JP4919819B2 - マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 - Google Patents
マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4919819B2 JP4919819B2 JP2007013281A JP2007013281A JP4919819B2 JP 4919819 B2 JP4919819 B2 JP 4919819B2 JP 2007013281 A JP2007013281 A JP 2007013281A JP 2007013281 A JP2007013281 A JP 2007013281A JP 4919819 B2 JP4919819 B2 JP 4919819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- control voltage
- capacitance
- variable
- variable capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 56
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
- H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H2007/006—MEMS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
図1は本発明に係るマイクロマシンシステム3の例を示す図、図2は駆動回路12の構成例を示すブロック図、図3は制御電圧VCの電圧波形の例を示す図、図4は可変容量デバイス11の制御電圧VCと静電容量CPとの関係を示す図、図5は周波数fsをパラメータとした制御電圧VCと静電容量CPのオフセット値ΔC0 との関係を示す図、図6は可変容量デバイス11のチャージアップを説明する図である。
〔可変容量デバイスの変形例〕
次に、可変容量デバイス11の種々の変形例について説明する。
〔インピーダンス整合回路〕
次に、可変容量デバイス11を無線送信回路の終段のインピーダンス整合回路に適用した例について説明する。
〔携帯端末における制御電圧の極性切り替え〕
次に、可変容量デバイス11,11B〜Dを携帯端末に組み込んだ場合において、制御電圧VCの極性の切り替えのタイミングについて説明する。携帯端末として、TDD方式(送受信時分割方式)の携帯電話を例に説明する。
〔可変容量型スイッチによる携帯端末の送受信の切り替え〕
次に、可変容量デバイス11,11B〜Dを、可変容量型スイッチとして携帯端末に組み込んだ場合について説明する。
(付記1) (1、図1〜9)
互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなるマイクロマシンデバイスの駆動制御方法であって、
前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加えることによって、前記第1の電極と第2の電極とに静電力を作用させて前記第1の電極または第2の電極を変位させるとともに、
前記制御電圧の正負極性を所定の周期以内で反転させる、
ことを特徴とするマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。
(付記2) (2)
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、前記誘電体層内に空間電荷の移動による分極を生じさせない短い時間である、
付記1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。
(付記3) (3)
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、100ミリ秒以下である、
付記1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。
(付記4) (4)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、前記制御電圧を印加し始めて前記第1の電極と第2の電極との間の静電容量の初期値からの変動が10パーセント以下となる短い時間である、
付記1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。
(付記5) (5)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記可変容量素子が接続された回路が休止している間を挟んで、前記制御電圧の正負極性を反転させる、
付記1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。
(付記6)
互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなるマイクロマシンデバイスの駆動制御装置であって、
前記第1の電極と第2の電極とに静電力を作用させて前記第1の電極または第2の電極を変位させるために、前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加える制御電圧印加手段が設けられており、
前記制御電圧印加手段は、前記第1の電極と第2の電極とに対して正負極性が所定の周期以内に反転するような制御電圧を加えるように構成されている、
ことを特徴とするマイクロマシンデバイスの駆動制御装置。
(付記7)
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、前記誘電体層内に空間電荷の移動による分極を生じさせない短い時間である、
付記6記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御装置。
(付記8)
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、100ミリ秒以下である、
付記6記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御装置。
(付記9)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、前記制御電圧を印加し始めて前記第1の電極と第2の電極との間の静電容量の初期値からの変動が10パーセント以下となる短い時間である、
付記6記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御装置。
(付記10)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記可変容量素子が接続された回路が休止している間を挟んで、前記制御電圧の正負極性を反転させる、
付記6記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御装置。
(付記11)
互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されており、前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加えることによって前記第1の電極または第2の電極が変位し、これによって回路のオンオフを切り替えるように構成された、マイクロマシンデバイスからなる可変容量型スイッチであって、
前記制御電圧の正負極性を反転させかつその反転の周期が5ミリ秒のときに、前記第1の電極と第2の電極との間の静電容量の初期値からの変動が10パーセント以下となるように、前記誘電体層の材料および厚さが選定されて形成されている、
ことを特徴とする可変容量型スイッチ。
(付記12)
前記第1の電極または第2の電極の変位とともに変位する絶縁体膜と、
前記絶縁体膜に設けられた第3の電極と、
前記第3の電極に対向する第4の電極と、
前記第3の電極と第4の電極との間に形成された第2の誘電体層と、
を有し、
前記絶縁体膜の変位にともなって前記第3の電極と第4の電極との間隔が可変され、これによるインピーダンスの変化によって前記回路のオンオフを切り替えるように構成されている、
付記11記載の可変容量型スイッチ。
(付記13)
通信回路に設けられる、可変容量素子を含んだインピーダンス整合回路であって、
前記可変容量素子として、互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなる可変容量のマイクロマシンデバイスが用いられており、
前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加えることにより、前記第1の電極と第2の電極とに静電力を作用させて前記第1の電極または第2の電極を変位させ、これによってインピーダンスの整合を図るようになっており、
前記通信回路が休止している時間において前記制御電圧の正負極性を反転させるように構成されている、
ことを特徴とするインピーダンス整合回路。
(付記14)
前記制御電圧の正負極性を反転させる周期は、前記誘電体層内に空間電荷の移動による分極を生じさせない短い時間である、
付記13記載のインピーダンス整合回路。
(付記15)
前記制御電圧の正負極性を反転させる周期は、100ミリ秒以下である、
付記13記載のインピーダンス整合回路。
(付記16)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記制御電圧の正負極性を反転させる周期は、前記制御電圧を印加し始めて前記第1の電極と第2の電極との間の静電容量の初期値からの変動が10パーセント以下となる短い時間である、
付記13記載のインピーダンス整合回路。
(付記17)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記可変容量素子が接続された回路が休止している間を挟んで、前記制御電圧の正負極性を反転させる、
付記13記載のインピーダンス整合回路
(付記18)
送信回路による送信動作と受信回路による受信動作とを切り替えるための送受切り替え回路であって、
オンとなったときに前記送信回路による送信動作を行わせるための、マイクロマシンデバイスからなる第1の可変容量型スイッチと、
オンとなったときに前記受信回路による受信動作を行わせるための、マイクロマシンデバイスからなる第2の可変容量型スイッチと、が設けられ、
前記第1の可変容量型スイッチおよび前記第2の可変容量型スイッチは、いずれも、互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されており、前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加えることによって前記第1の電極または第2の電極が変位し、これによってオンオフが切り替わるように構成されており、
前記第1の可変容量型スイッチおよび前記第2の可変容量型スイッチをそれぞれオフからオンに切り替えるタイミングにおいて、それぞれに印加する前記制御電圧の正負極性を反転するように構成されている、
ことを特徴とする送受切り替え回路。
(付記19)
前記第1の可変容量型スイッチおよび前記第2の可変容量型スイッチを交互にオンさせることによって、前記送信回路による送信動作と前記受信回路による受信動作とを交互に周期的に切り替えるように構成されている、
付記18記載の送受切り替え回路。
(付記20)
前記制御電圧の正負極性を反転させる周期は、前記誘電体層内に空間電荷の移動による分極を生じさせない短い時間である、
付記18記載の送受切り替え回路。
(付記21)
前記制御電圧の正負極性を反転させる周期は、100ミリ秒以下である、
付記18記載の送受切り替え回路。
(付記22)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記制御電圧の正負極性を反転させる周期は、前記制御電圧を印加し始めて前記第1の電極と第2の電極との間の静電容量の初期値からの変動が10パーセント以下となる短い時間である、
付記18記載の送受切り替え回路。
(付記23)
前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記可変容量素子が接続された回路が休止している間を挟んで、前記制御電圧の正負極性を反転させる、
付記18記載の送受切り替え回路。
11,11B〜D 可変容量デバイス(マイクロマシンデバイス)
24 下部電極(第1の電極、第2の電極)
24A 下部電極(第4の電極)
24B 下部電極(第1の電極、第2の電極)
25 上部電極(第2の電極、第1の電極)
25A 上部電極(第3の電極)
25B 上部電極(第2の電極、第1の電極)
26 誘電体膜(誘電体層、第2の誘電体層)
28 絶縁体膜
40 インピーダンス整合回路
41,42 可変容量(マイクロマシンデバイス)
45 高周波パワーアンプ(通信回路)
50 送受信の切り替え回路(送受切り替え回路)
51 受信回路(通信回路)
52 送信回路(通信回路)
54 可変容量型スイッチ(第2の可変容量型スイッチ、マイクロマシンデバイス)
55 可変容量型スイッチ(第1の可変容量型スイッチ、マイクロマシンデバイス)
VC,VC2 制御電圧
Claims (5)
- 互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなるマイクロマシンデバイスの駆動制御方法であって、
前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加えることによって、前記第1の電極と第2の電極とに静電力を作用させて前記第1の電極または第2の電極を変位させるとともに、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の静電容量のヒステリシスを抑えるために、前記制御電圧の正負極性を、前記誘電体層内に空間電荷の移動による分極を生じさせない短い時間である所定の周期で反転させる、
ことを特徴とするマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。 - 前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、100ミリ秒以下である、
請求項1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。 - 前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記制御電圧の正負極性を反転させる所定の周期は、前記制御電圧を印加し始めて前記第1の電極と第2の電極との間の静電容量の初期値からの変動が10パーセント以下となる短い時間である、
請求項1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。 - 前記マイクロマシンデバイスは、前記第1の電極または第2の電極の変位によって静電容量が可変される可変容量素子であり、
前記可変容量素子が接続された回路が休止している間を挟んで、前記制御電圧の正負極性を反転させる、
請求項1記載のマイクロマシンデバイスの駆動制御方法。 - 互いに対向する第1の電極と第2の電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなるマイクロマシンデバイスの駆動制御装置であって、
前記第1の電極と第2の電極とに静電力を作用させて前記第1の電極または第2の電極を変位させるために、前記第1の電極と第2の電極との間に制御電圧を加える制御電圧印加手段が設けられており、
前記制御電圧印加手段は、前記第1の電極と前記第2の電極との間の静電容量のヒステリシスを抑えるために、前記第1の電極と第2の電極とに対して正負極性が前記誘電体層内に空間電荷の移動による分極を生じさせない短い時間である所定の周期で反転するような制御電圧を加えるように構成されている、
ことを特徴とするマイクロマシンデバイスの駆動制御装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007013281A JP4919819B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 |
KR1020070108399A KR20080069898A (ko) | 2007-01-24 | 2007-10-26 | 마이크로머신 디바이스의 구동 제어 방법 및 장치 |
EP08100445A EP1950778A3 (en) | 2007-01-24 | 2008-01-14 | Drive control method and unit for micro machine device |
US12/010,243 US7961448B2 (en) | 2007-01-24 | 2008-01-23 | Drive control method and unit for micro machine device |
CN2008100087067A CN101231921B (zh) | 2007-01-24 | 2008-01-24 | 用于微机械装置的驱动控制方法及装置 |
CN201210247006.XA CN102800478B (zh) | 2007-01-24 | 2008-01-24 | 可变电容开关、阻抗匹配电路、以及发送和接收切换电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007013281A JP4919819B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008181725A JP2008181725A (ja) | 2008-08-07 |
JP4919819B2 true JP4919819B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=39432537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007013281A Expired - Fee Related JP4919819B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-01-24 | マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7961448B2 (ja) |
EP (1) | EP1950778A3 (ja) |
JP (1) | JP4919819B2 (ja) |
KR (1) | KR20080069898A (ja) |
CN (2) | CN102800478B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4610576B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-01-12 | 富士通株式会社 | マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 |
JP5363005B2 (ja) | 2008-02-20 | 2013-12-11 | 富士通株式会社 | 可変容量素子、整合回路素子、および携帯端末装置 |
JP4737253B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2011-07-27 | ソニー株式会社 | 非接触受信装置 |
JP5304398B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2013-10-02 | 富士通株式会社 | 可変容量素子 |
JP5338615B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2013-11-13 | 富士通株式会社 | 可変容量デバイスおよび可変容量素子の駆動方法 |
TW201140637A (en) * | 2009-11-26 | 2011-11-16 | Taiyo Yuden Kk | Mems switch |
CN102754172B (zh) | 2010-02-08 | 2015-08-05 | 株式会社村田制作所 | 可变电容元件 |
JP5418317B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2014-02-19 | 富士通株式会社 | 静電アクチュエータ、およびその駆動方法 |
CN102243941B (zh) * | 2011-04-08 | 2013-07-31 | 东南大学 | 具有低驱动电压的射频微机械系统电容式并联开关 |
US9219478B2 (en) * | 2013-05-15 | 2015-12-22 | Hui-Hu Liang | Circuit switch for keyboard |
JP6225526B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-11-08 | 株式会社デンソー | 加振装置 |
US9590686B2 (en) * | 2013-12-26 | 2017-03-07 | Google Technology Holdings LLC | Maintaining a capacitor dielectric under strain to reduce capacitance variation due to time variant hysterisis effect |
JP6595422B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-10-23 | 株式会社東芝 | センサ及び電子機器 |
CN114976607B (zh) * | 2021-02-24 | 2024-03-12 | 北京京东方技术开发有限公司 | 天线和通信设备 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4041271C2 (de) * | 1989-12-25 | 1998-10-08 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleitervorrichtung mit einem ferroelektrischen Kondensator |
JPH03284817A (ja) | 1989-12-25 | 1991-12-16 | Toshiba Corp | 強誘電体コンデンサ |
US5619061A (en) * | 1993-07-27 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical microwave switching |
JPH08107245A (ja) | 1994-10-05 | 1996-04-23 | Meidensha Corp | パルス電源 |
JP3284817B2 (ja) | 1995-03-27 | 2002-05-20 | 日産自動車株式会社 | エンジンの失火診断装置 |
JPH10154456A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Omron Corp | マイクロリレー、その製造方法およびその制御方法 |
JPH11111566A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Sharp Corp | インピーダンス整合器 |
US6391675B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-05-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for switching high frequency signals |
JP3437520B2 (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | 静電アクチュエータ駆動機構、静電アクチュエータ駆動方法、及びこれらによる静電アクチュエータ、回転ステージ、ポリゴンミラー |
US6806988B2 (en) * | 2000-03-03 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus |
FI109155B (fi) | 2000-04-13 | 2002-05-31 | Nokia Corp | Menetelmä ja järjestely mikromekaanisen elementin ohjaamiseksi |
FI109382B (fi) * | 2000-06-27 | 2002-07-15 | Nokia Corp | Sovituspiiri |
US6509745B1 (en) * | 2000-09-25 | 2003-01-21 | Detroit Diesel Corporation | Method and apparatus for measuring liquid dielectric behavior |
JP4151338B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 可変容量素子とその形成方法 |
US7106066B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-09-12 | Teravicta Technologies, Inc. | Micro-electromechanical switch performance enhancement |
JP2004140597A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Hitachi Metals Ltd | アンテナ送受信切替え回路 |
EP1662308A4 (en) * | 2003-08-21 | 2011-03-02 | Olympus Corp | ELECTROSTATIC ACTUATOR, BLADDER DEVICE, PICTURE MODULE AND CAMERA |
JP4325930B2 (ja) | 2003-12-17 | 2009-09-02 | 京セラ株式会社 | 可変移相回路 |
US7142072B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-11-28 | Kyocera Corporation | Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor |
KR100565800B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-03-29 | 삼성전자주식회사 | 단일 전극을 이용한 mems 구조물의 구동 및 구동검지장치 |
KR100599115B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 진동형 멤스 스위치 및 그 제조방법 |
US20060125746A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Jean-Michel Sallese | Microelectrical device |
JP4643316B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-03-02 | 株式会社東芝 | マイクロマシンスイッチ及びその駆動方法 |
-
2007
- 2007-01-24 JP JP2007013281A patent/JP4919819B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-26 KR KR1020070108399A patent/KR20080069898A/ko not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-01-14 EP EP08100445A patent/EP1950778A3/en not_active Withdrawn
- 2008-01-23 US US12/010,243 patent/US7961448B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-24 CN CN201210247006.XA patent/CN102800478B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-24 CN CN2008100087067A patent/CN101231921B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008181725A (ja) | 2008-08-07 |
CN102800478B (zh) | 2016-02-10 |
KR20080069898A (ko) | 2008-07-29 |
CN101231921B (zh) | 2012-08-22 |
EP1950778A3 (en) | 2009-03-11 |
CN101231921A (zh) | 2008-07-30 |
US20080180872A1 (en) | 2008-07-31 |
US7961448B2 (en) | 2011-06-14 |
EP1950778A2 (en) | 2008-07-30 |
CN102800478A (zh) | 2012-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4919819B2 (ja) | マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 | |
US7135940B2 (en) | Tunable filter and portable telephone | |
JP4555951B2 (ja) | MEMS(Micro−Electro−Mechanical−System)素子のアレイの駆動 | |
JP5363005B2 (ja) | 可変容量素子、整合回路素子、および携帯端末装置 | |
CN1977453B (zh) | 滤波器和发射机-接收机 | |
JP2004304154A (ja) | Mems可変インダクタ及びキャパシタ | |
US8363381B2 (en) | Variable capacitive element, variable capacitive device, and method for driving the variable capacitive element | |
WO2004047190A3 (en) | Micro electro-mechanical system device with piezoelectric thin film actuator | |
US8022794B2 (en) | Micromachine switch, filter circuit, duplexer circuit, and communication device | |
KR20090057973A (ko) | 전자 소자, 가변 커패시터, 마이크로스위치, 마이크로스위치의 구동 방법, 및 mems형 전자 소자 | |
JP5821967B2 (ja) | 可動電極を有する電気機器 | |
JP4300865B2 (ja) | 可変容量コンデンサシステム | |
JP2010108836A (ja) | スイッチング素子および通信機器 | |
US8854149B2 (en) | MEMS resonator, manufacturing method thereof, and signal processing method using MEMS resonator | |
JP2014003460A (ja) | 共振器、デュプレクサ、および、通信装置 | |
JP4867007B2 (ja) | Memsスイッチ及び携帯無線端末機器 | |
JP2009021227A (ja) | 電気機械スイッチ、それを用いたフィルタ、および通信機器 | |
JP2007067494A (ja) | 非接触型通信装置及びこれを備えた携帯型情報処理端末並びに非接触通信方法 | |
US9496110B2 (en) | Micro-electro-mechanical system (MEMS) structure and design structures | |
JP2014112769A (ja) | 共振器、デュプレクサ、及び通信装置 | |
JP4604730B2 (ja) | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 | |
KR20010017855A (ko) | 마이크로 구조체를 이용한 전기 신호처리용 필터 | |
JP6180943B2 (ja) | 可変容量デバイスの制御装置及び当該制御装置を含む通信装置 | |
EP2507804B1 (en) | Variable capacitor and method for driving the same | |
Demirci | Micromechanical composite array resonators and filters for communications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091207 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |