JP4916077B2 - 官能化ダイヤモンド、その製造方法、複合研磨材及び官能化ダイヤモンドを含有する研磨工具 - Google Patents
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 206
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 188
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 34
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 6
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 21
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UIZVMOZAXAMASY-UHFFFAOYSA-N hex-5-en-1-ol Chemical compound OCCCCC=C UIZVMOZAXAMASY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 5
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000351 diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910014033 C-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910014570 C—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 2
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241000272525 Anas platyrhynchos Species 0.000 description 1
- 241000219495 Betulaceae Species 0.000 description 1
- 0 CNCCNC*N Chemical compound CNCCNC*N 0.000 description 1
- 238000005698 Diels-Alder reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000009435 amidation Effects 0.000 description 1
- 238000007112 amidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006208 butylation Effects 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- CSJDCSCTVDEHRN-UHFFFAOYSA-N methane;molecular oxygen Chemical compound C.O=O CSJDCSCTVDEHRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010399 three-hybrid screening Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B32/25—Diamond
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- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
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Description
この出願は、発明者D’Evelyn及びMcHaleによる米国特許仮出願第60/188874号(2000年3月13日出願)の優先権を主張する。
【0002】
【技術分野】
本発明は、官能化ダイヤモンドに関する。特に樹脂での保持性の向上した官能化ダイヤモンドに関する。
【0003】
【背景技術】
例えばメッシュ結晶やミクロン粉体などのダイヤモンドは、様々な分野で砥粒として使用できる。ダイヤモンドは、例えば研磨工具、砥粒加工機械、切削装置、研削工具(砥石)その他の類似の砥粒装置に用いられている。ダイヤモンドが砥粒用途に適切なのは、少なくとも一部には、硬いからである。最も硬い天然材料として知られるダイヤモンドは有用な砥粒特性を有するが、その様々な装置や環境への適用には制約がある。例えば、ダイヤモンドの用途はダイヤモンドの装置への保持性により限定される。多くの場合、装置の性能及び寿命がダイヤモンドの保持性により限定される。
【0004】
通常ダイヤモンドは研磨目的には母材(マトリックス)に埋め込まれ、その母材は樹脂(レジン)を含有する。研磨装置は通常、ダイヤモンドを埋め込んだ母材が設けられた基材を含む。粒子と母材との結合強さは研磨装置にとって決定的な強度である。ダイヤモンドと関連する母材との結合強さを高めれば、両者間の保持性が増大するはずである。それにつれて、ダイヤモンドを埋め込んだ母材の設けられた研磨装置・工具の性能及び寿命が増大するはずである。
【0005】
ダイヤモンドと関連する母材との結合強さを高めるために、ダイヤモンドの表面を変性することが提案されている。例えば、ダイヤモンド表面を官能化してダイヤモンドと母材との結合強さを高めることが提案されている。かかる官能化は、種々のポリマー状樹脂前駆物質に関するダイヤモンドの濡れ性を変性しようとしている。変性は、ダイヤモンドと関連する母材との物理的な相互作用結合強さを増加しようとしている。しかし、ダイヤモンドと関連する母材との物理的な相互作用力は化学結合により達成される相互作用力より弱い。さらに、関連する樹脂との強い共有結合を形成することのできる部分で官能化したダイヤモンドが研磨用途用に開発されていることは知られていない。
【0006】
したがって、研磨用途に用いる複合研磨剤、官能化ダイヤモンド及びレジンボンド母材が必要とされている。さらに、かかる官能化ダイヤモンド及びレジンボンド母材に高強度の結合を付与する方法が必要とされている。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある(国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む)。
【特許文献1】
米国特許第5,593,783号明細書
【非特許文献1】
ヨシノリ イケダ(Yoshinori Ikeda),タケヤス サイトウ(Takeyasu Saito),カツキ クサカベ(Katsuki Kusakabe),シゲハル モロオカ(Shigeharu Morooka),ヒデアキ マエダ(Hiroaki Maeda),ユキ タニグチ(Yuki Taniguchi),及びユウゾウ フジワラ(Yuzo Fujiwara),「有機溶媒中の反応によるダイヤモンド表面のハロゲン化とブチル化(Halogenation and Butylation of Diamond Surfaces By Reactions in Organic Solvents)」,エレセヴィエア ダイヤモンドと関連物質(Elesevier,Diamond and Related Materials),1998年,第7巻,p.830−834
【非特許文献2】
ジョン B.ミラー、及びダンカン W.ブラウン,「光化学的に修飾したダイヤモンドフィルムの特性(Properties of Photochemically Modified Diamond Films)」、エレセヴィエア ダイヤモンドと関連化合物(Elesevier,Diamond and Related Materials),1995年,第4巻、p.435−440
【非特許文献3】
O.セムチノバ(O.Semchinova),D.ウフマン(D.Uffmann),H.ネフ(H.Neff),及びEP スミノブ(EP Smirnov),「ダイヤモンドセラミックスに対する微結晶ダイヤモンド粉末の成長、調製、及び表面修飾(Growth, Preparation and Surface Modification of Microcrystalline Diamond Powder for the Synthesis of Diamond Ceramics)」、エレセヴィエア 欧州セラミック会雑誌(Elesevier,Journal of the Europiean Ceramic Society),1996年,第16巻,p.753−758
【非特許文献4】
MT ブリック(MT Bryk),NN バグレイ(NN Baglei),EP スミノブ(EP Smirnov),SK ゴルデブ(SK Gordeev),AF バーバン(AF Burban),及びVB アレスコブスキ(VB Aleskovskii),「オリゴマーと官能基を有するダイヤモンド粉末表面との間の反応(Reaction Beween Oligomers and the Surface of Diamond Powder Containig Functional Groups)」、米国化学会誌(J.Am. Chem. Soc.),1984年,p.782−785
【非特許文献5】
AE サイロ(AE Shilo),VA シビデルスキ(VA Sviderskii)、及びEA パシュチェンコ(EA Pashchenko),「修飾された合成ダイヤモンドとエルバーの新油性特性(Oleophilic Character of Modified Synthetic Diamonds and Elber)」,ソバリン超硬質物質雑誌(Sov.J.Superhard Material),1986年,第8巻,第22号,p.27−31
【非特許文献6】
FB ダニロバ(FB Danilova)、AE ゴルブノバ(AE Gorbunova)、AF バーバン(AF Burban)、SK ゴルデブ(SK Gordeev)、及びVA マンザー(VA Manzhar),「工具、粉末とペースト(Tools, Powders and Pastes)」,ソバリン超硬質物質雑誌(Sov.J. Superhard Material),1989年,第11巻,第5号,p.41−45
【非特許文献7】
R.サポック(R.Sappok),及びHP ボエム(HP Boehm),「Chemie Der Oberflache Des Diamanten −−I.Bcnetsungswarmen,Elektronenspinresonanz Und Infrarotspektren Der Oberflachen−Hydride,Halogenide Und Oxide」,英国(Printed in Great Britain),炭素 ペルガモンプレス(Carbon, Pergamon Press),1968年,第6巻,p.283−295
【非特許文献8】
VI マカルスキー(VI.Makal’skii),VF ロクテフ(VF Loktev),IV ストヤノーバ(IV Stoyanova),AS クリンキン(AS Klinkin),GS リツボク(GS Litvak),EMモロズ(EM Moroz),及びVA リクホロボフ(VA Likholobov),「超微細ダイヤモンドの表面修飾(Modification of the Surfaces of Ultrafine Diamonds)」,Vliyanie Khim. Fiz−Khim.Vozdeistv.Svoistva Almazov,1990年,p.48−54
【非特許文献9】
トシヒロ アンドウ(Toshihiro Ando),カズオ ヤマモト(Kazuo Yamamoto),モトヒコ イシイ(Motohiko Ishii),ムツカズ カモ(Mutsukazu Kamo),及びヨイチロウ サトウ(Yoichiro Sato),「ダイヤモンド表面の気相酸化 拡散反射率フーリエ変換赤外線及び温度プログラム化された脱着スペクトルによる酸素中での研究(Vapour−Phase Oxidation of Diamond Surfaces in O2 Studied By Diffuse reflectance Fourier−Transform Infrated and Temperature−Programmed Desorption Spectroscopy)」,J.Chem.Soc.Faraday Trans.,1993年,第89巻,第19号,p.3635−3640
【非特許文献10】
リサ M.ストラック(Lisa M.Struck),及びマーク P.デエバリン(Mark P.D’Evelyn),「ダイヤモンドを用いた水素と水との相互作用(Interaction of Hydrogen and Water With Diamond(100):Infrared Spectroscopy)」,J.Vac.Sci.Technol.A.,1993年7月/8月,第11巻,第4号,p.1992−1997
【非特許文献11】
EP スミノブ(EP Smirnov)、EK ゴルデブ(SK Gordeev)、SI コルトソブ(SI Kol’tsov)、VB アレスコブスキ(VB Aleskovskii),「ダイヤモンド表面におけるハロゲン(Synthesis of Halide Functional Groups on the Surface of Diamond)」、(Zhurnal Prikladnoi Khimi)、1978年、第51巻、第11号、P.2451−2455
【非特許文献12】
CK ゴルデブ(CK Gordeev),EP スミノブ(EP Smirnov),及びVB アレスコブスキ(VB Aleskovskii)、「ダイヤモンド表面の置換反応における官能基の相互影響(Mutual Influence of Functional Groups in Substitution Reactions On Diamond Surface)」,Doklady Akademii Nauk SSSR,1982年,第261巻,第1号,p.6−8
【非特許文献13】
トシヒロ アンドウ(Toshihiro Ando),カズオ ヤマモト(Kazuo Yamamoto),シゲル スエハラ(Shigeru Suehara),ムツカズ カモ(Mutsukazu Kamo),ヨイチロウ サトウ(Yoichiro Sato),シンジ シモサキ(Shinji Shimosaki),及びミッカ ニシタニ−ガモ(Mikka Nishitani−Gamo),「ダイヤモンド表面における塩素と水素の相互作用(Interaction of Chlorine With Hydrogenated Diamond Surface)」,中国化学雑誌(Journal of the Chinese Chemical Society),1995年,第42巻,p.285−292
【非特許文献14】
トシヒロ アンドウ(Toshihiro Ando)、ミッカ ニシタニ−ガモ(Mikka Nishitani−gamo),ロビン E.ローレス(Robin E.Rawles),カズオ ヤマモト(Kazuo Yamamoto),ムツカズ カモ(Mutsukazu Kamo),ヨイチロウ サトウ(Yoichiro Sato),「中間状態において塩素化表面を用いたダイヤモンド表面の化学修飾(Chemical Modification of Diamond Surface Using a Chlorinated Surface as an Intermediated State)」,エレセヴィエア ダイヤモンドと関連物質(Elsevier Diamond and Related Materials),1996年,第5巻,p.1136−1142
【非特許文献15】
トシヒロ アンドウ(Toshihiro Ando),モトヒロ イシイ(Motohiro Ishii),ムツカズ カモ(Mutukazu Kamo),及びヨイチロウ サトウ(Yoichiro Sato),「拡散反射フーリエ変換赤外線によって研究されたダイヤモンド表面の熱水素化 温度プログラム化された脱着及びレーザーラマンスペクトル(Thermal Hydrogenation of Diamond Surfaces Studied By diffuse reflectance Fourier−Transform Infrared,Temperature−Programmed Desorption and Laser Raman Spectroscopy)」,J.Chem.Soc.Faraday Trans.,1993年,第89巻,第11号,p.1783−1789
【非特許文献16】
GT ワング(GT Wang)、SF ベント(SF Bent)、JN ラッセル,ジュニア(JN Russell,Jr.)、JE バトラー(JE Butler)、及びMP デエバリン(MP D’Evelyn)、「ディールスアルダー化学によるダイヤモンドの官能基化(100)(Functionalization of Diamond(100) by Diels−Alder chemistry)」,米国化学雑誌(J.Am.Chem.Soc.),2000年,第122巻,p.744−745
【0007】
【発明の概要】
本発明の1観点によれば、有機官能化部分を含有する官能化ダイヤモンドが提供される。有機官能化部分は、ビニル、アミド、アルコール、酸類、フェノール類、ヒドロキシル類及び脂肪族類及びこれらの混合物から選択される。
【0008】
本発明の別の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドが提供される。このダイヤモンドは、下記の反応により有機部分で官能化されている。
【0009】
【化12】
【0010】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0011】
本発明の他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドが提供される。このダイヤモンドは、下記のいずれかの反応により有機部分で官能化されている。
【0012】
【化13】
【0013】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0014】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドが提供される。このダイヤモンドは、下記のいずれかの反応により有機部分で官能化されている。
【0015】
【化14】
【0016】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0017】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドを含む複合研磨材が提供される。このダイヤモンドは下記の反応により有機部分で官能化されている。
【0018】
【化15】
【0019】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0020】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドを含む複合研磨材が提供される。このダイヤモンドは下記のいずれかの反応により有機部分で官能化されている。
【0021】
【化16】
【0022】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0023】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドを含む複合研磨材が提供される。このダイヤモンドは下記のいずれかの反応により有機部分で官能化されている。
【0024】
【化17】
【0025】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0026】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドを含む研磨工具が提供される。このダイヤモンドは下記の反応により有機部分で官能化されている。
【0027】
【化18】
【0028】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0029】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドを含む研磨工具が提供される。このダイヤモンドは下記のいずれかの反応により有機部分で官能化されている。
【0030】
【化19】
【0031】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0032】
本発明のさらに他の観点によれば、有機部分で官能化されたダイヤモンドを含む研磨工具が提供される。このダイヤモンドは下記のいずれかの反応により有機部分で官能化されている。
【0033】
【化20】
【0034】
式中、xは0〜約20の整数である。
【0035】
本発明の上記及び他の観点、効果及び特徴は、添付の図面と関連した本発明の実施形態についての以下の詳細な説明から明らかになるであろう。なお、図面中同様の部分には同じ符号を付してある。
【0036】
【発明の実施の形態】
本発明の1実施形態としての官能化ダイヤモンドは、ダイヤモンドの表面を有機基(本明細書では「有機官能化部分」とも「有機部分」とも言う)で官能化してレジンボンド母材との化学結合強さを高めたものである。これらの有機基はレジンボンド母材と共重合可能である。したがって、本発明の実施形態としての官能化は、ダイヤモンド表面に、レジンボンド母材中での、例えば共有結合により達成される、高い結合強さを与える。共有結合は、例えば、C−C、C−O、C−N、C−Si、Si−O及びSi−N結合の1種以上とすることができるが、これらに限定されない。
【0037】
さらに、本発明は、官能化表面を有するダイヤモンド(本明細書では「官能化ダイヤモンド」とも言う)とレジンボンド母材との接着性の向上した複合研磨材及び研磨工具を提供する。すなわち、本発明の実施形態としての複合研磨材は、本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンド及びレジンボンド母材を含む。また、本発明の実施形態としての研磨工具は、官能化ダイヤモンド及び研磨用途用のレジンボンド母材を含む。
【0038】
ここで用いる用語「レジンボンド母材」は、樹脂材料の母材(マトリックス)を含み、ここに、高い母材内ダイヤモンド保持性にて、1以上の官能化ダイヤモンドを導入することができる。さらに、用語「ダイヤモンド」は天然のダイヤモンド及び合成ダイヤモンドを包含するが、これらだけに限らない。また、用語「ダイヤモンド」はダイヤモンド結晶、ダイヤモンド粒子、ミクロンサイズのダイヤモンド粉体粒子の1以上を包含する。
【0039】
複合研磨材において官能化ダイヤモンドとレジンボンド母材との間に形成される前記の結合は、代表的には共有結合を包含する。共有結合は、後述する共重合法により生成することができる。研磨用途、例えば複合研磨材などに用いる官能化ダイヤモンドは、ダイヤモンドの表面が同表面上に配置された分子で覆われることにより官能化されたものである。これらの分子は母材中のレジンボンドと共重合できる。
【0040】
本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドはフェノール基を含有することができる。フェノール基は、上述したような結合によりダイヤモンド表面に結着される。フェノール基はフェノール−ホルムアルデヒド樹脂と共重合できる。
【0041】
或いは、本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドはビニル基を含有することができる。ビニル基は、上述したような結合によりダイヤモンド表面に結着される。ビニル基は共重合中にビニル樹脂との縮合を起こしうる。
【0042】
本発明の範囲内に入る他の実施形態の官能化ダイヤモンドは、ダイヤモンドの表面上にアルコール又はヒドロキシル基を含有する。アルコール基は、上述したような結合によりダイヤモンド表面に結着され、直鎖状又は分岐状多酸及びポリオールと重合してポリエステル樹脂を形成することができる。
【0043】
さらに他の実施形態の官能化ダイヤモンドは、アミド基を含有することができ、そのアミド基は上述したような結合によりダイヤモンド表面に結着される。アミド基は、ホルムアルデヒド並びに尿素及びポリアミドの少なくとも1種と重合することができる。
【0044】
さらに他の実施形態の官能化ダイヤモンドは、ダイヤモンドの表面にアルデヒド基を含有することができる。アルデヒド基はフェノール樹脂と共重合することができる。
【0045】
本発明の範囲内に入るさらに他の実施形態の官能化ダイヤモンドは、ダイヤモンドの表面にエポキシド基を含有する。エポキシド基はエポキシ及びポリエーテル樹脂と共重合することができる。
【0046】
大抵の場合にダイヤモンド表面の近くで起こる高度の立体障害のため、これらの官能基はダイヤモンド表面に種々の長さの炭化水素鎖により結合される。望ましくないことには、この立体障害は、レジンボンド母材分子との間に形成される結合の数を減らすおそれがある。
【0047】
したがって、本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドは、上述したような結合によりダイヤモンド表面に共有結合される有機部分を含有する。有機官能化部分は、ビニル、アミド、アルコール、フェノール、ヒドロキシル、アルデヒド及びエポキシド基及びこれらの混合物から選択される。
【0048】
本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドの製造は種々の方法により行うことができる。本発明の1実施形態としての官能化ダイヤモンド製造方法は、官能化ダイヤモンド粒子の表面にほぼ単層濃度、すなわち約0.1×1015cm-2〜約3×1015cm-2の範囲の濃度のカルボキシル基(−COOH)を与える工程を含む。これらの官能化ダイヤモンドは、ダイヤモンドを強酸化性酸中で煮沸することにより製造することができる(用語「強」は後述する実施例に記載した酸の特性を示す)。例えば、本発明を限定するものではないが、酸化性酸は、濃HClO4又は濃硫酸(H2SO4)中の1%〜20%硝酸(HNO3)の少なくとも1種を含有する。このプロセスで、親水性の官能化ダイヤモンド粒子を製造することができる。
【0049】
官能化ダイヤモンド粒子は、ダイヤモンド上にほぼ完全単層の、すなわち約0.1×1015cm-2〜約3×1015cm-2の範囲の表面濃度にて、酸性基を含んでいてもよい。これらの官能化ダイヤモンド特性は、適当な分析方法、例えば赤外分光分析及び/又は塩基性滴定により測定することができる。
【0050】
上記プロセスは次に、酸性ダイヤモンド表面と官能化部分とも言う共重合可能な分子との間に共有(化学)結合を形成する。これらの共有結合は、酸触媒によるエステル化又は塩基触媒によるアミド化により形成することができる。本発明の実施形態として共有結合を形成する反応例を下記式(1)〜(5)に示す。
【0051】
【化21】
【0052】
或いは、共有結合を別の反応により生成することもできる。本発明の実施形態として共有結合を形成する別の反応例を下記式(6)〜(10)に示す。
【0053】
【化22】
【0054】
式(1)〜(10)の反応それぞれにおいて、xは0〜約20の整数である。xのこの値は、ダイヤモンド表面と重合性官能基、例えばフェノール基、ビニル基、ヒドロキシル基、アミド基及びアルデヒド基から選択される重合性官能基との間の距離が可変であることを見込んでいる。式(1)〜(10)に記載した反応はレジンボンド母材中で高い結合強さを与える。
【0055】
本発明はまた、水性酸又は塩基環境にて安定性の向上した官能化ダイヤモンドを提供する。通常、化学環境によっては、共有結合、例えばエステル及びアミド連結の形態の共有結合(これらに限らない)が不安定になることがある。かかる化学環境は、ダイヤモンド処理工程、例えば水性酸又は塩基環境での官能化ダイヤモンドの加熱時(これらに限らない)に出現する。水性酸又は塩基環境での安定性が向上した官能化ダイヤモンドでは、官能基がダイヤモンド表面に炭素−炭素、あらゆる型の炭素−酸素又は二級アミン型の炭素−窒素結合連結により結合されている。これらの官能基は以下の例示プロセスにより合成することができる。
【0056】
或いはまた、ダイヤモンド粉体に塩素含有環境にて紫外線を照射する光化学反応により、塩素化工程を行うことができる。例えば、限定するわけではないが、高圧水銀アーク灯により紫外線を照射することができる。
【0057】
まず最初、ダイヤモンド表面を水素化する。水素化工程は、ダイヤモンドを水素含有環境内で約700℃〜約1200℃の範囲の温度に加熱する工程を含む。水素化されたダイヤモンド表面を次に塩素化することができる。塩素化工程は、水素化ダイヤモンドをCl2含有環境内で約100℃〜約500℃の範囲の温度に加熱する工程を含む。
【0058】
水素化及び塩素化反応はそれぞれ下記の式(11)及び(12)で示される。
【0059】
【化23】
【0060】
塩素化ダイヤモンドは水素含有分子と反応して、ダイヤモンド及びHClに結合された分子を生成し、特に水素原子が脂肪族炭化水素の水素原子より高反応性である場合にそうである。塩素化ダイヤモンドを室温で水蒸気にさらすことにより、ダイヤモンド表面に結合されたOH基を生成することができる。
【0061】
表面ビニル基から官能化ダイヤモンドを生成することができる。官能化ダイヤモンドに適当なビニル基は、塩素化ダイヤモンドをプロピレンと約100℃〜約600℃の範囲の温度で反応させることにより生成することができる。アリル系C−H結合は普通の脂肪族C−H結合より高反応性であるので、式(13)のような反応が生起する。
【0062】
【化24】
【0063】
或いはまた、塩素化ダイヤモンドとプロピレンとの反応は、ダイヤモンド粉体にプロピレン含有環境で紫外線を照射する光化学反応により行うことができる。
【0064】
同様に、本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドを形成するために、表面フェノール基をダイヤモンド上に生成することができる。官能化ダイヤモンド上の表面フェノール基は、塩素化ダイヤモンドをp−クレゾールと約100℃〜約600℃の範囲の温度で反応させることにより生成することができる。この反応が起こるのは、トルエン中のメチルC−H結合が通常芳香族C−H結合より弱いからであり、したがって、式(14)に示すような反応が起こる。
【0065】
【化25】
【0066】
或いはまた、塩素化ダイヤモンドとクレゾールとの反応は、ダイヤモンド粉体にクレゾール含有環境で紫外線を照射する光化学反応により行うことができる。
【0067】
塩素化ダイヤモンドは、C−H結合と反応するより容易にO−H及びN−H結合と反応するので、これを適当なアルコール又はアミンと反応させることにより、本発明のビニル、フェノール、アルコール、アミド、アルデヒド及びエポキシド部分を形成することができる。
【0068】
式(15)〜(20)にそれぞれ示すように、塩素化ダイヤモンドを多官能性アルコールと約0℃〜約600℃の温度で反応させることにより、ビニル基、アルコール基、アミド基、アルデヒド基、フェノール基及びエポキシド基をダイヤモンド表面上に形成することができる。
【0069】
【化26】
【0070】
或いはまた、式(21)〜(26)にそれぞれ示すように、塩素化ダイヤモンドを多官能性アミンと約0℃〜約600℃の温度で反応させることにより、ビニル基、アルコール基、アミド基、アルデヒド基、フェノール基及びエポキシド基をダイヤモンド表面上に形成することができる。
【0071】
【化27】
【0072】
式(1)〜(10)及び(13)〜(26)の右側に記載された官能化ダイヤモンド表面は、フェノール樹脂、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂及び熱硬化性樹脂からなる群から選択される前駆物質と反応することができる。反応は、樹脂前駆物質の化学作用によるものである。したがって、本発明の実施形態にしたがって、共重合により化学的共有結合が官能基と樹脂との間に形成されると、ダイヤモンドはレジンボンド母材に結着される。
【0073】
式(1)〜(10)及び(13)〜(26)に記載した反応は、重合により樹脂をダイヤモンド表面に化学的に結着して複合研磨材を形成するのに適当である。類似の化学作用も使用できる。本発明の範囲内の反応に、式(1)〜(10)及び(13)〜(26)の上記反応の組合せを用いることもできる。
【0074】
官能化ダイヤモンド及び本発明の実施形態にしたがって官能化ダイヤモンドと共に複合研磨材を形成するレジンボンド母材は、種々の用途に使用することができる。官能化ダイヤモンド及び官能化ダイヤモンドを有するレジンボンド母材は、例えば研削工具(砥石)などのレジンボンド砥粒応用品の作成に使用することができる。これらの工具は寿命と性能が向上しているはずである。複合研磨材、例えばレジンボンド系などは、本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンド、フィラー材料、例えば炭化ケイ素(SiC)及び銅(Cu)粉体、及び樹脂材料を含有する。
【0075】
【実施例】
本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドを形成する方法の一例を以下に示す。以下に示す数値は近似値であり、また本発明を記述する用語は当業者が理解する通りの意味で使用する。この例示方法は本発明を限定すると解すべきではなく、例示のみを目的としたものである。
【0076】
出発材料は、粒度0.75〜1.25μmのダイヤモンド粉体とした。このダイヤモンド100gを1000mLの濃H2SO4及び100mLの70%HNO3の沸騰混合物中で1時間反応させ、ダイヤモンド表面をカルボン酸基で官能化した。混合物を冷却したところ、ダイヤモンド粉体が懸濁液から沈降し、酸を分液した。次に、ダイヤモンドを2000mLの脱イオン化H2Oに懸濁することにより、ダイヤモンドを水洗した。12〜24時間の沈降時間後、洗浄水を流出した。この水洗工程を混合物のpHが7近くになるまで繰り返した。最後の洗浄を1000mLのアセトンで行った。ダイヤモンドが沈降したところで、アセトンを流出し、残りのダイヤモンド/アセトンスラリーを周囲条件下で乾燥させ、カルボン酸官能化生成物を得た。
【0077】
表面をビニル基で官能化するために、上記のカルボン酸官能化生成物10gを100mL丸底フラスコに入れた。50mLのアセトンと10mLの5−ヘキセン−1−オールをフラスコに注入した。フラスコの頂部に還流コンデンサを取付け、混合物を水浴で加熱した。温度が50℃に達したところで、5mLの濃塩酸を還流コンデンサから添加した。混合物が75℃で沸騰し始めるまで加熱を続けた。必要に応じて、フラスコを時々揺らしてダイヤモンドを懸濁させた。75℃で30分間還流した後、混合物を室温まで冷却し、反応液を流出させ、沈降ダイヤモンドから除いた。次にダイヤモンド生成物を1回75mLのアセトンに懸濁し、放置してダイヤモンドを沈降させ、次いでアセトンを流出させることにより、ダイヤモンド生成物を5回洗浄した。5回目の洗浄後、ダイヤモンド/アセトンスラリーを周囲条件下で乾燥させ、ビニル処理生成物を得た。
【0078】
本発明の実施例としてのダイヤモンドの官能化を証明するために、サンプルに拡散反射赤外フーリエ変換分光分析(DRIFTS=diffuse reflectance infrared Fourier−transform spectroscopy)試験を行った。感度を高くするために、当技術分野で周知のように、官能化ダイヤモンドを臭化カリウム(KBr)粉体と混合した。スペクトル結果を図1に示す。KBrマトリックス中の水不純物の影響をなくすために、純粋な(ニートな)ダイヤモンド粉体サンプルの追加スペクトルを反射モードの赤外顕微鏡で測定した。これらの追加スペクトルを図2に示す。
【0079】
試験から、未処理のダイヤモンド粉体において、大きなスペクトルピークが1760cm-1に現れ、当技術分野で周知のようにこれは表面>C=O基の伸縮モードに帰属する。別のスペクトルピークが未処理粉体では約1500cm-1〜1000cm-1の範囲の振動数に現れ、これらのピークは、やはり周知のように、C−O−Cエーテル基及びC−OHヒドロキシル基と関連するC−Oモードの組合せに帰属する。約3000cm-1〜3700cm-1の範囲のブロードなスペクトルピーク(図1)は、主としてKBrマトリックス中の物理吸着水によると考えられる。このピークはニートなダイヤモンド粉体の反射スペクトル(図2)では減少している。最後に約1900cm-1〜2400cm-1の範囲にある幾つかのスペクトルピークは、表面種によるのではなくダイヤモンド粉体におけるバルク吸収による。
【0080】
HNO3/H2SO4での処理後の粉体のスペクトルは、上記スペクトルと定性的に同様であるが、表面−COOH基の濃度の上昇を示す差が現れている。>C=O伸縮モードは、強度が増加し、約1788cm-1にシフトしており、これは表面酸化度の上昇と一致している。約3000cm-1〜3700cm-1の範囲のブロードなピークはさらに大きく(図1)、またニートなダイヤモンド粉体の反射スペクトルでは顕著であり(図2)、表面COO−H伸縮モードを示している。表面−COOH基の濃度はほぼ一つの単層である、すなわち約1.5〜2.0×1015cm-2の範囲にあると考えられる。
【0081】
酸処理ダイヤモンドを酸触媒エステル化条件下で5−ヘキセン−1−オールで処理した後、低振動数のスペクトル部分はほとんど変化しないが、C−H伸縮モードによる新しいピークが約2800cm-1〜3100cm-1の範囲に現れる。これらのピークは化学吸着−(CH2)4CH=CH2種中のsp3−混成CH2基によると考えられ、一方3080cm-1のピークは同じ種中のsp2−混成CH=CH2基による。ビニルCH及び脂肪族CH2ピークの強度は約0.045で、水素原子の相対数について補正した後のダイヤモンド(100)に化学吸着した−CH2−CH=CH−CH2−に観察される対応する比(0.17)と略一致する。C=C結合の配向は2つの場合で異なり、また分光分析モードも異なる(拡散反射対全内部反射)。したがって、赤外強度比の正確な一致は期待できない。スペクトルには新しいC−OHモードは現れず、このことはCHモードがダイヤモンド粉体中の残留5−ヘキセン−1−オールではなく化学吸着種によることを示している。
【0082】
さらに、反射スペクトル(図2)に示される通り、COO−Hピークの強度が大きく低下している。これらのスペクトル測定(図1及び図2)は、両者を合わせると、本発明の実施形態の通りに、酸処理後のダイヤモンド表面上の−COOH基が5−ヘキセン−1−オールと反応して−COO(CH2)4CH=CH2を形成していることを示している。COO−Hの強度が約2〜3倍減少していることは、単層の約1/2〜2/3の表面ビニル基の形成、或いは約0.8〜1.3×1015cm-2の範囲の表面濃度を示唆している。
【0083】
以上種々の実施形態を説明したが、以上の明細書から明らかなように、当業者であれば要素の様々な組合せ、変更や改良が可能であり、これらも本発明の範囲内に包含される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態としての官能化ダイヤモンドの臭化カリウム(KBr)マトリックス中での拡散反射赤外フーリエ変換分光分析(DRIFTS)による1組のスペクトル図である。
【図2】 KBrマトリックス中の水不純物の影響を除くために反射モードの赤外顕微鏡で測定した純粋な(ニートな)ダイヤモンド粉体の1組の赤外スペクトル図である。
Claims (16)
- レジンボンド母材内に1以上の官能化ダイヤモンドを含有する複合研磨材であって、前記官能化ダイヤモンドがビニル、アミド、アルコール、アミド、フェノール、アルデヒド及びエポキシド基及びこれらの混合物のいずれか1種以上から選択される有機部分を含有する、複合研磨材。
- レジンボンド母材内に1以上の官能化ダイヤモンドを含有する工具であって、前記官能化ダイヤモンドがビニル、アミド、アルコール、アミド、フェノール、アルデヒド及びエポキシド基及びこれらの混合物のいずれか1種以上から選択される有機部分を含有する、研磨用工具。
- 官能化ダイヤモンドであって、この官能化ダイヤモンドが有機官能化部分を含有し、有機官能化部分がビニル、アミド、アルコール、酸類、フェノール類、ヒドロキシル、カルボキシル、アルデヒド及び脂肪族類及びこれらの混合物から選択される、官能化ダイヤモンド1以上、レジンボンド母材、及び炭化ケイ素(SiC)及び銅(Cu)のいずれか1種以上から選択されるフィラー材料を含有する複合研磨材。
- 1以上のダイヤモンドを含有し、このダイヤモンドが有機部分を含有し、有機部分がビニル、アミド、アルコール、アミド、フェノール、アルデヒド及びエポキシド基及びこれらの混合物のいずれか1種以上から選択される、複合研磨材。
- 1以上のダイヤモンドを含有し、このダイヤモンドが有機部分を含有し、有機部分がビニル、アミド、アルコール、アミド、フェノール、アルデヒド及びエポキシド基及びこれらの混合物のいずれか1種以上から選択される、研磨工具。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18887400P | 2000-03-13 | 2000-03-13 | |
US60/188,874 | 2000-03-13 | ||
US09/576,794 | 2000-05-23 | ||
US09/576,794 US6372002B1 (en) | 2000-03-13 | 2000-05-23 | Functionalized diamond, methods for producing same, abrasive composites and abrasive tools comprising functionalized diamonds |
PCT/US2001/006618 WO2001068521A2 (en) | 2000-03-13 | 2001-03-02 | Functionalized diamond, methods for producing same, abrasive composites and abrasive tools comprising functionalized diamonds |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003527285A JP2003527285A (ja) | 2003-09-16 |
JP2003527285A5 JP2003527285A5 (ja) | 2008-04-17 |
JP4916077B2 true JP4916077B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=26884536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001567628A Expired - Fee Related JP4916077B2 (ja) | 2000-03-13 | 2001-03-02 | 官能化ダイヤモンド、その製造方法、複合研磨材及び官能化ダイヤモンドを含有する研磨工具 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6372002B1 (ja) |
EP (1) | EP1296802B1 (ja) |
JP (1) | JP4916077B2 (ja) |
KR (1) | KR100757704B1 (ja) |
CN (1) | CN1220573C (ja) |
AU (1) | AU2001241902A1 (ja) |
DE (1) | DE60120161T2 (ja) |
IL (1) | IL151664A (ja) |
TW (1) | TW526125B (ja) |
WO (1) | WO2001068521A2 (ja) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000028518A2 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Broadcom Corporation | Graphics display system |
US20040118762A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-24 | Jishou Xu | Packing materials for liquid chromatography using chemically modified diamond powders |
US7488565B2 (en) * | 2003-10-01 | 2009-02-10 | Chevron U.S.A. Inc. | Photoresist compositions comprising diamondoid derivatives |
TW200521273A (en) * | 2003-10-22 | 2005-07-01 | Rorze Corp | Liquid composition, process for producing the same, film of low dielectric constant, abradant and electronic component |
US20060258875A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Clementine Reyes | Methods for manufacturing supported nanocatalysts and methods for using supported nanocatalysts |
JP2007001790A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Ishizuka Kenkyusho:Kk | 塩素終端ダイヤモンド微粉及びその製法 |
US8097229B2 (en) * | 2006-01-17 | 2012-01-17 | Headwaters Technology Innovation, Llc | Methods for manufacturing functionalized inorganic oxides and polymers incorporating same |
JP5346427B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2013-11-20 | 直樹 小松 | ナノダイヤモンド |
US9095841B2 (en) * | 2006-08-02 | 2015-08-04 | Us Synthetic Corporation | Separation device and chemical reaction apparatus made from polycrystalline diamond, apparatuses including same such as separation apparatuses, and methods of use |
US20090221773A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Brigham Young University | Methods for direct attachment of polymers to diamond surfaces and diamond articles |
US20090218276A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Brigham Young University | Functionalized diamond particles and methods for preparing the same |
US20090218287A1 (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-03 | Us Synthetic Corporation | Solid phase extraction apparatuses and methods |
CA2723651C (en) * | 2008-05-10 | 2014-02-11 | Brigham Young University | Porous composite particulate materials, methods of making and using same, and related apparatuses |
US9192915B2 (en) * | 2008-05-10 | 2015-11-24 | Brigham Young University | Porous composite particulate materials, methods of making and using same, and related apparatuses |
US8871024B2 (en) | 2008-06-05 | 2014-10-28 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
US9157167B1 (en) | 2008-06-05 | 2015-10-13 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
US20090301388A1 (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Soraa Inc. | Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids |
US8097081B2 (en) | 2008-06-05 | 2012-01-17 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
US8303710B2 (en) * | 2008-06-18 | 2012-11-06 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
US20100006873A1 (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Soraa, Inc. | HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN |
US20090320745A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Soraa, Inc. | Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials |
US20100003492A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-07 | Soraa, Inc. | High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods |
WO2011044554A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Soraa, Inc. | Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals |
JP2011530194A (ja) | 2008-08-04 | 2011-12-15 | ソラア インコーポレーテッド | 物質および蛍光体を含んだ非分極性あるいは半極性のガリウムを用いた白色灯デバイス |
US8284810B1 (en) | 2008-08-04 | 2012-10-09 | Soraa, Inc. | Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods |
US8021481B2 (en) * | 2008-08-07 | 2011-09-20 | Soraa, Inc. | Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
US8323405B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-12-04 | Soraa, Inc. | Process and apparatus for growing a crystalline gallium-containing nitride using an azide mineralizer |
US8430958B2 (en) * | 2008-08-07 | 2013-04-30 | Soraa, Inc. | Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride |
US10036099B2 (en) | 2008-08-07 | 2018-07-31 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US8979999B2 (en) * | 2008-08-07 | 2015-03-17 | Soraa, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US8148801B2 (en) * | 2008-08-25 | 2012-04-03 | Soraa, Inc. | Nitride crystal with removable surface layer and methods of manufacture |
US8652226B2 (en) | 2008-09-16 | 2014-02-18 | Diamond Innovations, Inc. | Abrasive particles having a unique morphology |
WO2010033903A1 (en) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | Brigham Young University | Functionalized graphitic stationary phase and methods for making and using same |
US20100295088A1 (en) * | 2008-10-02 | 2010-11-25 | Soraa, Inc. | Textured-surface light emitting diode and method of manufacture |
US8354679B1 (en) | 2008-10-02 | 2013-01-15 | Soraa, Inc. | Microcavity light emitting diode method of manufacture |
US8455894B1 (en) | 2008-10-17 | 2013-06-04 | Soraa, Inc. | Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture |
US8987156B2 (en) | 2008-12-12 | 2015-03-24 | Soraa, Inc. | Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making |
US8878230B2 (en) * | 2010-03-11 | 2014-11-04 | Soraa, Inc. | Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture |
US9543392B1 (en) | 2008-12-12 | 2017-01-10 | Soraa, Inc. | Transparent group III metal nitride and method of manufacture |
USRE47114E1 (en) | 2008-12-12 | 2018-11-06 | Slt Technologies, Inc. | Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making |
US8461071B2 (en) * | 2008-12-12 | 2013-06-11 | Soraa, Inc. | Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making |
US20110100291A1 (en) * | 2009-01-29 | 2011-05-05 | Soraa, Inc. | Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US8299473B1 (en) | 2009-04-07 | 2012-10-30 | Soraa, Inc. | Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors |
JP5399118B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2014-01-29 | 株式会社ダイセル | 表面修飾ナノダイヤモンド及びその製造法 |
US8306081B1 (en) | 2009-05-27 | 2012-11-06 | Soraa, Inc. | High indium containing InGaN substrates for long wavelength optical devices |
CN102470463B (zh) * | 2009-07-31 | 2015-01-14 | 戴蒙得创新股份有限公司 | 包括表面改性的磨料颗粒的精密线材 |
US8435347B2 (en) | 2009-09-29 | 2013-05-07 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus with stackable rings |
WO2011106685A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Brigham Young University | Gas phase approach to in-situ/ex-situ functionalization of porous graphitic carbon via radical-generated molecules |
CN102267108A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 具有改质钻石磨料的研磨工具及其制造方法 |
US9564320B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-02-07 | Soraa, Inc. | Large area nitride crystal and method for making it |
US8729559B2 (en) | 2010-10-13 | 2014-05-20 | Soraa, Inc. | Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon |
US8840693B2 (en) * | 2010-10-29 | 2014-09-23 | Baker Hughes Incorporated | Coated particles and related methods |
RU2013124412A (ru) | 2010-10-29 | 2014-12-10 | Бейкер Хьюз Инкорпорейтед | Покрытые графеном алмазные частицы, композиции и промежуточные структуры, содержащие такие частицы, и способы формирования покрытых графеном алмазных частиц и поликристаллических элементов |
CA2818490A1 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-24 | Brigham Young University | Sonication for improved particle size distribution of core-shell particles |
US8786053B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-07-22 | Soraa, Inc. | Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture |
US8784520B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-07-22 | Baker Hughes Incorporated | Methods of functionalizing microscale diamond particles |
US8882872B2 (en) * | 2011-10-04 | 2014-11-11 | Baker Hughes Incorporated | Graphite coated metal nanoparticles for polycrystalline diamond compact synthesis |
US8482104B2 (en) | 2012-01-09 | 2013-07-09 | Soraa, Inc. | Method for growth of indium-containing nitride films |
GB2503643A (en) | 2012-04-27 | 2014-01-08 | Univ Newcastle | Method for separation of diamond particle clusters |
CN103146230B (zh) * | 2013-02-08 | 2014-08-06 | 浣石 | 一种末端基团为羟基的纳米金刚石衍生物及其制备方法和用途 |
KR101577657B1 (ko) * | 2014-08-29 | 2015-12-28 | 주식회사 네오엔비즈 | 표면이 개질된 나노 다이아몬드, 나노 다이아몬드의 표면 개질 방법 및 나노 다이아몬드 분산액의 제조 방법 |
US9938771B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-04-10 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Initiator nanoconstituents for elastomer crosslinking and related methods |
KR102383798B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2022-04-07 | 나노리소스 주식회사 | 항산화 나노다이아몬드 제조방법 및 이를 포함하는 조성물 |
KR101713749B1 (ko) * | 2015-09-01 | 2017-03-08 | 현대자동차 주식회사 | 나노 다이아몬드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 나노유체 |
JP6770469B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-10-14 | 株式会社ダイセル | 表面修飾ナノダイヤモンド、及びその有機溶媒分散体 |
JP6824086B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2021-02-03 | 株式会社ダイセル | 表面修飾ナノダイヤモンドの製造方法 |
US10766776B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-09-08 | Daicel Corporation | Surface-modified nanodiamond, organic solvent dispersion thereof, and method for producing surface-modified nanodiamond |
JP6910602B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2021-07-28 | 学校法人東京理科大学 | 表面修飾ナノダイヤモンドの製造方法、及び表面修飾ナノダイヤモンド |
JP7084133B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-06-14 | ポリプラスチックス株式会社 | 液晶性樹脂の製造方法 |
JP7083636B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-06-13 | ポリプラスチックス株式会社 | 液晶性樹脂の製造方法 |
US11939222B2 (en) * | 2018-01-29 | 2024-03-26 | Daicel Corporation | Nanodiamond particle dispersion |
CN114341055B (zh) * | 2019-08-30 | 2024-03-08 | 株式会社大赛璐 | 表面修饰纳米金刚石的制造方法 |
US20230382739A1 (en) * | 2020-09-25 | 2023-11-30 | The Trustees Of Princeton University | Chemical methods for diamond surface functionalization |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999040173A1 (fr) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Substrats d'immobilisation et d'amplification de l'adn, cristaux de blocage d'adn avec de l'adn bloque sur les substrats, et procede d'amplification de l'adn |
JP2001139532A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-22 | Toyo Kohan Co Ltd | 化学修飾を施した基体およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU709352A1 (ru) * | 1978-08-11 | 1980-01-15 | Предприятие П/Я В-8657 | Св зка дл изготовлени алмазноабразивного инструмента |
US5250086A (en) * | 1992-03-25 | 1993-10-05 | General Electric Company | Multi-layer metal coated diamond abrasives for sintered metal bonded tools |
GB9324671D0 (en) | 1993-12-01 | 1994-01-19 | Logitech Ltd | Abrasive material |
US5593783A (en) | 1994-06-17 | 1997-01-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photochemically modified diamond surfaces, and method of making the same |
EP0786506B1 (en) * | 1996-01-26 | 2003-04-23 | General Electric Company | Coated abrasives for abrasive tools |
-
2000
- 2000-05-23 US US09/576,794 patent/US6372002B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-02 IL IL15166401A patent/IL151664A/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-03-02 CN CNB01809404XA patent/CN1220573C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-02 AU AU2001241902A patent/AU2001241902A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-02 KR KR1020027011980A patent/KR100757704B1/ko active IP Right Grant
- 2001-03-02 DE DE60120161T patent/DE60120161T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 JP JP2001567628A patent/JP4916077B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-02 EP EP01913219A patent/EP1296802B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 WO PCT/US2001/006618 patent/WO2001068521A2/en active IP Right Grant
- 2001-03-16 TW TW090105872A patent/TW526125B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999040173A1 (fr) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Substrats d'immobilisation et d'amplification de l'adn, cristaux de blocage d'adn avec de l'adn bloque sur les substrats, et procede d'amplification de l'adn |
JP2001139532A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-22 | Toyo Kohan Co Ltd | 化学修飾を施した基体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL151664A (en) | 2005-11-20 |
IL151664A0 (en) | 2003-04-10 |
DE60120161T2 (de) | 2007-03-29 |
US6372002B1 (en) | 2002-04-16 |
AU2001241902A1 (en) | 2001-09-24 |
EP1296802B1 (en) | 2006-05-31 |
EP1296802A2 (en) | 2003-04-02 |
WO2001068521A3 (en) | 2002-03-21 |
CN1429144A (zh) | 2003-07-09 |
WO2001068521A2 (en) | 2001-09-20 |
CN1220573C (zh) | 2005-09-28 |
TW526125B (en) | 2003-04-01 |
KR20020092381A (ko) | 2002-12-11 |
DE60120161D1 (de) | 2006-07-06 |
KR100757704B1 (ko) | 2007-09-13 |
JP2003527285A (ja) | 2003-09-16 |
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JP2003527285A5 (ja) | ||
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040524 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080301 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110728 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111116 |
|
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