JP4926374B2 - マグネチックラムのｍｔｊセル形成方法 - Google Patents
マグネチックラムのｍｔｊセル形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4926374B2 JP4926374B2 JP2003430918A JP2003430918A JP4926374B2 JP 4926374 B2 JP4926374 B2 JP 4926374B2 JP 2003430918 A JP2003430918 A JP 2003430918A JP 2003430918 A JP2003430918 A JP 2003430918A JP 4926374 B2 JP4926374 B2 JP 4926374B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- hard mask
- mtj cell
- free magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
本発明は、マグネチックラム(magnetic RAM：以下、ＭＲＡＭ という)の形成方法に関するもので、特にＳＲＡＭより速い速度、ＤＲＡＭのような集積度、そしてフラッシュメモリ(flash memory)のような不揮発性メモリの特性を有するマグネチックラムの製造工程を改善させ、素子の電気的特性を向上させる技術に関するものである。
半導体メモリメーカー等は、ほとんど次世代記憶素子の一つとして強磁性体物質を利用するＭＲＡＭの開発を行っている。
前記ＭＲＡＭは、強磁性薄膜を多層に形成して各薄膜の磁化方向による電流変化を感知することで情報をリード及びライトすることができる記憶素子であり、磁性薄膜固有の特性によって高速、低電力及び高集積化を可能とするだけでなく、フラッシュメモリのように不揮発性メモリ動作が可能な素子である。
前記ＭＲＡＭには、スピンが電子の伝達現象に及ぼす多大な影響により生ずる巨大磁気抵抗(giant magnetoresistive、GMR)現象やスピン偏極磁気透過現象を利用してメモリ素子を具現する方法がある。
前記ＭＲＡＭは、強磁性薄膜を多層に形成して各薄膜の磁化方向による電流変化を感知することで情報をリード及びライトすることができる記憶素子であり、磁性薄膜固有の特性によって高速、低電力及び高集積化を可能とするだけでなく、フラッシュメモリのように不揮発性メモリ動作が可能な素子である。
前記ＭＲＡＭには、スピンが電子の伝達現象に及ぼす多大な影響により生ずる巨大磁気抵抗(giant magnetoresistive、GMR)現象やスピン偏極磁気透過現象を利用してメモリ素子を具現する方法がある。
前記巨大磁気抵抗(GMR)現象を利用したＭＲＡＭは、非磁性層を挟んだ二つの磁性層のスピン方向が同じ場合に比べて異なる場合の抵抗が極めて異なる現象を利用してＧＭＲ磁気メモリ素子を具現するものである。
前記スピン偏極磁気透過現象を利用したＭＲＡＭは、絶縁層を挟んだ二つの磁性層でスピン方向の同じ場合が、異なる場合に比べて電流透過が遥かによく発生するという現象を利用して磁気透過接合メモリ素子を具現するものである。
前記スピン偏極磁気透過現象を利用したＭＲＡＭは、絶縁層を挟んだ二つの磁性層でスピン方向の同じ場合が、異なる場合に比べて電流透過が遥かによく発生するという現象を利用して磁気透過接合メモリ素子を具現するものである。
前記ＭＲＡＭは、一つのトランジスタと一つのＭＴＪセルで形成する。
図４及び図５は、従来技術によるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法を示した断面図である。
図４及び図５は、従来技術によるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法を示した断面図である。
図５に示されているように、半導体基板（図示省略）上に素子分離膜（図示省略）、リードラインである第１ワードライン及びソース/ドレーンを備えたトランジスタ（図示省略）、グラウンドライン（図示省略）及び導電層（図示省略）、ライトラインである第２ワードライン（図示省略）を形成して全体表面の上部を平坦化する下部絶縁層１１を形成する。
前記下部絶縁層１１の上部に前記導電層に接続される連結層用金属層１３を形成する。ここで、前記連結層用金属層１３をW、Al、Pt、Cu、Ir、Ruなどの半導体素子に用いられる一般的な金属で形成する。
前記連結層用金属層１３の上部にＭＴＪ物質層を蒸着する。このとき、前記ＭＴＪ物質層は、固定磁化層(pinned magnetic layers)１５、トンネル障壁層(tunneling barrier layers)１７及び自由磁化層(free magnetic layers)１９の積層構造からなる。ここで、固定磁化層１５及び自由磁化層１９を、CO、Fe、NiFe、CoFe、PtMn、IrMnなどの磁性物質で形成する。
前記連結層用金属層１３の上部にＭＴＪ物質層を蒸着する。このとき、前記ＭＴＪ物質層は、固定磁化層(pinned magnetic layers)１５、トンネル障壁層(tunneling barrier layers)１７及び自由磁化層(free magnetic layers)１９の積層構造からなる。ここで、固定磁化層１５及び自由磁化層１９を、CO、Fe、NiFe、CoFe、PtMn、IrMnなどの磁性物質で形成する。
前記自由磁化層１９の上部にハードマスク層２１を形成した後、ハードマスク層２１上に感光膜パターン２３を形成する。感光膜パターン２３は、ＭＴＪセルマスク（図示省略）を利用した露光及び現象工程で形成したものである。
図４に示されているように、感光膜パターン２３をマスクとして用いて前記ハードマスク層２１と自由磁化層１９をエッチングして、ＭＴＪセルを形成する。
図４に示されているように、感光膜パターン２３をマスクとして用いて前記ハードマスク層２１と自由磁化層１９をエッチングして、ＭＴＪセルを形成する。
しかしながら、このようなエッジング工程で、自由磁化層１９のエッチングから発生する酸化力の高い磁性物質によって腐食（corrosion）が発生し、これによって自由磁化層１９と固定磁化層１５が電気的にブリッジされてショートを発生するおそれがある。また、自由磁化層１９とハードマスク層２１の側壁に不揮発性反応生成物であるポリマー２５が附着してトンネル障壁層１７にピンホール２７を形成するか、ピンホール２７に前記ポリマー２５が附着するおそれがある。
前記のように従来技術によるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法は、自由磁化層と固定磁化層のショートを誘発するおそれがあり、前記磁化層のコロ−ジョン現象を誘発するおそれもある。また、感光膜パターンの形成工程で側壁でのシャドー(shadow)問題があり、効果的なチャネルの長さを確保できなくなるおそれがある。これらのことから、マグネチックラムのＭＴＪセルの素子の特性及び信頼性を低下させるという問題がある。
そこで、本発明の課題は、磁性層である自由磁化層のエッチング副産物の誘発とシャドーの発生を防止し、素子の特性及び信頼性を向上させることのできるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法を提供することを目的とする。
前記の問題を解決するために、請求項１に記載の発明においては、マグネチックラムのＭＴＪセル形成方法において、固定磁化層、トンネル障壁層であるアルミナ層及び自由磁化層の積層構造を形成する段階と、
前記積層構造の上部にハードマスク層を形成する段階と、
ＭＴＪセルマスクを利用した写真エッチング工程で前記ハードマスク層をパターニングして前記自由磁化層を露出させるハードマスク層パターンを形成する段階と、
前記ハードマスク層パターンをマスクとして前記自由磁化層の露出した部分に対して０°より大きく９０°より小さい大きさのチルト角でイオンインプラント工程を行って前記露出した自由磁化層を物理的に損傷させて非晶質化する段階と、
前記非晶質化された自由磁化層を酸化させて酸化膜を形成する段階と、
前記ハードマスク層パターンをマスクとして前記酸化膜、前記アルミナ層及び前記固定磁化層をエッチングしてＭＴＪセルをパターニングする段階と、を含むことを特徴とする。
前記積層構造の上部にハードマスク層を形成する段階と、
ＭＴＪセルマスクを利用した写真エッチング工程で前記ハードマスク層をパターニングして前記自由磁化層を露出させるハードマスク層パターンを形成する段階と、
前記ハードマスク層パターンをマスクとして前記自由磁化層の露出した部分に対して０°より大きく９０°より小さい大きさのチルト角でイオンインプラント工程を行って前記露出した自由磁化層を物理的に損傷させて非晶質化する段階と、
前記非晶質化された自由磁化層を酸化させて酸化膜を形成する段階と、
前記ハードマスク層パターンをマスクとして前記酸化膜、前記アルミナ層及び前記固定磁化層をエッチングしてＭＴＪセルをパターニングする段階と、を含むことを特徴とする。
このように請求項１に記載の発明によれば、従来の自由磁化層のエッジング工程の代わりにイオンインプラント工程を利用してＭＴＪ物質層を構成する自由磁化層の露出した部分を非晶質化し、後続熱工程で前記非晶質化された部分を酸化することにより、ＭＴＪセルパターニング工程でエッチング副産物の不揮発性反応生成物の誘発を防止することができる。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法において、前記イオンインプラント工程を０°より大きく９０°より小さいチルト角を維持しながら４方向から施すことを特徴とする。
このように請求項２に記載の発明によれば、ＭＴＪ物質層を構成する自由磁化層の露出した部分にイオンインプラント工程を０°より大きく９０°より小さいチルト角を維持しながら４方向から施すことにより、より良好にＭＴＪ物質層を構成する自由磁化層の露出した部分を非晶質化することができる。
請求項１に記載の発明によれば、ＭＴＪセルパターニング工程でエッチング副産物の誘発を防止することができるので、エッチング副産物による自由磁化層と固定磁化層のショートの発生及び前期磁化層のコロージョン現象の誘発を防止することができる。このことによって、マグネチックラムのＭＴＪセルの素子の特性及び信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
請求項２に記載の発明によれば、より良好にＭＴＪ物質層を構成する自由磁化層の露出した部分を非晶質化することができるので、エッチング副産物による自由磁化層と固定磁化層のショートの発生及び前期磁化層のコロージョン現象の誘発を防止するとともに、シャドーの発生と過度な下地層の損傷を防止することができる。このことによって、マグネチックラムのＭＴＪセルの素子の特性及び信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。
図１及び図２は、本発明によるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法を示した断面図である。
図２に示されているように、半導体基板（図示省略）上に素子分離膜（図示省略）、リードラインである第１ワードライン及びソース/ドレーンを備えたトランジスタ（図示省略）、グラウンドライン（図示省略）及び導電層（図示省略）、ライトラインである第２ワードライン（図示省略）を形成して全体表面の上部を平坦化する下部絶縁層４１を形成する。
図１及び図２は、本発明によるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法を示した断面図である。
図２に示されているように、半導体基板（図示省略）上に素子分離膜（図示省略）、リードラインである第１ワードライン及びソース/ドレーンを備えたトランジスタ（図示省略）、グラウンドライン（図示省略）及び導電層（図示省略）、ライトラインである第２ワードライン（図示省略）を形成して全体表面の上部を平坦化する下部絶縁層４１を形成する。
前記下部絶縁層４１上部に前記導電層に接続する連結層用金属層４３を形成する。
前記連結層用金属層４３の上部に固定磁化層４５を形成する。前記固定磁化層４５は合成−反強磁性層(synthetic anti-ferromagnetic：以下、ＳＡＦとする)構造で形成するが、CO、Fe、NiFe、CoFe、PtMn、IrMn などの磁性物質を利用して形成するのが望ましい。
前記連結層用金属層４３の上部に固定磁化層４５を形成する。前記固定磁化層４５は合成−反強磁性層(synthetic anti-ferromagnetic：以下、ＳＡＦとする)構造で形成するが、CO、Fe、NiFe、CoFe、PtMn、IrMn などの磁性物質を利用して形成するのが望ましい。
前記固定磁化層４５上部にトンネル障壁層であるアルミナ層４７を蒸着する。前記アルミナ層４７は、データセンシング(data sensing)に必要な最小限の厚さである８〜２０Åの厚さに形成することが望ましく、アルミニウム薄膜を蒸着してオゾンガス雰囲気でプラズマ放電工程を行って形成するのが望ましい。その後、前記アルミナ層４７上部に自由磁化層４９を形成する。前記自由磁化層４９は、固定磁化層４５のような物質で形成するのが望ましい。
前記自由磁化層４９の上部にハードマスク層５１を形成する。前記ハードマスク層（図示省略）の上部にＭＴＪセルマスクを利用した露光及び現象工程で感光膜パターン５３を形成した後、感光膜パターン５３をマスクとしてハードマスク層（図示省略）をエッチングして自由磁化層４９の除去される部分を露出させるハードマスク層パターン５１を形成する。
前記感光膜パターン５３及びハードマスク層パターン５１をマスクとして自由磁化層４９の露出した部分に対し分子量の大きいガス分子でイオンインプラント工程５５を行う。イオンインプラント工程５５によって自由磁化層４９の露出した部分に物理的な損傷が発生して非晶質状態となる。ここで、イオンインプラント工程５５は、０°より大きく９０゜より小さい大きさのチルト角で、半導体基板を回転させながら四つの方向からインプラント工程を行って、シャドーの発生を防止し、過度な下地層の損傷を防止するように実施するのが望ましい。
前記感光膜パターン５３及びハードマスク層パターン５１をマスクとして自由磁化層４９の露出した部分に対し分子量の大きいガス分子でイオンインプラント工程５５を行う。イオンインプラント工程５５によって自由磁化層４９の露出した部分に物理的な損傷が発生して非晶質状態となる。ここで、イオンインプラント工程５５は、０°より大きく９０゜より小さい大きさのチルト角で、半導体基板を回転させながら四つの方向からインプラント工程を行って、シャドーの発生を防止し、過度な下地層の損傷を防止するように実施するのが望ましい。
前記感光膜パターン５３が残っている場合にこれを除去する。
図１に示されているように、非晶質化された自由磁化層４９をＲＴＯ（ｒａｐｉｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）工程で酸化させて酸化膜５７を形成する。ここで、前記ＲＴＯ工程は、ハードマスク層パターン５１の下部の自由磁化層４９の一部まで酸化するように行うのが望ましい。前記ハードマスク層パターン５１をマスクとして酸化膜５７、アルミナ層４７及び固定磁化層４５をエッチングしてＭＴＪセルを形成する。
図１に示されているように、非晶質化された自由磁化層４９をＲＴＯ（ｒａｐｉｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）工程で酸化させて酸化膜５７を形成する。ここで、前記ＲＴＯ工程は、ハードマスク層パターン５１の下部の自由磁化層４９の一部まで酸化するように行うのが望ましい。前記ハードマスク層パターン５１をマスクとして酸化膜５７、アルミナ層４７及び固定磁化層４５をエッチングしてＭＴＪセルを形成する。
ＭＴＪ セルパターン工程で自由磁化層４９ではない酸化膜５７をエッチングすることにより、従来技術による工程とは異なる自由磁化層４９のエッチング工程によるエッチング残留物が発生することなく自由磁化層４９と固定磁化層４５のショートの発生を防止することのできるＭＴＪセルを形成することができる。
図３は、本発明による ＭＴＪ素子の磁性特性を示したグラフで、電場によるトランジスタの磁気抵抗率を示す。このことにより、本発明によって ＭＴＪ素子の磁性特性を向上させることができることを明らかにした。
４１ 下部絶縁層
４３ 連結層用金属層
４５ 固定磁化層
１７ トンネル障壁層
４９ 自由磁化層
５１ ハードマスク層
５３ 感光膜パターン
２５ ポリマー
２７ ピンホール
４７ アルミナ層
５５ 分子量が大きいガス分子
５７ 酸化膜
４３ 連結層用金属層
４５ 固定磁化層
１７ トンネル障壁層
４９ 自由磁化層
５１ ハードマスク層
５３ 感光膜パターン
２５ ポリマー
２７ ピンホール
４７ アルミナ層
５５ 分子量が大きいガス分子
５７ 酸化膜
Claims (2)
- 固定磁化層、トンネル障壁層であるアルミナ層及び自由磁化層の積層構造を形成する段階と、
前記積層構造の上部にハードマスク層を形成する段階と、
ＭＴＪセルマスクを利用した写真エッチング工程で前記ハードマスク層をパターニングして前記自由磁化層を露出させるハードマスク層パターンを形成する段階と、
前記ハードマスク層パターンをマスクとして前記自由磁化層の露出した部分に対して０°より大きく９０°より小さい大きさのチルト角でイオンインプラント工程を行って前記露出した自由磁化層を物理的に損傷させて非晶質化する段階と、
前記非晶質化された自由磁化層を酸化させて酸化膜を形成する段階と、
前記ハードマスク層パターンをマスクとして前記酸化膜、前記アルミナ層及び前記固定磁化層をエッチングしてＭＴＪセルをパターニングする段階と、
を含むことを特徴とするマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法。 - 前記イオンインプラント工程は０°より大きく９０°より小さいチルト角を維持しながら４方向から施すことを特徴とする請求項１に記載のマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2003-49687 | 2003-07-21 | ||
| KR10-2003-0049687A KR100487927B1 (ko) | 2003-07-21 | 2003-07-21 | 마그네틱 램의 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005045197A JP2005045197A (ja) | 2005-02-17 |
| JP4926374B2 true JP4926374B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=34074883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003430918A Expired - Fee Related JP4926374B2 (ja) | 2003-07-21 | 2003-12-25 | マグネチックラムのｍｔｊセル形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050020076A1 (ja) |
| JP (1) | JP4926374B2 (ja) |
| KR (1) | KR100487927B1 (ja) |
| DE (1) | DE10358939A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211446B2 (en) * | 2004-06-11 | 2007-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of patterning a magnetic tunnel junction stack for a magneto-resistive random access memory |
| KR101464691B1 (ko) | 2008-02-15 | 2014-11-21 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100956603B1 (ko) | 2008-09-02 | 2010-05-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기 터널링 접합 구조를 갖는 반도체 소자의 패터닝 방법 |
| KR101676821B1 (ko) | 2010-03-18 | 2016-11-17 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 그 형성방법 |
| US8901687B2 (en) | 2012-11-27 | 2014-12-02 | Industrial Technology Research Institute | Magnetic device with a substrate, a sensing block and a repair layer |
| KR102152145B1 (ko) | 2013-09-09 | 2020-09-07 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 및 그 제조 방법 |
| US9123879B2 (en) | 2013-09-09 | 2015-09-01 | Masahiko Nakayama | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
| US9385304B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory and method of manufacturing the same |
| US9368717B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and method for manufacturing the same |
| US9231196B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-01-05 | Kuniaki SUGIURA | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
| US9070869B2 (en) * | 2013-10-10 | 2015-06-30 | Avalanche Technology, Inc. | Fabrication method for high-density MRAM using thin hard mask |
| KR20150074487A (ko) | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 삼성전자주식회사 | 식각 부산물 검출 방법 및 이를 이용한 자기 저항 메모리 장치의 제조 방법 |
| KR102105702B1 (ko) | 2014-04-04 | 2020-04-29 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 |
| KR102259870B1 (ko) | 2014-07-30 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 및 그의 형성방법 |
| KR102399342B1 (ko) | 2015-08-21 | 2022-05-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
| US10236442B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming an interconnection line and methods of fabricating a magnetic memory device using the same |
| KR102494102B1 (ko) | 2016-03-10 | 2023-02-01 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치의 제조 방법 |
| US10333061B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-06-25 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
| US11805657B2 (en) * | 2020-06-23 | 2023-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5086011A (en) * | 1987-01-27 | 1992-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for producing thin single crystal silicon islands on insulator |
| JP3012673B2 (ja) * | 1990-08-21 | 2000-02-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5675166A (en) * | 1995-07-07 | 1997-10-07 | Motorola, Inc. | FET with stable threshold voltage and method of manufacturing the same |
| US5650958A (en) * | 1996-03-18 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response |
| US6590750B2 (en) * | 1996-03-18 | 2003-07-08 | International Business Machines Corporation | Limiting magnetoresistive electrical interaction to a preferred portion of a magnetic region in magnetic devices |
| US6083794A (en) * | 1997-07-10 | 2000-07-04 | International Business Machines Corporation | Method to perform selective drain engineering with a non-critical mask |
| KR100257074B1 (ko) * | 1998-01-26 | 2000-05-15 | 김영환 | 모스팻 및 이의 제조방법 |
| JP3603062B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2004-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびこれを用いた磁気デバイス |
| US20020036876A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-28 | Yasuhiro Kawawake | Magnetoresistive element, method for manufacturing the same, and magnetic device using the same |
| JP2002124717A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Canon Inc | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ |
| JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
| JP5013494B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-08-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁性メモリの製造方法 |
| US6759263B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-07-06 | Chentsau Ying | Method of patterning a layer of magnetic material |
-
2003
- 2003-07-21 KR KR10-2003-0049687A patent/KR100487927B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-15 US US10/734,226 patent/US20050020076A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-15 DE DE10358939A patent/DE10358939A1/de not_active Withdrawn
- 2003-12-25 JP JP2003430918A patent/JP4926374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100487927B1 (ko) | 2005-05-09 |
| JP2005045197A (ja) | 2005-02-17 |
| DE10358939A1 (de) | 2005-03-03 |
| KR20050010428A (ko) | 2005-01-27 |
| US20050020076A1 (en) | 2005-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4926374B2 (ja) | マグネチックラムのｍｔｊセル形成方法 | |
| CN104425706B (zh) | 反转的mtj堆叠件 | |
| JP5642557B2 (ja) | メモリセルおよびメモリセルの磁気トンネル接合（ｍｔｊ）の形成方法 | |
| KR100535046B1 (ko) | 마그네틱 램의 형성방법 | |
| TWI395356B (zh) | 使用保護側壁鈍化之磁性元件 | |
| JP5697271B2 (ja) | 複合ハードマスク構造およびスピントルク駆動磁気トンネル接合のための不均一な電流経路を形成する方法 | |
| JP4298196B2 (ja) | マグネチックラム | |
| JP5019344B2 (ja) | 均一な厚さのトンネル膜を有するｍｔｊ層を含む磁気抵抗メモリ及びその製造方法 | |
| KR100520175B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| JP4843194B2 (ja) | マグネチックラムのｍｔｊセル形成方法 | |
| KR100390977B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100939162B1 (ko) | 마그네틱 램의 형성방법 | |
| KR100434956B1 (ko) | 마그네틱 램의 제조방법 | |
| JP4970821B2 (ja) | 磁気メモリ装置 | |
| KR100546116B1 (ko) | 마그네틱 램의 형성방법 | |
| CN108886022A (zh) | 存储元件和存储元件的制造方法 | |
| KR100915065B1 (ko) | 마그네틱 램의 제조방법 | |
| KR100604752B1 (ko) | 마그네틱 램의 제조방법 | |
| KR100966958B1 (ko) | 마그네틱 램의 형성방법 | |
| JP2005109201A (ja) | 強磁性トンネル接合素子、磁気メモリセル及び磁気ヘッド | |
| JP2004297038A (ja) | マグネチックラムのｍｔｊセル形成方法 | |
| KR20020054671A (ko) | 반도체소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060921 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100818 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110615 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |