JP4900431B2 - プロジェクタ、およびプロジェクタの制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、プロジェクタ、およびプロジェクタの制御方法に関する。

従来、光源装置と、この光源装置から射出された光束を画像情報に応じて変調して光学像を形成する電気光学装置と、この電気光学装置にて形成した光学像を拡大投射する投射光学装置とを備えるプロジェクタが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このようなプロジェクタでは、長時間に亘り使用した場合、光源装置からの発熱、および光源装置から射出された光束の一部を吸収することによる電気光学装置の発熱等により、プロジェクタ内部が高温化しやすい。そして、特許文献１に記載のプロジェクタでは、制御部を備え、該制御部は、プロジェクタ内部の温度を検出し、該温度が上昇し異常状態であると判定した場合にプロジェクタの駆動を停止する、すなわち、電源を切る制御を実施する。

特開平９−１３０７００号公報

しかしながら、特許文献１に記載のプロジェクタでは、内部温度が異常状態となった場合に電源を切る制御を実施するので、投射画面がいきなり消えてしまい、利用者にとっては使い勝手が悪いものである。
したがって、内部温度の上昇を抑制し、利便性の向上が図れるプロジェクタの開発が望まれている。

本発明の目的は、内部温度の上昇を抑制し、利便性の向上が図れるプロジェクタ、およびプロジェクタの制御方法を提供することにある。

本発明のプロジェクタは、光源装置と、画像情報の階調レベルに応じて前記光源装置から射出された光束の光透過率または光反射率を変化させることで光変調を実施して光学像を形成する電気光学装置と、前記電気光学装置にて形成された光学像を拡大投射する投射光学装置とを備えたプロジェクタであって、前記電気光学装置を駆動制御する電気光学装置駆動制御部と、前記光源装置近傍に配置され前記光源装置の温度を検出する温度検出部とを備え、前記電気光学装置駆動制御部は、前記画像情報に所定の処理を施し、前記画像情報の階調レベル、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率における階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更する特性変更部を含んで構成され、前記特性変更部は、前記温度検出部にて検出された検出温度に基づいて前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、前記設定した最下限値、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値に基づいて所定の階調値以下の低階調領域でのみ前記階調−光透過率特性または前記階調−光反射率特性を変更することを特徴とする。

ここで、電気光学装置としては、光源装置から射出された光束を透過させることで光変調を実施するタイプ、あるいは、光源装置から射出された光束を反射させることで光変調を実施するタイプのいずれを採用してもよい。
また、電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、設定した最下限値、および電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値に基づいて階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更するとは、例えば、画像情報に対して階調変換処理を施し、画像情報の低階調領域における電気光学装置の光透過率または光反射率を変更する処理を採用できる。また、この処理に限らず、電気光学装置を駆動する際の駆動電圧に対して所定のオフセット電圧を加算し、電気光学装置に加わる駆動電圧を高電圧側にシフトさせて、画像情報の低階調領域における電気光学装置の光透過率または光反射率を変更する処理を採用してもよい。
本発明では、プロジェクタを構成する電気光学装置駆動制御部は、特性変更部を含んで構成される。そして、特性変更部は、温度検出部にて検出された検出温度に基づいて電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、設定した最下限値、および電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値に基づいて階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更する。このことにより、温度検出部にて検出された検出温度に基づいて、例えば、画像情報に対して階調変換処理を施し、画像情報の低階調領域における電気光学装置の光透過率または光反射率を向上させて電気光学装置における階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更することで、電気光学装置にて吸収する光束を低減させ、電気光学装置の発熱量を低減させることができる。したがって、電気光学装置の温度を低減することが可能となり、プロジェクタ内部の温度上昇を抑制可能となる。また、このことにより、プロジェクタ内部の温度が高温化して異常状態となることを回避可能となり、内部温度が異常状態となった場合に電源を切る制御を実施する必要がなく、すなわち、投射画面がいきなり消えることがないので、プロジェクタの利便性の向上を図れる。
また、光源装置として例えば発光ダイオード素子を採用した場合であっても、例えば光源装置の駆動時間の経過に伴う該光源装置の温度の上昇に応じて、すなわち、光源装置の輝度の低下に応じて、上述した特性変更部による階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更させるように制御すれば、光源装置の輝度の低下に応じて電気光学装置の光透過率または光反射率を向上させることで光学像の輝度の低下を抑制することが可能となる。

本発明のプロジェクタでは、前記光源装置は、複数の色光をそれぞれ射出可能に複数で構成され、前記温度検出部は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、前記電気光学装置は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、前記複数の電気光学装置にて形成された色光毎の光学像を合成して射出する色合成光学装置を備え、前記特性変更部は、前記複数の温度検出部にて検出された複数の検出温度に基づいて前記複数の色光に対応する前記画像情報に所定の処理を施し、前記複数の電気光学装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に等しくなるように変更することが好ましい。
ここで、各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に等しくなるとは、各階調−光透過率特性曲線または各階調−光反射率特性曲線が、同一形状または相似形状を有することを意味する。
本発明では、光源装置は、複数の色光をそれぞれ射出可能に複数で構成される。また、温度検出部は、複数の光源装置に対応して複数で構成される。さらに、電気光学装置は、複数の光源装置に対応して複数で構成される。そして、特性変更部は、複数の温度検出部にて検出された検出温度に基づいて複数の色光に対応する画像情報に所定の処理を施し、複数の電気光学装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に等しくなるように変更する。このことにより、特性変更部にて各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性を変更した場合であっても、各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性にしたがって各電気光学装置にて形成される各光学像の色合いを良好にすることが可能となり、色合成光学装置にて合成された光学像を投射光学装置にて拡大投射することで色むらのない良好な光学像を投影することが可能となる。

本発明のプロジェクタでは、前記光源装置は、複数の色光をそれぞれ射出可能に複数で構成され、前記温度検出部は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、前記電気光学装置は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、前記複数の電気光学装置にて形成された色光毎の光学像を合成して射出する色合成光学装置を備え、前記特性変更部は、前記複数の温度検出部にて検出された複数の検出温度に基づいて前記複数の色光に対応する前記画像情報に所定の処理を施し、前記複数の電気光学装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に異なるように変更することが好ましい。
ここで、各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に異なるとは、各階調−光透過率特性曲線または各階調−光反射率特性曲線が、同一形状または相似形状を有しないことを意味する。
本発明では、光源装置は、複数の色光をそれぞれ射出可能に複数で構成される。また、温度検出部は、複数の光源装置に対応して複数で構成される。さらに、電気光学装置は、複数の光源装置に対応して複数で構成される。そして、特性変更部は、複数の温度検出部にて検出された検出温度に基づいて複数の色光に対応する画像情報に所定の処理を施し、複数の電気光学装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に異なるように変更する。このことにより、複数の光源装置として例えば複数の発光ダイオード素子を採用し、各光源装置の駆動時の発熱量が異なり、各光源装置の温度が異なる場合、すなわち、各光源装置の輝度が異なる場合であっても、各光源装置の温度に応じて複数の電気光源装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性を実質的に異なるように変更することで、各光源装置の異なる輝度に対応させて各電気光学装置に光学像を形成させることが可能となり、色合成光学装置にて合成された光学像の色バランスを良好にすることが可能となる。したがって、色合成光学装置にて合成された光学像を投射光学装置にて拡大投射することで色むらのない良好な光学像を投影することが可能となる。

本発明のプロジェクタでは、前記光源装置は、固体発光素子を含んで構成されていることが好ましい。
ここで、固体発光素子としては、例えば、発光ダイオード素子、半導体レーザ等が例示できる。
本発明によれば、光源装置が固体発光素子を含んで構成されているので、高圧水銀ランプやメタルハライドランプ等の光源装置と比較して、駆動時の発熱量が小さくて済み、光源装置の温度上昇をさらに抑制可能な構成となり、プロジェクタ内部の温度上昇をさらに抑制可能とする。また、駆動時の消費電力が小さくて済む。さらに、光源装置の間欠点灯制御を容易に実施することが可能な構成となる。さらにまた、光源装置の小型化および軽量化を図れる。

本発明のプロジェクタの制御方法は、光源装置と、画像情報の階調レベルに応じて前記光源装置から射出された光束の光透過率または光反射率を変化させることで光変調を実施して光学像を形成する電気光学装置と、前記電気光学装置にて形成された光学像を拡大投射する投射光学装置と、前記電気光学装置を駆動制御する電気光学装置駆動制御部と、前記光源装置近傍に配置され前記光源装置の温度を検出する温度検出部とを備えたプロジェクタの制御方法であって、前記温度検出部が、前記光源装置の温度を検出する温度検出ステップと、前記電気光学装置駆動制御部が、前記温度検出ステップにて検出した検出温度に基づいて前記画像情報に所定の処理を施し、前記画像情報の階調レベル、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率における階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更する特性変更ステップとを備え、前記特性変更ステップは、前記検出温度に基づいて前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、前記設定した最下限値、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値に基づいて所定の階調値以下の低階調領域でのみ前記階調−光透過率特性または前記階調−光反射率特性を変更することを特徴とする。
本発明によれば、プロジェクタの制御方法は、温度検出ステップと、特性変更ステップとを備え、特性変更ステップでは、温度検出ステップにて検出された検出温度に基づいて電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、この設定した最下限値と電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値とに基づいて階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更するので、上述したプロジェクタと同様の作用・効果を享受できる。

第１実施形態におけるプロジェクタの概略構成を模式的に示す図。 前記実施形態における制御装置による光源装置および電気光学装置の制御構造を示すブロック図。 前記実施形態における特性変更部による階調−光透過率特性の変更処理を模式的に示す図。 前記実施形態におけるデューティ比制御データ記憶部に記憶されたテーブル構造を模式的に示す図。 前記実施形態におけるデューティ比制御データ記憶部に記憶された情報をグラフ化した図。 前記実施形態における制御装置による制御動作を説明するためのフローチャート。 前記実施形態における制御装置の制御によるＬＥＤモジュールの温度の推移を示す図。 前記実施形態における制御装置の制御によるＬＥＤモジュールを間欠点灯させる際のデューティ比の推移を示す図。 第２実施形態における制御装置による光源装置および電気光学装置の制御構造を示すブロック図。 前記実施形態における制御装置による制御動作を説明するためのフローチャート。 前記実施形態における制御装置の制御によるＬＥＤモジュールの温度推移の一例を示す図。 前記実施形態における制御装置の制御によるＬＥＤモジュールを間欠点灯させる際のデューティ比の推移を示す図。

以下、本発明の実施の一形態を図面に基づいて説明する。
〔プロジェクタの構成〕
図１は、本実施形態に係るプロジェクタ１の概略構成を模式的に示す図である。
プロジェクタ１は、光源から射出される光束を画像情報に応じて変調して光学像を形成し、形成した光学像をスクリーン上に拡大投射するものである。このプロジェクタ１は、光源装置２と、３つの偏光変換装置３と、３つの電気光学装置４と、色合成光学装置としてのクロスダイクロイックプリズム５と、投射光学装置としての投射レンズ６と、ここでは図示しない制御装置とを備える。

光源装置２は、後述する制御装置による制御の下、点灯および消灯を繰り返す間欠点灯を実施し、偏光変換装置３に向けて光束を射出する。この光源装置２は、図１に示すように、Ｒ色光を射出するＲ色光用ＬＥＤ（Light Emitting Diode）モジュール２Ｒと、Ｇ色光を射出するＧ色光用ＬＥＤモジュール２Ｇと、Ｂ色光を射出するＧ色光用ＬＥＤモジュール２Ｂとで構成される。
これらＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、略同様の構成であり、具体的な図示は省略するが、Ｓｉ基板上に固体発光素子である複数のＬＥＤ素子が配列形成されている。なお、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを構成するＬＥＤ素子は、結晶の種類および添加物等が異なるように形成されたものであり、それぞれＲ色光、Ｇ色光、Ｂ色光を発する。また、これらＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂには、後述する制御装置からの制御指令に応じて前記各ＬＥＤ素子に駆動電圧を印加する光源駆動回路が形成されている。

また、これらＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂには、各ＬＥＤ素子の過熱状態を検出するために、サーミスタ等からなる温度検出部としての温度検出センサ２０が設けられている。具体的には、温度検出センサ２０は、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、該ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂと接するように、Ｒ色光用温度検出センサ２０Ｒ、Ｇ色光用温度検出センサ２０Ｇ、およびＢ色光用温度検出センサ２０Ｂで構成されている。
なお、本実施形態では、温度検出センサ２０を各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにそれぞれ接するように設けているが、勿論、温度検出センサ２０を設ける位置はこれに限らず、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの近傍であればいずれの位置に設けても構わない。

偏光変換装置３は、光源装置２から射出される各色光に応じて３つの偏光変換装置３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで構成され、光源装置２から射出された各色光の偏光方向を略一方向の直線偏光に揃える。
これら偏光変換装置３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、図示を略したが、照明光軸に対して傾斜配置される偏光分離膜および反射ミラーを交互に配列した構成を具備する。偏光分離膜は、各色光に含まれるＰ偏光光束およびＳ偏光光束のうち、一方の偏光光束を透過し、他方の偏光光束を反射する。反射された他方の偏光光束は、反射ミラーによって曲折され、一方の偏光光束の射出方向、すなわち照明光軸に沿った方向に射出される。射出された偏光光束のいずれかは、偏光変換装置３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの光束射出面に設けられる位相差板によって偏光変換され、略全ての偏光光束の偏光方向が揃えられる。このような偏光変換装置３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを用いることにより、光源装置２から射出される光束を、略一方向の偏光光束に揃えることができるため、電気光学装置４で利用する光源光の利用率を向上することができる。
本実施形態では、偏光変換装置３Ｒ，３ＢはＲ色光用ＬＥＤモジュール２ＲおよびＢ色光用ＬＥＤモジュール２Ｂから射出されるＲ，Ｂ色光をＰ偏光光束に揃えて射出し、偏光変換装置３ＧはＧ色光用ＬＥＤモジュール２Ｇから射出される色光をＳ偏光光束に揃えて射出する。

電気光学装置４は、偏光変換装置３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから射出される各色光に応じて３つの電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂで構成され、後述する制御装置７による制御の下、入力する画像信号の階調レベルに応じて偏光変換装置３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから射出された光束の光透過率を変化させることで入射した色光を変調して光学像を形成する。これら電気光学装置４は、３つの入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂと、３つの液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂと、３つの射出側偏光板４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂとを備える。
入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは、偏光変換装置３で偏光方向が略一方向に揃えられた各色光が入射され、入射された光束のうち、偏光変換装置３で揃えられた光束の偏光軸と略同一方向の偏光光のみ透過させ、その他の光束を吸収するものである。すなわち、入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｂは偏光変換装置３Ｒ，３Ｂから射出されるＰ偏光光束を透過させ、入射側偏光板４１Ｇは偏光変換装置３Ｇから射出されるＳ偏光光束を透過させる。これら入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは、例えば、サファイアガラスまたは水晶等の基板上に偏光膜が貼付された構成を有している。

射出側偏光板４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂは、入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂと略同様の構成であり、液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂから射出された光束のうち、入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂにおける光束の透過軸と直交する偏光軸を有する光束のみ透過させ、その他の光束を吸収するものである。すなわち、射出側偏光板４３Ｒ，４３ＢはＳ偏光光束を透過させ、射出側偏光板４３ＧはＰ偏光光束を透過させる。
液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは、具体的な図示は省略するが、一対の透明なガラス基板に電気光学物質である液晶を密閉封入した液晶パネルと、後述する制御装置から出力される画像信号を入力し、前記液晶パネルに画像に応じた所定の駆動電圧を前記液晶パネルに印加する液晶パネル駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）とで構成されている。そして、液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは、例えば、前記液晶パネル駆動用ＩＣから与えられた駆動電圧にしたがって、前記液晶パネルの液晶の配向状態が制御され、入射側偏光板４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂから射出された偏光光束の偏光方向を変調する。
そして、光源装置２から射出された光束の光量に対する、電気光学装置４を透過した光束の光量の比率によって前記光透過率が規定される。

クロスダイクロイックプリズム５は、各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂから射出された色光毎に変調された光学像を合成してカラー画像を形成する光学素子である。このクロスダイクロイックプリズム５は、４つの直角プリズム５１を貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム５１同士を貼り合わせた界面には、誘電体多層膜５２Ａ，５２Ｂが形成されている。誘電体多層膜５２Ａは、電気光学装置４Ｒから射出されたＳ偏光光束を反射し、電気光学装置４Ｇから射出されたＰ偏光光束を透過する。また、誘電体多層膜５２Ｂは、電気光学装置４Ｂから射出されたＳ偏光光束を反射し、電気光学装置４Ｇから射出されたＰ偏光光束を透過する。このようにして、各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂから射出された３つの色光が合成される。
投射レンズ６は、クロスダイクロイックプリズム５にて形成したカラー画像をスクリーン１００上に拡大投射するものであり、複数のレンズが組み合わされた組レンズとして構成され、鏡筒内に収納されている。

〔制御装置の構造〕
図２は、制御装置７による光源装置２および電気光学装置４の制御構造を示すブロック図である。
制御装置７は、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの間欠点灯制御を実施するとともに、外部機器から入力した画像信号に対して所定の処理を施し、この処理を施した画像信号に応じて液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂを駆動制御する。この制御装置７は、図２に示すように、映像信号入力部７１と、制御部７２と、記憶部７３とを備える。

映像信号入力部７１は、各種外部機器から出力される映像信号を入力する部分である。この映像信号入力部７１は、図２に示すように、第１入力部７１１と、第２入力部７１２と、第３入力部７１３とを備える。
第１入力部７１１は、パーソナルコンピュータから出力された複数の画像信号が与えられる部分であり、図２に示すように、第１ビデオセレクタ７１１Ａと、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）７１１Ｂとを備える。
第１ビデオセレクタ７１１Ａは、制御部７２から与えられる選択信号に応じて、入力した複数の画像信号のうちの１つを選択して出力する。この第１ビデオセレクタ７１１Ａから出力される画像信号には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のアナログ画像信号と、水平同期信号および垂直同期信号とが含まれている。このような画像信号は、コンポーネント信号と呼ばれる。
ＡＤＣ７１１Ｂは、第１ビデオセレクタ７１１Ａから出力される３つのアナログ画像信号を該ＡＤＣ７１１Ｂ内のＡＤ変換回路によってそれぞれデジタル画像信号に変換する。そして、このデジタル画像信号は、制御部７２を介して記憶部７３に一時的に記録される。なお、この記録されるデジタル画像信号は、ＡＤＣ７１１Ｂから出力されるデジタル画像信号に応じて順次書き換えられる。

第２入力部７１２は、ビデオレコーダやテレビ等から出力された複数のビデオ信号が与えられる部分であり、図２に示すように、第２ビデオセレクタ７１２Ａと、ビデオデコーダ７１２Ｂとを備える。
第２ビデオセレクタ７１２Ａは、制御部７２から与えられる選択信号に応じて、入力した複数のビデオ信号のうちの１つを選択して出力する。これらのビデオ信号は、輝度信号と色信号と同期信号とが重畳された画像信号で、コンポジット信号と呼ばれる。
ビデオデコーダ７１２Ｂは、第２ビデオセレクタ７１２Ａから出力されるコンポジット信号から水平同期信号および垂直同期信号を分離するとともに、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つのデジタル画像信号に変換する。そして、このデジタル画像信号は、制御部７２を介して記憶部７３に一時的に記録される。なお、この記録されるデジタル画像信号は、ビデオデコーダ７１２Ｂから出力されるデジタル画像信号に応じて順次書き換えられる。

第３入力部７１３は、ＴＭＤＳ（Transition Minimized Differential Signaling）方式等の伝送方式によるデジタル画像信号およびクロック信号を入力するための専用レシーバである。すなわち、この第３入力部７１３により、外部機器からデジタル画像信号をそのまま入力可能としている。

制御部７２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等の演算処理装置から構成され、図示しないＲＯＭ（Read Only Memory）等に格納される制御プログラムを読み込んで実行するものであり、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの間欠点灯制御、液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの駆動制御を実施する機能を有している。この制御部７２は、図２に示すように、センサ信号受付部７２１と、光源駆動制御部７２２と、電気光学装置駆動制御部７２３とを備える。
センサ信号受付部７２１は、Ｒ，Ｇ，Ｂ色光用の各温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂで検出された各温度センサ信号を受け付ける部分であり、これらの温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂで検出された各温度センサ信号は、デジタル信号に変換されてセンサ信号受付部７２１で受け付けられる。そして、センサ信号受付部７２１は、各温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂで検出された各温度に対応するデジタル信号を光源駆動制御部７２２および電気光学装置駆動制御部７２３に出力する。

光源駆動制御部７２２は、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に基づいて、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを駆動制御する。この光源駆動制御部７２２は、図２に示すように、デューティ比制御部７２２Ａと、制御状態切替部７２２Ｂとを備える。
デューティ比制御部７２２Ａは、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを構成する各光源駆動回路に所定の制御指令を出力し、各光源駆動回路に所定のデューティ比を有する駆動信号を各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを構成する各ＬＥＤ素子に出力させ、各ＬＥＤ素子を所定のデューティ比（単位時間当りの消灯時間に対する単位時間当りの点灯時間の比率）で間欠点灯させる。また、デューティ比制御部７２２Ａは、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度と、記憶部７３に記憶された情報とに基づいて、各光源駆動回路から出力される各駆動信号のデューティ比を同様に変更させるデューティ比制御を実施する。このデューティ比制御部７２２Ａは、具体的には後述するが、制御状態切替部７２２Ｂからの制御指令にしたがって、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の上昇に応じて前記駆動信号のデューティ比を増加させるデューティ比増加制御と、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に応じて前記駆動信号のデューティ比を一旦低く変更するとともに、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の下降に応じて前記変更したデューティ比を徐々に増加させるデューティ比抑制制御とを実施する。
制御状態切替部７２２Ｂは、記憶部７３に記憶された情報にしたがって、センサ信号受付部７２１で受け付けられた温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が所定の温度範囲内にある場合に、デューティ比制御部７２２Ａによる制御状態をデューティ比増加制御からデューティ比抑制制御に切り替える。

電気光学装置駆動制御部７２３は、映像信号入力部７１から出力され記憶部７３に記憶されたデジタル画像信号を適宜読み出して、読み出したデジタル画像信号に対して所定の処理を施し、処理を施した画像に対応する画像信号を電気光学装置４の各液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに出力して所定の光学像を形成させる。なお、外部機器から映像信号入力部７１を介して入力した画像信号に対応する光学像を液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに形成させる構成に限らず、例えば、制御装置７内の図示しないＲＯＭ等に格納された画像データを読み出して、該画像データに所定の処理を施し、処理を施した画像データに対応する光学像を液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに形成させる構成としてもよい。この電気光学装置駆動制御部７２３は、図２に示すように、画像処理部７２３Ａと、特性変更部７２３Ｂとを備える。
画像処理部７２３Ａは、映像信号入力部７１から出力されるデジタル画像信号に対して拡大・縮小等の画像サイズ調整処理、台形歪補正処理、画質調整処理、ガンマ補正処理等を実施する。そして、画像処理部７２３Ａは、処理を施した画像に対応する画像信号を特性変更部７２３Ｂに出力する。

特性変更部７２３Ｂは、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して所定の処理を施し、画像信号の階調レベル、および電気光学装置４の光透過率における階調−光透過率特性を変更する。本実施形態では、特性変更部７２３Ｂによる階調−光透過率特性の変更処理は、センサ信号受付部７２１で受け付けられた温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が所定の温度範囲内にある場合（光源駆動制御部７２２による光源装置２のデューティ比抑制制御が実施されている場合）に実施するものとする。このため、特性変更部７２３Ｂは、記憶部７３に記憶された情報にしたがって、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が所定の温度範囲内であるか否かを判定して前記階調−光透過率特性の変更処理を実施する。なお、特性変更部７２３Ｂによる前記階調−光透過率特性の変更処理は、上述した処理方法に限らず、例えば、プロジェクタ１の駆動時に常時、実施する構成としてもよい。

図３は、特性変更部７２３Ｂによる階調−光透過率特性の変更処理を模式的に示す図である。なお、図３では、特性変更部７２３Ｂによる階調−光透過率特性の変更処理を簡略化して説明するために、前記変更処理を実施する前の階調−光透過率特性を、電気光学装置４固有の階調−光透過率特性としている。実際には、特性変更部７２３Ｂは、図示は省略したが、画像処理部７２３Ａによるガンマ補正処理が施された階調−光透過率特性に対して変更処理を実施するものとする。
図３において、横軸は特性変更部７２３Ｂに入力した画像信号の階調値であり、縦軸は電気光学装置４の光透過率である。そして、階調−光透過率特性曲線ＣＳは、電気光学装置４固有の階調−光透過率特性曲線である。
特性変更部７２３Ｂは、図３に示すように、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に基づいて電気光学装置４の光透過率の最下限値ＬＳをＬ１またはＬ２に設定する。そして、設定した最下限値Ｌ１またはＬ２、および電気光学装置４の光透過率の最高値Ｈに基づいて階調−光透過率特性曲線ＣＳを階調−光透過率特性曲線Ｃ１またはＣ２に変更する。
すなわち、特性変更部７２３Ｂは、図３に示すように、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を実施し、例えば低階調領域Ａにおける電気光学装置４の光透過率を向上させる。

ここで、特性変更部７２３Ｂの最下限値Ｌ１またはＬ２の設定は、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度と、記憶部７３に記憶された情報とに基づいて実施する。
図３では、特性変更部７２３Ｂが２つの最下限値Ｌ１，Ｌ２をそれぞれ設定し、この最下限値Ｌ１，Ｌ２に対応する２つの階調−光透過率特性曲線Ｃ１，Ｃ２にそれぞれ変更するように図示されているが、本実施形態では、特性変更部７２３Ｂは３つ以上の最下限値をそれぞれ設定し、これら最下限値に対応する３つ以上の階調−光透過率特性曲線にそれぞれ変更するものとする。なお、これに限らず、特性変更部７２３Ｂが１つまたは２つの最下限値を設定し、設定した最下限値に対応する１つまたは２つの階調−光透過率特性曲線に変更する構成としてもよい。

記憶部７３は、制御部７２から出力されるデータを記憶するとともに、予めユーザ等により設定されたデータを記憶する。この記憶部７３は、フレームメモリ７３１と、デューティ比制御データ記憶部７３２と、階調−光透過率特性データ記憶部７３３とを備える。
フレームメモリ７３１は、書換可能であるＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等で構成され、上述したように外部機器から出力され、映像信号入力部７１を介したデジタル画像信号を記録する。このように、外部機器から出力される画像信号は、このフレームメモリ７３１に一時的に記録され、この記録された画像信号に基づいて制御部７２の電気光学装置駆動制御部７２３が所定の処理を施し、施した画像信号に基づいて液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂを駆動制御している。

図４は、デューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたテーブル構造を模式的に示す図である。
デューティ比制御データ記憶部７３２は、書換可能であるＳＲＡＭ等で構成され、光源駆動制御部７２２によるデューティ比制御に関する情報がテーブルＴ１，Ｔ２，Ｔ３上に記憶されている。
ここで、テーブルＴ１は、図４（Ａ）に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に対するデューティ比が設定されたテーブルとして構成されている。このテーブルＴ１は、デューティ比制御部７２２Ａがデューティ比増加制御を実施する際に用いられるものであり、図４（Ａ）では具体的な数値で表していないが、温度Ａ，温度Ｂ・・・とＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける温度の上昇に応じて、デューティ比が増加するように設定されている。

同様に、テーブルＴ２も、図４（Ｂ）に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に対するデューティ比が設定されたテーブルとして構成されている。このテーブルＴ２は、デューティ比制御部７２２Ａがデューティ比抑制制御を実施する際に用いられるものであり、図４（Ｂ）では具体的な数値で表していないが、温度Ａ，温度Ｂ・・・とＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける温度の上昇に応じて、デューティ比が減少するように設定されている。

一方、テーブルＴ３は、図４（Ｃ）に示すように、制御状態切替部７２２Ｂによるデューティ比制御部７２２Ａによるデューティ比制御を切り替えるタイミングが設定されたテーブルとして構成されている。図４（Ｃ）では具体的な数値で表していないが、温度閾値１は、温度閾値２よりも高い温度とする。
ここで、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が第１温度閾値としての温度閾値１を超えた時点が、デューティ比制御部７２２Ａによるデューティ比増加制御をデューティ比抑制制御に切り替えるタイミングとなる。また、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が第２温度閾値としての温度閾値２以下となった時点が、デューティ比制御部７２２Ａによるデューティ比抑制制御をデューティ比増加制御に切り替えるタイミングとなる。

具体的に、図５は、デューティ比制御データ記憶部７３２に記憶された情報をグラフ化した図である。
デューティ比増加制御を実施する際に用いられるテーブルＴ１には、図５に示すように、温度の上昇に応じて、デューティ比が増加する（単位時間当りの点灯時間が長くなる）ように設定された情報が記憶されている。
一方、デューティ比抑制制御を実施する際に用いられるテーブルＴ２には、温度閾値１に対応するデューティ比が、テーブルＴ１における温度閾値１に対応するデューティ比に比較して、低く設定され、温度の下降に応じて、前記低く設定されたデューティ比から徐々にデューティ比が増加する（単位時間当りの点灯時間を長くする）ように設定された情報が記憶されている。
すなわち、テーブルＴ１，Ｔ２は、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に対するデューティ比の相関関係が逆に設定されており、図５に示すように、テーブルＴ３にて設定された温度閾値２の温度でテーブルＴ１，Ｔ２におけるデューティ比が近接した値となるように設定され、テーブルＴ３にて設定された温度閾値１の温度でテーブルＴ１，Ｔ２におけるデューティ比が離間した値となるように設定されている。

なお、図４および図５では、テーブルＴ１，Ｔ２をそれぞれ１つずつ図示したが、実際には、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応してそれぞれ３つで構成されている。そして、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応するテーブルＴ１，Ｔ２において、所定の温度に対応する各デューティ比は、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される各色光が所定の色合いとなるように所定の比率で設定されている。すなわち、テーブルＴ１，Ｔ２に基づいて、光源駆動制御部７２２のデューティ比制御部７２２ＡがＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御、デューティ比抑制制御を実施した際には、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される各色光が所定の色合いとなり、本発明に係る色合いデューティ比制御を実施することとなる。

階調−光透過率特性データ記憶部７３３は、書換可能であるＳＲＡＭ等で構成され、電気光学装置駆動制御部７２３の特性変更部７２３Ｂにて階調−光透過率特性曲線を変更する際に用いられる情報が記憶されている。
この階調−光透過率特性データ記憶部７３３には、図示は省略するが、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度に対応して画像処理部７２３Ａから出力される画像信号の階調を変換する変換テーブルが記憶されている。
なお、前記変換テーブルは、３つの電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに対応して３つで構成されている。そして、これら変換テーブルは、所定の温度に対応させて例えば階調−光透過率特性曲線ＣＳ（図３）を各階調−光透過率特性曲線Ｃ１またはＣ２（図３）に変更し、各階調−光透過率特性曲線Ｃ１またはＣ２にしたがって各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにて光学像を形成させた場合に、各光学像が所定の色合いとなるように設定されている。すなわち、所定の温度に対応する各階調−光透過率特性曲線が、同一形状または相似形状となるように変更する。
また、この階調−光透過率特性データ記憶部７３３には、図示は省略するが、デューティ比制御データ記憶部７３２におけるデューティ比制御切替テーブルＴ３と略同様の変更処理テーブルが記憶されている。この変更処理テーブルは、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が温度閾値１を超えた時点が、特性変更部７２３Ｂにより前記階調−光透過率特性の変更処理を実施するタイミングとなり、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちの一番高い温度が温度閾値２以下となった時点が、前記変更処理を終了するタイミングとなる。

次に、制御装置７による光源装置２および電気光学装置４の制御動作を説明する。
図６は、制御装置７による制御動作を説明するためのフローチャートである。
図７は、制御装置７の制御によるＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の推移を示す図である。
図８は、制御装置７の制御によるＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際のデューティ比の推移を示す図である。
なお、図６では、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち、一番高い温度であるＬＥＤモジュールの温度の推移を示し、同様に、図７でも、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち、一番高い温度であるＬＥＤモジュールを間欠点灯させる際のデューティ比の推移を示している。
ユーザによるリモートコントローラ等の入力操作により、プロジェクタ１を起動する旨の信号を制御装置７が入力すると、制御装置７における制御部７２の光源駆動制御部７２２は、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを構成する各光源駆動回路に所定の制御指令を出力し、各光源駆動回路から各ＬＥＤ素子に所定のデューティ比の駆動信号を出力させる。そして、各ＬＥＤ素子は、駆動信号に応じてＯＮ、ＯＦＦの間欠点灯を実施する。
また、制御部７２の電気光学装置駆動制御部７２３は、映像信号入力部７１を介して外部機器から入力し記憶部７３のフレームメモリ７３１に記憶する画像信号を適宜読み出して、読み出した画像信号に対して所定の処理を施し、処理を施した画像信号を各液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに出力する。そして、各液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂを構成する各液晶パネル駆動ＩＣは、入力した画像信号に対応する駆動信号を各液晶パネルに出力し、各ＬＥＤ素子から射出された光束を変調する。なお、この状態では、電気光学装置駆動制御部７２３の特性変更部７２３Ｂによる階調−光透過率特性の変更処理は実施されておらず、画像処理部７２３Ａによるガンマ補正処理が施された階調−光透過率特性にしたがって各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにて各光学像が形成される。

プロジェクタ１の起動後は、図７に示すように、プロジェクタ１の駆動時間が経過するにしたがって、各ＬＥＤ素子の点灯により各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が徐々に上昇していく。
このような状態において、各温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を検出する（処理Ｓ１：温度検出ステップ）。そして、各温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、検出した各温度に対応する各温度センサ信号を制御装置７に出力する。なお、各温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、例えば、所定時間毎に各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を検出し、検出した温度に対応する各温度センサ信号を逐次、制御装置７に出力するものとする。

この後、制御装置７は、入力した各温度センサ信号に基づいて、以下に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御を実施する（処理Ｓ２）。
制御装置７の制御部７２は、センサ信号受付部７２１を介して逐次、各温度センサ信号を入力し、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を認識する。光源駆動制御部７２２のデューティ比制御部７２２Ａは、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたデューティ比増加制御テーブルＴ１を参照して、認識した温度のうち一番高い温度に対応するデューティ比をそれぞれ算定する。そして、デューティ比制御部７２２Ａは、算定した各デューティ比にて各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯制御する。

制御部７２は、光源駆動制御部７２２によりデューティ比増加制御（処理Ｓ２）が実施されている際、センサ信号受付部７２１を介して逐次、各温度センサ信号を入力し、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を認識する。ここで、制御部７２は、認識した各温度のうちの一番高い温度と、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶された温度閾値１とを比較し、認識した各温度のうちの一番高い温度が温度閾値１を超えたか否かを判定する（処理Ｓ３：温度判定ステップ）。
ここで、処理Ｓ３において、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、認識した各温度のうちのいずれの温度も温度閾値１を超えていないと判定した場合には、上述したデューティ比増加制御（処理Ｓ２）を継続して実施する。デューティ比制御部７２２Ａは、デューティ比増加制御（処理Ｓ２）を繰り返し実施することで、デューティ比増加制御テーブルＴ１にしたがって、図８に示すように、認識した各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の上昇に応じて各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の各デューティ比を徐々に増加させ、すなわち、単位時間当りの点灯時間を徐々に長くしている。そして、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の単位時間当りの点灯時間を徐々に長くすることで、図７に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度はさらに上昇する。

そして、デューティ比増加制御（処理Ｓ２）が繰り返し実施され、処理Ｓ３において、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、認識した各温度のうちの一番高い温度が温度閾値１を超えていると判定した場合には、制御状態切替部７２２Ｂは、デューティ比制御部７２２Ａに所定の制御指令を出力し、デューティ比制御部７２２Ａの制御状態をデューティ比増加制御からデューティ比抑制制御に切り替える（処理Ｓ４）。
処理Ｓ４の後、デューティ比制御部７２２Ａは、制御状態切替部７２２Ｂからの制御指令にしたがって、以下に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比抑制制御を実施する（処理Ｓ５：デューティ比抑制制御ステップ）。
デューティ比制御部７２２Ａは、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたデューティ比抑制制御テーブルＴ２を参照して、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうちの温度閾値１を超える高い温度に対応するデューティ比をそれぞれ算定する。そして、デューティ比制御部７２２Ａは、算定した各デューティ比にて各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯制御する。
このように、デューティ比増加制御（処理Ｓ２）からデューティ比抑制制御（処理Ｓ５）に切り替えると、図８に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯制御する際のデューティ比が低く変更され、すなわち、単位時間当りの点灯時間が短くなる。このため、図７に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が低減していく。

また、処理Ｓ３において、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、認識した各温度のうちの一番高い温度が温度閾値１を超えていると判定した場合には、電気光学装置駆動制御部７２３の特性変更部７２３Ｂは、以下に示すように、階調−光透過率特性の変更処理を実施する（処理Ｓ６：特性変更ステップ）。
特性変更部７２３Ｂは、記憶部７３の階調−光透過率特性データ記憶部７３３に記憶された変換テーブルを参照し、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうちの温度閾値１を超える高い温度に基づいて、電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにおける光透過率の最下限値が高くなるように、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を施し、階調−光透過率特性曲線をそれぞれ変更する。例えば、図３を参照して説明すると、特性変更部７２３Ｂは、電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにおける光透過率の最下限値ＬＳが最下限値Ｌ１となるように、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を施し、階調−光透過率特性曲線ＣＳを階調−光透過率特性曲線Ｃ１に変更する。
そして、特性変更部７２３Ｂによる階調−光透過率特性の変更処理が実施された後の画像信号を各液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに出力し、各液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは変更された各階調−光透過率特性にしたがって光学像をそれぞれ形成する。

制御部７２は、光源駆動制御部７２２によりデューティ比抑制制御（処理Ｓ５）、および電気光学装置駆動制御部７２３により階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ６）が実施されている際、センサ信号受付部７２１を介して逐次、各温度センサ信号を入力し、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を認識する。ここで、制御部７２は、認識した温度のうちの一番高い温度と、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶された温度閾値２とを比較し、認識した各温度のうちの一番高い温度が温度閾値２以下であるか否かを判定する（処理Ｓ７）。

処理Ｓ７において、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、認識した各温度のうちの一番高い温度が温度閾値２以下でないと判定した場合には、上述したデューティ比抑制制御（処理Ｓ５）および階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ６）を継続して実施する。
デューティ比制御部７２２Ａは、記憶部７３に記憶されたデューティ比抑制制御テーブルＴ２にしたがってデューティ比抑制制御（処理Ｓ５）を繰り返し実施することで、図８に示すように、認識した各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の下降に応じて、一旦、低く変更したデューティ比を徐々に増加させ、すなわち、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の単位時間当りの点灯時間を徐々に長くしている。
また、特性変更部７２３Ｂは、記憶部７３に記憶された変換テーブルにしたがって階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ６）を繰り返し実施することで、認識した各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の下降に応じて電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにおける光透過率の最下限値が小さくなるように、各階調−光透過率特性曲線を変更する。例えば、図３を参照して説明すると、特性変更部７２３Ｂは、光透過率の最下限値Ｌ１を最下限値Ｌ２となるように、階調変換処理を実施し、階調−光透過率特性曲線Ｃ１を階調−光透過率特性曲線Ｃ２に変更する。

一方、処理Ｓ７において、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、デューティ比抑制制御（処理Ｓ５）を繰り返し実施することでＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が下降し、認識した各温度のうちの一番高い温度が温度閾値２以下であると判定した場合には、制御状態切替部７２２Ｂは、デューティ比制御部７２２Ａに所定の制御指令を出力し、デューティ比制御部７２２Ａの制御状態をデューティ比抑制制御からデューティ比増加制御に切り替える（処理Ｓ８）。
そして、デューティ比制御部７２２Ａは、上述したデューティ比増加制御（処理Ｓ２）と同様に、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御を実施する（処理Ｓ９）。
また、特性変更部７２３Ｂは、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を実施することを停止する（処理Ｓ１０）。そして、各液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは、画像処理部７２３Ａによるガンマ補正処理が施された階調−光透過率特性曲線にしたがって各光学像を形成する。
上述したデューティ比増加制御（処理Ｓ２）と同様に、デューティ比増加制御（処理Ｓ９）を実施することで、図７に示すように、再度各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が上昇する。このように、本実施形態では、プロジェクタ１の駆動時には、上述した処理Ｓ１〜処理Ｓ１０を繰り返し実施する。

上述した第１実施形態においては、光源駆動制御部７２２の制御状態切替部７２２Ｂは、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度のうちのいずれかの温度が温度閾値１を超えた場合にデューティ比制御部７２２ＡにＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比抑制制御（処理Ｓ５）を実施させるので、前記温度が温度閾値１を超える前に比較して、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの発熱量を低減させることができ、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を低減させることができる。したがって、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を温度閾値１以下にすることができ、プロジェクタ１内部の温度上昇を抑制できる。また、このことにより、プロジェクタ１内部の温度が高温化して異常状態となることを回避し、内部温度が異常状態となった場合に電源を切る制御を実施する必要がなく、すなわち、投射画面がいきなり消えることがないので、プロジェクタ１の利便性の向上を図れる。

また、制御状態切替部７２２Ｂは、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が温度閾値２以下になった後には、デューティ比制御部７２２ＡによるＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの制御状態をデューティ比抑制制御からデューティ比増加制御に切り替えるので、プロジェクタ１内部の温度上昇に寄与する影響が少ない温度である温度閾値２となった後には、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの輝度を高め、視認性の良好な光学像を投影できる。

ところで、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを構成するＬＥＤ素子は、その温度により射出する光量が変化する特性を有しており、例えば、温度が高くなると射出する光量が減少する。したがって、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの駆動時間の経過に応じて輝度が低下してしまう。
本実施形態では、デューティ比制御部７２２Ａは、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が温度閾値１を超える前、および、温度閾値２以下となった後は、デューティ比増加制御を実施するので、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度上昇に応じてＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの単位時間当りの点灯時間を徐々に長くし、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの駆動時間の経過に応じた輝度の低下を回避でき、視認性の良好な光学像を投影できる。

さらに、デューティ比制御部７２２Ａは、デューティ比抑制制御を実施している際、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の下降に応じて、一旦、低く変更したデューティ比を徐々に増加させ、すなわち、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の単位時間当りの点灯時間を長くするので、デューティ比抑制制御を実施している際でも、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの輝度を徐々に高めることができ、より迅速に視認性の良好な光学像を投影できる。

そして、デューティ比制御部７２２Ａは、所定の温度に対応して所定の比率で設定された各デューティ比で各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御およびデューティ比抑制制御を実施するので、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される各色光の色合いを常に変化させないように各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させることができる。

また、電気光学装置駆動制御部７２３の特性変更部７２３Ｂは、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に基づいて、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を施し、画像信号の低階調領域Ａにおける電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの光透過率を向上させて電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにおける階調−光透過率特性をそれぞれ変更するので、電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにて吸収する光束を低減させ、電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの発熱量を低減させることができる。したがって、光源駆動制御部７２２および電気光学装置駆動制御部７２３の双方を具備した構成とすることで、光源装置２および電気光学装置４の双方の発熱量を低減させることができ、プロジェクタ１内部の温度上昇を効果的に抑制できる。

ここで、特性変更部７２３Ｂは、光源駆動制御部７２２により光源装置２のデューティ比抑制制御が実施された際に、温度検出センサ２０にて検出された温度に基づいて階調−光透過率特性を変更するので、光源装置２のデューティ比抑制制御が実施された際の該光源装置２の輝度の低下を効果的に抑制することができる。
また、特性変更部７２３Ｂは、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度に基づいて電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ同士で各階調−光透過率特性が実質的に等しくなるように各階調−光透過率特性を変更するので、各階調−光透過率特性にしたがって各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにて形成される各光学像の色合いを良好にすることができ、クロスダイクロイックプリズム５にて合成された光学像を投射レンズ６にて拡大投射することで色むらのない良好な光学像を投影することができる。

そしてさらに、光源装置２は、ＬＥＤ素子を含んで構成されるＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから構成されているので、高圧水銀ランプやメタルハライドランプ等の光源装置と比較して、駆動時の発熱量が小さくて済み、光源装置２の温度上昇をさらに抑制でき、プロジェクタ１内部の温度上昇をさらに抑制できる。また、光源装置２の駆動時の消費電力が小さくて済む。さらに、光源装置２の間欠点灯制御を容易に実施することができる。さらにまた、光源装置２の小型化および軽量化を図れ、ひいてはプロジェクタ１の小型化および軽量化を図れる。

[第２実施形態]
次に、本発明の第２実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
前記第１実施形態では、光源駆動制御部７２２は、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される各色光が所定の色合いとなるように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の各デューティ比を所定の比率にして各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比制御を実施している。また、電気光学装置駆動制御部７２３は、各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにて形成される各光学像が所定の色合いとなるように各階調−光透過率特性を変更している。すなわち、各デューティ比および各階調−光透過率特性を同様に変更する制御を実施している。
これに対して第２実施形態では、各デューティ比および各階調−光透過率特性をそれぞれ独立して変更する制御を可能とする構成である。

具体的に、図９は、第２実施形態における制御装置８による光源装置２および電気光学装置４の制御構造を示すブロック図である。
制御装置８は、前記第１実施形態で説明した映像信号入力部７１および記憶部７３の他、制御部８２を備える。
なお、記憶部７３を構成するデューティ比制御データ記憶部７３２には、デューティ比増加制御テーブルＴ１、デューティ比抑制制御テーブルＴ２、デューティ比制御切替テーブルＴ３が記憶されているとともに、後述する光源駆動制御部８２２により独立デューティ比制御から色合いデューティ比制御に切り替える際の所定のデューティ比閾値が記憶されている。

制御部８２は、前記第１実施形態で説明したセンサ信号受付部７２１の他、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の各デューティ比を独立して変更する制御を可能とする光源駆動制御部８２２と、各階調−光透過率特性を独立して変更する制御を可能とする電気光学装置駆動制御部８２３とを備える。
光源駆動制御部８２２を構成するデューティ比制御部８２２Ａは、前記第１実施形態で説明したデューティ比制御部７２２Ａと略同様に、制御状態切替部８２２Ｂからの制御指令にしたがって、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度と記憶部７３に記憶された情報（デューティ比増加制御テーブルＴ１、デューティ比抑制制御テーブルＴ２）とに基づき各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御およびデューティ比抑制制御を実施する。
また、このデューティ比制御部８２２Ａは、上述したデューティ比増加制御およびデューティ比抑制制御を、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対してそれぞれ同時に実施する色合いデューティ比制御と、上述したデューティ比増加制御およびデューティ比抑制制御を、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対してそれぞれ個別に実施する独立デューティ比制御とを実施する。

光源駆動制御部８２２を構成する制御状態切替部８２２Ｂは、前記第１実施形態で説明した制御状態切替部７２２Ｂと略同様に、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度と記憶部７３に記憶された情報（デューティ比制御切替テーブルＴ３）とに基づいて、デューティ比制御部８２２Ａによる制御状態（デューティ比増加制御、デューティ比抑制制御）を切り替える。
また、この制御状態切替部８２２Ｂは、センサ信号受付部７２１で受け付けられた各温度センサ信号に対応する各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度と記憶部７３に記憶されたデューティ比閾値とに基づいて、デューティ比制御部８２２Ａによる制御状態（色合いデューティ比制御、独立デューティ比制御）を切り替える。

電気光学装置駆動制御部８２３は、前記第１実施形態で説明した画像処理部７２３Ａの他、特性変更部８２３Ｂを備える。
特性変更部８２３Ｂは、前記第１実施形態で説明した特性変更部８２３Ｂと同様に、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を施し、階調−光透過率特性を変更する。ここで、特性変更部８２３Ｂは、光源駆動制御部８２２にてＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの独立デューティ比制御が実施されている際、電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに対応する各階調−光透過率特性を独立して変更する。

次に、第２実施形態における制御装置８による光源装置２および電気光学装置４の制御動作を説明する。
図１０は、制御装置８による制御動作を説明するためのフローチャートである。
図１１は、制御装置８の制御によるＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度推移の一例を示す図である。なお、図１１では、温度の高い順にＬＥＤモジュール２Ｂ，２Ｇ，２Ｒとして示しているが、これに限らない。
図１２は、制御装置８の制御によるＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際のデューティ比の推移を示す図である。なお、図１２では、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち、一番高い温度であるＬＥＤモジュール、例えば、ＬＥＤモジュール２Ｂを間欠点灯させる際のデューティ比の推移を示している。
プロジェクタ１の起動後は、図１１に示すように、プロジェクタ１の駆動時間が経過するにしたがって、各ＬＥＤ素子の点灯により各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が徐々に上昇していく。このような状態において、前記第１実施形態で説明した処理Ｓ１と同様に、各温度検出センサ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度を検出する（処理Ｓ１１：温度検出ステップ）。
光源駆動制御部８２２は、前記第１実施形態で説明した処理Ｓ２と同様に、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対して同時にデューティ比増加制御を実施する（処理Ｓ１２）。
この処理Ｓ１２では、光源駆動制御部８２２は、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対して所定の比率に設定された各デューティ比で同時にデューティ比増加制御を実施するため、色合いデューティ比制御を実施している。

制御部８２は、光源駆動制御部８２２によりデューティ比増加制御（処理Ｓ２）が実施されている際、前記第１実施形態で説明した処理３と同様に、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度のうちの一番高い温度が温度閾値１を超えたか否かを判定する（処理Ｓ１３：温度判定ステップ）。
ここで、処理Ｓ１３において、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうちのいずれの温度も温度閾値１を超えていないと判定した場合には、上述したデューティ比増加制御（処理Ｓ１２）を継続して実施する。
一方、処理Ｓ１３において、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうちの一番高い温度が温度閾値１を超えていると判定した場合には、制御状態切替部８２２Ｂは、デューティ比制御部８２２Ａに所定の制御指令を出力し、デューティ比制御部８２２Ａの制御状態を色合いデューティ比制御（処理Ｓ１２）から独立デューティ比制御に切り替える（処理Ｓ１４）。

処理Ｓ１４の後、デューティ比制御部８２２Ａは、制御状態切替部８２２Ｂからの制御指令にしたがって、以下に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの独立デューティ比制御を実施する（処理Ｓ１５）。
先ず、制御部８２は、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち、温度閾値１を超えた温度に対応するＬＥＤモジュールを特定する（処理Ｓ１５Ａ）。なお、以下では、特定したＬＥＤモジュールをＬＥＤモジュール２Ｂとする。
そして、デューティ比制御部８２２Ａは、処理Ｓ１５Ａにおいて特定したＬＥＤモジュール２Ｂ以外のＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対しては、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたデューティ比増加制御テーブルＴ１にしたがって、デューティ比増加制御を実施する（処理Ｓ１５Ｂ）。例えば、このデューティ比増加制御（処理Ｓ１５Ｂ）では、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対応するデューティ比増加制御テーブルＴ１にしたがって、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇのうち一番高い温度に基づいて実施する。このようにＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対してデューティ比増加制御を実施することで、図１１に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度が温度閾値１を超えた後も、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇの温度は上昇する。

一方、デューティ比制御部８２２Ａは、処理Ｓ１５Ａにおいて特定したＬＥＤモジュール２Ｂに対しては、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたＬＥＤモジュール２Ｂに対応するデューティ比抑制制御テーブルＴ２にしたがって、デューティ比抑制制御を実施する（処理Ｓ１５Ｃ）。このようにＬＥＤモジュール２Ｂに対してデューティ比抑制制御を実施することで、図１２に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｂを間欠点灯制御する際のデューティ比が低く変更され、すなわち、単位時間当りの点灯時間が短くなる。このため、図１１に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度は低減していく。
また、特性変更部８２３Ｂは、記憶部７３の階調−光透過率特性データ記憶部７３３に記憶された、ＬＥＤモジュール２Ｂに対応する、すなわち、電気光学装置４Ｂに対応する変換テーブルを参照し、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度に基づいて、電気光学装置４Ｂにおける光透過率の最下限値が高くなるように、画像処理部７２３Ａから出力される電気光学装置４Ｂに対応する画像信号に対して階調変換処理を施し、電気光学装置４Ｂに対応する階調−光透過率特性を変更する（処理Ｓ１５Ｄ）。なお、階調−光透過率特性の変更処理は、前記第１実施形態と略同様であるため、詳細な説明を省略する。

制御状態切替部８２２Ｂは、デューティ比制御部８２２ＡによりＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇのデューティ比増加制御（処理Ｓ１５Ｂ）およびＬＥＤモジュール２Ｂのデューティ比抑制制御（処理Ｓ１５Ｃ）、電気光学装置駆動制御部７２３による電気光学装置４Ｂに対応する階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ１５Ｄ）が実施されている際、処理Ｓ１５Ｃにおいて、ＬＥＤモジュール２Ｂを間欠点灯させる際のデューティ比を認識する。ここで、制御状態切替部８２２Ｂは、認識したデューティ比と、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたデューティ比閾値とを比較し、認識したデューティ比がデューティ比閾値を超えたか否かを判定する（処理Ｓ１５Ｅ）。

処理Ｓ１５Ｅにおいて、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、認識したデューティ比がデューティ比閾値以下であると判定した場合には、上述したＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇのデューティ比増加制御（処理Ｓ１５Ｂ）、ＬＥＤモジュール２Ｂのデューティ比抑制制御（処理Ｓ１５Ｃ）、および電気光学装置４Ｂにおける階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ１５Ｄ）を継続して実施する。
前記第１実施形態で説明したように、デューティ比抑制制御（処理Ｓ１５Ｃ）を繰り返し実施することで、図１２に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度の下降に応じて、一旦、低く変更したデューティ比を徐々に増加させ、すなわち、ＬＥＤモジュール２Ｂを間欠点灯させる際の単位時間当りの点灯時間を徐々に長くしている。また、階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ１５Ｄ）を繰り返し実施することで、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度の下降に応じて電気光学装置４Ｂにおける光透過率の最下限値が小さくなるように、階調−光透過率特性曲線を変更する。

一方、処理Ｓ１５Ｅにおいて、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、デューティ比抑制制御（処理Ｓ１５Ｃ）を繰り返し実施することでＬＥＤモジュール２Ｂを間欠点灯させる際のデューティ比が徐々に増加し、該デューティ比がデューティ比閾値を超えたと判定した場合には、制御状態切替部８２２Ｂは、デューティ比制御部８２２Ａに所定の制御指令を出力し、デューティ比制御部８２２Ａの制御状態を独立デューティ比制御（処理Ｓ１４）から色合いデューティ比制御に切り替える（処理Ｓ１６）。
処理Ｓ１６の後、デューティ比制御部８２２Ａは、制御状態切替部８２２Ｂからの制御指令にしたがって、以下に示すように、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの色合いデューティ比制御を実施する（処理Ｓ１７）。
デューティ比制御部８２２Ａは、ＬＥＤモジュール２Ｂに対しては、上述したデューティ比抑制制御（処理Ｓ１５Ｃ）を継続して実施する。このようにＬＥＤモジュール２Ｂに対してデューティ比抑制制御を継続して実施することで、図１１に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度がさらに低減する。また、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対しては、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対応するデューティ比抑制制御テーブルＴ２を参照し、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度に基づいて、デューティ比抑制制御を実施する。すなわち、デューティ比制御部８２２Ａは、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度に基づいて全てのＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比抑制制御を実施することで、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが所定の比率の各デューティ比で間欠点灯し、色合いデューティ比制御を実施している。このようにＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対してデューティ比抑制制御を実施することで、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇを間欠点灯制御する際のデューティ比が低く変更され、すなわち、単位時間当りの点灯時間が短くなる。このため、図１１に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇの温度は低減していく。

また、この際、特性変更部８２３Ｂは、上述した電気光学装置４Ｒに対応する階調−光透過率特性の変更処理（処理Ｓ１５Ｄ）を継続して実施するとともに、記憶部７３の階調−光透過率特性データ記憶部７３３に記憶された、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇに対応する、すなわち、電気光学装置４Ｒ，４Ｇに対応する変換テーブルを参照し、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度に基づいて、電気光学装置４Ｒ，４Ｇに対応する階調−光透過率特性の変更処理を実施する。すなわち、特性変更部８２３Ｂは、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度に基づいて全ての電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにおける階調−光透過率特性の変更処理を実施することで、変更された各階調−光透過率特性曲線が実質的に同一となる。したがって、各階調−光透過率特性曲線にしたがって各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにて光学像を形成させた場合には、各光学像が所定の色合いとなる。

制御部７２は、光源駆動制御部８２２により色合いデューティ比制御（処理Ｓ１７）が実施されている際、センサ信号受付部７２１を介して逐次、各温度センサ信号を出力し、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度を認識する。ここで、制御部７２は、処理Ｓ１５Ａにて特定したＬＥＤモジュール２Ｂの温度と、記憶部７３のデューティ比制御データ記憶部７３２に記憶された温度閾値２とを比較し、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度が温度閾値２以下であるか否かを判定する（処理Ｓ１８）。
処理Ｓ１８において、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度が温度閾値２以下でないと判定した場合には、上述した色合いデューティ比制御（処理Ｓ１７）を継続して実施する。

一方、処理Ｓ１８において、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、色合いデューティ比制御（処理Ｓ１７）を繰り返し実施することで、図１１に示すように、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度がさらに下降し、ＬＥＤモジュール２Ｂの温度が温度閾値２以下であると判定した場合には、制御状態切替部８２２Ｂは、前記第１実施形態で説明した処理Ｓ８と同様に、デューティ比制御部８２２Ａに所定の制御指令を出力し、デューティ比制御部８２２Ａの制御状態をデューティ比抑制制御からデューティ比増加制御に切り替える（処理Ｓ１９）。
そして、デューティ比制御部８２２Ａは、上述したデューティ比増加制御（処理Ｓ１２）と同様に、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御を実施する（処理２０）。
また、特性変更部８２３Ｂは、画像処理部７２３Ａから出力される画像信号に対して階調変換処理を実施することを停止する（処理Ｓ２１）。
上述したデューティ比増加制御（処理Ｓ１２）と同様に、デューティ比増加制御（処理Ｓ２０）を実施することで、図１１に示すように、再度各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が上昇する。このように、本実施形態では、プロジェクタ１の駆動時には、上述した処理Ｓ１１〜処理Ｓ２１を繰り返し実施する。

上述したような第２実施形態においては、前記第１実施形態と比較して、制御状態切替部８２２Ｂは、温度検出センサ２０にて検出されたＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度のうちの少なくともいずれかの温度が温度閾値１を超えた場合に、デューティ比制御部８２２Ａによる制御状態を色合いデューティ比制御から独立デューティ比制御に切り替え、デューティ比制御部８２２Ａに、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち前記少なくともいずれかの温度に対応するＬＥＤモジュールに対してデューティ比抑制制御を実施させ、その他のＬＥＤモジュールに対してデューティ比増加制御を実施させるので、熱的に問題のないＬＥＤモジュールの輝度を確保し、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される各色光を合成した際の全体としての輝度の低下を抑制することができる。

また、制御状態切替部８２２Ｂは、デューティ比制御部８２２Ａによる独立デューティ比制御が実施されている際、前記少なくともいずれかの温度に対応するＬＥＤモジュールのデューティ比がデューティ比閾値を超えた場合に、デューティ比制御部８２２Ａによる独立デューティ比制御を色合いデューティ比制御に切り替えるので、前記少なくともいずれかの温度に対応するＬＥＤモジュールの輝度が投影画像の輝度低下に寄与する影響が少ない輝度となった後に色合いデューティ比制御を実施して、所定の輝度値を有しかつ、良好な色合いの光学像を投影できる。

さらに、特性変更部８２３Ｂは、光源駆動制御部８２２により光源装置２の独立デューティ比制御が実施されている際、電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのうち、前記少なくともいずれかの温度を有するＬＥＤモジュールに対応する電気光学装置のみの階調−光透過率特性の変更処理を実施するので、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの異なる輝度に対応させて各電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに光学像を形成させることができ、クロスダイクロイックプリズム５にて合成された光学像の色バランスを修正することが可能となる。

以上、本発明について好適な実施形態を挙げて説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設計の変更が可能である。
前記各実施形態では、光源駆動制御部７２２，８２２による光源装置２のデューティ比制御、および電気光学装置駆動制御部７２３，８２３による電気光学装置４における階調−光透過率特性の変更制御の双方を実施させる構成としたが、これに限らず、いずれかの制御のみを実施させる構成としても本発明の目的を十分に達成できる。

前記各実施形態では、光源駆動制御部７２２，８２２は、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が温度閾値１を超える前にデューティ比増加制御（処理Ｓ２，Ｓ９，Ｓ１２，Ｓ２０）を実施し、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度上昇に応じてデューティ比を徐々に増加させていたが、これに限らない。例えば、デューティ比増加制御を実施する際、所定のデューティ比にて継続してＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる制御を実施する構成としてもよい。
また、前記第１実施形態では、光源駆動制御部７２２は、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度が温度閾値１を超えた後にデューティ比抑制制御を実施し、一旦、デューティ比を低く変更してから、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の下降に応じて前記低く変更したデューティ比を徐々に増加させていたが、これに限らない。例えば、デューティ比抑制制御を実施する際、一旦、デューティ比を低く変更してから、変更したデューティ比にて継続してＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる制御を実施する構成としてもよい。
以上のような制御を実施している際、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの温度の上昇または下降に応じて、特性変更部７２３Ｂ，８２３Ｂが階調−光透過率特性の変更処理を実施する構成を採用してもよい。

前記各実施形態では、特性変更部７２３Ｂ，８２３Ｂは、階調−光透過率特性を変更する際、画像信号に対して階調変換処理を実施していたが、これに限らない。例えば、電気光学装置４を構成する液晶パネルに印加する駆動電圧に所定のオフセット電圧を加算し、前記液晶パネルに加わる駆動電圧を高電圧側にシフトさせて階調−光透過率特性を変更する構成としてもよい。
また、階調−光透過率特性の変更を、ガンマ補正処理を実施する際に同時に実施する構成としてもよい。すなわち、前記各実施形態における画像処理部７２３Ａにて階調−光透過率特性の変更処理を実施させる構成としてもよい。
前記各実施形態において、光源装置２を構成する固体発光素子として、ＬＥＤ素子を採用したが、これに限らず、その他の固体発光素子、例えば、半導体レーザ等を採用してもよい。

前記第１実施形態では、温度検出センサ２０は、３つのＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて３つで構成されていたが、これに限らず、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち少なくともいずれかのＬＥＤモジュールの温度を検出するように配置されればよい。すなわち、温度検出センサ２０は、３つに限らず、１つでも２つでもよい。

前記第２実施形態では、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各温度のうちの一番高い温度に基づいて、色合いデューティ比制御から独立デューティ比制御に切り替えていたが、これに限らない。例えば、各ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを間欠点灯させる際の各デューティ比のうちの一番大きいデューティ比が所定のデューティ比閾値を超えた場合に、色合いデューティ比制御から独立デューティ比制御に切り替える構成を採用してもよい。この場合、独立デューティ比制御に切り替える前の色合いデューティ比制御は、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比増加制御を実施している状態、または、ＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのデューティ比抑制制御を実施している状態であっても構わない。

前記各実施形態では、プロジェクタ１の制御装置７，８は、映像信号入力部７１を備え、外部機器から入力する画像信号に応じて電気光学装置４の駆動制御を実施していたが、これに限らない。例えば、映像信号入力部７１を省略し、プロジェクタ１の制御装置７，８が、外部機器からの制御信号を入力する外部制御入力部と、所定の画像データを記憶する画像データ保存部と、前記外部制御入力部にて入力した制御信号に基づいて、前記画像データ保存部に記憶された画像データに所定の処理を施して、電気光学装置４を駆動制御する画像データ生成部とを備えた構成であってもよい。

前記各実施形態では、液晶パネルモジュール４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂを構成する液晶パネルは、透過型の液晶パネルとして説明したが、これに限らず、反射型の液晶パネルとして構成してもよい。この場合、前記各実施形態で説明した階調−光透過率特性は、階調−光反射率特性となり、特性変更部７２３Ｂ，８２３Ｂは階調−光反射率特性を変更するものとする。
前記各実施形態では、光源装置２は３つのＬＥＤモジュール２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで構成され、これに対応して電気光学装置４は３つの電気光学装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂで構成されていたが、これに限らない。例えば、光源装置２を１つのみのＬＥＤモジュール、電気光学装置４を１つのみの電気光学装置とする構成、光源装置２を２つのＬＥＤモジュール、電気光学装置４を２つの電気光学装置とする構成、あるいは、光源装置２を４つ以上のＬＥＤモジュール、電気光学装置４を４つ以上の電気光学装置とする構成としてもよい。
前記各実施形態では、電気光学装置４は液晶パネルを含んで構成されていたが、これに限らず、デジタル・マイクロミラー・デバイス（テキサスインスツルメント社の商標）として構成してもよい。
前記各実施形態において、プロジェクタ１は、スクリーン１００を観察する側から光学像を投影するフロント投射型プロジェクタとして構成してもよく、あるいは、スクリーン１００を観察する側と反対側から光学像を投射するリア投射型プロジェクタとして構成してもよい。

本発明を実施するための最良の構成などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部若しくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。

本発明のプロジェクタは、内部温度の上昇を抑制し、利便性の向上が図れるため、ホームシアターやプレゼンテーションで利用されるプロジェクタとして有用である。

１・・・プロジェクタ、２・・・光源装置、４・・・電気光学装置、５・・・クロスダイクロイックプリズム（色合成光学装置）、６・・・投射レンズ（投射光学装置）、２０・・・温度検出センサ（温度検出部）、７２２・・・光源駆動制御部、７２２Ａ・・・デューティ比制御部、７２２Ｂ・・・制御状態切替部、７２３・・・電気光学装置駆動制御部、７２３Ｂ・・・特性変更部、Ｓ１，Ｓ１１・・・温度検出ステップ、Ｓ３，Ｓ１３・・・温度判定ステップ、Ｓ５，Ｓ１５Ｃ・・・デューティ比抑制制御ステップ、Ｓ６，Ｓ１５Ｄ・・・特性変更ステップ。

Claims (5)

1. 光源装置と、画像情報の階調レベルに応じて前記光源装置から射出された光束の光透過率または光反射率を変化させることで光変調を実施して光学像を形成する電気光学装置と、前記電気光学装置にて形成された光学像を拡大投射する投射光学装置とを備えたプロジェクタであって、
   前記電気光学装置を駆動制御する電気光学装置駆動制御部と、前記光源装置近傍に配置され前記光源装置の温度を検出する温度検出部とを備え、
   前記電気光学装置駆動制御部は、前記画像情報に所定の処理を施し、前記画像情報の階調レベル、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率における階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更する特性変更部を含んで構成され、
   前記特性変更部は、前記温度検出部にて検出された検出温度に基づいて前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、前記設定した最下限値、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値に基づいて所定の階調値以下の低階調領域でのみ前記階調−光透過率特性または前記階調−光反射率特性を変更することを特徴とするプロジェクタ。
2. 請求項１に記載のプロジェクタにおいて、
   前記光源装置は、複数の色光をそれぞれ射出可能に複数で構成され、
   前記温度検出部は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、
   前記電気光学装置は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、
   前記複数の電気光学装置にて形成された色光毎の光学像を合成して射出する色合成光学装置を備え、
   前記特性変更部は、前記複数の温度検出部にて検出された複数の検出温度に基づいて前記複数の色光に対応する前記画像情報に所定の処理を施し、前記複数の電気光学装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に等しくなるように変更することを特徴とするプロジェクタ。
3. 請求項１に記載のプロジェクタにおいて、
   前記光源装置は、複数の色光をそれぞれ射出可能に複数で構成され、
   前記温度検出部は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、
   前記電気光学装置は、前記複数の光源装置に対応して複数で構成され、
   前記複数の電気光学装置にて形成された色光毎の光学像を合成して射出する色合成光学装置を備え、
   前記特性変更部は、前記複数の温度検出部にて検出された複数の検出温度に基づいて前記複数の色光に対応する前記画像情報に所定の処理を施し、前記複数の電気光学装置同士で各階調−光透過率特性または各階調−光反射率特性が実質的に異なるように変更することを特徴とするプロジェクタ。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載のプロジェクタにおいて、
   前記光源装置は、固体発光素子を含んで構成されていることを特徴とするプロジェクタ。
5. 光源装置と、画像情報の階調レベルに応じて前記光源装置から射出された光束の光透過率または光反射率を変化させることで光変調を実施して光学像を形成する電気光学装置と、前記電気光学装置にて形成された光学像を拡大投射する投射光学装置と、前記電気光学装置を駆動制御する電気光学装置駆動制御部と、前記光源装置近傍に配置され前記光源装置の温度を検出する温度検出部とを備えたプロジェクタの制御方法であって、
   前記温度検出部が、前記光源装置の温度を検出する温度検出ステップと、
   前記電気光学装置駆動制御部が、前記温度検出ステップにて検出した検出温度に基づいて前記画像情報に所定の処理を施し、前記画像情報の階調レベル、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率における階調−光透過率特性または階調−光反射率特性を変更する特性変更ステップとを備え、
   前記特性変更ステップは、前記検出温度に基づいて前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最下限値を設定し、前記設定した最下限値、および前記電気光学装置の光透過率または光反射率の最高値に基づいて所定の階調値以下の低階調領域でのみ前記階調−光透過率特性または前記階調−光反射率特性を変更することを特徴とするプロジェクタの制御方法。

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