JP4906118B2 - マスク設計及びマスク製造におけるマスク検査のための方法 - Google Patents
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Description
マスク設計及びマスク製造に関するマスク検査のための方法は、設計され、かつマスクレイアウトに変換されるマスク設計図の空間像シミュレーションを行って、そのシミュレーションから重要な位置(ホットスポット)のリストが決定される。AIMSの支援により実空間像を生成し、その実空間像をシミュレートされた空間像と比較することにより、マスク/テストマスクは解析される。そのように解析することにより、2つの空間像が構造的に正確なやり方で互いに相関関係を有するようになり、ライン幅や所謂プロセスウィンドウのサイズに関して同じ位置であると評価される。
空間像の結果的に判定された誤差は、設計を向上させる役割をもつものであり、マスクの品質は上記したプロセスステップを数回繰り返すことにより向上する。
全ての重要な位置は、設計を改善すべく許容量についてチェックされ、ホットスポットリストがその後の新たな全面「空間像」シミュレーションを用いた設計における反復改善により最小化される。
空間像シミュレーションと対比して、AIMS画像は非理想のマスク書き込みプロセスによるマスクの実歪みを含む。これらの実歪みは、マスク自身(eビーム近似効果)及び/又は不十分な光学補正によって生じる。これら影響のうちいくつかは、互いに相反するものであるので、別々に補正される必要があり、これら影響のうちのどれが実歪みに対して原因となるのかを判定する必要がある。
相関係数は、マスク露光又は光学露光が実際に観測されたときの影響に対する指標を(数学的確率の形で)提供する。これに関して、計算の精度は、実際に行われるレイアウトにおける異なるポイントでの測定により増加する。各組の値は、相関マトリクス内の行となる。相関マトリクスにより、マスク及び光学部品に対する合計の相関係数をより高い精度で決定することができる。
Claims (7)
- マスク設計および/またはマスク製造のコンテクストにおけるマスク検査の方法であって、前記マスク設計は、ドラフトが作成され、マスクレイアウトに変換されたものであり、
前記マスク設計から、
a)「空間像」のシミュレーションが実行されることにより、重要なポイント(ホットスポット)のリストを決定し、
b)前記ホットスポットに基づいて、AIMSツールを用いてマスクおよび/またはテストマスクが解析され、実「空間像」が生成され、
c)前記実「空間像」が前記シミュレーションが実行された「空間像」と比較され、
d)前記「空間像」の決定された差異が、マスクの設計を改善するために用いられ、前記「空間像」の実際の差異の原因を決定するために、相関マトリスクが用いられ、前記相関マスクの相関係数ρ mb は、マスクリソグラフィに対する特性シグネチャσ m および光学リソグラフィに対する特性シグネチャσ O と観測された測定値σ b とを比較することにより決定され、
前記方法は、前記実「空間像」に含まれる歪みが、マスク自体における歪みによって引き起こされたものであるか、または、不十分な光学補正によって引き起こされたものであるかが確立されることを特徴とする、方法。 - 前記方法の工程a)において、前記重要なポイント(ホットスポット)のリストを決定するための「空間像」のシミュレーションは、好ましくは全体の「空間像」のシミュレーションである、請求項1に記載の方法。
- 前記方法の工程a)において、前記重要なポイントのリストは、設計における反復的な改善であって、その後に反復的な全体の「空間像」のシミュレーションが続く反復的な改善により最小化される、請求項1〜2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法の工程a)において、照明条件、マスク製造の条件および/またはステッパ条件を変更することにより前記シミュレーションが実行された「空間像」を解析すること、集中的に配置されたポイントおよび非常に小さい構成に関するレイアウトを解析すること、または、反復的なポイントの「ダイ間」の比較により、前記重要なポイントのリストが決定される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法の工程b)において製造されたマスクは、テストマスクまたは全域マスクである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法の工程a)〜d)が複数回実行されることにより、前記マスクの品質を改善する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マスク設計をマスクレイアウトに変換するために、OPC技術等のいわゆるRET技術が用いられる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
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