JP4900699B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
分離するための素子分離溝内に設けられた第1の絶縁膜を除去し、前記素子分離溝を露出
させる工程、前記素子分離溝を露出させる工程を行ったのち、前記素子分離溝が露出した
状態で、前記半導体基板にランプ光を照射するRTA処理を施して、前記不純物を活性化
する工程、前記不純物を活性化する工程を行ったのち、前記半導体素子部を覆うとともに
前記素子分離溝を埋める第2の絶縁膜を成膜して、前記素子分離溝内に素子分離膜を形成
すると共に、前記半導体素子部上及び前記素子分離膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
Claims (2)
- 半導体基板に形成され所定領域に不純物が注入された半導体素子部を分離するための素
子分離溝内に設けられた第1の絶縁膜を除去し、前記素子分離溝を露出させる工程、
前記素子分離溝を露出させる工程を行ったのち、前記素子分離溝が露出した状態で、前
記半導体基板にランプ光を照射するRTA処理を施して、前記不純物を活性化する工程、
前記不純物を活性化する工程を行ったのち、前記半導体素子部を覆うとともに前記素子
分離溝を埋める第2の絶縁膜を成膜して、前記素子分離溝内に素子分離膜を形成すると共
に、前記半導体素子部上及び前記素子分離膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜により、前記半導体素子部を被覆することを特徴とする請求項1に記
載の半導体装置の製造方法。
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