSFET
M2(512)のソースに接続され、PチャネルMOSFET M1(511)及びPチャネルMOSFET M2(512)のゲートは共通接続され、さらにダイオード接続されたPチャネルMOSFET M1(511)のドレインに定電流源Ib(513)が接続されている。またPチャネルMOSFET M2(512)のドレインは差動段520のPチャネルMOSFET M3(524)及びPチャネルMOSFET M4(525)のソースに接続されている。PチャネルMOSFET M3(524)のゲートには誤差増幅回路の第1の入力電圧として例えば図6に示した基準電圧VREFが入力端521から供給され、PチャネルMOSFET M4(525)のゲートには誤差増幅回路の第2の入力電圧として例えば図6に示した分圧電圧VDETもしくは出力電圧Voutが入力端522から供給される。
M6(527)がダイオード接続となるため、本発明の第3の実施形態に係る誤差増幅回路の出力電圧がNチャネルMOSFET M6(527)のしきい値Vthを下回ることを防ぐことが可能になる。
111、112 PチャネルMOSFET
113 電流源
120 差動段
121、122 入力端
123 出力端
124、125 PチャネルMOSFET
126〜129 NチャネルMOSFET
410 バイアス段
411、412 PチャネルMOSFET
413 電流源
420 差動段
421、422 入力端
423 差動段出力端
424、425 PチャネルMOSFET
426、427 NチャネルMOSFET
429 NチャネルMOSFET
510 バイアス段
511、512 PチャネルMOSFET
513 電流源
520 差動段
521、522 入力端
523 出力端
524、525 PチャネルMOSFET
526、527 NチャネルMOSFET
528 レベルシフト回路
529 NチャネルMOSFET
Claims (9)
- 第1のPチャネルMOSFET及び第2のPチャネルMOSFETのゲートが共通接続され、電源電圧が前記第1のPチャネルMOSFET及び前記第2のPチャネルMOSFETのソースに接続され、ダイオード接続された前記第1のPチャネルMOSFETのドレインに定電流源が接続されて成るバイアス段と、
前記バイアス段の前記第2のPチャネルMOSFETのドレインが、差動段を構成する第3のPチャネルMOSFET及び第4のPチャネルMOSFETのソースに接続され、前記第3のPチャネルMOSFETのゲートに第1入力電圧として基準電圧が供給されると共に前記第4のPチャネルMOSFETのゲートに第2入力電圧が供給され、前記基準電圧及び前記第2入力電圧の差分を次段回路に出力する差動段と、
から構成される誤差増幅回路において、
前記差動段は、
前記第3のPチャネルMOSFETのドレインがダイオード接続された第1のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、また前記第4のPチャネルMOSFETのドレインが第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第1のNチャネルMOSFETのソースが第3のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第2のNチャネルMOSFETのソースがダイオード接続された第4のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第3及び前記第4のNチャネルMOSFETのソースがグランド接続され、前記第1及び前記第2のNチャネルMOSFETのゲートが共通接続されると共に前記第3及び前記第4のNチャネルMOSFETのゲートが共通接続され、前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続された出力端から前記差分信号を出力するよう構成したことを特徴とする誤差増幅回路。 - 前記差動段において、前記第1のNチャネルMOSFET及び前記第2のNチャネルMOSFETが第1のカレントミラー回路を構成し、また前記第1のNチャネルMOSFET及び前記第2のNチャネルMOSFETのソースにそれぞれ接続された前記第3のNチャネルMOSFET及び前記第4のNチャネルMOSFETが第2のカレントミラー回路を構成し、前記第1のカレントミラー回路及び前記第2のカレントミラー回路でもってウィルソンカレントミラー回路を形成して前記ダイオード接続された前記第4のNチャネルMOSFETおよびこれにカスケード接続する前記第2のNチャネルMOSFETが能動負荷を構成して、前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続された出力端から前記差分信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の誤差増幅回路。
- 第1のPチャネルMOSFET及び第2のPチャネルMOSFETのゲートが共通接続され、電源電圧が前記第1のPチャネルMOSFET及び前記第2のPチャネルMOSFETのソースに接続され、ダイオード接続された前記第1のPチャネルMOSFETのドレインに定電流源が接続されて成るバイアス段と、
前記バイアス段の前記第2のPチャネルMOSFETのドレインが、差動段を構成する第3のPチャネルMOSFET及び第4のPチャネルMOSFETのソースに接続され、前記第3のPチャネルMOSFETのゲートに第1入力電圧として基準電圧が供給されると共に前記第4のPチャネルMOSFETのゲートに第2入力電圧が供給され、前記基準電圧及び前記第2入力電圧の差分を次段回路に出力する差動段と、
から構成される誤差増幅回路において、
前記差動段は、
前記第3のPチャネルMOSFETのドレインが第1のNチャネルMOSFETのドレインに接続されるとともに第2のNチャネルMOSFETのゲートに接続され、また前記第4のPチャネルMOSFETのドレインが前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第2のNチャネルMOSFETのソースがダイオード接続された第3のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第1及び前記第3のNチャネルMOSFETのソースがグランド接続され、前記第1及び前記第3のNチャネルMOSFETのゲートが共通接続され、前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続された出力端から前記差分信号を出力するよう構成したことを特徴とする誤差増幅回路。 - 前記差動段において、前記第3のPチャネルMOSFETのドレインが前記第2のNチャネルMOSFETのゲートに接続され、また前記第4のPチャネルMOSFETのドレインが前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続されるよう構成し、さらに前記第3のPチャネルMOSFETのドレイン及び前記第2のNチャネルMOSFETのソースにそれぞれ接続された前記第1のNチャネルMOSFET及び前記第3のNチャネルMOSFETがカレントミラー回路を構成し、前記第3のPチャネルMOSFETのソースの前記第2のNチャネルMOSFETへのゲート接続及び前記カレントミラー回路でもってウィルソンカレントミラー回路を形成して前記ダイオード接続された前記第3のNチャネルMOSFETおよびこれにカスケード接続する前記第2のNチャネルMOSFETが能動負荷を構成して、前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続された出力端から前記差分信号を出力することを特徴とする請求項3に記載の誤差増幅回路。
- 第1のPチャネルMOSFET及び第2のPチャネルMOSFETのゲートが共通接続され、電源電圧が前記第1のPチャネルMOSFET及び前記第2のPチャネルMOSFETのソースに接続され、ダイオード接続された前記第1のPチャネルMOSFETのドレインに定電流源が接続されて成るバイアス段と、
前記バイアス段の前記第2のPチャネルMOSFETのドレインが、差動段を構成する第3のPチャネルMOSFET及び第4のPチャネルMOSFETのソースに接続され、前記第3のPチャネルMOSFETのゲートに第1入力電圧として基準電圧が供給されると共に前記第4のPチャネルMOSFETのゲートに第2入力電圧が供給され、前記基準電圧及び前記第2入力電圧の差分を次段回路に出力する差動段と、
から構成される誤差増幅回路において、
前記差動段は、
前記第3のPチャネルMOSFETのドレインが第1のNチャネルMOSFETのドレインに接続されるとともに前記第1のNチャネルMOSFETのドレイン電位が該ドレイン電位を低電位側にシフトした電位を出力するレベルシフト回路を介して第2のNチャネルMOSFETのゲートに接続され、また前記第4のPチャネルMOSFETのドレインが前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第2のNチャネルMOSFETのソースがダイオード接続された第3のNチャネルMOSFETのドレインに接続され、前記第1及び前記第3のNチャネルMOSFETのソースがグランド接続され、前記第1及び前記第3のNチャネルMOSFETのゲートが共通接続され、前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続された出力端から前記差分信号を出力するよう構成したことを特徴とする誤差増幅回路。 - 前記差動段において、前記第3のPチャネルMOSFETのドレインが第1のNチャネルMOSFETのドレインに接続されるとともに前記第1のNチャネルMOSFETのドレイン電位が該ドレイン電位を低電位側にシフトした電位を出力するレベルシフト回路を介して前記第2のNチャネルMOSFETのゲートに接続され、また前記第4のPチャネルMOSFETのドレインが前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続されるよう構成し、さらに前記第3のPチャネルMOSFETのドレイン及び前記第2のNチャネルMOSFETのソースにそれぞれ接続された前記第1のNチャネルMOSFET及び前記第3のNチャネルMOSFETがカレントミラー回路を構成し、前記レベルシフト回路経由による前記第3のPチャネルMOSFETのドレインの前記第2のNチャネルMOSFETへのゲート接続及び前記カレントミラー回路でもってウィルソンカレントミラー回路を形成して前記ダイオード接続された前記第3のNチャネルMOSFETおよびこれにカスケード接続する前記第2のNチャネルMOSFETが能動負荷を構成して、前記第2のNチャネルMOSFETのドレインに接続された出力端から前記差分信号を出力することを特徴とする請求項5に記載の誤差増幅回路。
- 前記差動段の前記出力端に接続される前記次段回路の入力部を構成するトランジスタがNチャネルMOSFETであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の誤差増幅回路。
- 前記次段回路は、前記差動段の前記出力電圧をデューティ比に変換する回路であることを特徴とする請求項7記載の誤差増幅回路。
- 請求項1ないし8のいずれかに記載の誤差増幅回路を含むスイッチング電源回路であって、該スイッチング電源回路の出力電圧もしくはその分圧を前記第2入力電圧とすることを特徴とするスイッチング電源回路。
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