JP4899088B2 - 半導体インゴットの切断方法 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 87
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 25
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
するほど、製造ロスが小さくなり、「g/枚」を小さくでき、歩留まりを向上させることができる。また、砥粒31の粒度が小さくなるほど、切断されたウェーハ1aの表面に与えるダメージが小さくでき、ダメージ層を除去するために行われる後工程における取代を小さくすることができ、製造ロスの減少に寄与する。
半導体インゴットの切断部位に砥粒を含むスラリを供給するとともに、ローラに巻かれて走行するワイヤに引張荷重を加えつつ、ワイヤに対して半導体インゴットを押し当てる方向に相対移動させて、半導体インゴットを切断するようにした半導体インゴットの切断方法において、
0.14mm以下の線径のワイヤを用いるとともに、2000番以下と3000番以上を除いた範囲の番手の砥粒を用いて半導体インゴットを切断するに際して、
ワイヤにインゴットが押し当てられたときの反発力を低減するために、2.5kg/fよりも低い引張荷重であって、線径が小さくなるに伴い、より低くくなる引張荷重をワイヤに加えて、半導体インゴットを切断する半導体インゴットの切断方法であることを特徴とする。
ワイヤの線径が0.14mm以下で0.12mmを超えた値のときには、引張荷重が2.3kg/f以下で2.1kg/fを超えた値に設定され、
ワイヤの線径が0.12mm以下の値のときには、引張荷重が2.1kg/f以下に設定されることを特徴とする。
切断しようとする半導体インゴットは、ローラの長手方向に沿って、2本以上一列に配置されていることを特徴とする。
条件 縦倍率 5000
横倍率 20
測定長さ 2.5mm
カットオフ値 λc=0.25mm
測定速度 0.1mm/s
図8、図9は測定結果を示している。
(本実施例1)
砥粒31の番手 #2500
ワイヤ6の線径 0.14mm
ワイヤ6の引張荷重 2.3kg /f
(本実施例2)
砥粒31の番手 #2500
ワイヤ6の線径 0.12mm
ワイヤ6の引張荷重 2.1kg /f
以下、上記実施例1、2の比較例として#1000の砥粒31を使用した場合の条件を掲げる。
(比較例1)
砥粒31の番手 #1000
ワイヤ6の線径 0.14mm
ワイヤ6の引張荷重 2.5kg /f
(比較例2)
砥粒31の番手 #1000
ワイヤ6の線径 0.12mm
ワイヤ6の引張荷重 2.3kg /f
図10(a)、(b)は、切断後のウェーハ1aの表面を撮影した写真を示す。図10(a)は#2500の砥粒31を用いて切断されたウェーハ1aの表面であり、ワイヤ6によって切断される方向を矢印で示している。図10(b)は#1000の砥粒31を用いて切断されたウェーハ1aの表面である。
砥粒の番手 #2500
切断中央速度 415μm/min以上
ワイヤの線径 φ0.12mm〜φ0.14mm
引張荷重 2.1kg/f〜2.3kg/f
(比較例3)
砥粒の番手 #2500
切断中央速度 400μm/min
ワイヤの線径 φ0.12mm〜φ0.14mm
引張荷重 2.1kg/f〜2.3kg/f
なお、切断開始速度は、800〜810μm/min程度に設定し、切断終了速度は、600〜610μm/min程度に設定した。
砥粒の番手 #2500
ワイヤの線径 φ0.14mm
引張荷重 2.3kg/f以下
切断中央速度 415μm/min
(実施例5)
砥粒の番手 #2500
ワイヤの線径 φ0.12mm
引張荷重 2.1kg/f以下
切断中央速度 415μm/min
(比較例4)
砥粒の番手 #2500
ワイヤの線径 φ0.14mm
引張荷重 2.5kg/f以下
切断中央速度 415μm/min
(比較例5)
砥粒の番手 #2500
ワイヤの線径 φ0.12mm
引張荷重 2.5kg/f以下
切断中央速度 415μm/min
比較例4、5の引張荷重2.5kg/fは、従来の番手(#600〜#1500)の砥粒使用時に設定されていた切断速度である(従来条件)。
Claims (2)
- 半導体インゴットの切断部位に砥粒を含むスラリを供給するとともに、ローラに巻かれて走行するワイヤに引張荷重を加えつつ、ワイヤに対して半導体インゴットを押し当てる方向に相対移動させて、半導体インゴットを切断するようにした半導体インゴットの切断方法において、
0.14mm以下であって0.12mm以上の線径のワイヤを用いるとともに、2000番以下と3000番以上を除いた範囲の番手の砥粒を用いて半導体インゴットを切断するに際して、
ワイヤにインゴットが押し当てられたときの反発力を低減するために、ワイヤの線径が0.14mmのときには、引張荷重を、2.3kgf以下で2.1kg以上の範囲内の値に設定するとともに、ワイヤの線径が0.12mmのときには、引張荷重を、2.1kgf以下で1.8kgf以上の範囲内の値に設定し、ワイヤの線径が、0.14mmから0.12mmに小さくなるに伴い、引張り荷重を徐々に低い値に設定して引張荷重をワイヤに加えて、半導体インゴットを切断する半導体インゴットの切断方法。 - 切断しようとする半導体インゴットは、ローラの長手方向に沿って、2本以上一列に配置されている請求項1記載の半導体インゴットの切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006105288A JP4899088B2 (ja) | 2006-04-06 | 2006-04-06 | 半導体インゴットの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006105288A JP4899088B2 (ja) | 2006-04-06 | 2006-04-06 | 半導体インゴットの切断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281175A JP2007281175A (ja) | 2007-10-25 |
JP4899088B2 true JP4899088B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=38682325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006105288A Active JP4899088B2 (ja) | 2006-04-06 | 2006-04-06 | 半導体インゴットの切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4899088B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006058823B4 (de) * | 2006-12-13 | 2017-06-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000117726A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-25 | Toray Eng Co Ltd | ワイヤソー |
-
2006
- 2006-04-06 JP JP2006105288A patent/JP4899088B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007281175A (ja) | 2007-10-25 |
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